CN102760003B - 触摸屏触摸点的检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种触摸屏触摸点的检测方法,该触摸屏包括一导电膜,多个第一电极,及多个第二电极;该方法包括:对触摸点进行感测,取得该多个第一电极和多个第二电极所检测到的实际感测信号值,判断与触摸点相邻的两个第一电极和两个第二电极,定义该两个第一电极和两个第二电极之间的导电膜为校正区域;设定该校正区域的一理想电阻值(Rideal);定义该两个第一电极和两个第二电极中的任意一电极为i,根据该理想电阻值及该校正区域无触摸时的实际电阻值间的比例,校正该电极i的实际感测信号值Si

Description

触摸屏触摸点的检测方法
技术领域
本发明涉及一种触摸屏触摸点的检测方法,尤其涉及一种电容式触摸屏触摸点的检测方法。
背景技术
近年来,伴随着移动电话与触摸导航系统等各种电子设备的高性能化和多样化的发展,在液晶等显示设备的前面安装透光性的触摸屏的电子设备逐步增加。这样的电子设备的使用者通过触摸屏,一边对位于触摸屏背面的显示设备的显示内容进行视觉确认,一边利用手指或笔等方式按压触摸屏来进行操作。由此,可以操作电子设备的各种功能。
按照触摸屏的工作原理和传输介质的不同,现有的触摸屏包括四种类型,分别为电阻式、电容式、红外线式以及表面声波式。其中电容式触摸屏因准确度较高、抗干扰能力强应用较为广泛。
现有技术中,电容式触摸屏的触摸感测方法通常为:检测各个电极所检测到的信号(如电压)变化以检测触摸点的具体位置。然而,通常触摸屏中的透明导电层的电阻分布不均匀,因此所述各个电极所感测到的信号变化量不仅仅受触摸点位置的影响而且还会受透明导电层的电阻分布不均匀影响,直接通过各个电极所检测到的信号变化量来判断触摸点位置而不考虑触摸屏中透明导电层的电阻分布不均匀的影响,容易造成触摸点错误检测或检测精度降低。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种能提高触摸位置检测精度的触摸屏触摸点的检测方法。
一种触摸屏触摸点的感测方法,该触摸屏包括:一导电膜,该导电膜具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向(Y方向)和一高阻抗方向(X方向),该导电膜低阻抗方向的相对两侧分别为第一侧边和第二侧边;及沿该第一侧边设置的多个相互间隔的第一电极,和沿该第二侧边设置的多个第二电极,该多个第一电极和多个第二电极分别与该导电膜电连接;该检测方法包括以下步骤:对触摸点进行感测,取得该多个第一电极和多个第二电极所检测到的实际感测信号值,判断与触摸点相邻的两个第一电极和两个第二电极,定义该两个第一电极和两个第二电极之间的导电膜为校正区域;设定该校正区域的一理想电阻值(Rideal);定义该两个第一电极和两个第二电极中的任意一电极为i,根据该理想电阻值及该校正区域无触摸时的实际电阻值间的比例,校正该电极i的实际感测信号值Si
一种触摸屏触摸点的检测方法,该触摸屏包括:一阻抗异向性导电膜;以及多个相互间隔的第一电极和多个相互间隔的第二电极分别设置于所述导电膜相对的两侧边,该导电膜的低阻抗方向为从设置多个第一电极的侧边延伸至设置多个第二电极的侧边方向;该检测方法包括以下步骤:对触摸点进行感测,取得该多个第一电极和多个第二电极所检测到的实际感测信号值;设定一理想电阻值(Rideal);定义该多个第一电极和多个第二电极中的任意一电极为i,根据该理想电阻值及无触摸时的该导电膜的实际电阻值间的比例,校正该电极i的实际感测信号值Si
相较于现有技术,本发明在计算触摸点的坐标之前,首先根据一理想电阻值及无触摸时的导电膜实际电阻值间的比例,对第一电极和第二电极所检测到的感测信号进行较正,从而使得计算得到的触摸点坐标更接近于实际触摸点坐标。
附图说明
图1为本发明实施例提供的触摸屏结构示意图。
图2为本发明实施例提供的触摸屏触摸点的检测方法流程图。
图3为本发明实施例在检测触摸屏上的触摸点I时,所模拟出的曲线示意图。
图4为本发明实施例检测出的触摸屏的触摸点I时,校正区域的导电膜电阻分布示意图。
图5和图6为本发明实施例提供的无触摸时沿低阻抗方向的相对的两电极之间的实际电阻值检测示意图。
图7和图8为本发明实施例提供的无触摸时沿高阻抗方向的相邻的两电极之间的实际电阻值检测示意图。
图9为本发明实施例提供的与触摸点相邻的两第一电极和两第二电极之间的导电膜区块的实际电阻值检测示意图。
主要元件符号说明
触摸屏          10
导电膜          102
第一侧边        111
第二侧边        112
第一电极        104,104a,104b
第二电极        106,106a,106b
导线            108
驱动感测电路    110
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本发明实施例触摸屏触摸点的检测方法。
本发明所述触摸点的检测方法适用于电容式触摸屏,下面首先对本发明适用的一种电容式触摸屏的结构进行介绍:
请参阅图1,该触摸屏10包括一导电膜102,该导电膜102具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向(即Y方向)和一高阻抗方向(即X方向),该导电膜102沿低阻抗方向Y相对的两侧边分别为第一侧边111和第二侧边112;及沿该第一侧边111设置的多个相互间隔的第一电极104,沿该第二侧边112设置的多个相互间隔的第二电极106,该多个第一电极104和多个第二电极106分别与该导电膜102电连接,所述每个第一电极104和每个第二电极106均分别通过导线108与一个或多个驱动感测电路110电连接。该驱动感测电路110可设置在一集成电路板上,用于向所述多个第一电极104和多个第二电极106依次或同时输入一驱动信号,并读取所述多个第一电极104和多个第二电极106所检测到的感测信号,从而通过该感测信号判断所述触摸屏是否被触摸以及具体的触摸位置。
所述导电膜102沿所述低阻抗方向的电导率远大于其他方向的电导率,在高阻抗方向的电导率远小于其他方向的电导率,该低阻抗方向与高阻抗方向垂直。本实施例中,所述导电膜104由至少一层碳纳米管膜组成。该碳纳米管膜中的大部分碳纳米管首尾相连地沿同一个方向择优取向延伸,且为一自支撑结构。由于碳纳米管沿其轴向具有较好的导电性,且上述碳纳米管膜中的大部分碳纳米管沿同一方向择优取向延伸,因此,该碳纳米管膜整体具有阻抗异向性,即沿碳纳米管延伸的方向为低阻抗方向,而垂直于该碳纳米管延伸的方向为高阻抗方向。此外,所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的大多数碳纳米管中每一碳纳米管与在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连,且所述碳纳米管膜中也存在少数随机排列的碳纳米管,这些随机排列的碳纳米管会与相邻的其他碳纳米管相互接触,从而使得该碳纳米管膜在高阻抗方向仍具有导电性,只是相较于其他方向该碳纳米管膜在该高阻抗方向的电阻较大,电导率较低。此外,该导电膜102不限于该碳纳米管膜,也可为其他具有阻抗异向性的材料,如沿所述低阻抗方向设置的多个相互平行排列的条带状氧化铟锡。
该多个第一电极104与该多个第二电极106可以一一相对设置,即每个第一电极104与其中的一个第二电极106的连线与所述导电膜102的低阻抗方向平行。该多个第一电极104与该多个第二电极106也可以相互交错设置,即每个第一电极104与其中的任意第二电极106的连线均与所述导电膜102的低阻抗方向相交而不平行。
下面对本发明触摸屏触摸点的感测方法进行介绍。
请参阅图2,本发明实施例提供一种触摸屏触摸点的感测方法,该方法包括如下步骤:
步骤一,对触摸点进行感测,读取该多个第一电极104和多个第二电极106所检测到的实际感测信号值,判断与触摸点最相邻的两个第一电极104和两个第二电极106,定义该两个第一电极104和两个第二电极106之间的导电膜为校正区域;
步骤二,设定校正区域的理想电阻值;
步骤三,定义该两个第一电极和两个第二电极中的任意一电极为i,根据该理想电阻值及该校正区域无触摸时的实际电阻值间的比例,校正该电极i的实际感测信号值Si
在步骤一中,当所述触摸屏10被触摸时,所述驱动感测电路110可依次或同时向所述多个第一电极104和多个第二电极106输入相同的驱动信号(如电压),并依次或同时读取所述多个第一电极104和多个第二电极106所感测到的实际感测信号值,该实际感测信号值可为电压值、电流值或电容值等,本实施例中,该实际感测信号值为电压值。由于所述导电膜102具有阻抗异向性,经过所述导电膜102的电流方向主要为沿低阻抗方向,从而使得所述多个第一电极104和多个第二电极106中距离该触摸点的位置越近的电极所检测到的实际感测信号值越强,因此,根据各个电极所检测到的实际感测信号值强弱可初步判断出与所述触摸点最相邻的两个第一电极104和两个第二电极106。
在上述步骤二中,所述理想电阻值的设定的具体方法为:
取多个与该导电膜102具有相同参数的参考导电膜,所述相同参数是指所述多个参考导电膜与该导电膜102至少具有基本相同的材料组成、厚度及面积;以及
分别测试所述多个参考导电膜在所述校正区域中沿低阻抗方向的电阻值,并取该测试获得的多个电阻值的平均值作为理想电阻值。
另外,也可分别测试该多个参考导电膜在所述校正区域中沿低阻抗方向的电阻平均值及高阻抗方向的电阻平均值,并将该两个电阻平均值再取平均,作为理想电阻值。
另外,可根据上述方法预先将导电膜102的各个区域的理想电阻值设定好并存储至集成电路板中,之后根据步骤一中确定的校正区域从该集成电路板中获得对应该校正区域的理想电阻值。
在步骤三中,由于在步骤一中已初步判断出与所述触摸点相邻的两个第一电极104和两个第二电极106,因此,至少可以根据该两个第一电极104和两个第二电极106所检测到的感测信号值的强度来计算出触摸点所在的具体坐标。然而,由于导电膜102具有阻抗异向性,使得该两个第一电极104和两个第二电极106所检测到的感测信号强度不仅与触摸点的位置有关,而且还与触摸点所在的导电膜区域电阻分布有关。该两个第一电极104和两个第二电极106中的任意一个电极所检测到的感测信号强度受其周围导电膜102的电阻影响。如果周围导电膜102的电阻不均匀,使有些区域的电阻远大于该导电膜102的理想电阻值,将会导致该电极实际所检测到的感测信号强度远低于其本应该有的感测信号强度,因此,如果直接采用该实际感测信号强度计算触摸点的坐标,则会导致计算出的触摸点的坐标偏离于实际触摸点的坐标。为降低计算出的触摸点的坐标与实际触摸点的坐标之间的偏离值,可在计算所述触摸点坐标之前,校正该两个第一电极104和两个第二电极106所检测到的感测信号值。
在上述与触摸点相邻的两个第一电极104和两个第二电极106中,将与电极i在X方向相邻的电极定义为iX,将与电极i在Y方向相邻的电极定义为iY,将另外一与电极iX和电极iY相邻的电极定义为iXY。所述校正区域无触摸时的实际电阻值包括该电极i与电极iY之间的沿Y方向的导电膜的实际电阻值、该电极i与电极iX之间的沿X方向的导电膜的实际电阻值、该电极iX与电极iXY之间沿Y方向的导电膜的实际电阻值、该电极iY与电极iXY之间沿X方向的导电膜的实际电阻值、及该四个电极i、iX、iY、iXY之间的校正区域导电膜的实际电阻值。
所述校正区域无触摸时的实际电阻值可通过在两个电极之间输入一预定电压V,并检测在该两个电极之间流经导电膜的电流值,从而换算出该校正区域无触摸时的实际电阻值。
此外,将该电极i所实际检测到的感测信号值定义为Si,可对该感测信号Si通过公式进行X方向校正,该公式中,RX为无触摸时该电极i与电极iX之间的导电膜的实际电阻值,Six′代表该电极i在X方向校正后的感测信号值,Rideal代表理想电阻值,该校正后的感测信号值Six′用于计算触摸点Y轴坐标;另外,可对该感测信号Si通过公式进行Y方向校正,公式中RY为无触摸时该电极i与电极iY之间的导电膜的实际电阻值,SiY′为该电极i在Y方向校正后的感测信号值,该校正后的感测信号值SiY′用于计算触摸点X轴坐标。
另外,如果在计算触摸点的X轴坐标和Y轴坐标时需计算该两个第一电极104和两个第二电极106所检测到的感测信号值之和,该两个第一电极104和两个第二电极106所检测到的感测信号值之和既可以通过上述公式分别计算各电极校正后的感测信号再求和,也可通过公式直接进行校正,该公式中,Rm为四个电极i、iX、iY、iXY之间的导电膜区块的实际电阻值,Sm为该四个电极i、iX、iY、iXY所检测到的实际感测信号之和。此外,计算触摸点坐标的方法不限,也可采用与触摸点相邻的两两相对的三对、四对或所有的电极所检测到的感测信号值计算所述触摸点的坐标,此时,可依据上述方法对所述三对、四对或所有的电极所检测到的感测信号值一一进行校正。
本发明进一步采用上述校正后的感测信号计算触摸点坐标。
触摸点Y轴坐标可根据公式(1)计算:
Y = P Y 2 + ( A - B ) ( A + B ) × P Y 2 - - - ( 1 )
公式(1)中PY为触摸屏在Y方向的解析度,可根据驱动感测电路的芯片性能进行设定,如480至1024中的任意值,A为该两个第一电极104在X方向校正后的感测信号之和,B为该两个第二电极106在X方向校正后的感测信号之和。
触摸点的X轴坐标可根据公式(2)计算:
X = P X 2 ( n - 1 ) + ( C - D ) ( C + D ) × P X 2 ( n - 1 ) + ( N - 1 ) × P X ( n - 1 ) - - - ( 2 )
公式(2)中PX为触摸屏在X方向的解析度,可根据驱动感测电路的芯片性能进行设定,如480至1024中的任意值,n为触摸屏第一电极104(或第二电极106)的数量,N为与触摸点最近的两个第一电极104(或两个第二电极106)中在X方向离0点最近的电极序号。C为一对相对的第一电极104与第二电极106在Y方向校正后的感测信号之和,D为另一对相对的第一电极104与第二电极106在Y方向校正后的感测信号之和。
具体实施例
请参阅图3,本实施例触摸点为I,根据所述多个第一电极104和第二电极106所检测到的感测信号值可模拟出两曲线图,从该曲线图可以看出,与该触摸点I相邻的两个第一电极104所检测出的实际感测信号相等且大于其他第一电极104a,104b所检出的感测信号值,与该触摸点I相邻的两个第二电极106c,106d所检测出的实际感测信号相等且大于其他第二电极106所检出的感测信号值。因此,可以判断该触摸点I位于该两个第一电极104a,104b及两个第二电极106c,106d围成的区域。
请参阅图4,触摸点I相邻的四个电极104a,104b,106c,106d中,将该第一电极104a与第一电极104b之间的沿X方向的导电膜102的实际电阻值定义为R1,将该第一电极104a与第二电极106c之间的沿Y方向的导电膜102的实际电阻值定义为R3、将第一电极104b与第二电极106d之间的沿Y方向的导电膜102的实际电阻值定义为R4、将第二电极106c与第二电极106d之间的沿X方向的的导电膜102的实际电阻值定义为R2、将该四个电极104a,104b,106c,106d之间的导电膜102的实际电阻值定义为R5
请参阅图5,通过所述相对的第一电极104a与第二电极106c向所述导电膜102输入一预定电压V,从而在所述导电膜102中产生一沿低阻抗方向的从第一电极104a流向第二电极106c的电流,之后通过所述驱动感测电路110检测此时流经所述导电膜102的电流值,从而计算出R3的大小;请参阅图6,通过所述第一电极104b和第二电极106d向所述导电膜102输入一预定电压V,从而在所述导电膜102中产生一沿低阻抗方向的从第一电极104b流经第二电极106d的电流,之后通过所述驱动感测电路110检测此时流经所述导电膜102的电流值,从而计算出R4的大小;请参阅图7,通过第一电极104a和第一电极104b向所述导电膜102输入一预定电压V,之后通过所述驱动感测电路110检测此时流经所述导电膜102的电流值,从而计算出R1的大小;请参阅图8,通过所述第二电极106c和第二电极106d向所述导电膜102输入一预定电压V,之后通过所述驱动感测电路110检测此时流经所述导电膜102的电流值,从而计算出R2的大小;请参阅图9,通过所述第一电极104a和第二电极106c向所述导电膜102输入一预定电压V,并同时通过第一电极104b和第二电极106d施加同样的预定电压V,从而产生一电流方向为第一电极104a至第二电极106c的电流和一电流方向为第一电极104b至第二电极106d的电流流经所述导电膜102,通过所述驱动感测电路110检测出此时电流方向为第一电极104a至第二电极106c的电流大小I1和电流方向为第一电极104b至第二电极106d的电流大小I2,由于此时可近似视为沿低电阻方向的从第一电极104a至第二电极106c之间的导电膜102的电阻和沿低电阻方向的从第一电极104b至第二电极106d之间的导电膜102的电阻并联,从而可根据公式R5=V/(I1+I2)计算出R5。R5可以近似的视作与触摸点I相邻的四个电极之间的导电膜区块的实际电阻值。
在计算该触摸点I的坐标之前,首先,对与该触摸点I相邻的四个电极104a,104b,106c,106d所检测到的感测信号值进行校正,以校正第一电极104a所检测到的感测信号Sa为例:当该校正后的感测信号值用于计算X轴坐标时,该校正后的感测信号值可通过公式若该校正后的感测信号值用于计算Y轴坐标时,该感测信号值Sa可通过公式校正;同理,一一校正其他三个电极104b,106c,106d所检测到的感测信号值Sb,Sc,Sd
进一步地,若在计算触摸点I的X轴坐标和Y轴坐标时用到该四个电极104a,104b,106c,106d所检测到的感测信号值之和,除可采用上述方法分别对该四个电极104a,104b,106c,106d所检测到的感测信号进行校正之外,也可以采用上述公式对该四个电极104a,104b,106c,106d所检测到的感测信号值之和Sm进行校正,具体为,用公式
本实施例中,计算触摸点I的Y轴坐标可根据公式计算,本实施例中,PY为1023,该公式中,SbX′为第一电极104b在X方向校正后的感测信号,ScX′为第二电极106c在X方向校正后的感测信号,SdX′为第二电极106d在X方向校正后的感测信号。计算触摸点I的X轴坐标可根据公式式中ScY′为第二电极106c在Y方向校正后的感测信号,SbY′为第一电极104b在Y方向校正后的感测信号,式中SdY′为第二电极106d在Y方向校正后的感测信号。可见,计算触摸点I的X轴坐标和Y轴坐标的公式中所引入的各个电极所感测到的感测信号值均采用经过校正后的感测信号值,使得计算出的触摸点I坐标更准确。
另外,本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化,当然,这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (11)

1.一种触摸屏触摸点的检测方法,该触摸屏包括:
一导电膜,该导电膜具有阻抗异向性以定义出相互垂直的一低阻抗方向和一高阻抗方向,所述低阻抗方向定义为Y方向,所述高阻抗方向定义为X方向,该导电膜低阻抗方向的相对两侧分别为第一侧边和第二侧边;及
沿该第一侧边设置的相互间隔的多个第一电极,和沿该第二侧边设置的相互间隔的多个第二电极,该多个第一电极和多个第二电极分别与该导电膜电连接;
该检测方法包括以下步骤:
对触摸点进行感测,取得该多个第一电极和多个第二电极所检测到的实际感测信号值,根据该该多个第一电极和多个第二电极所检测到的实际感测信号值的强弱来判断与触摸点相邻的两个第一电极和两个第二电极,定义该两个第一电极和两个第二电极之间的导电膜为校正区域;
设定该校正区域的一理想电阻值(Rideal),其中,所述理想电阻值(Rideal)设定过程为:取多个与所述导电膜具有相同参数之参考导电膜,分别测试所述多个参考导电膜在所述校正区域中沿低阻抗方向之电阻值,并取该测试获得之多个电阻值之平均值作为所述理想电阻值(Rideal),或分别测试该多个参考导电膜在所述校正区域中沿低阻抗方向之电阻平均值及高阻抗方向之电阻平均值,并将该两个电阻平均值再取平均,作为所述理想电阻值(Rideal),所述相同参数是指所述多个参考导电膜与该导电膜至少具有基本相同之材料组成、厚度及面积;
定义该两个第一电极和两个第二电极中的任意一电极为电极i,根据该理想电阻值及该校正区域无触摸时的实际电阻值间的比例,校正该电极i的实际感测信号值Si
2.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,定义该两个第一电极和两个第二电极中与该电极i在X方向相邻的电极为iX,所述校正该电极i的实际感测信号值Si为对该电极i的感测信号进行X方向校正,校正方法满足以下公式:其中RX为无触摸时该电极i与电极iX之间的导电膜的实际电阻值,SiX'为该电极i在X方向校正后的感测信号值。
3.如权利要求2所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,该校正后的感测信号值SiX'用于计算触摸点Y方向坐标。
4.如权利要求3所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,该触摸点在Y方向坐标根据公式计算,该公式中A为该两个第一电极在X方向校正后的感测信号之和,B为该两个第二电极在X方向校正后的感测信号之和,PY为触摸屏在Y方向的解析度。
5.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,定义该两个第一电极和两个第二电极中与该电极i在Y方向相邻的电极为iY,所述校正该电极i的实际感测信号值Si为对该电极i的感测信号进行Y方向校正,校正方法满足以下公式:其中RY为无触摸时该电极i与电极iY之间的导电膜的实际电阻值,SiY'为该电极i在Y方向校正后的感测信号值。
6.如权利要求5所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,该校正后的感测信号值SiY’用于计算触摸点X方向坐标。
7.如权利要求6所述的触摸屏触摸点的检测方法,该触摸点在X方向坐标根据公式 X = P X 2 ( n - 1 ) + ( C - D ) ( C + D ) × P X 2 ( n - 1 ) + ( N - 1 ) × P X ( n - 1 ) , 该公式中C为相对的第一电极与第二电极在Y方向校正后的感测信号之和,D为另一对相对的第一电极与第二电极在Y方向校正后的感测信号之和,PX为触摸屏在X方向的解析度,n为触摸屏第一电极或第二电极的数量,N为与触摸点最近的两个第一电极或两个第二电极中在X方向离0点最近的电极序号。
8.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,进一步对该两个第一电极和两个第二电极所检测到的实际感测信号值之和通过公式进行校正,该公式中,Rm为该两个第一电极和两个第二电极之间的校正区域的导电膜实际电阻值,Sm为该两个第一电极和两个第二电极所检测到的实际感测信号之和,Sm'为校正后的该两个第一电极和两个第二电极所检测到的实际感测信号之和。
9.如权利要求8所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,该校正后的感测信号值Sm'用于计算触摸点的X轴坐标和Y轴坐标。
10.如权利要求1所述的触摸屏触摸点的检测方法,其特征在于,所述实际感测信号值为电压值,在该多个第一电极和多个第二电极中,感测到的实际感测信号值最大的两个第一电极和两个第二电极与所述触摸点相邻。
11.一种触摸屏触摸点的检测方法,该触摸屏包括:
一阻抗异向性导电膜;以及相互间隔的多个第一电极和相互间隔的多个第二电极分别设置于所述导电膜相对的两侧边,该导电膜的低阻抗方向为从设置多个第一电极的侧边延伸至设置多个第二电极的侧边方向;
该检测方法包括以下步骤:
对触摸点进行感测,取得该多个第一电极和多个第二电极所检测到的实际感测信号值;
设定一理想电阻值(Rideal),其中,所述理想电阻值(Rideal)设定过程为:取多个与所述导电膜具有相同参数之参考导电膜,分别测试所述多个参考导电膜沿低阻抗方向之电阻值,并取该测试获得之多个电阻值之平均值作为所述理想电阻值(Rideal),或分别测试该多个参考导电膜沿低阻抗方向之电阻平均值及高阻抗方向之电阻平均值,并将该两个电阻平均值再取平均,作为所述理想电阻值(Rideal),所述相同参数是指所述多个参考导电膜与该导电膜至少具有基本相同之材料组成、厚度及面积;
定义该多个第一电极和多个第二电极中的任意一电极为电极i,根据该理想电阻值及无触摸时的该导电膜的实际电阻值间的比例,校正该电极i的实际感测信号值Si
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