CN102760590A - 近接式传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种近接式传感器。传感器具有一基板，其包括一发射端区域及一接收端区域；一设于该基板的该发射端区域上用于发射具有特定波长的电磁信号的发射单元；一设于该基板的该接收端区域上用于回应该发射单元所发出的电磁信号的接收单元；一设于该基板的该发射端区域与该接收端区域上且覆盖于该发射单元及接收单元的透明封装单元，该发射单元所发出的电磁信号可穿透该透明封装单元；以及一选择性地设于该基板与该透明封装单元的外表面的光遮蔽层。该光遮蔽层具有相对应的发射窗口和接收窗口以使发射单元及接收单元可朝向一预定的感测方向；该光遮蔽层利用无电镀工艺沉积成型，且光遮蔽层具有厚度小的优点，可使传感器更进一步的缩小尺寸。

Description

近接式传感器

技术领域

本发明涉及一种光电近接式传感器的遮蔽结构，尤其涉及一种以无电镀工艺沉积的光电近接式传感器的遮蔽结构，以应用于有效地防止光信号串扰。

背景技术

近接式传感器(proximity sensor，PS)可作为一种依照物体接近的距离来达成切换的开关，而不需要物理性的接触。近接式传感器一般可被应用于工具机或制造系统中的控制、感测、定位、检测及自动化操作；此外，其亦可应用于封装、生产、印刷、塑胶模造、金属加工、食物处理等等。近来，更为了配合小型化的个人电子产品，近接式传感器的实际体积必须逐渐的缩小。举例而言，近接式传感器已被应用于具有触控屏幕的移动电话，而大尺寸的触控屏幕更可提供使用者方便而直觉的操作介面。然而，当使用者在通话过程中拿起行动电话靠近脸部时，却可能会因接触使用者的身体部分而导致非预期的控制动作被触发。而为了让具有触控屏幕的行动电话更符合操作者的使用，光学的近接式传感器已逐渐应用于此类的行动电话中，以量测使用者的脸部与触控屏幕的距离，进而在通讯过程中切换/关闭触控屏幕的功能。

近接式传感器可区分为多种类型，一般常见的有电感式传感器、电容式传感器、电磁式传感器与光电式(photoelectric)传感器。虽然前述的近接式传感器的运作原理不同，但在设计时大致上都是为了解决类似的使用者操作习惯。一般而言，近接式传感器大多具有一发射器与一接收器。近接式传感器的发射器用于激发电磁场/静电场或者激发电磁辐射，当接收器接受到电磁场/静电场的变化或是回馈的辐射信号的差异，即可依此判断物件是否在邻近的位置，而不须实际的物理接触。近接式传感器通常具有高可靠度及长的使用寿命，其原因在于不需以机构上的构件与外在物件(又称致动源)进行物理上的接触。另外，以下将说明不同种类的近接式传感器可用来检测不同态样/特性的外部物件。

电感式近接式传感器可在非接触情况下实现对金属物件的检测，其运作原理在于利用线圈及振荡子在传感表面的周围形成电磁场。当金属物件接近感测范围时，会造成振幅的下降，而传感器中的电路则会依据振幅的下降/上升控制传感器的输出，而传感器的感测范围(又称可分辨的距离，nominalrange)通常根据外在物件(致动源)的形状与尺寸所决定，但更因外在物件的组成材料而有所不同。

电容式近接式传感器可适用在感测金属物件及非金属物件，如液体、塑料、木制品等等。电容式的近接式传感器的原理在于传感器与被感应物件之间的电容值的变化，当外在物件从传感器的感测端靠近传感器且达到依预定距离时，传感器内部的电路即会振荡运作，传感器中的电路则会依据振荡的下降/上升驱动一放大器以产生外部的负载。另外，设于传感器背面的旋钮则可调整传感器的灵敏度及感测范围(又称可分辨的距离，nominal range)，灵敏度可用于分辨满载的电容器与零储存的电容器，而传感器的感测范围亦通常根据外在物件(致动源)的形状与尺寸所决定，更因外在物件的组成材料而有所不同。

电磁式近接式传感器可被永久磁铁所致动，其操作机制在于使用紧密地被填充有惰性气体的玻璃管中的具有薄板的簧片接点，电磁场会使薄板弯曲并彼此接触，以形成电性连接。而簧片接点的薄板的表面会经过处理而附有适合于低电流或高电感电路的材料。相较于传统机械式的开关，电磁式的近接式传感器具有以下优点，(1)、簧片接点可因前述的填充有惰性气体的玻璃管而可避免灰尘、氧化、腐蚀等问题；(2)、开关的切换借由电磁场所驱动，而不需机构的部件；(3)、接点的特殊表面处理可提高元件寿命；(4)、不须维修；(5)、易于操作以及(6)、具有小型化的体积。

光电式传感器使用光敏元件进行感测物件，其通常具有一发射器(即光源)与一接收器。基于操作的模式，光电式传感器可大致区分为下述四种，(1)、直接反射式；(2)、利用反射体的反射式；(3)、利用反射体的极化反射式及(4)、穿透式。

直接反射式传感器具有设置于同一封装体中的发射器与接收器，其直接利用物件所反射的光线进行感测。值得说明的是，此种感射器的接收器的可分辨的距离与准确度会被外在物件的表面颜色及表面型态所影响。针对不透光的物件，接收器的可分辨的距离会被物件表面的颜色所影响，而较浅的颜色会因其较高的反射率而导致传感器具有较长的感测距离，反之亦然。而针对闪亮的物件表面，表面的反射特性就会比颜色来的重要。

反射式的传感器需要多个与整合型发射/接收器配合的反射体，发射器发射出一朝向反射体的电磁波，而反射体用于将前述电磁波反射至接收器，而当外来物件的位置介于传感器与反射体之间时，将阻绝光线的行进，借以使外来物件被传感器所感测。而当发射器所发出的光线完全被反射回接收器的情况下，此种传感器通常具有较长的感测距离。

利用反射体的极化反射式的传感器与利用反射体的反射式的传感器具有许多相似性；除了极化反射式的传感器外，更包括一个抗反射(anti-reflex)元件。抗反射元件可提供光线的极化频段的功能，其可提高更为精准的感测结果，即使被感测物件具有非常闪亮的表面，故接收器可不被随机的反射所影响。

穿透式的传感器则具有在不同封装体中的发射器与接收器，当外来物件的位置介于发射器与接收器之间时，将阻绝光线的进行，借以使外来物件被传感器所感测，通常穿透式的传感器可具有最长的感测距离。

同于其他类型的传感器，信号串扰(cross-talk，XT)同样是造成光电传感器的精确度下降的重要因素。在电子应用中，信号串扰是一种在一电路或通道中传输的信号影响到在其他电路或通道中(通常是旁侧的电路或通道)传输的信号的现象，而通讯信号彼此之间的干扰将导致信号的混乱与覆盖的问题。对于光电传感器而言，尤其是直接反射式传感器，光学信号的串扰是指在接收端受到非正确的反射区域所反射的光线所造成的干扰现象，而被干扰的信号亦有可能会来自外在的来源。然而，对于直接反射式传感器，出现信号串扰情况通常是源自传感器本身的发射器；因此，对于反射式的传感器而言，其操作的机制在于检测由外在物件所弹回的信号来判断物件的距离，若传感器在结构上不具备有将发射器与接收器有效隔离，发射器所发出的部分光线将会因漫射等因素朝向接收器而去。在一些极端的例子中，发射器所发射的光信号将沿着传感器内部结构而传递至接收器，如沿着壳体的侧墙之间的间隙，或是借由印刷电路板。而当接收器接收到上述的非由正确路径传递的信号，即会使传感器开始运作，故导致传感器的精确度与灵敏度的下降。

许多用来遮蔽光学信号以避免光电传感器的信号串扰的结构已被开发。一种传统解决信号串扰的方法是利用金属材质的遮蔽外壳，其对应于预定的感测方向而具有发射开口与接收开口，例如美国专利公开号US2006/0016994 A1揭露一种金属外壳(如图1A所示)，其用以避免发送器与接收器之间的信号串扰问题，具体而言，该光学遮蔽外壳(即金属外壳)100a具有两个分离而独立的容置空间101a、102a以分别容置发送器与接收器，而形成容置空间101a、102a的外壁上朝向预定的感测区域而开设有孔洞103a、104a。此外，光学遮蔽外壳100a可利用一种单片态样、具有预定形状(如图1B所示)的不锈钢薄板所弯折成型，利用单片态样的薄板所制成的光学遮蔽外壳100a可以减少成型所需的材料，借以降低制作成本。但是，对于现今的小型化电子产品而言，此种具有分离结构的遮蔽外壳仍旧过大、过重。

为了降低遮蔽外壳的物理尺寸，一种利用插入式的光学遮蔽件的技术被使用，其为直接将光学遮蔽件安装于印刷电路板上以达到遮蔽接收器的效果，如图2所示。具体而言，传统的光电传感器具有设置于基板10a(如印刷电路板)上的发射区域与接收区域的发送器20a与接收器30a，发送器20a与接收器30a分别被透明封装层40a所包覆且保护，而一个额外组装的金属遮蔽插件50a安装于基板10a的上的透明封装层40a所界定的接收区域，以阻挡除了由预定感测区域以外的其他方向所射入的光信号。

在技术上，金属遮蔽插件50a所属的次基板(sub-PCB level)结构可具有较简洁的尺寸，以满足小型化的需求。而前述的金属遮蔽插件50a是利用黏胶或其他固定方法插设而固定在印刷电路板上。而在实际的工艺上，为了大量生产，必须使用特殊的置件机台将金属遮蔽插件50a进行固定；但由于无法精准的控制黏胶的分布，金属遮蔽插件50a在制作过程之中或之后常由固定的黏接位置上脱落。此外，金属遮蔽插件50a常以金属箔等金属材料制作，其仍具有一定的厚度，故透明封装层40a中必须开设一定尺寸的空间方能装设。

发明内容

针对前述的缺点，本发明的目的之一在于提供一种可忽略其厚度(厚度约在微米等级)的光遮蔽层，该光遮蔽层可应用于光电式的近接式传感器，以提供可同时针对外部干扰源及内部干扰源的光学遮蔽效果。

本发明的另一目的在于提供一种光学遮蔽结构，其包括无电镀的金属层，而所述的无电镀的金属层可固定的附着于光电传感器上，且其可选择性地覆盖于所需要的特定表面。

本发明的再一目的在于提供一种具有较小的厚度的光学遮蔽结构，其可对应于所沉积的结构表面展现出相当高的适应性与一致性。

本发明的更一目的在于提供一种防信号串扰层，其具有良好的应用弹性，且可适用于各种遮蔽布局的光电式传感器。

本发明的又一目的在于提供一种金属的光遮蔽层，其对光电式传感器的表面具有良好的覆盖选择性(coverage-selectivity)，故可提高光遮蔽层的抗静电(anti-ESD)特性及/或达到简洁的电连接态样。

本发明提供一种近接式传感器，其特征在于，包含：

一基板，其具有一发射端区域及一接收端区域；

一设于该基板的该发射端区域上的发射单元，其中，该发射单元用于发射具有特定波长的电磁信号；

一设于该基板的该接收端区域上的接收单元，其中，该接收单元用于回应该发射单元所发出的电磁信号；

一设于该基板的该发射端区域与该接收端区域上的透明封装单元，其中，该透明封装单元覆盖于该发射单元及接收单元，该发射单元所发出的电磁信号可穿透该透明封装单元；以及

一光遮蔽层，选择性地设于该基板与该透明封装单元的外表面，该光遮蔽层具有一对应该发射单元的发射窗口及一对应该接收单元的接收窗口；

其中，该发射窗口及该接收窗口对应地排列且朝向一预定的感测方向。

本发明还提供一种近接式传感器，其特征在于，包含：

一基板，具有一发射端区域及一接收端区域；

一设于该基板的该发射端区域上的发射单元，其中，该发射单元用于发射具有特定波长的电磁信号；

一设于该基板的该接收端区域上的接收单元，其中，该接收单元用于接收并回应该发射单元所发出的电磁信号；

一透明封装单元，其中，该发射单元所发出的电磁信号能够穿透该透明封装单元；以及

一无电镀层，该无电镀层选择性地设于该基板与该透明封装单元的外表面，该无电镀层具有一对应该发射单元的发射窗口及一对应该接收单元的接收窗口。

本发明的光遮蔽层可以忽略厚度，应用于光电式的近接式传感器可以提供针对外部干扰源和内部干扰源的光学遮蔽效果；本发明的无电镀层可以固定地附着在光电传感器上，可以选择性地覆盖所需要的特定表面。本发明的光学遮蔽结构厚度较小，可对应于所沉积的结构表面展现出相当高的适应性与一致性，同时本发明的防信号串扰层具有良好的应用弹性，且可适用于各种遮蔽布局的光电式传感器；本发明的金属的光遮蔽层对光电式传感器的表面具有良好的覆盖选择性(coverage-selectivity)，故可提高光遮蔽层的抗静电(anti-ESD)特性及/或达到简洁的电连接态样。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图。然而附附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1A显示一种传统的光电近接式传感器的光遮蔽外壳的立体示意图。

图1B显示图1A中的光遮蔽外壳的摊平(折叠前)的态样。

图2显示另一种传统的光电近接式传感器的光遮蔽结构的立体示意图。

图3显示本发明的具有光遮蔽层的近接式传感器的立体示意图。

图4显示本发明的近接式传感器中的分隔沟槽的示意图。

图5显示本发明的近接式传感器的第一制备步骤的示意图。

图6显示本发明的近接式传感器的第二制备步骤的示意图。

图7显示本发明的近接式传感器的第三制备步骤的示意图。

图8显示本发明的光遮蔽层可应用于抗静电元件的示意图。

图9显示本发明的利用无电镀工艺所制作的多个导电接触结构的示意图。

其中，附图标记说明如下：

【现有技术】

100a光学遮蔽外壳

101a、102a容置空间

103a、104a孔洞

10a基板

20a发送器

30a接收器

40a透明封装层

50a金属遮蔽插件

【本发明】

1光电近接式传感器

10基板

10′初始基板

11分隔沟槽

20发射单元

30接收单元

40透明封装单元

40′初始透明封装单元

具体实施方式

本文将以下实施例具体地的针对本发明提出参考例子，以下对于实施例的内容为一图例的说明，然并非限制本发明的范畴。

请参考图3，其显示本发明的光电近接式传感器1，其中光电近接式传感器1(例如以下所称的近接式传感器，proximity sensor)包括一设于基板10的发射端区域上的发射单元20及一设于基板的接收端区域上的接收单元30；且发射单元20与接收单元30被一个透明封装单元40所包覆及保护。再者，一个光遮蔽层(如图中所绘出的阴影区域)选择性地设于该近接式传感器的外表面，并位于发射端区域与接收端区域之上。

基板10提供该近接式传感器的结构上的乘载基础。在本具体实施例中，基板10可包括至少一个由BT树脂、氰酸酯树脂(cyanate ester，CE)、FR-2材料、FR-4材料、陶瓷材料或其他非金属材料所制成的印刷电路板(PCB)。发射单元20可为一发光二极管(LED)或任何可激发出光波的元件，其可设于一个较佳地定义于基板10的表面的发射端区域，具体而言，发射单元20可借由黏晶方法，如覆晶、打线等工艺而设置于基板10的表面，且发射单元20用于发射具有特定波长的电磁信号，例如一种红外光区段(infraredspectrum)的电磁信号。然而，发射单元20所发出的电磁信号并不限制于上述光谱区段，换言之，发射单元20可发出更宽频、或其他区段的电磁信号，以应用于其他特定领域。举例来说，发射单元20可用于发射出可见光波段的电磁信号，以适用于低成本的应用考量；又或者，发射单元20可发出高能X-ray射线，以符合先进的X-ray扫描装置。同样地，接收单元30，例如一种感测集成电路(Integrated circuit；IC)，其可设于一个较佳地定义于基板10的表面的接收端区域，接收单元30用于回应、接收发射单元20所发出的电磁信号。值得说明的是，发射单元20与接收单元30并不需要直接地、物理地固定于基板10的表面，换言之，发射单元20与接收单元30可设于相对于基板10的表面的凸起部或倾斜部，以容设热交换元件，进而利于提升散热特性或是为了其他的目的。然而，在本具体实施例中，为达到结构上的简洁及节省制作成本的考量，发射单元20与接收单元30直接地设于基板10的表面。

透明封装单元40设于发射单元20与接收单元30之上，以提供物理性的保护及/或结构上的支撑强度。透明封装单元40可为一透明模造化合物所制成的层状结构，其在光学上可对应于发射单元20所发出的具有特定波长的电磁信号而定义为透明或透光的；而在一种应用的材料中，透明封装单元40可包括透明环氧树脂、透明胶、及其他适合的透明模造材料等。再者，透明封装单元40较佳地在发射端区域与接收端区域之间具有一种结构上的隔离，以于发射端区域与接收端区域之间达到较佳的光学隔离效果。

在本发明中，光遮蔽层选择性地设于该基板10与该透明封装单元40的外表面以达到光学特性上的遮蔽、隔离。如图3所绘制的阴影区域，光遮蔽层为一微米等级的金属薄膜，较佳地，光遮蔽层的厚度约在50μm以下；更具体地说，本发明的光学遮蔽(薄)层为无电镀(亦称化学镀)工艺所制作成型。

一般而言，无电镀主要可用于制作均匀、耐久性高的镀层。具体而言，无电镀属于一种自我催化的化学还原反应，其反应机制类似于电镀，两者的差异在于无电镀不需要外部电源/电流的供应。在无电镀中，金属离子受到镀液中的还原剂作用而产生还原反应，并沉积在一基材的表面。而无电镀的主要特征之一在于其可在非金属物件上进行镀层的沉积，例如类似于印刷电路板(PCB)之类的电性绝缘材料。为了达到装饰的目的，无电镀层上通常会以电镀方式形成镍、铬的电镀层。而无电镀亦可应用于在金属基材上沉积均匀的镀层，尤其是不规则形状的金属基材。在不规则形状的物件上实施电镀工艺常导致有节结、节瘤等的镀层，亦即，电镀层会因工作电流密度的不均匀导致不均匀的镀层厚度。因此，无电镀不须外接电源的特性即可有效解决沉积镀层时电流分布不均的问题，亦可同时解决前述有节结、节瘤的镀层的问题。而无电镀铜工艺广泛地运用于印刷电路的制作，举例而言，印刷电路通常以下述两种方法进行制作，一种方法为先以无电镀铜工艺在非金属基板上沉积相当薄的铜层，再以电镀方法在铜层上沉积一定厚度的金属层；另一方法则为单独使用无电镀工艺在非金属基板上沉积所需要的金属层。另一方面，以无电镀方法镀金(Au)的技术则运用于微线路的制作及固态(非金属)元件的连接线路，例如借由无电镀工艺，均匀的镀层可沉积于难以进行电镀的深孔中。

在本发明中，无电镀可选择性地实施于需要具有光学遮蔽效果的表面，而其他的表面(如具有功能的部分)则以阻隔、遮罩的方式避免无电镀工艺在上述表面沉积镀层，例如传感器的光学传输区域。具体而言，在进行无电镀之前，基板10与该透明封装单元40的外表面选择性地被阻隔(亦即部分被阻隔，无阻隔的表面则是可进行无电镀的部分)，以制作一对应该发射单元20的发射窗口及一对应该接收单元30的接收窗口。再者，在此步骤中，更包括在预定施作无电镀的区域进行适当的表面处理，以制作更为耐用的镀层。前述的发射窗口及接收窗口对应地排列且朝向一预定的感测方向。同样地，基板10的底面亦可被阻隔以避免电性物质沉积在连接针脚之间或是其他的接触面上，借以避免电性短路或其他的问题。

再者，分隔沟槽11可成型于基板10的表面以隔离发射端区域与接收端区域以提供较佳的光学隔离效果。如图4所示的实施例中，一个分隔沟槽11由透明封装单元40延伸至基板10的表面，所述的分隔沟槽11可先利用模造的方式成型于基板10的表面，或是在后工艺中以切割/锯切的方式成型于基板10的表面。较佳的是，成型于基板10的表面的分隔沟槽11对应地对准于透明封装单元40的间隔结构。为了有效地将发射单元20与接收单元30加以隔离，所述的分隔沟槽11的表面上可披覆有金属层(如图所示的阴影区域)，其可利用例如无电镀等披覆方法所制作，换言之，所披覆的金属层可为一避免信号串扰(crosstalk)的遮蔽层。

请参考图5、6、7，其显示本发明的制备近接式传感器的示例的步骤。请先参考图5，多个近接式传感器制备作在一初始基板10′上，而为了附图的简洁，图5所绘制的实施例仅绘出两个近接式传感器；在此步骤中，发射单元20(如红外线发射的发光二极管(IR emitting LED)或其他种类的发射器)与接收单元30(如接收IC)可以通过晶片黏着方法(die attaching)及打线方法分别固设于初始基板10′上，但连接的技术并不以此为限。

请参考图6，其显示将一初始透明封装单元40′设置于上述的发射单元20与接收单元30上。如同前文所述，初始透明封装单元40′在光学上可对应于发射单元20所发出的具有特定波长的电磁信号而定义为透明或透光的，例如，在发射单元20为一种整合式的距离与环境光源检测元件(integratedambient and proximity sensor)的情况下，初始透明封装单元40′可为一透明模造化合物所制成的层状结构；或是在发射单元20为一种单一功能的红外光距离检测元件(IR proximity sensor)的情况下，初始透明封装单元40′则为可让红外光穿透的化合物。举例来说，初始透明封装单元40′的材料可选用透明环氧树脂、透明胶体或其他适合的透明的模造材料。

图7显示一在进行无电镀工艺之前的遮罩(masking)步骤，如同前述，该遮罩步骤选择性地将不需光学遮蔽的部分以遮罩层的方式保护，例如对应发射单元及接收单元的光学窗口。在本实施例中，该遮罩步骤是在初始透明封装单元40′的表面上对应着发射单元20与接收单元30而进行，且使光学窗口可朝向一预定的感测方向。较佳地，初始基板10′的底面亦可被阻隔以避免金属物质沉积在连接针脚之间或是接触面(mating surface)，借以避免电性物质在上述位置所可能导致的电性短路或其他问题。

接着，利用一切削(singulation)步骤以由前述的初始基板10′区分出各自独立的传感器。在此步骤中，可利用刀具等切割工具沿着初始基板10′上的初始透明封装单元40′地周围进行切割，并且在发射单元20与接收单元30之间切割出可进行无电镀工艺的表面。切割工具的厚度较佳地为0.5mm或以下。此外，在每一独立传感器中的介于发射端区域及接收端区域间的分隔沟槽11亦可在此切割步骤中成型，借以将基板10定义出两个分离的区域(即发射端区域及接收端区域)。值得说明的是，前述的切割步骤与遮罩步骤可因特定的工艺或设备而改变其流程顺序。然而，为了效率的考量，在切割步骤之前，本实施例利用一种集中遮罩(centralized masking)工艺以覆盖初始基板10′上的多个传感器(如图7所示)。

一种较佳地利用无电镀工艺所沉积的光遮蔽层是在前述的选择性的遮罩步骤的后所进行。值得说明的是，利用无电镀工艺所制作的金属化的遮蔽薄层不但具有较佳的耐受性与厚度的均匀性，其更具有对应所沉积的表面的高适应性及一致性；此外，利用无电镀工艺所沉积的避免信号串扰遮蔽层(即光遮蔽层)更可利用精密的、复杂的遮罩布局或排列以适用于具有不同遮蔽需求的光电传感器。

举例来说，复杂的遮罩布局可让所制作的光遮蔽层具有其他额外的功能。请参阅图8，其显示一种可提供抗静电(anti-ESD)效果的光遮蔽层；如在无电镀工艺进行之前，将遮罩沿着基板10的角落处进行设置，借以制作延伸结构，例如一种连接于光遮蔽层的延伸脚位A(又可称接地延伸结构)，故在无电镀工艺完成后，金属化的光遮蔽层可连接于传感器的接地位置(如接地针脚)，据此，光遮蔽层即可同时成为一种抗静电层，以使传感器具有较佳的抗静电效果。除此之外，导电接触结构B更可借由适当的遮罩布局而利用无电镀工艺所成型，如图9所示，多个导电接触结构B可与光遮蔽层同时借由无电镀工艺所制作。

本发明的光遮蔽层可以忽略厚度，应用于光电式的近接式传感器可以提供针对外部干扰源和内部干扰源的光学遮蔽效果；本发明的无电镀层可以固定地附着在光电传感器上，可以选择性地覆盖所需要的特定表面。本发明的光学遮蔽结构厚度较小，可对应于所沉积的结构表面展现出相当高的适应性与一致性，同时本发明的防信号串扰层具有良好的应用弹性，且可适用于各种遮蔽布局的光电式传感器；本发明的金属的光遮蔽层对光电式传感器的表面具有良好的覆盖选择性(coverage-selectivity)，故可提高光遮蔽层的抗静电(anti-ESD)特性及/或达到简洁的电连接态样。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，非意欲局限本发明的权利要求范围，故举凡运用本发明说明书及附图内容所为的等效变化，均同理皆包含于本发明的权利保护范围内。

Claims (15)

1.一种近接式传感器，其特征在于，包含：

一基板，其具有一发射端区域及一接收端区域；

一设于该基板的该发射端区域上的发射单元，其中，该发射单元用于发射具有特定波长的电磁信号；

一设于该基板的该接收端区域上的接收单元，其中，该接收单元用于回应该发射单元发出的电磁信号；

一设于该基板的该发射端区域与该接收端区域上的透明封装单元，其中，该透明封装单元覆盖于该发射单元及接收单元，该发射单元发出的电磁信号可穿透该透明封装单元；以及

一光遮蔽层，选择性地设于该基板与该透明封装单元的外表面，该光遮蔽层具有一对应该发射单元的发射窗口及一对应该接收单元的接收窗口；

其中，该发射窗口及该接收窗口对应地排列且朝向一预定的感测方向。

2.如权利要求1所述的近接式传感器，其特征在于，该光遮蔽层为一无电镀层。

3.如权利要求2所述的近接式传感器，其特征在于，该透明封装单元包括一设于该发射单元及接收单元之间的间隔结构。

4.如权利要求3所述的近接式传感器，其特征在于，该基板具有一设于该发射端区域与该接收端区域之间的分隔沟槽，该基板的该分隔沟槽对应于该透明封装单元的该间隔结构。

5.如权利要求4所述的近接式传感器，其特征在于，该光遮蔽层成型于该基板的该分隔沟槽的表面。

6.如权利要求2所述的近接式传感器，其特征在于，还包括至少一个以无电镀制作的导电接触结构。

7.如权利要求2所述的近接式传感器，其特征在于，该光遮蔽层还包括有一以无电镀制作的接地延伸结构。

8.如权利要求1所述的近接式传感器，其特征在于，该发射单元及接收单元在同一个频段范围中操作，所述的具有特定波长的电磁信号为红外光区段，所述的红外光区段的电磁信号能够穿透该透明封装单元。

9.一种近接式传感器，其特征在于，包含：

一基板，具有一发射端区域及一接收端区域；

一设于该基板的该发射端区域上的发射单元，其中，该发射单元用于发射具有特定波长的电磁信号；

一设于该基板的该接收端区域上的接收单元，其中，该接收单元用于接收并回应该发射单元发出的电磁信号；

一透明封装单元，其中，该发射单元发出的电磁信号能够穿透该透明封装单元；以及

一无电镀层，该无电镀层选择性地设于该基板与该透明封装单元的外表面，该无电镀层具有一对应该发射单元的发射窗口及一对应该接收单元的接收窗口。

10.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，该透明封装单元包括一设于该发射单元及接收单元之间的间隔结构。

11.如权利要求10所述的近接式传感器，其特征在于，该基板具有一设于该发射单元及接收单元之间的分隔沟槽，该基板的该分隔沟槽对应于该透明封装单元的该间隔结构。

12.如权利要求11所述的近接式传感器，其特征在于，该无电镀层成型于该基板的该分隔沟槽的表面。

13.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，该无电镀层还包括有一接地延伸结构。

14.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，还包括至少一个以无电镀制作的导电接触结构。

15.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，该发射单元及接收单元在同一个频段范围中操作，所述的具有特定波长的电磁信号为红外光区段，所述的红外光区段的电磁信号能够穿透该透明封装单元。

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