CN102789969A - 沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 - Google Patents
沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102789969A CN102789969A CN2012103031939A CN201210303193A CN102789969A CN 102789969 A CN102789969 A CN 102789969A CN 2012103031939 A CN2012103031939 A CN 2012103031939A CN 201210303193 A CN201210303193 A CN 201210303193A CN 102789969 A CN102789969 A CN 102789969A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nitride film
- silicon nitride
- gas
- sih
- gas circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 83
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 138
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 10
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该沉积氮化硅膜的方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1<n<5的整数，硅片依次通过平板式PECVD的腔室的2n条气路后沉积形成氮化硅膜，前（n-1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q1且反应气体中各气体组分的体积比为a；后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q2且反应气体中各气体组分的体积比为b，Q1和Q2不相等，a和b不相等。本发明在高带速下沉积氮化硅膜，通过改变反应气的流量控制方法得到两层氮化硅膜，改善了氮化硅膜的减反射作用。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。
背景技术
晶硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域，其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。晶硅太阳能电池的生产工艺流程如图1所示，首先对硅片进行清洗，通过化学清洗达到对硅片表面的结构化处理；其次将清洗后的硅片进行扩散处理，硅片经硼扩散工艺形成p-n结；之后对形成p-n结的硅片进行周边刻蚀工艺，以去掉在扩散工艺中硅片边缘所形成的导电层；然后经过化学清洗工艺，以除去在扩散过程中在硅片表面形成的玻璃层；接着经PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）工艺沉积减反射膜—氮化硅膜；最后再依次经丝网印刷工艺、烧结工艺等制作得到符合要求的晶硅太阳能电池。
其中的氮化硅膜主要采用平板式PECVD和管式PECVD进行沉积，在工艺腔中，SiH4和NH3在高频微波源作用下热运动加剧，相互碰撞使分子电离，电离形成的离子反应形成SiNx，其中：
总反应式为：
相对管式PECVD，平板式PECVD有着均匀性好和产量高的特点，因此平板式PECVD设备被广泛应用。目前平板式PECVD的工艺腔室一般包含有4条、6条或8条路气路，每一个气路分别接着流量计，从而分别进行每路气体的流量控制。生产中，通常设定前半部分的气路采用一个流量设置其中SiH4和NH3的体积比为1:1.7~1:3，后半部分的气路采用一个流量设置其中SiH4和NH3的体积比为1:2.5~1:4，流量不同，形成的SiNx也不同，从而得到双层氮化硅膜。
目前，随着太阳能产量的增加，需要提高PECVD设备的带速，使其沉积氮化硅膜的速度更快，然而随着沉积速度的增加氮化硅膜质量将有所下降，从而影响着太阳电池的转换效率。因此，在提高产量的背景下，如何保证在高带速下沉积出高质量的氮化硅膜成为了工艺人员急需解决的问题。
发明内容
本发明旨在提供一种沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法，从而实现了高带速下得到高质量的氮化硅膜的效果。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种沉积氮化硅膜的方法，方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1<n<5的整数，硅片依次通过平板式PECVD的腔室的2n条气路后沉积形成氮化硅膜，上述2n条气路中，前（n-1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q1且反应气体中各气体组分的体积比为a；后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q2且反应气体中各气体组分的体积比为b，Q1和Q2不相等，a和b不相等。
进一步地，上述反应气体中的气体组分为SiH4和NH3，前（n-1）条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比a为1:1.2~1:2，且SiH4的流量为180~250sccm；后（n+1）条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比b为1:3~1:4，且SiH4的流量为90~130sccm。
进一步地，上述前（n-1）条气路中和后（n+1）条气路中，NH3的流量均为300~450sccm。
进一步地，上述平板式PECVD的腔室包括6条气路。
进一步地，上述平板式PECVD的腔室包括8条气路。
根据本发明另一方面，还提供了一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括：制绒、扩散、刻蚀、沉积氮化硅膜、丝网印刷电极和烧结，上述制作方法采用上述的方法沉积氮化硅膜。
根据本发明又一方面，还提供了一种晶硅太阳能电池，该晶硅太阳能电池采用上述的制作方法制作而成。
进一步地，上述晶硅太阳能电池中氮化硅膜未两层，位于内层的氮化硅膜的厚度为25~40nm，位于外层的氮化硅膜的厚度为45~60nm。
本发明采用平板式PECVD在高带速下沉积氮化硅膜，提高了氮化硅膜的沉积效率，增加了太阳能电池的产率；同时，通过改变目前反应气的流量控制方法使前（n-1）条气路中反应气体总流量相同，且反应气体中各气体组分的体积比也相同，后（n+1）条气路中反应气体总流量相同但与前（n-1）条气路不同，且反应气体中各气体组分的体积比也相同但与前（n-1）条气路不同，得到的两层氮化硅膜的内层膜较薄，从而减小了内层氮化硅膜的吸光系数，外层的氮化硅膜较厚，改善了氮化硅膜的减反射作用。采用上述方法沉积氮化硅膜，不需要对设备作任何改进，也不需要对流量之外的参数做任何变动，因此，比较容易实现。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了现有技术中晶硅太阳能电池的制作工艺流程；以及
图2示出了本发明沉积氮化硅膜时硅片通过平板式PECVD腔室的示意图，箭头方向为硅片的运动方向。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
如图2所示，在本发明一种典型的实施方式中，提供了一种沉积氮化硅膜的方法，该方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，平板式PECVD的带速为180~200cm/min，平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1<n<5的整数，硅片依次通过平板式PECVD的腔室的2n条气路后沉积形成氮化硅膜，2n条气路中：前（n-1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q1且反应气体中各气体组分的体积比为a；后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q2且反应气体中各气体组分的体积比为b，Q1和Q2不相等，a和b不相等。
本发明采用平板式PECVD在高带速下沉积氮化硅膜，提高了氮化硅膜的沉积效率，增加了太阳能电池的产率；同时，通过改变目前反应气的流量控制方法使前（n-1）条气路中反应气体总流量相同，且反应气体中各气体组分的体积比也相同，从而在硅片通过前（n-1）条气路时沉积形成内层的氮化硅膜；后（n+1）条气路中反应气体总流量相同但与前（n-1）条气路不同，且反应气体中各气体组分的体积比也相同但与前（n-1）条气路不同，从而在硅片通过后（n+1）条气路时形成外层的氮化硅膜，其中内层的氮化硅膜较薄，从而降低了内层氮化硅膜的吸光系数，外层的氮化硅膜较厚，改善了氮化硅膜的减反射作用。采用上述方法沉积氮化硅膜，不需要对设备作任何改进，也不需要对流量之外的参数做任何变动，因此，比较容易实现。
在本发明一种优选的实施例中，反应气体中的气体组分为SiH4和NH3，上述平板式PECVD腔室的前（n-1）条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比a为1:1.2~1:2，且SiH4的流量为180~250sccm；后（n+1）条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比b为1:3～1:4，且SiH4的流量为90～130sccm。
上述实施例的前（n-1）条气路形成的氮化硅膜中硅含量较高，从而有利于提高氮化硅膜的钝化作用，后（n+1）条气路形成的氮化硅膜硅含量较少，避免了因表层消光系数增大使该层膜对光的吸收，并且保持较好的减反射效果。
当前（n-1）条气路中SiH4的流量为180~250sccm，且后（n+1）条气路中SiH4的流量为90～130sccm时，优选前（n-1）条气路中和所述后（n+1）条气路中，NH3的流量均为300~450sccm。当NH3的流量均为300~450sccm时，前（n-1）条气路中和后（n+1）条气路中NH3的流量可以相同也可以不同，本领域技术人员可以根据实际需要设定NH3的流量，以得到性能更符合实际需要的氮化硅膜。
适用于本发明的沉积氮化硅膜的平板式PECVD的腔室包括6条气路。前2条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:1.2~1:2，且SiH4的流量为180~250sccm；后4条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:3～1:4，且SiH4的流量为90~130sccm。
适用于本发明的沉积氮化硅膜的平板式PECVD的腔室包括8条气路。前3条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:1.2~1:2，且SiH4的流量为180~250sccm；后5条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:3～1:4，且SiH4的流量为90~130sccm。
在本发明另一种典型的实施方式中，还提供了一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括：制绒、扩散、刻蚀、沉积氮化硅膜、丝网印刷电极和烧结，该制作方法采用本发明的方法沉积氮化硅膜。
制作晶硅太阳能电池的过程中，采用本发明的方法沉积氮化硅膜，工艺简单同时不会对太阳能电池的整个制作方法中的其他步骤产生影响，适于广泛应用；同时得到的晶硅太阳能电池也具有较好的电性能。
在本发明又一种典型的实施方式中，还提供了一种晶硅太阳能电池，上述晶硅太阳能电池采用本发明的制作方法制作而成。采用本发明的制作方法的得到的晶硅太阳能电池具有高质量的氮化硅膜，从而使晶硅太阳能电池的开路电压、短路电流、填充因子和光电转换效率都有所改善。
当晶硅太阳能电池中氮化硅膜为两层，位于内层的氮化硅膜的厚度为25~40nm，位于外层的氮化硅膜的厚度为45~60nm时，氮化硅膜的光电转换效率更好。
以下将结合实施例和对比例，进一步说明本发明的有益效果。
实施例1
将经过制绒、扩散、刻蚀的硅片采用平板式PECVD设备沉积氮化硅膜，设定带速为180cm/min，腔室温度为340℃，所采用的平板式PECVD设备的腔室具有8个气路，控制前3条气路的SiH4和NH3的体积比为1:1.2，SiH4的流量为180sccm；后5条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:3，且SiH4的流量为90sccm；然后将沉积由氮化硅膜的硅片再经过丝网印刷电极和烧结工艺形成实施例1的太阳能电池。
实施例2
将经过制绒、扩散、刻蚀的硅片采用平板式PECVD设备沉积氮化硅膜，设定带速为190cm/min，腔室温度为340℃，所采用的平板式PECVD设备的腔室具有8个气路，控制前3条气路的SiH4和NH3的体积比为1:1.5，SiH4的流量为200sccm；后5条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:3.5，且SiH4的流量为110sccm；然后将沉积由氮化硅膜的硅片再经过丝网印刷电极和烧结工艺形成实施例2的太阳能电池。
实施例3
将经过制绒、扩散、刻蚀的硅片采用平板式PECVD设备沉积氮化硅膜，设定带速为200cm/min，腔室温度为340℃，所采用的平板式PECVD设备的腔室具有8个气路，控制前3条气路的SiH4和NH3的体积比为1:1.8，SiH4的流量为230sccm；后5条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:3.8，且SiH4的流量为100sccm；然后将沉积由氮化硅膜的硅片再经过丝网印刷电极和烧结工艺形成实施例3的太阳能电池。
实施例4
将经过制绒、扩散、刻蚀的硅片采用平板式PECVD设备沉积氮化硅膜，设定带速为200cm/min，腔室温度为340℃，所采用的平板式PECVD设备的腔室具有8个气路，控制前3条气路的SiH4和NH3的体积比为1:2，SiH4的流量为250sccm；后5条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:4，且SiH4的流量为130sccm；然后将沉积由氮化硅膜的硅片再经过丝网印刷电极和烧结工艺形成实施例4的太阳能电池。
实施例5
将经过制绒、扩散、刻蚀的硅片采用平板式PECVD设备沉积氮化硅膜，设定带速为190cm/min，腔室温度为340℃，所采用的平板式PECVD设备的腔室具有8个气路，控制前3条气路的SiH4和NH3的体积比为1:1.2，SiH4的流量为200sccm；后5条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:3，且SiH4的流量为120sccm；然后将沉积由氮化硅膜的硅片再经过丝网印刷电极和烧结工艺形成实施例5的太阳能电池。
对比例1
将经过制绒、扩散、刻蚀的硅片采用平板式PECVD设备沉积氮化硅膜，设定带速为160cm/min，腔室温度为340℃，所采用的平板式PECVD设备的腔室具有8个气路，控制前4条气路的SiH4和NH3的体积比为1:1.5，SiH4的流量为200sccm；后4条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:3.5，且SiH4的流量为110sccm；然后将沉积由氮化硅膜的硅片再经过丝网印刷电极和烧结工艺形成对比例1的太阳能电池。
对比例2
将经过制绒、扩散、刻蚀的硅片采用平板式PECVD设备沉积氮化硅膜，设定带速为160cm/min，腔室温度为340℃，所采用的平板式PECVD设备的腔室具有8个气路，控制前4条气路的SiH4和NH3的体积比为1:3，SiH4的流量为250sccm；后4条气路中，反应气体中SiH4和NH3的体积比为1:2.2，且SiH4的流量为150sccm；然后将沉积由氮化硅膜的硅片再经过丝网印刷电极和烧结工艺形成对比例2的太阳能电池。
对实施例1至5和对比例1至2的太阳能电池进行测试，测试结果见表1。
表1
由表1中的数据可以看出，实施例1至5的晶硅太阳能电池具有采用本发明的方法形成的氮化硅膜，其开路电压、短路电流、填充因子和光电转换效率都较对比例1和对比例2的晶硅太阳能电池的相应的性能有所改善，尤其是实施例2和实施例3的光电转换效率的改善更为明显。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种沉积氮化硅膜的方法，其特征在于，所述方法采用平板式PECVD沉积氮化硅膜，所述平板式PECVD的带速为180~200cm/min，所述平板式PECVD的腔室包括2n条气路，n为1<n<5的整数，硅片依次通过所述平板式PECVD的腔室的2n条气路后沉积形成所述氮化硅膜，所述2n条气路中：
前（n-1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q1且所述反应气体中各气体组分的体积比为a；
后（n+1）条气路中每条气路的反应气体流量为Q2且所述反应气体中各气体组分的体积比为b，所述Q1和所述Q2不相等，所述a和所述b不相等。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应气体中的气体组分为SiH4和NH3，所述前（n-1）条气路中，所述反应气体中SiH4和NH3的体积比a为1:1.2~1:2，且所述SiH4的流量为180~250sccm；
所述后（n+1）条气路中，所述反应气体中SiH4和NH3的体积比b为1:3~1:4，且所述SiH4的流量为90～130sccm。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述前（n-1）条气路中和所述后（n+1）条气路中，所述NH3的流量均为300~450sccm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述平板式PECVD的腔室包括6条气路。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述平板式PECVD的腔室包括8条气路。
6.一种晶硅太阳能电池的制作方法，包括：制绒、扩散、刻蚀、沉积氮化硅膜、丝网印刷电极和烧结，其特征在于，所述制作方法采用权利要求1至5中任一项所述的方法沉积氮化硅膜。
7.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池采用权利要求6所述的制作方法制作而成。
8.根据权利要求7所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池中氮化硅膜为两层，位于内层的氮化硅膜的厚度为25~40nm，位于外层的氮化硅膜的厚度为45~60nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210303193.9A CN102789969B (zh) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210303193.9A CN102789969B (zh) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102789969A true CN102789969A (zh) | 2012-11-21 |
| CN102789969B CN102789969B (zh) | 2015-02-18 |
Family
ID=47155342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210303193.9A Expired - Fee Related CN102789969B (zh) | 2012-08-23 | 2012-08-23 | 沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102789969B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104409565A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-11 | 太极能源科技（昆山）有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法 |
| CN108559976A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-21 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种用于制备组件晶硅太阳能电池pecvd镀膜工艺 |
| CN111649807A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-09-11 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种检测管式pecvd的质量流量计是否正常的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101851748A (zh) * | 2009-04-03 | 2010-10-06 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 全自动大型平板pecvd氮化硅覆膜制备系统 |
| CN102220567A (zh) * | 2010-04-14 | 2011-10-19 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种平板pecvd氮化硅覆膜系统 |
| CN202259320U (zh) * | 2011-07-06 | 2012-05-30 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种背面点接触晶体硅太阳电池 |
-
2012
- 2012-08-23 CN CN201210303193.9A patent/CN102789969B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101851748A (zh) * | 2009-04-03 | 2010-10-06 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 全自动大型平板pecvd氮化硅覆膜制备系统 |
| CN102220567A (zh) * | 2010-04-14 | 2011-10-19 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 一种平板pecvd氮化硅覆膜系统 |
| CN202259320U (zh) * | 2011-07-06 | 2012-05-30 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种背面点接触晶体硅太阳电池 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104409565A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-03-11 | 太极能源科技（昆山）有限公司 | 一种太阳能电池及其制作方法 |
| CN108559976A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-09-21 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种用于制备组件晶硅太阳能电池pecvd镀膜工艺 |
| CN111649807A (zh) * | 2020-05-21 | 2020-09-11 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种检测管式pecvd的质量流量计是否正常的方法 |
| CN111649807B (zh) * | 2020-05-21 | 2022-07-29 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种检测管式pecvd的质量流量计是否正常的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102789969B (zh) | 2015-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2782146B1 (en) | Method for manufacturing a solar cell with reduced potential induced degradation | |
| CN111192935B (zh) | 一种管式perc太阳能电池背钝化结构及其制备方法 | |
| CN102903764A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 | |
| CN109004038B (zh) | 太阳能电池及其制备方法和光伏组件 | |
| CN103050553B (zh) | 一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105185851A (zh) | 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法 | |
| CN112864279A (zh) | 一种抗pid效应的双面电池及其制备方法 | |
| CN102856174A (zh) | 氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法 | |
| CN109950363A (zh) | 一种perc太阳能电池的背面钝化工艺 | |
| CN112234107A (zh) | 一种太阳能单晶perc电池及其制备方法 | |
| CN103117310A (zh) | 双层氮化硅减反射膜及其制备方法 | |
| CN111063612B (zh) | 一种提高本征非晶硅钝化效果的镀膜工艺、钝化结构、异质结太阳能电池及制备工艺 | |
| CN102789969B (zh) | 沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN104659150A (zh) | 一种晶体硅太阳电池多层减反射膜的制备方法 | |
| CN105470347A (zh) | 一种perc电池的制作方法 | |
| CN103606594B (zh) | 硅片的清理方法及减反射膜的制备方法 | |
| CN202695460U (zh) | 氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池 | |
| CN116613244A (zh) | 太阳能电池钝化层的制备方法和太阳能电池 | |
| CN107863415B (zh) | 一种热氧化结合pecvd提升太阳能电池片转化效率的方法 | |
| JP2013214672A (ja) | 光電変換素子 | |
| WO2013032406A1 (en) | A system and a method for depositing a layer on a substrate | |
| CN113930748B (zh) | 太阳能电池的制备方法、太阳能电池与光伏组件 | |
| CN105506583A (zh) | 一种管式pecvd的三层膜工艺 | |
| CN112713216A (zh) | 一种太阳能电池的层叠减反射膜的制备方法 | |
| CN104762610A (zh) | 一种pecvd镀膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150218 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |