CN102768362B - 一种量化测量cdsem像散情况的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的一种量化测量CDSEM像散情况的方法，包括以下步骤：步骤1.选择样本控片；步骤2.利用CDSEM测量样本控片在不同像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值；步骤3.建立顶部线宽与底部线宽的差值与不同像散情况的关系曲线；步骤4.根据关系曲线确定警报点。本发明简便易行，能够及时准确的监测CDSEM电子束像散情况，避免人为判断失误而产生的图形异常。
Description
技术领域
本发明涉及一种测量像散情况的方法，尤其涉及一种量化测量CDSEM（关键尺寸电子扫描显微镜）像散情况的方法。
背景技术
像散是透镜的一种缺陷，是由于光线会聚不相等，而引起的成像不完美。大多情况下由于发光物点不在透镜光轴上，它所发出的光束与光轴有一倾斜较大的角。该光束经透镜折射后，不能聚焦于一点，成像不清晰，故产生像散。
在生产晶圆的过程当中常采用CDSEM 去测量产品的关键尺寸，CDSEM 采用的原理是一次电子束激发测量图形表面的二次电子束来反映产品表面的情况。在有些情况下会由于像散情况而产生模糊不符合要求的图形。
为了能够准确的反应产品的情况，通常要求机台发射的一次电子束能保持良好的性能。电子束的像散情况是一项重要的监测指标。如图1中所示，现有的方法是采取人眼评价的模拟方法来监测电子束的像散情况，该种方法人为判断带来的误差较大而且不能实现及时的监测。
因此，本领域的技术人员致力于开发一种能够实现及时监测机台电子束的像散情况，从而避免人为判断失误而产生图形异常的量化测量CDSEM像散情况的方法。
发明内容
鉴于上述的现有技术中的问题，本发明所要解决的技术问题是现有的技术人为判断，失误较多。
本发明提供的一种量化测量CDSEM像散情况的方法，包括以下步骤：
步骤1，选择样本控片；
步骤2，利用CDSEM测量样本控片在不同像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值；
步骤3，建立顶部线宽与底部线宽的差值与不同像散情况的关系曲线；
步骤4，根据关系曲线确定警报点。
在本发明的一个较佳实施方式中，所述警报点为符合标准的像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述步骤2包括：
步骤2.1，建立测量样本控片的量测程式，所述量测程式能够测量所述控片所测线性图形的顶部线宽与底部线宽的差值；
步骤2.2，依据所述量测程式，利用CDSEM测量所述控片在不同像散情况下顶部线宽与底部线宽的差值。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述步骤2.1中的所测线性图形的长度大于200nm。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述样本控片为符合所述CDSEM的最小测量线宽的刻蚀后的晶圆。
本发明的量化测量CDSEM像散情况的方法简便易行，能够及时准确的监测CDSEM 电子束像散情况，避免人为判断失误而产生的图形异常。
附图说明
图1是现有技术的人工识别像散情况的流程图；
图2是本发明的实施例的流程图；
图3是本发明的实施例的所测线性图形的示意图；
图4是本发明的实施例的顶部线宽与底部线宽的差值与不同像散的曲线图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明做具体阐释。
由于在电子束像散最小的情况下一次电子束光斑最小从而激发的二次电子束的反射范围最小从而图像最清楚，反之模糊。通过测量顶部与底部线宽差值可以反映出二次电子束的发散情况从而能够监测一次电子束光斑的像散情况。
如图2中所示，本发明的实施例的一种量化测量CDSEM像散情况的方法，包括以下流程：首先定期测量标准控片，将控片在不同像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值录入系统进行识别是否超出了符合标准的像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值的警报点，如未超出，则继续产生；如超出，则需调整机台，直至符合标准。
在本发明的实施例中，包括以下步骤：
步骤1，选择样本控片；优选样本控片为符合所述CDSEM的最小测量线宽的刻蚀后的晶圆；
步骤2.1，建立测量样本控片的量测程式，所述量测程式能够测量所述控片所测线性图形的顶部线宽与底部线宽的差值；优选所测线性图形的长度大于200nm；如图3中所示，在本实施例中，差值为线宽A减去线宽B的值；
步骤2.2，依据所述量测程式，利用CDSEM测量所述控片在不同像散情况下顶部线宽与底部线宽的差值。
步骤3，建立顶部线宽与底部线宽的差值与不同像散情况的关系曲线；在本实施例中，如图4中所示，随着差值越大，像散情况约大；
步骤4，根据关系曲线确定警报点。在本实施例中，如图4中所示，约为差值3um的45像散。
本发明的量化测量CDSEM像散情况的方法简便易行，能够及时准确的监测CDSEM 电子束像散情况，避免人为判断失误而产生的图形异常。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
Claims (4)
1.一种量化测量CDSEM像散情况的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，选择样本控片；
步骤2，利用CDSEM测量样本控片在不同像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值，所述步骤2包括：
步骤2.1，建立测量样本控片的量测程式，所述量测程式能够测量所述控片所测线性图形的顶部线宽与底部线宽的差值；
步骤2.2，依据所述量测程式，利用CDSEM测量所述控片在不同像散情况下顶部线宽与底部线宽的差值；
步骤3，建立顶部线宽与底部线宽的差值与不同像散情况的关系曲线；
步骤4，根据关系曲线确定警报点。
2.如权利要求1所述的量化测量CDSEM像散情况的方法，其特征在于，所述警报点为符合标准的像散情况下的顶部线宽与底部线宽的差值。
3.如权利要求2所述的量化测量CDSEM像散情况的方法，其特征在于，所述步骤2.1中的所测线性图形的长度大于200nm。
4.如权利要求1所述的量化测量CDSEM像散情况的方法，其特征在于，所述样本控片为符合所述CDSEM的最小测量线宽的刻蚀后的晶圆。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1862383A (zh) * | 2006-04-04 | 2006-11-15 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻机成像光学系统像差现场测量方法 |
| JP2006332561A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Nikon Corp | ベストフォーカス位置測定方法及び非点隔差測定方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006332561A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Nikon Corp | ベストフォーカス位置測定方法及び非点隔差測定方法 |
| CN1862383A (zh) * | 2006-04-04 | 2006-11-15 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻机成像光学系统像差现场测量方法 |
| WO2007112625A1 (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-11 | Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. | Method for in-situ aberration measurement of optical imaging system in lithographic tools |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| High-resolution tunable spectrograph for x-ray laser linewidth measurements with a plane varied-line-spacing grating;James H. Underwood and Jeffrey A. Koch;《applied optics》;19970720;第36卷(第21期);第4913-4918页 * |
| James H. Underwood and Jeffrey A. Koch.High-resolution tunable spectrograph for x-ray laser linewidth measurements with a plane varied-line-spacing grating.《applied optics》.1997,第36卷(第21期),第4913-4921页. |
| 王帆，王向朝，马明英.基于双线空问像线宽不对称度的彗差测量技术.《光学学报》.2006,第26卷(第5期),第673-678页. * |
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