CN102787293B - 锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 - Google Patents
锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102787293B CN102787293B CN201110126226.2A CN201110126226A CN102787293B CN 102787293 B CN102787293 B CN 102787293B CN 201110126226 A CN201110126226 A CN 201110126226A CN 102787293 B CN102787293 B CN 102787293B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- film
- manganese
- oxyluminescence
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本发明属于发光材料领域，其公开了一种锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜及其制备方法、有机电致发光器件；该锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜包含如下化学组分(质量百分比)：Al2O3：0.05～5％；MnO2：0.01～1.5％；余量为Si3N4。本发明采用磁控溅射设备，制备锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜，该薄膜材料不含贵金属稀土等元素，且制备简单，成本低廉，该薄膜的发光谱中，可以蓝光区发光，覆盖了490～550nm整个蓝光的波长范围，可弥补LED显示和照明中的蓝光材料的匮缺。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜及其制备方法。本发明还涉及一种使用该锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜的有机电致发光器件。
背景技术
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。以ZnS:Mn为发光层的单色TFELD已发展成熟并已实现商业化。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。
在发光体系材料中，硅铝氮氧化合物具有良好的热稳定性和化学稳定性，以稀土离子掺杂的硅铝氮氧化合物作为荧光粉已经得到深入的研究，能够得到良好的红绿光的激发。但是，硅铝氮氧化合物体系在制备成薄膜电致发光材料的报道仍十分少见。
发明内容
本发明目的在于提供一种硅铝氮氧为基质、Mn元素为激活元素的热稳定性和化学稳定性较好的锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜。
本发明的锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜，包含如下化学组分(质量百分比)：
Al2O3 0.05～5％；
MnO2 0.01～1.5％；
余量为Si3N4。
对于上述发光薄膜的化学组分(质量百分比)，优选：
Al2O3 2.8％；
MnO2 0.45％；
Si3N4 96.75％。
上述锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜，其制备工艺如下：
步骤S1、陶瓷靶材的制备：选用Al2O3、MnO2和Si3N4粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃(优选1250℃)下烧结，制得靶材；其中，Al2O3占总量的0.05～5％(质量百分比)，MnO2占总量的0.01～1.5％(质量百分比)，余量为Si3N4；
步骤S2、将步骤S1中的靶材和衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa，优选5.0×10-4Pa；
步骤S3、调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，优选60mm；衬底温度为250℃～750℃，优选600℃；通入氩气作工作气体，气体流量10～35sccm，优选25sccm；磁控溅射工作压强0.2～4.0Pa，优选2.0Pa；接着进行制膜，得到薄膜样品；
步骤S4、将步骤S3得到的薄膜样品置于真空炉中，于500～800℃(优选700℃)、真空状态下(即0.01Pa)退火处理1～3h(优选2h)，得到所述锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜。
本发明还提供一种有机电致发光器件，该器件为复合层状结构，该复合层状结构依次为衬底、阳极层、发光层以及阴极层；其中，发光层为锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜层；阴极层为Ag层，采用蒸镀工艺制备在薄膜表面。
本发明采用磁控溅射设备，制备锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜(Mn-SiAlON)，材料不含贵金属稀土等元素，且制备简单，成本低廉；该薄膜的发光谱中，可以蓝光区发光，覆盖了490～550nm整个蓝光的波长范围；可弥补LED显示和照明中的蓝光材料的匮缺。
附图说明
图1为本发明锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜的制备工艺流程图；
图2是本发明有机电致发光器件的结构示意图；
图3是实施例3得到锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜样品的电致发光光谱。
具体实施方式
本发明于提供的一种锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜，该锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜包含如下化学组分(质量百分比)：
Al2O3 0.05～5％；
MnO2 0.01～1.5％；
余量为Si3N4。
对于上述发光薄膜的化学组分(质量百分比)，优选：
Al2O3 2.8％；
MnO2 0.45％；
Si3N4 96.75％。
上述锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜，如图1所示，其制备工艺如下：
步骤S1、陶瓷靶材的制备：选用Al2O3、MnO2和Si3N4粉体，经过均匀混合后，在马弗炉中于900～1300℃(优选1250℃)下进行烧结处理，自然冷却室温，得到靶材样品，将靶材样品切割成Φ50×2mm规格的靶材；其中，Al2O3占总量的0.05～5％(质量百分比)，MnO2占总量的0.01～1.5％(质量百分比)，余量为Si3N4；
步骤S2、将步骤S1中的靶材和衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa，优选5.0×10-4Pa；
步骤S3、调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，优选60mm；衬底温度为250℃～750℃，优选600℃；通入氩气作工作气体，气体流量10～35sccm，优选25sccm，压强0.2～4.0Pa，优选2.0Pa；工艺参数调整完毕后，接着进行制膜，得到薄膜样品；
步骤S4、将步骤S3得到的薄膜样品置于真空炉中，于500～800℃(优选700℃)、真空状态下(即0.01Pa)退火处理1～3h(优选2h)，得到所述锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜。
本发明还提供一种有机电致发光器件，如图2所示，该器件为复合层状结构，该复合层状结构依次为衬底1、阳极层2、发光层3以及阴极层4；其中，衬底1为玻璃、阳极层2为ITO层，两者合在一起即为ITO玻璃，可以购买获得；发光层3为上述锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜层；阴极层4为Ag层，Ag层采用蒸镀工艺制备在薄膜表面。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例1
1、选用纯度分别为99.99％的Al2O3、MnO2和Si3N4粉体(其中，Al2O3、MnO2和Si3N4的质量百分比分别为2.8％、0.45％、96.75％)，经过均匀混合后，在1250℃的马弗炉中烧结处理，自然冷却室温，制得靶材样品，并将靶材样品切割成成Φ50×2mm规格的靶材；
2、将靶材装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内；
3、先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，并对其进行氧等离子处理，完后放入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内；其中，靶材和玻璃衬底的基靶间距设定为60mm；
4、用机械泵和分子泵把磁控溅射镀膜设备的真空腔体的真空度抽到5.0×10-4Pa；
5、调整磁控溅射镀膜工艺参数：氩气工作气体的流量为25sccm，磁控溅射工作压强为2.0Pa，衬底温度为500℃；接着进行制膜，得到的薄膜样品；
6、将薄膜样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为600℃，得到锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜。
实施例2
1、选用纯度分别为99.99％的Al2O3、MnO2和Si3N4粉体(其中，Al2O3、MnO2和Si3N4的质量百分比分别为0.05％、1.5％、98.45％)，经过均匀混合后，在900℃的马弗炉中烧结处理，自然冷却室温，制得靶材样品，并将靶材样品切割成成Φ50×2mm的靶材；
2、将靶材装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内；
3、先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，并对其进行氧等离子处理，完后放入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内；其中，靶材和玻璃衬底的基靶间距设定为45mm；
4、用机械泵和分子泵把磁控溅射镀膜设备的真空腔体的真空度抽到1.0×10-3Pa；
5、调整磁控溅射镀膜工艺参数：氩气工作气体的流量为10sccm，磁控溅射工作压强为0.2Pa，衬底温度为250℃；接着进行制膜，得到的薄膜样品；
6、将薄膜样品在0.01Pa真空炉中退火1h，退火温度为500℃，得到锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜。
下述实施例3中，衬底为玻璃，阳极层为ITO，起导电作用，两者合在一起，称作ITO玻璃，可以购买获得。
实施例3
1、选用纯度分别为99.99％的Al2O3、MnO2和Si3N4粉体(其中，Al2O3、MnO2和Si3N4的质量百分比分别为5％、0.01％、94.99％)，经过均匀混合后，在1300℃的马弗炉中烧结处理，自然冷却室温，制得靶材样品，并将靶材样品切割成成Φ50×2mm的靶材；
2、将靶材装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内；
3、先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗ITO玻璃，并对其进行氧等离子处理，完后放入磁控溅射镀膜设备的真空腔体内；其中，把靶材和ITO玻璃的基靶间距设定为95mm；
4、用机械泵和分子泵把磁控溅射镀膜设备的真空腔体的真空度抽到1.0×10-5Pa；
5、调整磁控溅射镀膜工艺参数：氩气工作气体流量为35sccm，磁控溅射工作压强为4.0Pa，衬底温度为750℃；接着进行制膜，得到的薄膜样品；
6、将薄膜样品在0.01Pa真空炉中退火3h，退火温度为800℃，得到锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜；
7、采用蒸镀技术，在(6)中的发光薄膜表面蒸镀Ag层，作为阴极层，制得有机电致发光器件。
图3是实施例3得到锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜样品的电致发光光谱(EL)图。由图3可知，在508nm蓝光波长区有很强的发光峰；发光峰从490～550nm，覆盖了整个蓝光的波长，主峰位在508位置，是Mn4+由4T1-6A1跃迁辐射发光。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，将Al2O3、MnO2和Si3N4粉体，经过均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制成靶材；其中，Al2O3的质量占总量的0.05～5%，MnO2的质量占总量的0.01～1.5%，余量为Si3N4；
步骤S2，将步骤S1中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置在1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa之间；
步骤S3，调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45～95mm，磁控溅射工作压强0.2～4.0Pa，氩气工作气体的流量10～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品；
步骤S4，将步骤S3得到的薄膜样品于500～800℃下真空退火处理1～3h，得到所述锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜包含如下化学组分：Al2O3的质量占总量的2.8%，MnO2的质量占总量的0.45%，Si3N4的质量占总量的96.75%。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述靶材制备的烧结温度为1250℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，真空腔体的真空度设置在5.0×10-4Pa。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述基靶间距为60mm；所述磁控溅射工作压强为2.0Pa；所述氩气工作气体的流量为25sccm；所述衬底温度为600℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，退火处理过程中，退火温度为600℃、退火时间2h。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110126226.2A CN102787293B (zh) | 2011-05-16 | 2011-05-16 | 锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110126226.2A CN102787293B (zh) | 2011-05-16 | 2011-05-16 | 锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102787293A CN102787293A (zh) | 2012-11-21 |
| CN102787293B true CN102787293B (zh) | 2014-07-23 |
Family
ID=47152876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110126226.2A Active CN102787293B (zh) | 2011-05-16 | 2011-05-16 | 锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102787293B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103880432B (zh) * | 2012-12-21 | 2015-10-28 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | SiAlON薄膜及其制备方法 |
| CN103965900A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 铽掺杂铅镉氟化物上转换发光材料、制备方法及有机发光二极管 |
| CN113073300A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-06 | 南京信息工程大学 | 一种非金属材料表面渗镀高纯硫化锌薄膜的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0155047A1 (en) * | 1984-03-01 | 1985-09-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Luminescent screen |
| DE102007025679A1 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oxidonitridoalumosilikat, strahlungsemittierende Vorrichtung mit dem Oxidonitridoalumosilikat und Verfahren zur Herstellung des Oxidonitridoalumosilikats |
| US20100247893A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Goldeneye, Inc. | High quality luminescent materials for solid state lighting applications |
-
2011
- 2011-05-16 CN CN201110126226.2A patent/CN102787293B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0155047A1 (en) * | 1984-03-01 | 1985-09-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Luminescent screen |
| DE102007025679A1 (de) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oxidonitridoalumosilikat, strahlungsemittierende Vorrichtung mit dem Oxidonitridoalumosilikat und Verfahren zur Herstellung des Oxidonitridoalumosilikats |
| US20100247893A1 (en) * | 2009-03-25 | 2010-09-30 | Goldeneye, Inc. | High quality luminescent materials for solid state lighting applications |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 赵文元等.聚合物电致发光器件结构和发光机理.《功能高分子材料化学》.化学工业出版社,2003,第120-121页. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102787293A (zh) | 2012-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102863954B (zh) | 铕掺杂铝硅酸钙发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN102787293B (zh) | 锰掺杂硅铝氮氧发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 | |
| CN104745187A (zh) | 锰掺杂锑酸铈发光薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN102863961B (zh) | 铈掺杂硼酸钇铝发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN102863959B (zh) | 铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN102838985B (zh) | 钛掺杂硫代铝酸锶发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 | |
| CN102863957B (zh) | 锰铬共掺杂钨酸锌发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN102952545B (zh) | 铕掺杂钒酸锶发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 | |
| CN102786930B (zh) | 钛铈共掺杂硅铝氮氧发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 | |
| CN103451600A (zh) | 铈掺杂碱金属钪酸盐发光薄膜、其制备方法和应用 | |
| EP2725082B1 (en) | Titanium doped ternary system silicate film, preparation method and application thereof | |
| CN104178137A (zh) | 镨掺杂铟硅酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件 | |
| CN102807859B (zh) | 铕掺杂氯硅酸钙镁发光薄膜、其制备方法及其应用 | |
| CN102952540B (zh) | 掺钐硫酸锶发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 | |
| CN102863956B (zh) | 镨掺杂钛酸钡发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104178139A (zh) | 铕铽共掺杂镓硅酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件 | |
| CN104745185A (zh) | 铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN103289682B (zh) | 氟铜共掺杂硫化钙发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN104745184A (zh) | 锰铬共掺杂锆砷酸盐发光薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN104342144A (zh) | 铕掺杂碱稀土磷酸盐发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN103571468A (zh) | 锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料、制备方法及其应用 | |
| CN102796984A (zh) | 多元素掺杂磷酸锶的发光薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN104178162A (zh) | 铈掺杂稀土硼铝酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件 | |
| CN102796519A (zh) | 发光薄膜、其制备方法和应用 | |
| CN102863952A (zh) | 铕镝共掺杂硫酸钙发光材料、制备方法及其应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |