CN102730788B - 可见光增强电催化降解有机废水的装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可见光增强电催化降解有机废水的装置及方法;本发明的装置包括有机废水容器、光电阳极、阴极和直流电源,所述有机废水容器上设有入水口和出水口,所述光电阳极和阴极位于有机废水容器内,所述光电阳极包括导电基底和安装在导电基底上的硅片,硅片紧贴导电基底的一面设有金属镀层,另一面设有微米或纳米孔道,所述光电阳极的导电基底与直流电源的正极连接,所述阴极与直流电源的负极连接;本发明的使用上述装置降解有机废水的方法,以可见光照射所述光电阳极激发光电子和空穴,同时通过直流电源对光电阳极施加电压,使光电阳极在电场偏压协同作用下进行光催化降解有机废水。本发明实现了可见光光催化和选择性光催化。
Description
技术领域
本发明属于光催化技术处理有机废水技术领域,具体涉及一种可见光增强电催化降解有机废水的装置及方法。
背景技术
随着我国工业的发展,有机废水的排放量日益增加,光催化氧化技术是有机废水处理的新技术、新方法。光催化氧化技术是在污染体系中投加一定量的光敏半导体材料,同时结合一定量的光辐射,使光敏半导体在光的照射下激发产生电子-空穴对,吸附在半导体上的溶解氧、水分子等与电子-空穴作用,产生·HO等氧化性极强的自由基,再通过与有机污染物之间的羟基加和、取代、电子转移等使有机污染物全部或接近全部矿化降解。
但是光催化氧化技术在实际应用中存在诸多的不足及制约因素:目前主要使用的光催化剂是二氧化钛,二氧化钛的禁带宽度为3.2ev,由于光激发的能量需要大于或等于禁带,因此需要高能量的紫外光激发;光激发所产生的电子-空穴对极易复合,光催化的量子效率很低( 一般小于0.1%);有机物分子需要吸附在光催化剂表面进行反应,而有机废水中有机物种类复杂,现有的光催化剂选择吸附性差。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种可见光增强电催化降解有机废水的装置及方法,实现可见光光催化,并且可以选择性吸附有机物分子,实现选择性光催化。
本发明公开了一种可见光增强电催化降解有机废水的装置,包括有机废水容器、光电阳极、阴极和直流电源,所述有机废水容器上设有入水口和出水口,所述光电阳极和阴极位于有机废水容器内,所述光电阳极包括导电基底和安装在导电基底上的硅片,硅片紧贴导电基底的一面设有金属镀层,另一面设有微米或纳米孔道,所述光电阳极的导电基底与直流电源的正极连接,所述阴极与直流电源的负极连接。
进一步,所述导电基底上设有固定槽,所述硅片与固定槽可拆卸式连接。
进一步,所述硅片的孔道孔径范围为20nm~15μm。
进一步,所述阴极为导电玻璃阴极。
进一步,所述光电阳极和阴极分别位于有机废水容器的背面和正面。
进一步,所述有机废水容器的顶部设有搅拌装置。
进一步,所述有机废水容器的底部设有曝气装置,所述曝气装置通过管道与送气装置连通。
本发明还公开了使用上述装置降解有机废水的方法,以可见光照射所述光电阳极激发光电子和空穴,同时通过直流电源对光电阳极施加电压,使光电阳极在电场偏压协同作用下进行光催化降解有机废水。
进一步,根据需要优先选择吸附的目标污染物的尺寸大小,在所述光电阳极上设置具有相应孔道孔径的硅片。
进一步,所述可见光为太阳光,直流电源对光电阳极施加的电压在1.2V以下,降解有机废水时对废水进行搅拌,搅拌速度为500~2000 r/min。
本发明的有益效果在于:
1)本发明在光电阳极上设置硅片作为催化基材,硅属于半导体,带宽小,仅1.1ev,电化学修饰后为最大带隙2.1ev,均在可见光范围内即有吸收,可见光照射后即能激发光电子和空穴,进行光催化降解,因此,本发明采用可见光替代传统的紫外线激发光电子和空穴,实现了可见光光催化;
2)本发明同时对光电阳极施加电压,加强了光电阳极对有机废水中有机粒子的吸附作用,达到了光电协同降解有机废水的目的;另外,硅半导体中的电子在电场驱动下转移更快,整个体系的能量传输率提高,提高了反应体系的催化效率;
3)本发明中使用的硅片表面设有微米或纳米孔道,而硅片表面的这种几何形貌结构就充当了分子筛的作用,不同孔道孔径的硅片可以选择性吸附不同尺寸大小的有机物分子,实现了选择性光催化。
附图说明
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步的详细描述,其中:
图1为本发明的可见光增强电催化降解有机废水的装置的结构示意图;
图2为本发明实施例1中采用电化学阳极氧化方法制备的硅表面形貌场发射扫描电镜(FESEM)照片;
图3为本发明实施例1中采用电化学阳极氧化方法制备的硅表面微米孔道场发射扫描电镜(FESEM)照片;
图4为本发明中采用的硅半导体材料的光/暗电流电化学循环伏安(CV)对比图。
具体实施方式
以下将参照附图,对本发明的优选实施例进行详细的描述。
实施例1
图1为本发明的可见光增强电催化降解有机废水的装置的结构示意图,如图所示,本实施例的可见光增强电催化降解有机废水的装置,包括有机废水容器1、光电阳极、阴极2和直流电源3,所述有机废水容器1上设有入水口4和出水口5,所述光电阳极和阴极2位于有机废水容器1内,所述光电阳极包括导电基底6和安装在导电基底6上的硅片7,硅片7紧贴导电基底6的一面设有金属镀层,另一面设有微米孔道,所述光电阳极的导电基底6与直流电源3的正极连接,所述阴极2与直流电源3的负极连接。
本实施例中,所述导电基底6上设有固定槽,所述硅片7与固定槽可拆卸式连接,方便更换硅片7;导电基底6可以为金属板,如不锈钢板、镍板、铜板等。
本实施例中,所述阴极2为导电玻璃阴极;所述光电阳极和阴极2分别位于有机废水容器1的背面和正面。
本实施例中,所述有机废水容器1的顶部设有搅拌装置8;所述有机废水容器1的底部设有曝气装置9,所述曝气装置9通过管道与送气装置10连通。
本实施例中,硅片7一面的金属镀层是采用真空离子镀将金属铝均匀镀于硅片的表面,硅片7另一面的微米孔道是采用电化学阳极氧化方法制备的,具体制备过程为:将硅片夹于有O圈设计的单面阳极氧化反应器中,倒入体积比为1:7:10的氢氟酸、过氧化氢和无水乙醇混合反应液,铂电极为对电极,构成两电极电化学反应体系,电流密度50mA/cm2,氧化阳极时间为20分钟,形成的孔道孔径约为1μm,其微观照片图2和图3所示。通过控制电化学阳极氧化过程中的反应时间、催化剂浓度和电流密度,可制备不同孔道孔径的硅片,控制孔道孔径从纳米级到微米级(20nm~15μm),实现选择性吸附。
使用本实施例的装置降解有机废水的方法,以可见光照射所述光电阳极激发光电子和空穴,同时通过直流电源对光电阳极施加电压,使光电阳极在电场偏压协同作用下进行光催化降解有机废水。
降解模拟废水为浓度0.2M·L-1苯酚和0.2M·L-1四乙酸二氨基乙烯的混合物,光照条件为太阳光,直流电源对光电阳极施加的电压为0.8V,降解有机废水时对废水进行搅拌,搅拌速度为1000 r/min,反应时间1h,四乙酸二氨基乙烯降解效率93%,苯酚降解效率85%。
实施例2
本实施例的可见光增强电催化降解有机废水的装置与实施例1的区别在于:硅片7一面的金属镀层是采用真空离子镀将金属铝均匀镀于硅片的表面,硅片7另一面的纳米孔道是采用电化学阳极氧化方法制备的,具体制备过程为:将硅片夹于有O圈设计的单面阳极氧化反应器中,倒入体积比为1:7:6的氢氟酸、过氧化氢和无水乙醇混合反应液,铂电极为对电极,构成两电极电化学反应体系,电流密度30mA/cm2,氧化阳极时间为3分钟,形成的孔道孔径约为20nm。
使用本实施例的装置降解有机废水的方法与实施例1相同,降解模拟废水为浓度0.2M·L-1苯酚和0.2M·L-1六氯联苯的混合物,光照条件为太阳光,直流电源对光电阳极施加的电压为0.8V,降解有机废水时对废水进行搅拌,搅拌速度为1000 r/min,反应时间1h,苯酚降解效率92%,六氯联苯降解效率76%。
实施例3
本实施例的可见光增强电催化降解有机废水的装置与实施例1的区别在于:硅片7一面的金属镀层是采用真空离子镀将金属铝均匀镀于硅片的表面,硅片7另一面的纳米孔道是采用电化学阳极氧化方法制备的,具体制备过程为:将硅片夹于有O圈设计的单面阳极氧化反应器中,倒入体积比为1:10:6的氢氟酸、过氧化氢和无水乙醇混合反应液,铂电极为对电极,构成两电极电化学反应体系,电流密度40mA/cm2,氧化阳极时间为5分钟,形成的孔道孔径约为200nm。
使用本实施例的装置降解有机废水的方法与实施例1相同,降解模拟废水为浓度0.2M·L-1六氯联苯,光照条件为太阳光,直流电源对光电阳极施加的电压为1.2V,降解有机废水时对废水进行搅拌,搅拌速度为600 r/min,反应时间1h,六氯联苯降解效率92%。
实施例4
本实施例的可见光增强电催化降解有机废水的装置与实施例1的区别在于:硅片7一面的金属镀层是采用真空离子镀将金属铝均匀镀于硅片的表面,硅片7另一面的纳米孔道是采用电化学阳极氧化方法制备的,具体制备过程为:将硅片夹于有O圈设计的单面阳极氧化反应器中,倒入体积比为1:7:6的氢氟酸、过氧化氢和无水乙醇混合反应液,铂电极为对电极,构成两电极电化学反应体系,电流密度30mA/cm2,氧化阳极时间为3分钟,形成的孔道孔径约为20nm。
使用本实施例的装置降解有机废水的方法与实施例1相同,降解模拟废水为浓度0.8M·L-1苯酚,光照条件为太阳光,直流电源对光电阳极施加的电压为0.8V,降解有机废水时对废水进行搅拌,搅拌速度为800 r/min,反应时间2h,苯酚降解效率97%。
本发明在光电阳极上设置硅片作为催化基材,硅属于半导体,带宽小,仅1.1ev,电化学修饰后为最大带隙2.1ev,均在可见光范围内即有吸收,可见光照射后即能激发光电子和空穴,进行光催化降解,因此,本发明采用可见光替代传统的紫外线激发光电子和空穴,实现了可见光光催化。
本发明同时对光电阳极施加电压,加强了光电阳极对有机废水中有机粒子的吸附作用,达到了光电协同降解有机废水的目的;另外,硅半导体中的电子在电场驱动下转移更快,整个体系的能量传输率提高(如图4所示,光电流较暗电流增加了80倍,证明在可见光照射下,电子转移的能量提高了80倍),提高了反应体系的催化效率。
本发明中使用的硅片表面设有微米或纳米孔道,而硅片表面的这种几何形貌结构就充当了分子筛的作用,不同孔道孔径的硅片可以选择性吸附不同尺寸大小的有机物分子,根据需要优先选择吸附的目标污染物的尺寸大小,在光电阳极上设置具有相应孔道孔径的硅片,实现了选择性光催化。
最后说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管通过参照本发明的优选实施例已经对本发明进行了描述,但本领域的普通技术人员应当理解,可以在形式上和细节上对其做出各种各样的改变,而不偏离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种可见光增强电催化降解有机废水的装置,其特征在于:包括有机废水容器(1)、光电阳极、阴极(2)和直流电源(3),所述有机废水容器(1)上设有入水口(4)和出水口(5),所述光电阳极和阴极(2)位于有机废水容器(1)内,所述光电阳极包括导电基底(6)和安装在导电基底(6)上的硅片(7),硅片(7)紧贴导电基底(6)的一面设有金属镀层,另一面设有微米或纳米孔道,所述光电阳极的导电基底(6)与直流电源(3)的正极连接,所述阴极(2)与直流电源(3)的负极连接。
2.根据权利要求1所述的可见光增强电催化降解有机废水的装置,其特征在于:所述导电基底(6)上设有固定槽,所述硅片(7)与固定槽可拆卸式连接。
3.根据权利要求2所述的可见光增强电催化降解有机废水的装置,其特征在于:所述硅片(7)的孔道孔径范围为20nm~15μm。
4.根据权利要求1所述的可见光增强电催化降解有机废水的装置,其特征在于:所述阴极(2)为导电玻璃阴极。
5.根据权利要求1所述的可见光增强电催化降解有机废水的装置,其特征在于:所述光电阳极和阴极(2)分别位于有机废水容器(1)的两侧。
6.根据权利要求1所述的可见光增强电催化降解有机废水的装置,其特征在于:所述有机废水容器(1)的顶部设有搅拌装置(8)。
7.根据权利要求1所述的可见光增强电催化降解有机废水的装置,其特征在于:所述有机废水容器(1)的底部设有曝气装置(9),所述曝气装置(9)通过管道与送气装置(10)连通。
8.使用权利要求1至7任意一项所述的装置降解有机废水的方法,其特征在于:以可见光照射所述光电阳极激发光电子和空穴,同时通过直流电源(3)对光电阳极施加电压,使光电阳极在电场偏压协同作用下进行光催化降解有机废水。
9.根据权利要求8所述的降解有机废水的方法,其特征在于:根据需要优先选择吸附的目标污染物的尺寸大小,在所述光电阳极上设置具有相应孔道孔径的硅片(7)。
10.根据权利要求9所述的降解有机废水的方法,其特征在于:所述可见光为太阳光,直流电源(3)对光电阳极施加的电压在1.2V以下,降解有机废水时对废水进行搅拌,搅拌速度为500~2000 r/min。
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