CN102719807A - 一种静电吸附载板、制膜设备及薄膜制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种静电吸附载板，用于在制膜装置的反应腔室中固定被加工工件，包括载板主体，并且还包括设置于载板主体中的绝缘单元和至少一个静电吸附单元，其中，所述绝缘单元设置于所述载板主体与所述静电吸附单元之间，用以使二者之间电绝缘；所述载板主体接地；所述静电吸附单元连接至直流电源，以产生固定所述被加工工件的静电引力，从而在采用自下而上的方式镀膜时可以使被加工工件能够被固定在上述静电吸附载板的下表面。本发明还提供了应用该静电吸附载板的制膜设备及应用带有所述静电吸附载板的制膜设备的薄膜制备工艺，能够在被加工工件的下表面进行直接镀膜。这样既能够解决钝化效果不充分的问题，又能够避免颗粒的影响。

Description

一种静电吸附载板、制膜设备及薄膜制备工艺

技术领域

本发明属于微电子技术领域，涉及一种静电吸附载板、应用该静电吸附载板的制膜设备及应用带有所述静电吸附载板的制膜设备的薄膜制备工艺。

背景技术

在太阳能电池的制造过程中，需要进行多种薄膜的制备。目前已知的制膜方法包括：化学气相沉积法(CVD，Chemical VaporDeposition)、等离子增强化学气相沉积法(PECVD，Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)、低压化学气相沉积法(LPCVD，LowPressure Chemical Vapor Deposition)等等；其中，以PECVD法最为常用。

在实际应用中，按照沉积腔室等离子源与样品的关系可将PECVD法细分为直接PECVD法和间接PECVD法两种类型。

其中，直接PECVD法是指，先在被加工工件表面形成鞘层电场，并利用该鞘层电场将等离子体中的带电粒子吸引至被加工工件表面后直接形成所需膜层的方法。为了使被加工工件表面形成鞘层，需要将承载被加工工件的载板接地，以使与之接触的被加工工件中有电流通过。具体做法是，在反应腔室中的顶部设置一个平板型的电极板，并在反应腔室的底部与该电极板相对应的位置处设置一个石墨或碳纤维载板，单个或多个被加工工件就放置在该载板上，将电极板与中频或射频电源连接，并将上述载板接地，这样电极板与载板就形成一个放电回路，使腔室中的工艺气体在电极板与载板之间形成等离子体。这种方法的优点在于成膜致密，并且可以实现表面钝化和体钝化，使钝化更加充分。但是，由于载板必须接地并需要被加工工件能与之接触，所以到目前为止直接PECVD法均采用上镀膜(即由上至下)的方式完成。而该方式具有下述缺点：在成膜时等离子体产生的反应生成物及与反应腔室生成的反应附着物积累到一定厚度就会由于重力作用而沉积到基片上形成颗粒而影响被加工工件的外观，而为了控制颗粒的影响往往需要增加清洗的工序，这不但增加了生产成本，也增加了设备的维护时间。

所谓间接PECVD法是指，所制备的膜层并非在被加工工件表面直接形成，而是在等离子体的放电空间中就形成了所需的薄膜成分，并通过扩散的方式附着在被加工工件表面的薄膜制备方法。间接PECVD法中的载板不接地，并采用下镀膜(即自下而上)的方式镀膜，具体是在反应腔室中的底部设置一个电极板，并与高频或者微波电源连接；在反应腔室中的顶部设有用于运输被加工工件的载板，并在载板上设置多个托板，然后令被加工工件的加工表面朝下固定在该托板上。因此，间接PECVD法的下镀膜方式可以解决颗粒对被加工工件的影响问题，但是，由于该方法中的载板不接地，其所承载的基片中没有电流通过，因此形成的等离子体无法在基片的加工表面形成鞘层，从而只能实现表面钝化，而无法实现体钝化。因此，这种方法的钝化效果不够充分。

由上述描述不难看出，如果直接PECVD法能够采用间接PECVD法所采用的下镀膜方式，不仅能够解决间接PECVD法的钝化效果不充分的问题，又能够避免颗粒的影响。但是，若想在直接PECVD法中实现下镀膜，需要同时满足下面两个条件：一是需要把基片固定在反应腔室中的上方，使基片的加工表面朝下暴露在等离子体环境中；二是需要基片中能够有电流通过，以在基片的加工表面上形成用于体钝化的鞘层。因此，如何同时满足上述两个条件就成为目前亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种静电吸附载板，其能够在接地的同时产生将被加工工件吸附固定的静电引力，从而能够在直接PECVD法工艺中采用下镀膜的方式进行镀膜。

本发明提供了一种制膜设备，其通过在反应腔室内部上方设置上述静电吸附载板，可以使直接PECVD法实现采用下镀膜的方式镀膜。这样，既能够解决钝化效果不充分的问题，又能够避免颗粒的影响。

本发明还提供了一种薄膜制备工艺，其通过利用采用了静电吸附载板的上述制膜设备实现了在直接PECVD法中采用下镀膜的方式制备薄膜，从而既解决了钝化效果不充分的问题，又能够避免颗粒的影响。

为此，本发明提供了一种静电吸附载板，用于在制膜装置的反应腔室中固定被加工工件。该静电吸附载板包括载板主体、绝缘单元和至少一个静电吸附单元，其中，绝缘单元设置于载板主体与静电吸附单元之间，用以使二者之间电绝缘；载板主体接地；静电吸附单元连接至直流电源，以产生固定被加工工件的静电引力。

优选地，静电吸附单元嵌入在绝缘单元内部；绝缘单元固定在载板主体表面或嵌入在载板主体内部。

优选地，静电吸附单元的数量为至少两个，且上述至少两个静电吸附单元均匀地分布于载板主体表面。

其中，静电吸附单元包括叠置在一起的电极和隔离部，其中，电极设置于静电吸附单元上远离载板主体的表面的一侧，并与直流电源相连接；隔离部设置于静电吸附单元上靠近载板主体的表面的一侧，用以避免电极与被加工工件直接接触。

优选地，隔离部与载板主体的表面相平齐。

优选地，隔离部的材料包括电阻率为1～10Ω·cm的陶瓷。

优选地，绝缘单元的材料包括绝缘陶瓷。

优选地，载板主体的材料包括石墨。

本发明还提供了一种制膜设备，包括反应腔室和设置于反应腔室内部下方的电极板，在反应腔室内部上方与电极板相对的位置处设置有上述静电吸附载板，用以固定被加工工件。

其中，本发明提供的制膜设备还包括移动载板以及与反应腔室相连通的过渡腔室，移动载板可在过渡腔室和反应腔室之间移动，用以装/卸被加工工件。

其中，移动载板的上表面设有至少一个限位部，用以固定被加工工件在移动载板上的相对位置。

优选地，限位部包括设置于移动载板表面的凹槽，用以容纳并固定被加工工件。

本发明还提供了一种薄膜制备工艺，用于上述制膜设备中采用下镀膜方式制备薄膜，包括下述步骤：步骤S1，向反应腔室中通入工艺气体，并将静电吸附载板的载板主体接地；步骤S2，待通入的工艺气体被激发为等离子体状态后，借助移动载板将被加工工件从过渡腔室输送至静电吸附载板的下方；步骤S3，为静电吸附单元加载直流，以将被加工工件固定在静电吸附载板的下表面，然后使移动载板返回过渡腔室；步骤S4，借助等离子体在被加工工件的下表面进行直接镀膜；步骤S5，待镀膜完成后，使移动载板再次移动到静电吸附载板的下方；使加载至静电吸附单元上的直流极性与步骤S3中的直流极性相反，以使被加工工件落入移动载板的限位部中；然后借助移动载板将被加工工件移出反应腔室；步骤S6，返回步骤S2，以对下一组被加工工件进行加工。

优选地，在步骤S1中，工艺气体中包括氩气。

其中，在步骤S3中，静电吸附单元与直流电源的负极连接。

优选地，薄膜包括减反射膜。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的静电吸附载板，其借助设置在载板主体中的静电吸附单元与直流电源连接，能够产生将被加工工件吸附固定的静电引力，把被加工工件固定在其表面，从而使直接PECVD法能够采用下镀膜的方式进行镀膜。并且，通过将该静电吸附载板接地，使被固定在其上的被加工工件中能够有电流通过，以使被加工工件的加工表面能够形成用于体钝化的鞘层，从而使钝化效果更充分。

本发明提供的制膜设备，其通过在反应腔室内部上方设置上述静电吸附载板，并借助移动载板在过渡腔室与反应腔室之间输送被加工工件，能够将被加工工件输送至静电吸附载板的下方，使静电吸附载板下表面上的静电吸附单元通过与直流电源连接，产生将被加工工件吸附固定的静电引力，而把被加工工件固定在静电吸附载板的下表面上，从而使被加工工件的加工表面朝下暴露在等离子体环境中，进而使设置在反应腔室内部下方的电极板与上方相对的静电吸附载板之间形成的等离子体对被加工工件的下表面进行直接镀膜。并且，借助于过从而渡腔室及可在过渡腔室和反应腔室之间运送被加工工件的移动载板，可将被加工工件从上述过渡腔室输送至静电吸附载板的下方，实现了在直接PECVD法中采用下镀膜的方式镀膜。这样既可以获得充分的钝化效果而使成膜致密，又能够使反应生成的反应附着物不会沉积到被加工工件的表面，从而保证了被加工工件的外观质量。

本发明还提供了一种薄膜制备工艺，其通过采用了静电吸附载板的上述制膜设备来进行薄膜制备，实现了在直接PECVD法中采用下镀膜的方式镀膜。这样既可以获得充分的钝化效果而使成膜致密，又能够使反应生成的反应附着物不会沉积到被加工工件的表面，从而保证了被加工工件的外观质量。

作为本发明的一个优选实施例，在通入反应腔室中的反应气体里加入氩气，以使被加工工件带正电，并将静电吸附单元与直流电源的负极连接，使静电吸附载板带负电，以与被加工工件产生固定被加工工件的静电引力，从而可以将被加工工件吸附固定在该静电吸附载板的下表面上，以实现在直接PECVD法中采用下镀膜的方式镀膜。

附图说明

图1为本发明提供的静电吸附载板第一种具体实施例的剖面示意图；

图2为本发明提供的静电吸附载板第二种具体实施例的剖面示意图；

图3为本发明提供的静电吸附载板第三种具体实施例的剖面示意图；

图4为本发明提供的制膜设备的结构示意图；

图5为本发明提供的移动载板的剖面示意图；以及

图6为本发明提供的薄膜制备工艺的流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的静电吸附载板、应用该静电吸附载板的制膜设备及应用带有所述静电吸附载板的制膜设备的薄膜制备工艺进行详细阐明。

首先需要说明的是，在本发明中所述的载板主体表面是指与静电吸附载板上用于固定被加工工件的表面相平齐的表面。

请参阅图1，为本发明提供的静电吸附载板第一种具体实施例的剖面示意图。如图1所示，本发明提供的静电吸附载板包括载板主体1、绝缘单元2和至少一个静电吸附单元3。其中，绝缘单元2设置在载板主体1与静电吸附单元3之间，用以使二者之间电绝缘；载板主体1接地，用以作为形成等离子体的其中一个电极；静电吸附单元3与直流电源4连接，以产生固定被加工工件的静电引力。

请参阅图2，为本发明提供的静电吸附载板第二种具体实施例的剖面示意图。如图2所示，本实施例与第一种实施例的区别在于，静电吸附单元3嵌入在绝缘单元2内部，并且绝缘单元2固定在载板主体1上或嵌入在所述载板主体1内部。

需要说明的是，将载板主体1与绝缘单元2固定的方式可以采用螺纹连接或过盈配合，也可以在绝缘单元2和载板主体1上设置螺纹孔，并通过固定件连接固定。但在实际应用中，将载板主体1与绝缘单元2固定的方式并不局限于此，任何可以将这两者固定住的方式都可以采用。

上述图1和2所示的实施例中，静电吸附单元3的数量均为一个，这就需要制造一个较大面积的绝缘单元2，用以将静电吸附单元3嵌入其中，这在加工制造上存在一定难度。因此，优选地，静电吸附单元3的数量也可以设置为至少两个。

请参阅图3，为本发明提供的静电吸附载板第三种具体实施例的剖面示意图。本实施例中的静电吸附载板采用多个静电吸附单元的结构。如图3所示，在静电吸附载板中设置了9个静电吸附单元3，并按行列3×3分布于载板主体1上(图中未示出)。这样，绝缘单元2的面积和体积减小，易于加工。另外，优选地，可将至少两个静电吸附单元3均匀地分布于载板主体1上，以使吸附被加工工件的静电引力更加均匀。需要说明的是，在实际应用中，静电吸附单元3的分布方式并不局限于此，凡是能够将被加工工件稳定地固定在静电吸附载板上并满足工艺要求的方式都可以采用，且均应视为本发明的保护范围。

此外，本实施例中的静电吸附单元3包括叠置在一起的电极3b和隔离部3a。其中，电极3b设置于静电吸附单元3上远离载板主体1的表面的一侧，并与直流电源4连接；隔离部3a设置于静电吸附单元3上靠近载板主体1的表面的一侧，用以避免电极3b与被加工工件直接接触。并且，隔离部3a与载板主体1的表面相平齐，以保证静电吸附载板固定被加工工件的稳定性。另外，隔离部3a采用了低电阻的陶瓷材料，用以使被加工工件与隔离部3a相互接触的接触点能够有电流通过，以产生形成静电引力所需的电场。

优选地，隔离部3a采用电阻率为1～10Ω·cm的陶瓷。

需要说明的是，绝缘单元2应采用电阻率比较高的材料，以具有电绝缘的作用。优选地，绝缘单元2的材料为绝缘陶瓷。

还需要说明的是，因为载板主体1接地，因此其材料应选用能够导电的材料。优选地，载板主体1的材料为石墨。

综上所述，本发明提供的静电吸附载板，通过将设置在载板主体1中的静电吸附单元3与直流电源4连接，能够与被加工工件产生静电引力，以固定被加工工件，从而使直接PECVD法能够采用下镀膜的方式镀膜。并且，在采用直接PECVD法时，该静电吸附载板接地，用以作为形成等离子体的其中一个电极，并能够使被固定在其上的被加工工件中有电流通过，从而在被加工工件的加工表面上能够形成用于体钝化的鞘层，使钝化效果更加充分。

此外，本发明还提供了一种制膜设备，请参阅图4，为本发明提供的制膜设备的内部结构示意图。如图4所示，该制膜设备包括反应腔室7，在反应腔室7的内部下方设有电极板9，并且电极板9与射频电源10连接，用以激发产生等离子体；在反应腔室7的内部上方与电极板9相对应的位置处设有上述静电吸附载板，用以固定被加工工件。该制膜设备还包括用以装/卸被加工工件6的移动载板5以及与反应腔室7相连通的过渡腔室8，用以使移动载板5在反应腔室7与过渡腔室8之间输送被加工工件6。

请参阅图5，为上述制膜设备中的移动载板的剖面示意图。如图5所示，在该移动载板5的上表面设有至少一个限位部51，用以限制被加工工件6在移动载板5上的移动。这里，所述移动载板5的上表面是指与静电吸附载板的下表面相对的表面。作为该移动载板的一个具体实施例，限位部51为设置于移动载板5的上表面的凹槽，用以容纳并固定所述被加工工件6。需要说明的是，在实际应用中并不局限于此，任何可以将被加工工件6固定在移动载板5上的结构及方法都可以采用，且均应视为本发明的保护范围。

优选地，本实施例中每个限位部51设置在移动载板5上的位置与每个静电吸附单元3设置在静电吸附载板上的位置相对应，即限位部51也按行列3×3设置了9个限位部51，以使被放置在限位部51中的被加工工件6能够与静电吸附单元3的位置相对应，从而减少或完全避免静电吸附单元3上隔离部3a的表面因暴露在等离子体环境里而与等离子体发生反应，造成暴露的表面被镀上一层膜，进而造成固定被加工工件的静电引力减弱并且有可能会影响工艺的正常进行的发生的问题。

优选地，本实施例中在所述移动载板5表面的凹槽底部设置有通孔52，以减轻移动载板5的重量。显然，在实际应用中并不局限于此，也可以在凹槽底部设置其他镂空的结构，或者采用其他减轻移动载板5的重量的方式。

本发明提供的制膜设备通过在反应腔室7的内部上方设置上述本发明所提供的静电吸附载板，并借助移动载板5在过渡腔室8与反应腔室7之间输送被加工工件6，可以将被加工工件6从过渡腔室8运送至反应腔室7中静电吸附载板的下方，并通过该静电吸附载板上的静电吸附单元3与被加工工件之间产生的静电引力将被加工工件6固定在该静电吸附载板的下表面上，使被加工工件6的加工表面朝下暴露在等离子体环境中，进而使形成的等离子体能够对被加工工件6的加工表面进行直接镀膜，从而实现了在直接PECVD法中采用下镀膜的方式镀膜。这样既可以获得充分的钝化效果而使成膜致密，又能够使反应生成的反应附着物不会沉积到被加工工件的表面，从而保证了被加工工件的外观质量。另外，在移动载板5上还设置了至少一个限位部，用以限制被加工工件6在移动载板5上的移动，以保证移动载板5在输送时其上的被加工工件的稳定性。

另外，本发明还提供了一种薄膜制备工艺，其通过借助上述制膜设备实现采用下镀膜的方式制备薄膜，包括以下步骤：

步骤S1，向所述反应腔室中通入工艺气体，并将所述静电吸附载板的载板主体接地；

步骤S2，待通入的工艺气体被激发为等离子体状态后，借助所述移动载板将被加工工件从所述过渡腔室输送至所述静电吸附载板的下方；

步骤S3，为所述静电吸附单元加载直流，以将被加工工件固定在所述静电吸附载板的下表面，然后使所述移动载板返回所述过渡腔室；

步骤S4，借助所述等离子体在被加工工件的下表面进行直接镀膜；

步骤S5，待镀膜完成后，使所述移动载板再次移动到所述静电吸附载板的下方；使加载至静电吸附单元上的直流极性与所述步骤S3中的直流极性相反，以使被加工工件落入所述移动载板的限位部中；然后借助所述移动载板将所述被加工工件移出所述反应腔室；

步骤S6，返回所述步骤S2，以对下一组被加工工件进行加工。

本发明提供的薄膜制备工艺采用了上述制膜设备来进行减反射膜的制备。如图4所示，在所述制膜设备的反应腔室7的内部下方的电极板9一般与中频或射频电源10连接，用以在该电极板9和其上方对应位置的接地的静电吸附载板之间将工艺气体激发形成等离子体。需要说明的是，该薄膜制备工艺并不局限于制备减反射膜，在实际应用中也可以用作其他薄膜的制备。

请一并参阅图4和图6，其中，图6为本发明提供的薄膜制备工艺的流程图。该薄膜制备工艺具体包括下述步骤，

步骤S10，向上述制膜设备的反应腔室7中通入工艺气体，并将静电吸附载板的载板主体1接地，以使通入的工艺气体能够被激发为等离子体状态。优选地，通入的工艺气体中包括氩气，其能够使被加工工件6带正电，同时将静电吸附载板上的静电吸附单元3与直流电源4的负极连接，用以与带正电的被加工工件6产生静电引力。需要说明的是，在通入的工艺气体中并不仅仅局限于氩气，一切能够使被加工工件带正电的气体都可以在实际应用中被采用。

步骤S20，待通入的工艺气体被激发为等离子体状态后，借助移动载板5将被加工工件6从过渡腔室8输送至反应腔室7内静电吸附载板的下方。

步骤S30，为静电吸附载板上与直流电源4的负极连接的静电吸附单元3加载直流，待被加工工件6已固定在静电吸附载板的下表面之后，令移动载板5返回至过渡腔室8。

步骤S40，借助被激发出的等离子体对被加工工件6的下表面(即加工表面)进行直接镀膜。

步骤S50，待镀膜完成后，令移动载板5再次从过渡腔室移8移动至反应腔室7内静电吸附载板的下方；并对静电吸附载板上的静电吸附单元3加载正极直流，以使静电吸附载板上固定被加工工件6的静电引力消失，从而使被加工工件6落入移动载板5的凹槽6中；令移动载板5移出反应腔室7。

步骤S60，返回步骤S20，对下一组被加工工件进行加工。

本发明提供的薄膜制备工艺，其借助采用了静电吸附载板的上述制膜设备，并且通过在通入反应腔室的反应气体中加入氩气，使被加工工件带正电，并将静电吸附载板中的静电吸附单元与直流电源的负极连接，使静电吸附单元带负电，使静电吸附载板与被加工工件产生固定被加工工件的静电引力，从而把被加工工件固定在静电吸附单元的下表面上。并且，借助移动载板在过渡腔室与反应腔室之间输送被加工工件，可以将被加工工件从过渡腔室运送至反应腔室中静电吸附载板的下方，进而实现了在直接PECVD法中采用下镀膜的方式进行镀膜。这样既可以获得充分的钝化效果而使成膜致密，又能够使反应生成的反应附着物不会沉积到被加工工件的表面，从而保证了被加工工件的外观质量。实现了在直接PECVD法中采用下镀膜的方式进行镀膜的工艺。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种静电吸附载板，用于在制膜装置的反应腔室中固定被加工工件，所述静电吸附载板包括载板主体，其特征在于，还包括绝缘单元和至少一个静电吸附单元，其中，

所述绝缘单元设置于所述载板主体与所述静电吸附单元之间，用以使二者之间电绝缘；

所述载板主体接地；所述静电吸附单元连接至直流电源，以产生固定所述被加工工件的静电引力。

2.根据权利要求1所述的静电吸附载板，其特征在于，所述静电吸附单元嵌入在所述绝缘单元内部；所述绝缘单元固定在所述载板主体表面或嵌入在所述载板主体内部。

3.根据权利要求1所述的静电吸附载板，其特征在于，所述静电吸附单元的数量为至少两个，且所述至少两个静电吸附单元均匀地分布于所述载板主体表面。

4.根据权利要求1或2或3所述的静电吸附载板，其特征在于，所述静电吸附单元包括叠置在一起的电极和隔离部，其中，

所述电极设置于所述静电吸附单元上远离所述载板主体的表面的一侧，并与所述直流电源相连接；

所述隔离部设置于所述静电吸附单元上靠近所述载板主体的表面的一侧，用以避免所述电极与所述被加工工件直接接触。

5.根据权利要求4所述的静电吸附载板，其特征在于，所述隔离部与所述载板主体的表面相平齐。

6.根据权利要求5所述的静电吸附载板，其特征在于，所述隔离部的材料包括电阻率为1～10Ω·cm的陶瓷。

7.根据权利要求1所述的静电吸附载板，其特征在于，所述绝缘单元的材料包括绝缘陶瓷。

8.根据权利要求1所述的静电吸附载板，其特征在于，所述载板主体的材料包括石墨。

9.一种制膜设备，包括反应腔室和设置于所述反应腔室内部下方的电极板，其特征在于，在所述反应腔室内部上方与所述电极板相对的位置处设置有权利要求1-8中任意一项所述的静电吸附载板，用以固定被加工工件。

10.根据权利要求9所述的制膜设备，其特征在于，还包括移动载板以及与所述反应腔室相连通的过渡腔室，所述移动载板可在所述过渡腔室和反应腔室之间移动，用以装/卸所述被加工工件。

11.根据权利要求10所述的制膜设备，其特征在于，所述移动载板的上表面设有至少一个限位部，用以固定所述被加工工件在所述移动载板上的相对位置。

12.根据权利要求11所述的制膜设备，其特征在于，所述限位部包括设置于所述移动载板表面的凹槽，用以容纳并固定所述被加工工件。

13.一种薄膜制备工艺，用于在权利要求9-12中任意一项所述的制膜设备中采用下镀膜方式制备薄膜，其特征在于，包括下述步骤：

步骤S1，向所述反应腔室中通入工艺气体，并将所述静电吸附载板的载板主体接地；

步骤S2，待通入的工艺气体被激发为等离子体状态后，借助所述移动载板将被加工工件从所述过渡腔室输送至所述静电吸附载板的下万；

步骤S3，为所述静电吸附单元加载直流，以将被加工工件固定在所述静电吸附载板的下表面，然后使所述移动载板返回所述过渡腔室；

步骤S4，借助所述等离子体在被加工工件的下表面进行直接镀膜；

步骤S5，待镀膜完成后，使所述移动载板再次移动到所述静电吸附载板的下方；使加载至静电吸附单元上的直流极性与所述步骤S3中的直流极性相反，以使被加工工件落入所述移动载板的限位部中；然后借助所述移动载板将所述被加工工件移出所述反应腔室；

步骤S6，返回所述步骤S2，以对下一组被加工工件进行加工。

14.根据权利要求13所述的薄膜制备工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，所述工艺气体中包括氩气。

15.根据权利要求13所述的薄膜制备工艺，其特征在于，在所述步骤S3中，所述静电吸附单元与直流电源的负极连接。

16.根据权利要求13所述的薄膜制备工艺，其特征在于，所述薄膜包括减反射膜。

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