CN102751250A - 冷却装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种冷却装置,其包括基部、连接至基部的第一发热件和第二发热件、形成在基部中的第一通道和第二通道、以及布置在基部中的分隔壁。液体制冷剂流经第一通道和第二通道以便分别冷却第一发热件和第二发热件。第一通道和第二通道在基部中通过分隔壁上下层叠。分隔壁包括第一区域和第二区域,第一区域敞开以允许第一通道中的液体制冷剂流动至第二通道,第二区域位于第一区域侧面以允许第一通道中的液体制冷剂朝向第一通道的下游端流动。第一区域形成为使得第一区域的开口面积大于第一通道的开口面积。
Description
技术领域
本发明涉及一种冷却装置,其通过使用流经基部的液体制冷剂冷却连接至基部的发热件。
背景技术
日本专利申请公告No.2006-287108公开了一种层叠冷却装置,该冷却装置中具有层叠的制冷剂通道,用以冷却诸如电子零件的发热件。在此上述公告中所公开的层叠冷却装置中,待冷却的零件布置于任意两个相邻的制冷剂通道之间。
为了提高这种层叠冷却装置的冷却效率,液体制冷剂在沿交替方向转向的制冷剂通道中流动。为了实现冷却效率,可以在冷却装置中形成连通通道以提供任意两个相邻制冷剂通道间的连通。然而,在具有这种连通通道的冷却装置中,存在对可能由于经由连通通道流入第二通道而未到达第一通道的下游端的液体制冷剂的量增大而使层叠冷却装置的冷却性能降低的担心。
本发明涉及提供一种冷却装置,其具有抑制其冷却性能降低的层叠的制冷剂通道。
发明内容
根据本发明,冷却装置包括基部、第一发热件和第二发热件、第一通道和第二通道、以及分隔壁。第一发热件和第二发热件连接至基部。第一通道和第二通道形成在基部中,并且液体制冷剂流经第一通道和第二通道以分别冷却第一和第二发热件。分隔壁布置在基部中,并且第一通道和第二通道在基部中通过分隔壁上下层叠。分隔壁包括第一区域和第二区域,第一区域敞开以允许第一通道中的液体制冷剂流动至第二通道,第二区域位于第一区域侧面以允许第一通道中的液体制冷剂朝向第一通道的下游端流动。第一区域形成为使得第一区域的开口面积大于第一通道的沿与第一通道中液体制冷剂流动方向垂直的方向的开口面积。
通过连同仅以示例本发明原理的方式图示的附图进行的下文描述,本发明的其他方面和优点将变得显而易见。
附图说明
通过参照优选实施方式的下文描述及附图,本发明及其目的和优点可以得到最佳理解,附图中:
图1是具有根据本发明第一优选实施方式的冷却装置的半导体设备的纵向截面图;
图2是沿图1中A1-A1线截取的截面图;
图3是沿图1中A2-A2线截取的截面图;
图4是根据本发明第二优选实施方式的冷却装置的纵向截面图;
图5是根据本发明第三优选实施方式的冷却装置的截面图;
图6是各根据本发明另一实施方式的冷却装置的截面俯视图;并且
图7是根据本发明又一实施方式的冷却装置的截面图。
具体实施方式
下文将参照图1至图3描述本发明的第一优选实施方式。首先参照图1,附图标记10指出半导体设备10,其包括具有基部12的冷却装置11、半导体元件13、金属电路板14和放热器15。冷却装置11是具有层叠的制冷剂通道的层叠式冷却装置。半导体元件13用作第一发热件(电子零件),而放热器15用作第二发热件。半导体设备10借助于将放热器15和安装有半导体元件13的金属电路板14连结至冷却装置11的基部12而形成。金属电路板14用作布线层和连结层。金属电路板14具有金属板17、18和绝缘基板16。金属电路板14借助于将金属板17、18连结至绝缘基板16的相反两面而形成。每个半导体元件13均由IGBT(绝缘栅双极晶体管)或者二极管制成。
下文将详细描述第一优选实施方式的冷却装置11的结构。基部12的内部空间由分隔板20分为上下布置的两个空间,即上空间S1和下空间S2。根据本发明第一优选实施方式,上空间S1在基部12中形成为液体制冷剂流经的第一通道21,而下空间S2在基部12中形成为液体制冷剂流经的第二通道22。第一通道21和第二通道22通过布置在基部12中的分隔板20在基部12中上下层叠。在第一优选实施方式中,第一通道21层叠在第二通道22上方。
入口21A形成在冷却装置11的基部12中,液体制冷剂经由该入口21A引入第一通道21。出口22A形成在基部12中,第二通道22中的液体制冷剂经由该出口22A排出。第一管23在其一个端部连接至入口21A,在其另一端部连接至液体制冷剂供给源(未示出),第二管24在其一端连接至出口22A,在其另一端连接至散热器(未示出)。
冷却装置11的基部12具有相互面对的端壁11A、11B。开口25在与端壁11B相邻的位置穿过分隔壁20形成,以便在第一通道21和第二通道22之间连通。因此,冷却装置11具有用于经由入口21A将液体制冷剂引入第一通道21、使液体制冷剂经由第一通道21、开口25和第二通道22流动、使液体制冷剂经由出口22A排出冷却装置11的流动通道。
参照图2,本实施方式中的多个第一内部散热片26、或者三个第一内部散热片26布置在第一通道21中、沿第一通道21的宽度方向以预定间隔间隔开,每一个第一内部散热片26均沿垂直于第一通道21的宽度的液体制冷剂流动方向延伸。第一内部散热片26用于在允许液体制冷剂从入口21A流动至开口25的同时通过第一通道21中的热交换来冷却液体制冷剂。参照图3,多个第二内部散热片27布置在第二通道22中、沿第二通道22的宽度方向以预定间隔间隔开,并且每一个第二内部散热片27均沿垂直于第二通道22的宽度的液体制冷剂流动方向延伸。第二内部散热片27用于在允许液体制冷剂从开口25流动至出口22A的同时通过第二通道22中的热交换冷却液体制冷剂。
冷却装置11的基部12具有顶板11C和底板11D,顶板11C和底板11D中每一个均具有安装发热件的表面。第一内部散热片26被连结至分隔板20并且被连结至顶板11C,使得第一通道21由第一内部散热片26、分隔板20和顶板11C形成。第二内部散热片27被连结至分隔板20并且被连结至底板11D,使得第二通道22由第二内部散热片27、分隔板20和底板11D形成。因此,第一内部散热片26和第二内部散热片27形成基部12的一部分。
如图2中示出的,当从基部12的顶部看时,每个第一内部散热片26均形成为波纹形。如在图3中示出的,当从基部12的顶部看时,每个第二内部散热片27均形成为直线形。第一内部散热片26与第二内部散热片27之间的形状差别导致第一通道21与第二通道22之间冷却性能的差别。具体地,当第一内部散热片26和第二内部散热片27具有相同的距离、高度和厚度时,具有波纹形状的第一内部散热片26的表面积大于具有直线形状并因此比第一内部散热片26的表面积小的第二内部散热片27的表面积。因此,当第一内部散热片26和第二内部散热片27以相同的数量分别布置在第一通道21和第二通道22中时,待与流经制冷剂通道的液体制冷剂接触的第一内部散热片26的总表面积大于第二内部散热片27的总表面积。由于第一内部散热片26具有波纹形状并且因此具有弯曲表面,故而进入弯曲表面之间的空间的液体制冷剂被搅动。因此,根据第一优选实施方式,与其中布置有第二内部散热片27的第二通道22相比,其中布置有第一内部散热片26的第一通道21具有更高的冷却性能。
在具有冷却性能不同的第一通道21、第二通道22的冷却装置11中,根据由零件产生的热量,选择用于第一通道21和第二通道22的待由第一通道21和第二通道22冷却的零件,这有助于提供对冷却装置11中的零件的有效冷却。换言之,当把具有不同发热的零件连结至冷却装置11时,可以借助于为第一通道21和第二通道22使用不同形状的第一内部散热片26和第二内部散热片27来抑制冷却装置11的制造成本的增加。例如,使用用于冷却产生的热少于电子零件的放热器15的简化结构的第二通道22,与所有制冷剂通道均具有与第一通道21相同的复杂结构的情况相比较,可以使冷却装置11的成本更低。在第一优选实施方式的冷却装置11中,第一通道21用于冷却产生相对大量热的零件,例如半导体元件13,而第二通道22用于冷却产生相对少量热的零件,例如放热器15。
下面将详细描述穿过分隔板20形成的开口25。如图2、图3中示出的,在从基部12的顶部看的平面图中,开口25形成为梯形形状。开口25形成的梯形形状为:其大底相邻于冷却装置11的基部12的端壁11B定位。换言之,如图2中示出的,开口25形成为沿着第一通道21中液体制冷剂的流动方向朝向第一通道21的下游端变宽。在具有梯形形状的开口25的第一通道21中,开口25的相对侧设置有液体制冷剂流动区域28。开口25用作提供第一通道21和第二通道22之间的连通的连通空间(第一区域)。液体制冷剂流动区域28用作不提供第一通道21和第二通道22之间的流体连通的非连通空间(第二区域)。
开口25朝向第一通道21的下游端变宽,同时液体制冷剂流动区域28朝向第一通道21的相同的下游端变窄。因此,开口25的开口宽度形成为相对较窄,使流经第一通道21到达开口25的液体制冷剂容易流至第一通道21的下游端。开口25的开口面积形成为沿与第一通道21中的液体制冷剂的流动方向垂直的方向大于第一通道21的开口面积或横截面面积。因此,第一通道21中流动的液体制冷剂经由开口25顺利地移动至第二通道22,而不会蓄积在第一通道21中。
具有梯形形状的开口25起允许第一通道21中的液体制冷剂流至第二通道22中的第一区域的作用。液体制冷剂流动区域28起允许液体制冷剂朝向第一通道21的下游端流动的第二区域的作用。
下文将描述图1中示出的用于半导体设备10的第一优选实施方式的冷却装置11的操作。当驱动该半导体设备10时,发热件产生的热传导至冷却装置11。经由入口21A引入第一通道21的液体制冷剂在第一通道21中朝向开口25流动至下游。与第一内部散热片26流动接触的液体制冷剂通过热交换冷却,随后经由开口25流动至第二通道22中。到达开口25的液体制冷剂的一部分进一步向下游流动超过位于开口25相反两侧的液体制冷剂流动区域28,而不直接流动至第二通道22中。即,液体制冷剂到达第一通道21的下游端后经由开口25流动至第二通道22,以及经由开口25直接进入第二通道22。在本发明第一优选实施方式的冷却装置11中,液体制冷剂在整个制冷剂通道(基部12的整体内部)中流动,由此抑制制冷设备11的冷却性能的降低。
经由开口25流动至第二通道22中的液体制冷剂随后沿与第一通道21中的液体制冷剂流动方向相反的方向经由第二通道22流动。液体制冷剂与第二通道22中的第二内部散热片27流动接触,由此通过热交换冷却并且经由出口22A排出冷却装置11。
根据本发明第一优选实施方式,可以获得如下有益效果。
(1)在开口25相反两侧形成的液体制冷剂流动区域28使液体制冷剂超过开口25朝向第一通道21的下游端流动。因此,液体制冷剂在整个第一通道21或者基部12的整个内部中流动,由此有效地抑制冷却装置11的冷却性能的降低。即使在零件密集地安装在冷却装置11上或者安装在与端壁11B相邻的位置处的情况下,在整个制冷剂通道中流动的液体制冷剂也有效地冷却所述零件,而不降低冷却装置11的冷却性能。
(2)开口25形成梯形形状,则可以在开口25的相反两侧设置大的液体制冷剂流动区域28。因此,液体制冷剂可以容易地朝向第一通道21的下游端流动,由此抑制制冷装置11的冷却性能的降低。朝向第一通道21的下游端变宽的开口25有助于扩大从第一通道21流动至第二通道22的液体制冷剂的流动宽度。在冷却装置11中流动的液体制冷剂的流动被不断地分为冷却装置11中的支流。
(3)与作为待由第一通道21冷却的零件的诸如半导体零件13的电子零件相比,作为待由第二通道22冷却的零件的放热器15产生更少的热。因此,第二通道22的冷却性能可低于第一通道21的冷却性能,以简化第二通道22的结构,由此抑制冷却装置11的成本提高。
(4)在制造过程中,可以仅借助于根据待冷却的零件修改布置在制冷剂通道中的内部散热片的结构而容易地改变制冷剂通道的冷却性能。因此,容易根据待冷却的零件改变第一通道21和第二通道22的冷却性能。可以减小液体制冷剂与冷却装置11的基部12的接触面积以降低第一通道21和第二通道22的冷却性能,并且可以增大液体制冷剂与冷却装置11的基部12的接触面积以增强第一通道21和第二通道22的冷却性能。如果零件的发热相对较少,则冷却装置11可以具有冷却结构简单的制冷剂通道,以降低冷却装置11的制造成本。
与具有波纹形状并且布置在第一通道21中的第一内部散热片26相比,具有直线形状并且布置在第二通道22中的第二内部散热片27的形状更简单。第二通道22中流动的液体制冷剂受到的阻力小于第一通道21中流动的液体制冷剂所受到的阻力。因此,第二通道2中的压力损失低于第一通道21中的压力损失。换言之,无需具有高冷却性能的制冷剂通道可以以简单的结构制造,从而可以减小制冷剂通道中的压力损失。
(6)第一通道21和第二通道22通过开口25而不使用诸如管、软管和连接器之类的额外零件相互连通,从而简化冷却装置11的结构,相应地抑制了冷却装置11的制造成本的提高。
(7)在本实施方式的冷却装置中,液体制冷剂首先在用于冷却产生相对较多热的零件的第一通道21中流动。这种零件由尚未通过热交换加热的液体制冷剂冷却,产生更少热的零件由已经通过热交换加热的液体制冷剂冷却。因此,在冷却装置11中有效地进行冷却。
下文将参照图4描述本发明的第二优选实施方式。在第二优选实施方式的下文描述中,相同的附图标记指代与第一优选实施方式的相同或类似的元件或部件,并且省略其描述。
根据本发明的第二优选实施方式,分隔板20具有穿过该分隔板20形成的三个开口30A、30B和30C,所述三个开口30A、30B和30C用于第一通道21和第二通道22之间的沿第一通道21和第二通道22的层叠方向的连通。所述开口30A至30C沿第一通道21中的液体制冷剂的流动方向以预定间隔间隔开地形成在分隔板20中。如从图4可见,开口30A至30C的开口面积彼此不同。在开口30A至30C中,开口30A具有最小的开口面积,而开口30C具有最大的开口面积。换言之,开口30A至30C朝向第一通道21的下游端按开口面积的升序对齐。各开口30A至30C的开口面积小于第一通道21的垂直于第一通道21中的液体制冷剂流动方向的开口面积或横截面面积。开口30A至30C的这种开口面积的总和等于或大于第一通道21的沿与第一通道21中液体制冷剂的流动方向垂直的方向的上述开口面积或横截面面积。因此,第一通道21中流动的液体制冷剂——该液体制冷剂未蓄积在第一通道21中——经由开口30A至30C顺利地移动至第二通道22中,而不蓄积在第一通道21中。
位于开口30A至30C相反两侧的液体制冷剂流动区域37对应于允许液体制冷剂流动超过开口30A至30C的制冷剂流动区域。开口30A、30B和30C在关于第一通道21中液体制冷剂的流动方向向下游方向观察时以此顺序贯穿分隔板20形成。换言之,开口30A位于最靠近第一通道21的上游端或入口21A处,而开口30C位于最靠近第一通道21的下游端处。所述多个开口30A至30C起第一通道21中的液体制冷剂经由其流动至第二通道22中的第一区域的作用。各开口30A至30C的相反两侧形成的液体制冷剂流动区域37起液体制冷剂超过其朝向第一通道21的下游端流动的第二区域的作用。
根据本发明第二优选实施方式,引入第一通道21中的液体制冷剂向下游或朝向第一通道21的端壁11A流动,而液体制冷剂的一部分以30A、30B和30C的顺序依次通过开口30A、30B和30C进入第二通道22。由于开口30A至30C中每一个的开口面积小于第一通道21的开口面积或横截面面积,所以所有液体制冷剂不会都在不到达第一通达21的下游端的情况下直接流入第二通道22。开口30A至30C用作与液体制冷剂流动区域37类似的第二区域,允许部分液体制冷剂流动至第一通道21的下游端。绕液体制冷剂流动区域37和开口30A至30C流动的液体制冷剂流动至并到达第一通道21的下游端。
除了第一优选实施方式的效果(1)至(7),第二优选实施方式还提供如下效果。
(8)设置多个开口30A至30C使第一通道21中的液体制冷剂依次流入第二通道22。因此,冷却装置11中流动的液体制冷剂的流动被不断地分为冷却装置11中的支流。在与第一通道21的上游端相邻处设置具有最小开口面积的开口30A以及在与第一通道21的下游端相邻处设置具有最大开口面积的开口30C,使液体制冷剂不全部流经开口30A和30B进入第二通道22,而部分液体制冷剂到达开口30C。即,液体制冷剂从第一通道21经由三个不同开口30A至30C流入第二通道22。
(9)开口30A至30C形成为使得其各开口面积小于第一通道21的开口面积或横截面面积,允许部分液体制冷剂流动至第一通道21的下游端,由此抑制冷却装置11的冷却性能的降低。
(10)在冷却装置中形成有多个开口30A至30C的第二优选实施方式中,恰在开口30A至30C下方流动的液体制冷剂的速度增大。因此,在对应于待由第二通道22冷却的零件或者恰在所述零件上方的位置处形成开口30A至30C,可以改进冷却装置11的冷却性能。
(11)如果开口30A至30C形成为其开口面积的总和小于第一通道21的开口面积或横截面面积,则在冷却装置11中设置多个开口30A至30C可以抑制在第一通道21中蓄积液体制冷剂。
下文将参照图5描述本发明的第三优选实施方式。根据本发明的第三优选实施方式,开口31形成在分隔板20中,用于第一通道21和第二通道22之间的沿第一通道21和第二通道22的层叠方向的连通。在平面图中,开口31形成正方形形状或者矩形形状。
开口31设置为使得:当沿第一通道21中的液体制冷剂的流动方向观察时,开口31的宽度的中心Y2从第一通道21的宽度的中心Y1或者第一通道21的轴线偏离。开口31位于相对于第一通道21的宽度的中心Y1的非对称位置,或者仅在第一通道21中的中心Y1的一侧。分隔板20上相对于开口31在中心Y的相反两侧的区域用作液体制冷剂流动区域32,液体制冷剂流动区域32允许部分液体制冷剂流动至第一通道21中的下游端。开口31是第一通道21和第二通道22之间的连通区域,而液体制冷剂流动区域32用作第一通道21和第二通道22之间的非连通区域。开口31的开口面积大于第一通道21的沿与第一通道21中的液体制动液的流动方向垂直的方向截取的开口面积或横截面面积。
根据其中开口31位于上述偏离位置处的本发明第三优选实施方式,液体制冷剂容易流动至第一通道21的下游端。开口31起第一区域的作用,其允许在第一通道21中流动的液体制冷剂流动至第二通道22。液体制冷剂流动区域32起第二区域的作用,其允许液体制冷剂流动至第一通道21的下游端。开口31恰位于作为待由在第一通道21中流动的制冷剂冷却的零件的半导体元件13下方。
根据本发明第三优选实施方式,引入第一通道21的液体制冷剂朝向第一通道21的下游端或者冷却装置11的端壁11B流动。液体制冷剂的一部分经由开口31流入第二通道22,同时剩余液体制冷剂进一步向下游流经液体制冷剂流动区域32。即,一部分液体制冷剂经由开口31直接流动至第二通道,同时剩余液体制冷剂流动至第一通道21的下游端,随后经由开口31进入第二通道22。
第三优选实施方式提供如下效果以及第一优选实施方式的效果(3)至(7)。
(12)在开口31的相反两侧形成的液体制冷剂流动区域28允许第一通道21中的部分液体制冷剂朝向第一通道21的下游端流动。因此,液体制冷剂在第一通道21的整个内部空间中流动,由此抑制冷却装置11的冷却性能降低。
(13)恰在待冷却的零件下方设置开口31,液体制冷剂的流动速度增大,由此改进冷却装置11的冷却性能。
上文描述的实施方式可以以如下示例的各种方式修改。
根据本发明的第一至第三实施方式,半导体元件13通过金属电路板14安装至冷却装置11的基部12。替代性地,半导体元件13可以直接安装于冷却装置11的基部12。
在本发明的第一至第三实施方式中,第一通道21和第二通道22可以以如下方式修改:第一通道21的开口面积或横截面面积小于第二通道22的开口面积或横截面面积,使得第一通道21的冷却性能高于第二通道22的冷却性能。这种修改允许液体制冷剂以比液体制冷剂在第二通道22中流动的速度更高的速度在第一通道21中流动,因此第一通道21的冷却性能变得高于第二通道22的冷却性能。
本发明的第一至第三优选实施方式中的内部散热片可以以如下方式修改:仅在第一通道21中设置散热片,使得第一通道21的冷却性能高于第二通道22的冷却性能。
在本发明的第一至第三优选实施方式中,内部散热片可以修改为具有不同形状,例如针状散热片的形状。
如图6中示出的,在第一优选实施方式中,开口33可以修改为具有平面图中的矩形形状。在这种情况下,开口33的相反两侧的区域对应于液体制冷剂流动区域38。
如图7中示出的,第一优选实施方式的第一内部散热片26可以由直线形内部散热片35替换,而开口34可以形成为矩形形状。此外,内部散热片35可以形成为开口34在相反两侧处与两个外侧内部散热片35相接,使得部分液体制冷剂到达第一通道21的下游端。在第一通道21中,流经横向侧区域36的部分液体制冷剂沿着内部散热片35到达第一通道21的下游端。因此,第一通道21中的横向侧区域36用作本发明的液体制冷剂流动区域。
第一优选实施方式中的开口25可以修改为使开口25形成为朝向第一通道21的下游端变宽的三角形。
替代性地,第一优选实施方式中的开口25可以修改为沿着第一通道21中的液体制冷剂流动方向设置的多个这种单独的开口,每个开口均朝向第一通道21的下游端变宽。在这种情况下,液体制冷剂流动区域28也可以形成在任意两个相邻开口25之间。
第二优选实施方式的开口30A至30C可以布置为朝向第一通道21的下游端具有增大的间隔间距。在这种情况下,开口30A至30C可以具有相同或不同的开口面积。此外,待形成的开口的数量可以是两个或者多于三个。
第二优选实施方式的开口30A至30C可以修改为具有与第一优选实施方式相同的梯形形状。
第三优选实施方式的开口31可以修改为多个开口。替代性地,开口31可以修改为矩形、梯形或者三角形形状中的任一种。
Claims (9)
1.一种冷却装置(11),包括:
基部(12);
第一发热件(13),所述第一发热件(13)连接至所述基部(12);
第二发热件(15),所述第二发热件(15)连接至所述基部(12);
第一通道(21),所述第一通道(21)形成在所述基部(12)中,液体制冷剂经由所述第一通道(21)流动以冷却所述第一发热件(13);
第二通道(22),所述第二通道(22)形成在所述基部(12)中,液体制冷剂经由所述第二通道(22)流动以冷却所述第二发热件(15);和
分隔壁(20),所述分隔壁(20)布置在所述基部(12)中,所述第一通道(21)和所述第二通道(22)通过所述分隔壁(20)在所述基部(12)中上下层叠,
其特征在于,所述分隔壁(20)包括第一区域(25、30A、30B、30C、31、33、34)和第二区域(28、32、36、37、38),所述第一区域(25、30A、30B、30C、31、33、34)敞开以允许所述第一通道(21)中的液体制冷剂流动至所述第二通道(22)中,所述第二区域(28、32、36、37、38)位于所述第一区域(25)侧面以允许所述第一通道(21)中的液体制冷剂朝向所述第一通道(21)的下游端流动,所述第一区域(25、30A、30B、30C、31、33、34)形成为使得所述第一区域(25、30A、30B、30C、31、33、34)的开口面积大于所述第一通道(21)的沿与所述第一通道(21)中液体制冷剂的流动方向垂直的方向的开口面积。
2.如权利要求1所述的冷却装置(11),其特征在于,所述第一通道(21)和所述第二通道(22)具有不同的液体制冷剂与所述基部(12)之间的接触面积。
3.如权利要求2所述的冷却装置(11),其特征在于,所述第一通道(21)中布置有具有波纹形状的第一内部散热片(26),而所述第二通道(22)中布置有具有直线形状的第二内部散热片(27)。
4.如权利要求1至3中任一项所述的冷却装置(11),其特征在于,所述第一区域是具有梯形形状的开口(25),所述开口(25)沿着所述第一通道(21)中的液体制冷剂的流动方向朝向所述第一通道(21)的下游端变宽。
5.如权利要求1所述的冷却装置(11),其特征在于,所述第一区域是朝向所述第一通道(21)的下游端以开口面积的升序对齐的多个开口(30A、30B、30C)。
6.如权利要求5所述的冷却装置(11),其特征在于,各所述开口(30A、30B、30C)的开口面积小于所述第一通道(21)的开口面积。
7.如权利要求1至3中任一项所述的冷却装置(11),其特征在于,所述第一区域是开口(31),所述开口(31)具有矩形形状并且定位为使得:当沿所述第一通道(21)中的液体制冷剂的流动方向观察时,所述开口(31)的宽度的中心偏离所述第一通道(21)的宽度的中心。
8.如权利要求1所述的冷却装置(11),其特征在于,所述第一区域(25、30A、30B、30C、31、33、34)恰好位于所述第一发热件(13)下方处和/或恰好位于所述第二发热件(15)上方处。
9.如权利要求1所述的冷却装置(11),其特征在于,所述第一通道(21)的开口面积小于所述第二通道(22)的开口面积。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107124852A (zh) * | 2016-02-25 | 2017-09-01 | 丰田自动车株式会社 | 设备单元 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101566747B1 (ko) * | 2014-04-14 | 2015-11-13 | 현대자동차 주식회사 | 차량용 히트펌프 시스템 |
JP2017153339A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | トヨタ自動車株式会社 | 機器ユニット |
CN110543069A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 中强光电股份有限公司 | 液冷式散热器 |
CN110377130B (zh) * | 2019-07-04 | 2024-04-26 | 东莞市冰点智能科技有限公司 | 一种新型水冷散热器 |
US11740028B2 (en) * | 2021-06-18 | 2023-08-29 | Dana Canada Corporation | Two-pass heat exchanger with calibrated bypass |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02100348A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Nec Corp | 集積回路の冷却構造 |
US20010004370A1 (en) * | 1998-08-18 | 2001-06-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Heat sink and semiconductor laser apparatus and semiconductor laser stack apparatus using the same |
JP2006310363A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | パワー半導体装置 |
JP2009176871A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | ヒートシンクおよび電気機器 |
JP2011071398A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Denso Corp | 半導体冷却構造 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4714107A (en) * | 1981-03-05 | 1987-12-22 | International Laser Systems, Inc. | Titanium heat exchanger for laser cooling |
US5005640A (en) * | 1989-06-05 | 1991-04-09 | Mcdonnell Douglas Corporation | Isothermal multi-passage cooler |
US5105429A (en) * | 1990-07-06 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Modular package for cooling a laser diode array |
US6161613A (en) * | 1996-11-21 | 2000-12-19 | Carrier Corporation | Low pressure drop heat exchanger |
JP3816194B2 (ja) * | 1996-11-22 | 2006-08-30 | ファナック株式会社 | 冷却装置、光源装置、面発光装置、およびその製造方法 |
JP2000031363A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Honda Motor Co Ltd | ヒートシンクおよび該ヒートシンクが配設された基板 |
EP1113496B1 (en) * | 1998-08-18 | 2006-06-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Heatsink, and semiconductor laser device and semiconductor laser stack using heatsink |
JP2005268445A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ装置 |
US7492595B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-02-17 | Tecnisco Limited | Semiconductor cooling device and stack of semiconductor cooling devices |
JP4479568B2 (ja) | 2005-04-04 | 2010-06-09 | 株式会社デンソー | 積層型冷却器 |
JP4891617B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2012-03-07 | 株式会社ティラド | 水冷式ヒートシンク |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02100348A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Nec Corp | 集積回路の冷却構造 |
US20010004370A1 (en) * | 1998-08-18 | 2001-06-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Heat sink and semiconductor laser apparatus and semiconductor laser stack apparatus using the same |
JP2006310363A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Toshiba Corp | パワー半導体装置 |
JP2009176871A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | ヒートシンクおよび電気機器 |
JP2011071398A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Denso Corp | 半導体冷却構造 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107124852A (zh) * | 2016-02-25 | 2017-09-01 | 丰田自动车株式会社 | 设备单元 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8899307B2 (en) | 2014-12-02 |
DE102012206360B4 (de) | 2015-09-10 |
DE102012206360A1 (de) | 2012-10-25 |
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US20120267074A1 (en) | 2012-10-25 |
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