芯片内部电源输出电压测量系统及方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺,更具体地说,本发明涉及一种芯片内部电源输出电压测量系统及方法。
背景技术
半导体芯片的制造的整个流程主要由设计、晶圆制造、封装测试几部分组成。
其中,中测(Wafer test)是半导体后道封装测试的第一道工序,中测也称为针测、晶圆测试、电路探测(CP,Circuit Probing)、晶圆检测(Wafer Sort)、晶圆探测(Wafer Probing)等。中测的目的是将硅片中不良的芯片挑选出来。
中测所用到的设备有测试机(IC Tester)、探针卡(Probe Card)、探针台(Prober)以及测试机与探针卡之间的接口(Mechanical Interface)。
在对芯片的性能进行测试时,测试机通过探针卡连接至芯片引脚。其中,芯片的一个引脚对应针卡的一根引脚,且对应于测试机的一个通道,由此形成一一对应的关系。
在进行芯片(例如嵌入式闪存芯片)的内部电源输出电压测量时,测试机的单个通道不能同时既向嵌入式闪存芯片提供驱动电压(即,测试机给内部电源供电以确保电源供给的准确性),又作为用于电源管理单元(PMU)的通道。其中,电源管理单元用于向嵌入式闪存芯片施加驱动电流,以量测芯片内部电源输出电压。由此,不便于测量芯片内部电源输出电压。
在现有技术中,一般采用外部源电压测量仪来进行芯片内部电源输出电压测量。
因此,希望能够提供一种能够在不使用外部源电压测量仪的情况下就能进行芯片内部电源输出电压测量的芯片内部电源输出电压测量系统及方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够在不使用外部源电压测量仪的情况下就能进行芯片内部电源输出电压测量的芯片内部电源输出电压测量系统及方法。
为了实现上述技术目的,根据本发明的第一方面,提供了一种芯片内部电源输出电压测量系统,其包括:测试机以及探针卡;其中所述测试机通过所述探针卡连接至待测芯片;其中,所述测试机包括驱动电压施加单元以及电源管理单元;而且其中,所述驱动电压施加单元用于向内部电源供电以确保电源供给的准确性;所述电源管理单元用于所述向所述待测芯片施加驱动电流,以量测所述待测芯片的内部电源输出电压;并且其中,所述测试机的第一通道和第二通道在输出端相互短接并连接至所述探针卡的一个输入端口;而且,所述探针卡的所述输入端口对应于所述待测芯片的一个引脚。
优选地,所述待测芯片是嵌入式闪存芯片。
优选地,在所述测试机内部,所述第一通道用于与所述驱动电压施加单元连接,所述第二通道用于与所述电源管理单元连接;并且,在任何时刻,仅仅所述第一通道与所述驱动电压施加单元的连接以及所述第二通道与所述电源管理单元的连接之一接通。
优选地,所述测试机的所述第一通道和所述第二通道在所述测试机的内部相互短接,并且所述第一通道和所述第二通道在所述测试机内部的内部短接端选择性地连接至所述驱动电压施加单元以及所述电源管理单元之一。
优选地,所述第一通道和所述第二通道在所述测试机内部的内部短接端通过单刀双掷开关K选择性地连接至所述驱动电压施加单元以及所述电源管理单元之一。
根据本发明的第二方面,提供了芯片内部电源输出电压测量方法,其包括:通过所述探针卡将所述测试机连接至待测芯片,其中,测试机包括驱动电压施加单元以及电源管理单元,驱动电压施加单元用于向内部电源供电以确保电源供给的准确性;电源管理单元用于所述向所述待测芯片施加驱动电流,以量测所述待测芯片的内部电源输出电压;将所述测试机的第一通道和第二通道在输出端相互短接并连接至所述探针卡的一个输入端口;以所述探针卡的所述输入端口对应于所述待测芯片的一个引脚的方式连接所述探针卡和所述待测芯片;使所述第一通道与所述驱动电压施加单元的连接以及所述第二通道与所述电源管理单元的连接之一接通。
根据本发明的第三方面,提供了芯片内部电源输出电压测量方法,其包括:通过所述探针卡将所述测试机连接至待测芯片,其中,测试机包括驱动电压施加单元以及电源管理单元,驱动电压施加单元用于向内部电源供电以确保电源供给的准确性;电源管理单元用于所述向所述待测芯片施加驱动电流,以量测所述待测芯片的内部电源输出电压;将所述测试机的第一通道和第二通道在输出端相互短接并连接至所述探针卡的一个输入端口;以所述探针卡的所述输入端口对应于所述待测芯片的一个引脚的方式连接所述探针卡和所述待测芯片;将所述测试机的所述第一通道和所述第二通道在所述测试机的内部相互短接;将所述第一通道和所述第二通道在所述测试机内部的内部短接端选择性地连接至所述驱动电压施加单元以及所述电源管理单元之一。
优选地,将所述第一通道和所述第二通道在所述测试机内部的内部短接端通过单刀双掷开关选择性地连接至所述驱动电压施加单元以及所述电源管理单元之一。
由此,本发明提供一种能够在不使用外部源电压测量仪的情况下就能进行芯片内部电源输出电压测量的芯片内部电源输出电压测量系统及方法。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1示意性地示出了根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量系统的结构框图。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量系统的另一种结构框图。
图3示意性地示出了根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量方法的流程图。
需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
<第一实施例>
图1示意性地示出了根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量系统的结构框图。
如图1所示,根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量系统包括:测试机1以及探针卡2;其中所述测试机1通过所述探针卡2连接至待测芯片3。
其中,测试机1包括驱动电压施加单元21以及电源管理单元22。而且其中,驱动电压施加单元21用于向内部电源供电以确保电源供给的准确性;电源管理单元22用于所述向所述待测芯片3施加驱动电流,以量测所述待测芯片3的内部电源输出电压。
并且,其中,所述测试机1的第一通道ch1和第二通道ch2在输出端相互短接并连接至所述探针卡2的一个输入端口A1。而且,所述探针卡2的所述输入端口A1对应于所述待测芯片3的一个引脚pin1。
在一个具体实施例方式中,如图1所示,在所述测试机1内部,所述第一通道ch1用于与所述驱动电压施加单元21连接,所述第二通道ch2用于与所述电源管理单元22连接;并且,在任何时刻,仅仅所述第一通道ch1与所述驱动电压施加单元21的连接以及所述第二通道ch2与所述电源管理单元22的连接之一接通。例如,可以通过程序控制来实现上述接通功能。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量系统的另一种结构框图。
优选地,在另一具体实施例方式中,如图2所示,所述测试机1的所述第一通道ch1和所述第二通道ch2在所述测试机1的内部相互短接,并且所述第一通道ch1和所述第二通道ch2在所述测试机1内部的内部短接端B选择性地连接至所述驱动电压施加单元21以及所述电源管理单元22之一。
所述第一通道ch1和所述第二通道ch2在所述测试机1内部的内部短接端B通过单刀双掷开关K选择性地连接至所述驱动电压施加单元21以及所述电源管理单元22之一。也就是说,所述第一通道ch1和所述第二通道ch2之一仅仅是一个虚设的通道,它们总体上仅仅作为一个有效通道使用。
当然,除了单刀双掷开关K之外,还可以通过程序控制来实现上述功能。
例如,在具体应用中,所述待测芯片3是嵌入式闪存芯片。
由此,本发明实施例提供一种能够在不使用外部源电压测量仪的情况下就能进行芯片内部电源输出电压测量的芯片内部电源输出电压测量系统。
<第二实施例>
图2示意性地示出了根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量方法的流程图。
如图2所示,根据本发明实施例的芯片内部电源输出电压测量方法包括:
通过所述探针卡2将所述测试机1连接至待测芯片3(步骤S1);其中,测试机1包括驱动电压施加单元21以及电源管理单元22。而且其中,驱动电压施加单元21用于向内部电源供电以确保电源供给的准确性;电源管理单元22用于所述向所述待测芯片3施加驱动电流,以量测所述待测芯片3的内部电源输出电压;
将所述测试机1的第一通道ch1和第二通道ch2在输出端相互短接并连接至所述探针卡2的一个输入端口A1(步骤S2);
以所述探针卡2的所述输入端口A1对应于所述待测芯片3的一个引脚pin1的方式连接所述探针卡2和所述待测芯片3(步骤S3);
使所述第一通道ch1与所述驱动电压施加单元21的连接以及所述第二通道ch2与所述电源管理单元22的连接之一接通(步骤S4)。
在替换实施例中,步骤S4可替换为:将所述测试机1的所述第一通道ch1和所述第二通道ch2在所述测试机1的内部相互短接;以及将所述第一通道ch1和所述第二通道ch2在所述测试机1内部的内部短接端B选择性地连接至所述驱动电压施加单元21以及所述电源管理单元22之一(例如,将所述第一通道ch1和所述第二通道ch2在所述测试机1内部的内部短接端B通过单刀双掷开关K选择性地连接至所述驱动电压施加单元21以及所述电源管理单元22之一)。
由此,本发明实施例提供一种能够在不使用外部源电压测量仪的情况下就能进行芯片内部电源输出电压测量的芯片内部电源输出电压测量方法。
可以理解的是,虽然本发明已以较佳实施例披露如上,然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。