CN102751445B - 一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 - Google Patents

一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种封装薄膜,包括至少一个水氧阻隔层,还包括一个沉积在所述水氧阻隔层上的纳米结构层,所述纳米结构层为封装薄膜的外层,所述纳米结构层的表面分布有若干个凸起,所述凸起在所述纳米结构层的表面至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凸起的高度为10-300nm,相邻所述凸起之间的间隙为1-100nm。该种薄膜使得水滴与纳米结构层表面的粘附力远远小于水滴本身的表面张力,因此水滴很容易张紧成球形,从而增大了水滴与纳米结构层的接触角,使所述接触角大于150度,进而使得水滴难以在纳米结构层的表面吸附,从而改善了所述封装薄膜表面的水氧环境,使得水汽难以入侵,从而提高了封装薄膜的使用寿命。

Description

一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法
技术领域
本发明涉及一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法,属于薄膜封装领域。
背景技术
研究表明,空气中的水汽和氧气等成分对OLED(英文全称为:OrganicLight-Emitting Diode,中文译为:有机发光二极管),OTFT(英文全称为:Organic thin-film transistor,中文译为:有机薄膜晶体管),DSSC(英文全称为:Dye-sensitized solar cell,中文译为:染料敏化太阳能电池)等对水氧敏感的光电子器件的寿命影响很大。其主要原因在于:以下用OLED来进行说明,OLED器件在工作时需要从阴极注入电子,但是水汽容易与空穴传输层以及电子传输层发生化学反应,进而引起OLED器件的失效。因此,需要对OLED进行有效封装,以使器件的各功能层与大气中的水汽和氧气等隔开,以此来提高OLED的使用寿命。
传统的封装方式是在刚性基板上制造电极和各有机功能层,然后加装一个盖板,并将基板和盖板用环氧树脂粘接。这样就在基板和盖板之间形成了一个罩子,把器件和空气隔开,空气中的水汽和氧气等只能通过基板和盖板之间的环氧树脂向器件的内部渗透,这种封装方式一定程度上改善了OLED的使用寿命,但是,环氧树脂和盖板的致密性较差,这导致了OLED器件的水氧阻隔能力依然很弱。
为了进一步改善上述传统封装方式的不足,本领域普遍采用薄膜封装的方式对OLED等上述光电子器件进行封装。薄膜封装的基本思路是在上述光电子器件上形成一层或多层致密的薄膜,通过提高薄膜本身的致密性来提高薄膜本身的水氧阻隔能力,进而来试图提高OLED的使用寿命。中国专利文献CN101697343B公开了一种薄膜封装方法,用于制造上述多层致密薄膜,但是该方法的基本思路也是希望通过提高薄膜本身的致密性来对光电子器件进行物理保护。但是,在上述基本思路指导下进行的薄膜封装依然存在以下缺陷:
根据扩散原理,假如薄膜表面吸附了水汽,则封装薄膜局部所承受的内外浓度梯度将非常大,此时,由于薄膜的不完全致密性,吸附在薄膜表面的水汽或氧气将加速入侵,从而导致光电子器件的失效。由此可见,现有薄膜封装方式,其只考虑了薄膜本身的致密性对水氧阻隔能力的影响,而没有考虑薄膜表面的水氧环境对薄膜水氧阻隔能力的影响,从而造成水氧阻隔效果不佳,进而导致上述光电子器件的使用寿命依然不高的缺陷。
发明内容
因此,本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够通过改善薄膜表面的水氧环境来提高水氧阻隔能力的封装薄膜。
本发明要解决的另一个技术问题在于提供一种封装薄膜的制造方法。
为此,本发明提供一种封装薄膜,包括至少一个厚度为20-150nm的水氧阻隔层,还包括一个沉积在所述水氧阻隔层上的厚度为100-1000nm的纳米结构层,所述纳米结构层为封装薄膜的外层,所述纳米结构层的表面分布有若干个凸起,所述凸起在所述纳米结构层的表面至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凸起的高度为10-300nm,相邻所述凸起之间的间隙为1-100nm。
所述纳米结构层为紫外光固化高分子材料层。
所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
所述凸起在所述纳米结构层的表面至少有一个方向的长度为20-80nm,所述凸起的高度为50-150nm,相邻所述凸起之间的间隙为20-80nm。
所述凸起在所述纳米结构层的表面至少有一个方向的长度为50nm,所述凸起的高度为100nm,相邻所述凸起之间的间隙为50nm。
所述凸起组成的形状为雪花状、网状或棒状中的一种或多种。
还包括至少一个厚度为100-1000nm的平坦化层,所述平坦化层位于所述水氧阻隔层之间。
所述平坦化层为紫外光固化高分子材料层。
所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
本发明还提供一种封装薄膜的制造方法,依次包括以下步骤:
A.形成至少一个水氧阻隔层;
B.在位于最外层的一个水氧阻隔层上沉积一层软质层;
C.将所述软质层的一面与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层进行硬化处理,形成所述纳米结构层1,所述纳米结构层为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个凹槽,所述凹槽在所述模板表面的至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凹槽的深度为10-300nm,相邻所述凹槽之间的间隙为1-100nm。
所述软质层由紫外光固化高分子材料的单体制成。
在所述步骤C中采用的所述模板的所述凹槽在所述模板的表面至少有一个方向的长度为20-80nm,所述凹槽的深度为50-150nm,相邻所述凹槽之间的间隙为20-80nm。
在所述步骤C中采用的所述模板的所述凹槽的截面形状为雪花状、网状或棒状中的一种或多种。
在所述步骤B中采用紫外光固化高分子材料形成所述软质层。
采用的所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或多种。
在所述水氧阻隔层之间形成平坦化层。
本发明提供的封装薄膜具有以下优点:
本发明提供一种封装薄膜,包括至少一个厚度为20-150nm的水氧阻隔层,还包括一个沉积在所述水氧阻隔层上的厚度为100-1000nm的纳米结构层,所述纳米结构层为封装薄膜的外层,所述纳米结构层的表面分布有若干个凸起,所述凸起在所述纳米结构层的表面至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凸起的高度为10-300nm,相邻所述凸起之间的间隙为1-100nm。由于所述封装薄膜具有纳米结构层,所述纳米结构层为外层,所述纳米结构层上的凸起之间的间隙截留了空气,并且所述间隙为1-100nm,这使得所述间隙的体积小于水滴的体积,由于毛细效应,水滴无法填满所述间隙,这样水滴只能与所述凸起的顶端接触,实际接触面积非常小,小于所述纳米结构层表面积的5%,这使得水滴与纳米结构层表面的粘附力远远小于水滴本身的表面张力,因此水滴很容易张紧成球形,从而增大了水滴与纳米结构层的接触角,使所述接触角大于150度,进而使得水滴难以在纳米结构层的表面吸附,从而改善了所述封装薄膜表面的水氧环境,使得水汽难以入侵,从而提高了所述封装薄膜的使用寿命。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解,下面根据本发明的具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中
图1是本发明提供的封装薄膜在封装过程中的结构示意图
图中附图标记表示为:
1-纳米结构层;2-水氧阻隔层;3-平坦化层;4-OLED器件。
具体实施方式
本发明的核心目的在于提供一种能够通过改善薄膜表面的水氧环境来提高水氧阻隔能力的封装薄膜及该封装薄膜的制造方法。下面结合具体的实施例对本发明提供的封装薄膜及封装薄膜的制造方法进行详细的说明。
实施例1
本实施例提供一种封装薄膜,包括一个厚度为50nm的水氧阻隔层2和一个沉积在所述水氧阻隔层2上的厚度为200nm的纳米结构层1,所述纳米结构层1为封装薄膜的外层(在此,所述外层是指与外界接触的层,内层是与器件接触的层),所述纳米结构层1的表面分布有若干个均匀分布的凸起,所述凸起在所述纳米结构层1的表面至少有一个方向上的长度为50nm,所述凸起的高度为100nm,相邻所述凸起之间的间隙为50nm。
在本实施例中,所述水氧阻隔层2为Al2O3层。当然,为了实现本发明的核心目的,所述水氧阻隔层2的材料除了Al2O3之外,还可以选择Si3N4,TiO2,ZrO2,SiO2等。
在本实施例中,所述纳米结构层1为聚丙烯酸酯。当然,为了实现本发明的核心目的,所述纳米结构层1的材料除了聚丙烯酸酯之外,还可以选择其他紫外光固化高分子材料,例如:聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
需要说明的是,在本实施例中,所述凸起在所述纳米结构层1的表面至少有一个方向的长度为50nm,所述凸起的高度为100nm,相邻所述凸起之间的间隙为50nm。在此,上述数值是本发明的最佳实施例,为了实现本发明的核心目的,本发明的所述凸起在所述纳米结构层1的表面至少有一个方向的长度的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值为20-80nm;所述凸起的高度的最大范围是10-300nm,在此范围内进一步的优选数值为50-150nm;相邻所述凸起之间的间隙的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值是20-80nm。
在本实施例中,所述凸起组成的形状为雪花状。
本实施例提供的上述封装薄膜的制备方法依次包括以下步骤:
A.以TMA(英文全称为:Trinethyluminium,中文译为:三甲基铝)和水蒸气为原材料,采用ALD(英文全称为:Atomic Layer Deposition,中文译为:原子层沉积)的方法形成厚度为50nm的Al2O3层,在此,所述Al2O3为水氧阻隔层2;
B.在所述水氧阻隔层2的衬底上,以丙烯酸酯单体和紫外光引发剂的混合物为原料,采用闪蒸发的方法,形成一个软质层,所述软质层为封装薄膜的外层;
C.将所述软质层与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层采用紫外光固化处理进行硬化,形成厚度为200nm的所述纳米结构层1,所述纳米结构层1为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个均匀分布的凹槽,所述凹槽的截面为雪花状,所述凹槽在所述模板表面上至少有一个方向的长度为50nm,所述凹槽的深度为100nm,相邻所述凹槽之间的间隙为50nm,在本实施例中,所述模板上的所述凹槽采用电子束刻蚀方法形成。
实施例2
本实施例提供一种封装薄膜,包括两个厚度分别为100nm和50nm的水氧阻隔层2以及位于两个所述水氧阻隔层2之间的厚度为100nm的平坦化层3,所述封装薄膜还包括一个沉积在其中一个所述水氧阻隔层2上的厚度为100nm的纳米结构层1,所述纳米结构层1为外层(在此,所述外层是指与外界接触的层,内层是与器件接触的层),所述纳米结构层1的表面分布有若干个均匀分布的凸起,所述凸起在所述纳米结构层1的表面至少有一个方向的长度为100nm,所述凸起的高度为50nm,相邻所述凸起之间的间隙为20nm。
在本实施例中,所述水氧阻隔层2为Si3N4层。当然,为了实现本发明的核心目的,所述水氧阻隔层2的材料除了Si3N4之外,还可以选择Al2O3、TiO2、ZrO2或SiO2等。
在本实施例中,所述纳米结构层1为聚对二甲苯。当然,为了实现本发明的核心目的,所述纳米结构层1的材料除了聚对二甲苯之外,还可以选择其他紫外光固化高分子材料,例如:聚丙烯酸酯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
需要说明的是,在本实施例中,所述凸起在所述纳米结构层1的表面上至少有一个方向的长度为100nm,所述凸起的高度为50nm,相邻所述凸起之间的间隙为20nm。在此,上述数值是本发明的最佳实施例,为了实现本发明的核心目的,本发明的所述凸起在所述纳米结构层1的表面至少有一个方向的长度的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值为20-80nm;所述凸起的高度的最大范围是10-300nm,在此范围内进一步的优选数值为50-150nm;相邻所述凸起之间的间隙的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值是20-80nm。
在本实施例中,所述凸起组成的形状为网状。
本实施例提供的上述封装薄膜的制备方法依次包括以下步骤:
A.以硅烷,氨气和氮气作为前驱气体,采用PECVD(英文全称为:plasma-enhanced chemical vapor deposition,中文译为:等离子体增强化学气相沉积)的方法形成Si3N4层,在此,所述Si3N4为水氧阻隔层2;
B.在所述水氧阻隔层2上以聚丙烯酸酯单体为原料,采用闪蒸发-紫外光固化方法形成一个厚度为100nm的平坦化层3,然后重复步骤A中的形成所述水氧阻隔层2的方法,在所述平坦化层3之上形成另一层所述水氧阻隔层2,当然,所述平坦化层3还可以采用旋涂-固化或喷墨打印-固化等方法来形成,所述平坦化层3的原料也不限于聚丙烯酸酯,还可以采用其他紫外光固化高分子材料来制造,例如,聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物;
C.在位于最外层的所述水氧阻隔层2的衬底上,以聚丙烯酸酯单体和紫外光引发剂的混合物的溶剂作为原料,采用喷墨打印的方法将其沉积在靠近外界的那层水氧阻隔层2上,然后烘烤使之预硬化,但仍然保持一定塑性,从而形成一个软质层,所述软质层为封装薄膜的外层;
D.将所述软质层与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层采用紫外光固化处理进行硬化,形成厚度为100nm的纳米结构层1,所述纳米结构层1为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个均匀分布的凹槽,所述凹槽的截面为网状,所述凹槽在所述模板表面上至少有一个方向的长度为100nm,所述凹槽的深度为50nm,相邻所述凹槽之间的间隙为20nm,在实施例中,所述模板上的所述凹槽采用光刻的方式形成。
实施例3
本实施例提供一种封装薄膜,包括三个水氧阻隔层2,靠近器件的一层的厚度为150nm,依次向外的两层的厚度分别为40nm,相邻所述水氧阻隔层2之间设置厚度为1000nm的平坦化层3,所述封装薄膜还包括沉积在靠近外界的水氧阻隔层2上的厚度为500nm的纳米结构层1,所述纳米结构层1为外层(在此,所述外层是指与外界接触的层,内层是与器件接触的层),所述纳米结构层1的表面分布有若干个均匀分布的凸起,所述凸起在所述纳米结构层1的表面上至少有一个方向上的长度为20nm,所述凸起的高度为10nm,相邻所述凸起之间的间隙为1nm。
在本实施例中,所述水氧阻隔层2的为TiO2层。当然,为了实现本发明的核心目的,所述水氧阻隔层2的材料除了TiO2之外,还可以选择Al2O3、Si3N4、ZrO2或SiO2等。
在本实施例中,所述纳米结构层1为聚脲层。当然,为了实现本发明的核心目的,所述纳米结构层1的材料除了聚脲之外,还可以选择其他紫外光固化高分子材料,例如:聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
需要说明的是,在本实施例中,所述凸起在所述纳米结构层1的表面上至少一个方向上长度为20nm,所述凸起的高度为10nm,相邻所述凸起之间的间隙为1nm。在此,上述数值是本发明的最佳实施例,为了实现本发明的核心目的,本发明的所述凸起在所述纳米结构层1的表面上至少在一个方向上的长度的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值为20-80nm;所述凸起的高度的最大范围是10-300nm,在此范围内进一步的优选数值为50-150nm;相邻所述凸起之间的间隙的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值是20-80nm。
在本实施例中,所述凸起组成的形状为棒状。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤。状为:
A.采用纯Ti靶材,在氧气环境下进行反应溅射,以TiO2为原料生成三层致密的水氧阻隔层2;
B.在所述水氧阻隔层2上以聚对二甲苯单体为原料,采用闪蒸发-紫外光固化方法形成一个厚度为1000nm的平坦化层3,然后重复步骤A中的形成所述水氧阻隔层2的方法,在所述平坦化层3之上形成另一层所述水氧阻隔层2,这样循环操作,使得所述水氧阻隔层2和所述平坦化层3形成叠加结构,并使得所有的所述平坦化层3都位于相邻的所述水氧阻隔层2之间,当然,所述平坦化层3还可以采用旋涂-固化或喷墨打印-固化等方法来形成,所述平坦化层3的原料也不限于聚对二甲苯,还可以采用其他紫外光固化高分子材料来制造,例如,聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物;
C.在位于最外层的所述水氧阻隔层2上,利用气相沉积的方法,将异氰酸盐(isocyanate)单体与联氨(diamine)前驱体沉积于水氧阻隔层上,形成软质层;
D.将所述软质层与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层采用紫外光固化处理进行硬化,形成厚度为500nm的纳米结构层1,所述纳米结构层1为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个均匀分布的凹槽,所述凹槽的截面为棒状,所述凹槽在所述模板的表面至少有一个方向的长度为20nm,所述凹槽的深度为10nm,相邻所述凹槽之间的间隙为1nm,在本实施例中,所述模板上的所述凹槽采用化学蚀刻的方式形成。
实施例4
本发明提供一种封装薄膜,包括两个厚度分别为100nm和20nm的水氧阻隔层2,相邻所述水氧阻隔层2之间设置厚度为400nm的平坦化层3,所述纳米结构层1为外层(在此,所述外层是指与外界接触的层,内层是与器件接触的层),所述纳米结构层1的表面分布有若干个非均匀分布的凸起,所述凸起在所述纳米结构层1的表面至少有一个方向的长度为80nm,所述凸起的高度为150nm,相邻所述凸起之间的间隙为70nm。
在本实施例中,所述水氧阻隔层2的为SiO2层。当然,为了实现本发明的核心目的,所述水氧阻隔层2的材料除了SiO2之外,还可以选择Al2O3、Si3N4、ZrO2或TiO2等。
在本实施例中,所述纳米结构层1为聚萘二甲酸乙二醇酯。当然,为了实现本发明的核心目的,所述纳米结构层1的材料除了聚萘二甲酸乙二醇酯之外,还可以选择其他紫外光固化高分子材料,例如:聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
需要说明的是,在本实施例中,所述凸起在所述纳米结构层1的表面上至少有一个方向的长度为80nm,所述凸起的高度为150nm,相邻所述凸起之间的间隙为70nm。在此,上述数值是本发明的最佳实施例,为了实现本发明的核心目的,本发明的所述凸起在所述纳米结构层1的表面上至少在一个方向上的长度的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值为20-80nm;所述凸起的高度的最大范围是10-300nm,在此范围内进一步的优选数值为50-150nm;相邻所述凸起之间的间隙的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值是20-80nm。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤:
A.利用射频溅射的方法,以SiO2靶材为原材料沉积两个SiO2薄膜层,所述SiO2薄膜层为水氧阻隔层2;
B.在所述水氧阻隔层2上以聚对二甲苯单体为原料,采用闪蒸发-紫外光固化方法形成一个厚度为1000nm的平坦化层3,然后重复步骤A中的形成所述水氧阻隔层2的方法,在所述平坦化层3之上形成另一层所述水氧阻隔层2,当然,所述平坦化层3还可以采用旋涂-固化或喷墨打印-固化等方法来形成,所述平坦化层3的原料也不限于聚对二甲苯,还可以采用其他紫外光固化高分子材料来制造,例如,聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物;
C.利用旋涂的方法,在位于最外层的所述水氧阻隔层2上利用聚萘二甲酸乙二醇酯形成薄膜,然后烘烤使之预硬化,但仍然保持一定塑性,进而形成软质层,所述软质层为外层;
D.将所述软质层与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层采用紫外光固化处理进行硬化,形成所述纳米结构层1,所述纳米结构层1为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个非均匀分布的凹槽,所述凹槽的截面为雪花状,所述凹槽在所述模板的表面至少有一个方向的长度为80nm,所述凹槽的深度为150nm,相邻所述凹槽之间的间隙为70nm,在本实施例中,所述模板上的所述凹槽采用光刻的方式形成;
实施例5
本发明提供一种封装薄膜,包括四个水氧阻隔层2,四个所述水氧阻隔层2从内层到外层的厚度依次为100nm、80nm、70nm和50nm,相邻所述水氧阻隔层2之间依次形成厚度分别为200nm、300nm以及400nm的平坦化层3,所述水氧阻隔层2和所述平坦化层3形成叠加结构,在靠近外界的所述水氧阻隔层2上形成一层厚度为700nm的纳米结构层1,所述纳米结构层1为封装薄膜的外层(在此,所述外层是指与外界接触的层,内层是与器件接触的层),所述纳米结构层1的表面具有若干个非均匀分布的凸起,所述凸起在所述纳米结构层1上至少有一个方向的长度为60nm,所述凸起的高度为300nmnm,相邻所述凸起之间的间隙为200nm。
在本实施例中,所述水氧阻隔层2的为SiO2层。当然,为了实现本发明的核心目的,所述水氧阻隔层2的材料除了SiO2之外,还可以选择Al2O3、Si3N4、ZrO2或TiO2等。
在本实施例中,所述纳米结构层1为苯二甲酸乙二醇酯和聚苯乙烯。当然,为了实现本发明的核心目的,所述纳米结构层1的材料除了聚萘二甲酸乙二醇酯之外,还可以选择其他紫外光固化高分子材料,例如:聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
需要说明的是,在本实施例中,所述凸起在所述纳米结构层1的表面至少有一个方向的长度为60nm,所述凸起的高度为300nm,相邻所述凸起之间的间隙为20nm。在此,上述数值是本发明的最佳实施例,为了实现本发明的核心目的,本发明的所述凸起在所述纳米结构层1的表面上至少有一个方向的长度的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值为20-80nm;所述凸起的高度的最大范围是10-300nm,在此范围内进一步的优选数值为50-150nm;相邻所述凸起之间的间隙的最大范围是1-100nm,在此范围内进一步的优选数值是20-80nm。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤:
A.利用射频溅射的方法,以SiO2靶材为原材料沉积SiO2薄膜层,所述SiO2薄膜层为水氧阻隔层2;
B.在所述水氧阻隔层2上以丙烯酸酯单体为原料,采用闪蒸发-紫外光固化方法形成平坦化层3,然后重复步骤A中的形成所述水氧阻隔层2的方法,在所述平坦化层3之上形成另一层所述水氧阻隔层2,这样循环操作,使得所述水氧阻隔层2和所述平坦化层3形成叠加结构,并使得所有的所述平坦化层3都位于相邻的所述水氧阻隔层2之间,当然,所述平坦化层还可以采用旋涂-固化或喷墨打印-固化等方法来形成,所述平坦化层3的原料也不限于聚丙烯酸酯,还可以采用其他紫外光固化高分子材料来制造,例如,聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物;
C.利用旋涂的方法,在位于最外层的所述水氧阻隔层2上利用聚萘二甲酸乙二醇酯形成薄膜,然后烘烤使之预硬化,但仍然保持一定塑性,进而形成软质层,所述软质层为外层;
D.将所述软质层与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层采用紫外光固化处理进行硬化,形成所述纳米结构层1,所述纳米结构层1为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个非均匀分布的凹槽,所述凹槽的截面为雪花状,所述凹槽在所述模板表面上至少有一个方向的长度为60nm,所述凹槽的深度为300nm,相邻所述凹槽之间的间隙为20nm,在本实施例中,所述模板上的所述凹槽采用电子束刻的方式形成。
图1显示了本发明的实施例3提供的封装薄膜在OLED器件4的封装中的应用。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种封装薄膜,包括至少一个厚度为20-150nm的水氧阻隔层(2),其特征在于:还包括一个沉积在所述水氧阻隔层(2)上的厚度为100-1000nm的纳米结构层(1),所述纳米结构层(1)位于封装薄膜的外层,所述纳米结构层(1)的表面分布有若干个凸起,所述凸起在所述纳米结构层(1)的表面至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凸起的高度为10-300nm,相邻所述凸起之间的间隙为1-100nm;所述凸起组成的形状为雪花状、网状或棒状中的一种或多种;
所述纳米结构层(1)为紫外光固化高分子材料层;所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜,其特征在于:所述凸起在所述纳米结构层(1)的表面至少有一个方向的长度为20-80nm,所述凸起的高度为50-150nm,相邻所述凸起之间的间隙为20-80nm。
3.根据权利要求2所述的封装薄膜,其特征在于:所述凸起在所述纳米结构层(1)的表面至少有一个方向的长度为50nm,所述凸起的高度为100nm,相邻所述凸起之间的间隙为50nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装薄膜,其特征在于:当所述水氧阻隔层(2)的层数至少为两层时,还包括至少一个厚度为100-1000nm的平坦化层(3),所述平坦化层(3)位于所述水氧阻隔层(2)之间。
5.根据权利要求4所述的封装薄膜,其特征在于:所述平坦化层(3)为紫外光固化高分子材料层。
6.根据权利要求5所述的封装薄膜,其特征在于:所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或其中几种的组合物。
7.一种封装薄膜的制造方法,其特征在于:依次包括以下步骤:
A.形成至少一个水氧阻隔层(2);
B.在位于最外层的一个水氧阻隔层(2)上沉积一层软质层;
C.将所述软质层的一面与模板具有凹槽的一面贴合后对所述软质层进行硬化处理,形成纳米结构层(1),所述纳米结构层为封装薄膜的外层;
所述模板的表面分布有若干个凹槽,所述凹槽在所述模板的表面至少有一个方向的长度为1-100nm,所述凹槽的深度为10-300nm,相邻所述凹槽之间的间隙为1-100nm;
在所述步骤B中采用紫外光固化高分子材料形成所述软质层,采用的所述紫外光固化高分子材料为聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚苯乙烯中的一种或多种。
8.根据权利要求7所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:在所述步骤C中采用的所述模板的所述凹槽在所述模板的表面至少有一个方向的长度为20-80nm,所述凹槽的深度为50-150nm,相邻所述凹槽之间的间隙为20-80nm。
9.根据权利要求7所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:在所述步骤C中采用的所述模板的所述凹槽的截面形状为雪花状、网状或棒状中的一种或多种。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的封装薄膜的制造方法,其特征在于:当所述水氧阻隔层(2)的层数至少为两层时,在所述水氧阻隔层(2)之间形成平坦化层(3)。
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