CN102695371A - 线路板的内埋式线路结构的制造方法 - Google Patents
线路板的内埋式线路结构的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102695371A CN102695371A CN2011102953978A CN201110295397A CN102695371A CN 102695371 A CN102695371 A CN 102695371A CN 2011102953978 A CN2011102953978 A CN 2011102953978A CN 201110295397 A CN201110295397 A CN 201110295397A CN 102695371 A CN102695371 A CN 102695371A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit structure
- wiring board
- manufacturing approach
- layer
- buried circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 97
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 9
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 6
- -1 platinum ion Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 3
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 235000014347 soups Nutrition 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000005030 aluminium foil Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
本发明是有关于一种线路板的内埋式线路结构的制造方法，首先，在一基板上形成一阻隔层。接着，在阻隔层上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔。在阻隔层上形成至少一与这些走线沟及接垫槽相通的连接沟。接着，形成一覆盖阻隔层与基板的活化层。在形成活化层之后，移除阻隔层。之后，在活化层上形成一种子层。接着，利用电镀，在种子层上形成一金属层，以形成多条位于这些走线沟内的走线、位于接垫槽内的接垫、位于盲孔内的导电柱及位于连接沟内的电镀线。之后，移除电镀线。如此，在移除电镀线之后，线路板的内埋式线路结构得以制造完成。
Description
技术领域
本发明涉及一种线路板(wiring board)的制造流程，特别是涉及一种线路板的内埋式线路结构的制造方法。
背景技术
在现有线路板的制造技术中，线路板的线路结构通常都是利用化学沉积方式(chemical deposition)来形成。详细而言，在目前线路结构的制造过程中，通常先进行无电电镀(electroless plating)，在介电层(dielectric layer)上形成全面性地覆盖介电层表面的种子层(seedlayer)。
接着，利用微影(lithograph)，在种子层上形成图案化光阻层(patterned photoresist layer)，其局部暴露种子层。之后，进行电镀(electroplating)，在种子层上形成金属层(metal layer)。然后，进行湿式蚀刻(wet etching)，即利用蚀刻液来移除部分种子层，以形成线路层(wiring layer)。如此，完成线路板的线路结构。
发明内容
本发明提供一种线路板的内埋式线路结构的制造方法，用以制造线路板的内埋式线路结构。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种线路板的内埋式线路结构的制造方法。首先，在一基板的一平面上形成一阻隔层，其中阻隔层全面性地覆盖平面，并具有一外表面。接着，在外表面上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔。这些走线沟、接垫槽与盲孔皆局部暴露基板。其中至少一条走线沟与接垫槽相通，而盲孔位于接垫槽的下方，并与接垫槽相通。在外表面上形成至少一与这些走线沟及接垫槽相通的连接沟，其中连接沟局部暴露基板。接着，形成一全面性地覆盖外表面以及这些走线沟、接垫槽、盲孔与连接沟四者所有表面的活化层。在形成活化层之后，移除阻隔层。在形成活化层之后，利用无电电镀，在活化层上形成一种子层。利用电镀，在种子层上形成一金属层，以在这些走线沟内分别形成多条走线，在接垫槽内形成一接垫，在盲孔内形成一导电柱，以及在连接沟内形成一电镀线。在形成这些走线与接垫之后，移除电镀线。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中形成阻隔层的方法包括，在平面上涂布一高分子材料层。之后，烘烤高分子材料层。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中烘烤高分子材料层的时间介于5分钟与20分钟之间。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中烘烤高分子材料层的时间介于15分钟与40分钟之间。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的阻隔层的材料为高分子材料，且阻隔层的一玻璃转换温度(glass transitiontemperature，Tg)变化量大于3℃。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的阻隔层的材料为高分子材料，且阻隔层的一玻璃转换温度变化量小于或等于3℃。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的阻隔层是在形成电镀线之前移除。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的阻隔层是在形成电镀线之后移除。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的移除阻隔层的方法包括化学移除(chemical removing)、研磨(grinding)或刷磨(rubbing)。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的移除电镀线的方法包括研磨、刷磨或蚀刻(etching)。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中形成这些走线沟、接垫槽、盲孔与连接沟的方法包括对基板与阻隔层进行激光烧蚀(laserablation)。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的连接沟相对于平面的深度小于这些走线沟相对于平面的深度以及接垫槽相对于平面的深度。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中形成活化层的方法包括将阻隔层与基板浸泡在一含有多个金属离子的离子溶液中。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中这些金属离子为镍离子、钯离子、铂离子、铬离子、银离子或钼离子。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的基板包括一线路层以及一绝缘层。绝缘层覆盖线路层，而阻隔层全面性地覆盖绝缘层。盲孔局部暴露线路层
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，更包括对盲孔所暴露的线路层进行一表面清洁(surface cleaning)。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的表面清洁的方法包括去胶渣(desmear)或等离子体处理(plasma treatment)。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的电镀线的线宽与各条走线的线宽的比值介于1至5之间。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的基板为一母线路基板，并包括一位于平面上的金属框线，而金属层连接金属框线。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中在形成活化层之前，更包括形成多条外部连接沟。这些外部连接沟从金属框线延伸，并与走线沟、接垫槽以及连接沟相通。在形成金属层之后，金属层也会同时填满这些外部连接沟，以形成多条外部电镀线。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中各条外部电镀线的线宽与各该走线的线宽的比值介于5至50之间。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中形成金属层的方法包括对金属框线通电。
前述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其中所述的金属框线的线宽与各条走线的线宽的比值介于10至100之间。
由于连接沟与这些走线沟及接垫槽相通，因此位于连接沟内的种子层能使位于走线沟内的种子层与位于接垫槽及盲孔内的种子层相连。如此，利用电镀，得以在走线沟内形成走线，在接垫槽内形成接垫，在盲孔内形成导电柱以及在连接沟内形成电镀线，而在移除电镀线之后，线路板的内埋式线路结构得以制造完成。
综上所述，本发明在技术上有显著的进步，具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1A至图1L是本发明一实施例的线路板的内埋式线路结构的制造方法的流程示意图。
图2A至图2C是本发明另一实施例的线路板的内埋式线路结构的制造方法的流程示意图。
图3A是在进行本发明另一实施例的线路板的内埋式线路结构的制造方法流程中的一种基板的俯视示意图。
图3B是图3A的局部放大示意图。
100：线路板 110、310：基板
112、314：平面 114：绝缘层
116：线路层 116a、170：接垫
116b、160：走线 118：内层线路基板
120、220：阻隔层 122：外表面
130：活化层 140：种子层
150：金属层 180：导电柱
190：电镀线 192：外部电镀线
312：线路单元 316：金属框线
C1：连接沟 C2：外部连接沟
D1、D2、D3：深度 H1：盲孔
P1：接垫槽 T1：走线沟
W1、W2、W3、W4：线宽
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的线路板的内埋式线路结构的制造方法其具体实施方式、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，应当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效获得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
图1A至图1L是本发明一实施例的线路板的内埋式线路结构的制造方法的流程示意图。请参阅图1A与图1B所示，其中图1A为俯视示意图，而图1B是图1A中沿线I-I剖面所绘示的剖面示意图。在本实施例的线路板的内埋式线路结构的制造方法中，首先，提供一基板110，并且在基板110上形成一阻隔层120。
基板110具有一平面112，而阻隔层120形成在平面112上，并且全面性地覆盖平面112，其中阻隔层120具有一外表面122。基板110可以是绝缘基板或线路基板，其中绝缘基板例如是陶瓷基板或树脂基板，而树脂基板可以含有环氧树脂(epoxy)以及玻璃纤维，且例如是现有线路板制造业所使用的空白核心板(blank core)。
在本实施例中，基板110可为一种线路基板，并可包括一绝缘层114以及一线路层116。绝缘层114覆盖线路层116，并具有平面112。线路层116包括多个接垫116a以及多条走线116b，而这些接垫116a电性连接这些走线116b。
基板110可以更包括一内层线路基板(inner wiring substrate)118，其可包括至少一内部线路层以及至少一导电连接结构。由于内部线路层与导电连接结构皆可与现有线路板的内部线路结构相同，所以在此不绘示。内部线路层能经由导电连接结构来电性连接线路层116，而导电连接结构可以是导电盲孔结构(conductive blind via structure)或导电通孔结构(conductive through hole structure)。
值得一提的是，当基板110包括内层线路基板118时，由于基板110包括线路层116与内部线路层，所以本实施例的内埋式线路结构的制造方法可应用于制造多层线路板(multilayer wiring board)。当基板110不包括内层线路基板118时，本实施例的内埋式线路结构的制造方法可应用于制造双面线路板(double-side wiring board)。
阻隔层120的材料可以是高分子材料，且阻隔层120可以是一种低聚合程度的高分子材料层。因此，阻隔层120的玻璃转换温度变化量(ΔTg)可大于3℃，其中此玻璃转换温度变化量是指利用热分析法(thermalanalysis)对同一样品(即阻隔层120)进行连续两次分析，从而得到两个玻璃转换温度之间的数值差。上述热分析法可以是热重分析法(Thermogravimetric Analysis，TGA)、示差热分析(Differential ThermalAnalysis，DTA)或示差扫描热分析(Differential Scanning Calorimetry，DSC)。
形成阻隔层120的方法有多种。当阻隔层120的材料为高分子材料时，根据高分子材料的物质状态(state of matter)，阻隔层120可以是利用压合(laminate)或涂布(coating)来形成。详细而言，当高分子材料为固态材料，例如高分子材料为干膜(dry film)时，形成阻隔层120的方法可以是压合干膜。
在本实施例中，上述高分子材料为液态材料或膏状材料，而阻隔层120可以是利用涂布来形成。举例而言，首先，在平面112上涂布一高分子材料层，其中涂布的方式例如是喷涂(spray coating)或印刷(print)。接着，烘烤高分子材料层，以使高分子材料层固化(solidified)。烘烤高分子材料层的时间可以介于5分钟与20分钟之间，促使阻隔层120成为低聚合程度的高分子材料层。
请参阅图1C与图1D所示，其中图1C为俯视示意图，而图1D是图1C中沿线II-II剖面所绘示的剖面示意图。在形成阻隔层120之后，在外表面122上形成多条走线沟T1、多个接垫槽P1以及多个盲孔H1，其中形成这些走线沟T1、这些接垫槽P1与这些盲孔H1的方法可以是对基板110与阻隔层120进行激光烧蚀。也就是说，照射激光光束(laser beam)在外表面122上，以移除部分基板110与部分阻隔层120，从而形成走线沟T1、接垫槽P1与盲孔H1。
须说明的是，在图1C与图1D所示的实施例中，接垫槽P1与盲孔H1二者的数量可为多个，但应视线路板的布线设计(layout)，在其他实施例中，接垫槽P1与盲孔H1二者的数量可以仅为一个，所以图1C与图1D所示的接垫槽P1与盲孔H1二者的数量仅为举例说明，并非限定本发明。
在图1C与图1D中，其中至少一条走线沟T1与其中一个接垫槽P1相通，而盲孔H1位于接垫槽P1的下方，并且与接垫槽P1相通。此外，这些走线沟T1、接垫槽P1与盲孔H1皆局部暴露基板110。详细而言，走线沟T1与接垫槽P1皆是贯穿阻隔层120以及移除部分绝缘层114而形成，所以走线沟T1与接垫槽P1皆局部暴露绝缘层114，而盲孔H1则局部暴露线路层116的接垫116a。
值得一提的是，当这些盲孔H1是以激光烧蚀而形成时，可以对这些盲孔H1所暴露的线路层116进行一表面清洁，以清除残留在接垫116a表面上的胶渣或异物，进而维持或提高线路板的线路电性连接的品质。此外，上述表面清洁的方法可以包括等离子体处理，即利用等离子体来清除接垫116a表面上的胶渣或异物。
请参阅图1E与图1F所示，其中图1E为俯视示意图，而图1F是图1E中沿线III-III剖面所绘示的剖面示意图。接着，在外表面122上形成多条连接沟C1，而形成这些连接沟C1的方法可以是对基板110与阻隔层120进行激光烧蚀，即利用激光光束来移除部分基板110与部分阻隔层120，从而形成这些连接沟C1。
用于形成连接沟C1的激光光束的功率可以小于用于形成走线沟T1与接垫槽P1的激光光束的功率，以使连接沟C1相对于基板110平面112的深度D1可以小于走线沟T1相对于平面112的深度D2以及接垫槽P1相对于平面112的深度D3，且深度D1可以小于5微米(μm)。
另外，用于形成连接沟C1的激光光源可以相同于用于形成走线沟T1与接垫槽P1的激光光源。也就是说，用于形成连接沟C1的激光光束与用于形成走线沟T1以及接垫槽P1的激光光束二者的波长可以相同。
这些连接沟C1局部暴露基板110的绝缘层114。此外，这些连接沟C1能与这些走线沟T1以及这些接垫槽P1相通。也就是说，任一条走线沟T1能经由至少一条连接沟C1而与所有接垫槽P1以及其他所有走线沟T1相通。
须说明的是，在图1E与图1F中，连接沟C1的数量可以是多个，但是应视线路板的布线设计，连接沟C1的数量可以仅为一个，所以图1E与图1F所示的连接沟C1的数量仅为举例说明，并非限定本发明。
值得一提的是，在本实施例中，连接沟C1是在走线沟T1与接垫槽P1二者形成之后才形成，但是在其他实施例中，连接沟C1也可在走线沟T1、接垫槽P1以及盲孔H1三者形成之前而形成，所以图1C至图1F所示的连接沟C1、走线沟T1、接垫槽P1以及盲孔H1四者的形成顺序仅为举例说明，并非限定本发明。
此外，盲孔H1所暴露的线路层116可以是在这些连接沟C1形成之后进行表面清洁，即表面清洁可以是在这些连接沟C1、走线沟T1、接垫槽P1以及盲孔H1四者都形成之后才进行。因此，本发明不限定线路层116的表面清洁只能在连接沟C1形成之前，盲孔H1形成之后进行。
请参阅图1G所示，接着，形成一全面性地覆盖外表面122以及这些走线沟T1、接垫槽P1、盲孔H1与连接沟C1四者所有表面的活化层130，而活化层130覆盖绝缘层114裸露出来的表面及盲孔H1所暴露的线路层116表面。活化层130的结构疏松，且厚度大约是在纳米等级，所以活化层130的厚度很薄。形成活化层130的方法可以是将阻隔层120与基板110浸泡在一含有多个金属离子的离子溶液中，其中这些金属离子可以是镍离子、钯离子、铂离子、铬离子、银离子或钼离子。
请参阅图1G与图1H所示，在形成活化层130之后，移除阻隔层120。如此，原本位在阻隔层120上的活化层130也会被移除，而先前被阻隔层120所覆盖的平面112则会裸露出来，其中位于这些走线沟T1、接垫槽P1、盲孔H1以及连接沟C1内的活化层130会被保留下来。移除阻隔层120的方法可包括化学移除。
详细而言，可以将阻隔层120浸泡在一化学药液中，以使阻隔层120与化学药液产生化学反应，从而移除阻隔层120，其中阻隔层120可以被分解在化学药液中。由于活化层130的结构疏松，而且厚度很薄，因此化学药液能渗透活化层130而接触阻隔层120。如此，阻隔层120能与化学药液产生化学反应。
举例而言，阻隔层120可以是一种酸性材料(acid material)，而化学药液可以是一种碱性溶液(alkaline solution或basic solution)，例如氢氧化钠。当酸性的阻隔层120浸泡在碱性溶液中时，阻隔层120与碱性溶液会产生水解反应(hydration reaction)。如此，阻隔层120可以被分解在碱性溶液中。
请参阅图1I与图1J所示，其中图1I为俯视示意图，而图1J是图1I中沿线IV-IV剖面所绘示的剖面示意图。接着，在活化层130上形成一种子层140，而种子层140是利用无电电镀来形成。详细而言，在形成种子层140的过程中，可将活化层130浸泡在含有多个金属离子的化学镀液中。当活化层130与化学镀液接触时，这些金属离子会与活化层130产生化学反应，例如氧化还原反应(redox reaction)，从而在活化层130上产生金属沉积物，形成种子层140。
之后，在种子层140上形成一金属层150，而金属层150是利用电镀来形成。详细而言，由于任一条走线沟T1能经由至少一条连接沟C1而与所有接垫槽P1以及其他所有走线沟T1相通，因此位于这些连接沟C1内的种子层140能使位于这些走线沟T1内的种子层140与位在这些接垫槽P1及这些盲孔H1内的种子层140相连。
因此，在进行电镀来形成金属层150的过程中，当外部电流施加至种子层140时，基本上外部电流能经由种子层140而在所有走线沟T1、所有连接沟C1、所有接垫槽P1以及所有盲孔H1内传递。如此，全面性地覆盖种子层140的金属层150得以形成金属层150。此外，在本实施例中，金属层150仅形成在种子层140上，而不会全面性地覆盖基板110，所以本实施例能减少电镀液的消耗，促使线路板的制造成本得以降低。
在形成金属层150之后，金属层150会填满这些走线沟T1、这些接垫槽P1以及这些导电柱180，以在这些走线沟T1内分别形成多条走线160，在这些接垫槽P1内形成多个接垫170，在这些盲孔H1内形成多根导电柱180以及在这些连接沟C1内形成多条电镀线190。这些接垫170连接这些导电柱180，其中一条走线160连接其中一个接垫170，而这些电镀线190连接这些走线160与这些接垫170。
值得一提的是，在本实施例中，各条走线160的线宽W1可以是50+/-5微米(um)，而各条电镀线190的线宽W2可以是100+/-10微米。此外，在其他实施例中，线宽W2与线宽W1的比值可以介于1至5之间。
请参阅图1K与图1L所示，其中图1K为俯视示意图，而图1L是图1K中沿线V-V剖面所绘示的剖面示意图。在形成这些走线160与这些接垫170之后，移除这些电镀线190(请参阅图1I与图1J)，其中移除电镀线190的方法可以包括研磨、刷磨或蚀刻。当用蚀刻来移除电镀线190时，连接沟C1可以被保留下来，并且在后续制造流程中，由防焊层(solder mask)或半固化胶片(prepreg)等材料所填满。至此，一种包括多条走线160、多个接垫170以及多根导电柱180的内埋式线路结构已制造完成，而具有此内埋式线路结构的线路板100基本上已制造完成。
图2A至图2C是本发明另一实施例的线路板的内埋式线路结构的制造方法的流程示意图，其中图2A至图2C皆为剖面示意图。本实施例的内埋式线路结构的制造方法与前述图1A至图1L所示的内埋式线路结构的制造方法相似，因此以下主要介绍这两个实施例之间的差异，而不再重复介绍及绘示二者一些相同的技术特征。
本实施例与前述实施例的主要差异在于：移除阻隔层120的时机。详细而言，上述图1A至图1L所示的阻隔层120是在形成电镀线190之前移除，而本实施例的阻隔层120是在形成电镀线190之后移除。
请参阅图2A与图2B所示，在形成这些走线沟T1、这些接垫槽P1、这些盲孔H1、这些连接沟C1(图2A与图2B中仅绘示一条)、一阻隔层220以及一覆盖阻隔层220的活化层130之后，依序进行无电电镀及电镀，以先后形成种子层140与金属层150，从而在这些走线沟T1内分别形成多条走线160，在这些接垫槽P1内形成多个接垫170，在这些盲孔H1内形成多根导电柱180以及在这些连接沟C1内形成多条电镀线190(图2A与图2B中仅绘示一条)。
承上所述，阻隔层220的材料可以是高分子材料，且高分子材料也可为固态材料、液态材料或膏状材料。然而，阻隔层220可以是一种高聚合程度的高分子材料层，所以阻隔层220的玻璃转换温度变化量可以小于或等于3℃。
当上述高分子材料为液态材料或膏状材料时，阻隔层220的形成方法可相似于前述阻隔层120的形成方法，例如先在基板110的平面112上涂布高分子材料层。之后，烘烤此高分子材料层，以形成阻隔层220。不过，在形成阻隔层220的方法中，烘烤高分子材料层的时间可以介于15分钟与40分钟之间，以使阻隔层220具有偏高的聚合程度。
值得一提的是，在形成活化层130之前，以及在形成这些盲孔H1之后，可以对这些盲孔H1所暴露的线路层116进行表面清洁，其中表面清洁的方法可以是去胶渣。例如先利用清洁药液初步清洁线路层116裸露出来的表面。之后，再利用蚀刻液对线路层116进行微蚀刻(micro-etching)。由于阻隔层220可为高聚合程度的高分子材料层，因此阻隔层220具有稳定的化学特性，所以整体上阻隔层220不易被清洁药液与蚀刻液所伤害。
请参阅图2B与图2C所示，接着，移除阻隔层220与电镀线190，其中移除阻隔层220与电镀线190的方法可包括研磨或刷磨。至此，一种包括多条走线160、多个接垫170以及多根导电柱180的内埋式线路结构已制造完成，而具有此内埋式线路结构的线路板100基本上已制造完成。
特别一提的是，本发明另一实施例的线路板的内埋式线路结构的制造方法可以采用母线路基板(wiring mother-substrate)。请参阅图3A所示，其绘示一基板310，而基板310可以是一种母线路基板，其例如是工作板材(working panel，又可简称panel)或基板条(strip)。
图3A所示的基板310为一种工作板材，所以基板310包括多个线路单元(unit)312。这些线路单元312实质上皆为线路基板，而各个线路单元312可以相同于基板110。虽然图3A中的基板310为工作板材，但是图3A所示的基板310的类型仅为举例说明，并非限定本发明。
在本实施例的内埋式线路结构的制造方法流程中，也会对这些线路单元312进行上述实施例所揭露的制造步骤，例如形成阻隔层120或220、形成走线沟T1、接垫槽P1、盲孔H1与连接沟C1、以及形成种子层140与活化层130等，而以下不再重复叙述这些步骤。
基板310具有一平面314，并包括一金属框线316，其中金属框线316位于平面314上。金属框线316可以是由铜箔或铝箔等金属箔片所形成。例如，金属框线316可以是由铜箔基板(Copper Clad Laminate，CCL)的铜箔经微影与蚀刻后而形成。
在电镀的过程中，金属框线316是用来接收来自外部电源的外部电流，并将外部电流传递至这些线路单元312，从而形成金属层150(请参阅图1J)。具体而言，电镀设备一般可具有多个金属夹具，而这些金属夹具电性连接外部电源。当进行电镀时，金属夹具(未绘示)会夹住基板310，并且接触金属框线316。如此，外部电源能输入外部电流至金属框线316，以使外部电流可以传递至这些线路单元312，进而形成金属层150。
请参阅图3A与图3B所示，其中图3B是图3A的局部放大示意图。在形成活化层130之前，可形成多条外部连接沟C2。这些外部连接沟C2从金属框线316延伸，并与各个线路单元312中的走线沟T1、接垫槽P1以及连接沟C1相通，其中形成这些外部连接沟C2的方法相同于形成走线沟T1、接垫槽P1以及连接沟C1的方法。
之后，在进行电镀以形成金属层150的过程中，由于这些外部连接沟C2从金属框线316延伸，并与各个线路单元312中的走线沟T1、接垫槽P1及连接沟C1相通，因此形成金属层150的方法可以是对金属框线316通电来进行电镀。如此，外部电流能依序经由金属框线316与这些外部连接沟C2，传递至走线沟T1、接垫槽P1与连接沟C1，从而形成连接金属框线316的金属层150。
此外，基板310可具有以下的布线(layout)规格。详细而言，在本实施例中，各条外部电镀线192的线宽W3可以是500+/-50微米，而金属框线316的线宽W4可以是15+/-1.5厘米(mm)。在其他实施例中，线宽W3与各条走线160的线宽W1的比值可以介于5至50之间，而线宽W4与线宽W1的比值可以介于10至100之间。
在金属层150形成之后，金属层150会填满这些外部连接沟C2，以在这些外部连接沟C2内形成多条外部电镀线192。之后，可以移除这些外部电镀线192，其中移除外部电镀线192的方法可以与移除电镀线190的方法相同。在另一实施例中，其中移除外部电镀线192的方法可以在将工作板材切割成多个基板条，同时一并移除外部电镀线192。在移除电镀线190与外部电镀线192之后，这些线路单元312基本上得以被制造成多个线路板100(请参阅图1L)。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (23)
1.一种线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：
在一基板的一平面上形成一阻隔层，其中该阻隔层全面性地覆盖该平面，并具有一外表面；
在该外表面上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔，该些走线沟、该接垫槽与该盲孔皆局部暴露该基板，其中至少一条走线沟与该接垫槽相通，而该盲孔位于该接垫槽的下方，并与该接垫槽相通；
在该外表面上形成至少一与该些走线沟及该接垫槽相通的连接沟，其中该连接沟局部暴露该基板；
形成一全面性地覆盖该外表面以及该些走线沟、该接垫槽、该盲孔与该连接沟四者所有表面的活化层；
在形成该活化层之后，移除该阻隔层；
在形成该活化层之后，利用无电电镀，在该活化层上形成一种子层；
利用电镀，在该种子层上形成一金属层，以在该些走线沟内分别形成多条走线，在该接垫槽内形成一接垫，在该盲孔内形成一导电柱，以及在该连接沟内形成一电镀线；以及
在形成该些走线与该接垫之后，移除该电镀线。
2.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中形成该阻隔层的方法包括：
在该平面上涂布一高分子材料层；以及
烘烤该高分子材料层。
3.根据权利要求2所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中烘烤该高分子材料层的时间介于5分钟与20分钟之间。
4.根据权利要求2所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中烘烤该高分子材料层的时间介于15分钟与40分钟之间。
5.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔层的材料为高分子材料，且该阻隔层的一玻璃转换温度变化量大于3℃。
6.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔层的材料为高分子材料，且该阻隔层的一玻璃转换温度变化量小于或等于3℃。
7.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔层是在形成该电镀线之前移除。
8.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的阻隔层是在形成该电镀线之后移除。
9.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中移除该阻隔层的方法包括化学移除、研磨或刷磨。
10.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中移除该电镀线的方法包括蚀刻、研磨或刷磨。
11.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中形成该些走线沟、该接垫槽、该盲孔与该连接沟的方法包括对该基板与该阻隔层进行激光烧蚀。
12.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的连接沟相对于该平面的深度小于该些走线沟相对于该平面的深度以及该接垫槽相对于该平面的深度。
13.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中形成该活化层的方法包括将该阻隔层与该基板浸泡在一含有多个金属离子的离子溶液中。
14.根据权利要求13所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中该些金属离子为镍离子、钯离子、铂离子、铬离子、银离子或钼离子。
15.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的基板包括：
一线路层；以及
一绝缘层，覆盖该线路层，该阻隔层全面性地覆盖该绝缘层，而该盲孔局部暴露该线路层。
16.根据权利要求15所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于更包括对该盲孔所暴露的该线路层进行一表面清洁。
17.根据权利要求16所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的表面清洁的方法包括去胶渣或等离子体处理。
18.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的电镀线的线宽与各该走线的线宽的比值介于1至5之间。
19.根据权利要求1所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的基板为一母线路基板，并包括一位于该平面上的金属框线，而该金属层连接该金属框线。
20.根据权利要求19所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中在形成该活化层之前，更包括形成多条外部连接沟，该些外部连接沟从该金属框线延伸，并与该走线沟、该接垫槽以及该连接沟相通，在形成该金属层之后，该金属层填满该些外部连接沟，以在该些外部连接沟内形成多条外部电镀线。
21.根据权利要求20所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中各该外部电镀线的线宽与各该走线的线宽的比值介于5至50之间。
22.根据权利要求19所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中形成该金属层的方法包括对该金属框线通电。
23.根据权利要求19所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法，其特征在于其中所述的金属框线的线宽与各该走线的线宽的比值介于10至100之间。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100109825A TWI417014B (zh) | 2011-03-23 | 2011-03-23 | 線路板的內埋式線路結構的製造方法 |
| TW100109825 | 2011-03-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102695371A true CN102695371A (zh) | 2012-09-26 |
| CN102695371B CN102695371B (zh) | 2015-02-18 |
Family
ID=46860600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110295397.8A Expired - Fee Related CN102695371B (zh) | 2011-03-23 | 2011-09-27 | 线路板的内埋式线路结构的制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102695371B (zh) |
| TW (1) | TWI417014B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104869762A (zh) * | 2014-02-24 | 2015-08-26 | 联想(北京)有限公司 | 一种印刷电路板的制备方法、结构和电子设备 |
| CN113745187A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-03 | 欣兴电子股份有限公司 | 具有增加芯层走线面积的载板结构及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985600A (en) * | 1988-09-30 | 1991-01-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Printed circuit board having an injection molded substrate |
| US20070039754A1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Islam Salama | Method of providing a printed circuit board using laser assisted metallization and patterning of a microelectronic substrate |
| CN101193502A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-06-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 电路板结构及其制作方法 |
| CN101600300A (zh) * | 2008-06-05 | 2009-12-09 | 欣兴电子股份有限公司 | 内埋式线路结构的制作方法 |
| TW201023703A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-16 | Unimicron Technology Corp | Manufacturing process of circuit substrate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI399148B (zh) * | 2009-09-15 | 2013-06-11 | Unimicron Technology Corp | 電路板焊接墊結構及其製法 |
-
2011
- 2011-03-23 TW TW100109825A patent/TWI417014B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-09-27 CN CN201110295397.8A patent/CN102695371B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985600A (en) * | 1988-09-30 | 1991-01-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Printed circuit board having an injection molded substrate |
| US20070039754A1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Islam Salama | Method of providing a printed circuit board using laser assisted metallization and patterning of a microelectronic substrate |
| CN101193502A (zh) * | 2006-11-22 | 2008-06-04 | 全懋精密科技股份有限公司 | 电路板结构及其制作方法 |
| CN101600300A (zh) * | 2008-06-05 | 2009-12-09 | 欣兴电子股份有限公司 | 内埋式线路结构的制作方法 |
| TW201023703A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-16 | Unimicron Technology Corp | Manufacturing process of circuit substrate |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104869762A (zh) * | 2014-02-24 | 2015-08-26 | 联想(北京)有限公司 | 一种印刷电路板的制备方法、结构和电子设备 |
| CN113745187A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-03 | 欣兴电子股份有限公司 | 具有增加芯层走线面积的载板结构及其制作方法 |
| CN113745187B (zh) * | 2020-05-28 | 2024-03-22 | 欣兴电子股份有限公司 | 具有增加芯层走线面积的载板结构及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201240538A (en) | 2012-10-01 |
| TWI417014B (zh) | 2013-11-21 |
| CN102695371B (zh) | 2015-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105722302B (zh) | 嵌入凸台金属基的电路板及其加工方法 | |
| CN106063393B (zh) | 柔性印刷布线板的制造方法 | |
| CN100542384C (zh) | 印刷线路板的加工方法 | |
| JP5903080B2 (ja) | 前駆基板、フレキシブルプリント基板及びその製造方法 | |
| CN101778542B (zh) | 一种带铜柱的pcb板件的制造方法 | |
| CN101466207A (zh) | 电路板及其制作方法 | |
| CN103456643A (zh) | Ic载板及其制作方法 | |
| CN110678004B (zh) | 一种充电桩用pcb板的制作方法 | |
| TW201729654A (zh) | 導電線路的製備方法 | |
| KR101382811B1 (ko) | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 | |
| CN101594740B (zh) | 嵌埋电子器件的电路板及其方法 | |
| CN104812171A (zh) | 印制线路板及其加工方法 | |
| KR101475340B1 (ko) | 다층 플렉시블 회로 기판 및 그 제조 방법 | |
| CN102215640B (zh) | 电路板制作方法 | |
| CN103442525A (zh) | 一种刚挠结合印制电路板及其制作方法 | |
| CN102695371B (zh) | 线路板的内埋式线路结构的制造方法 | |
| CN103052268B (zh) | 线路结构的制作方法 | |
| CN102883519A (zh) | 盲孔型双面导热线路板及其制造工艺 | |
| CN104115568B (zh) | 制造印刷电路板的方法和设备 | |
| CN101699932A (zh) | 一种高导热陶瓷电路板的生产方法 | |
| CN103225094A (zh) | 一种盲孔板电镀单面电流保护方法 | |
| CN103781292B (zh) | 电路板及其制作方法 | |
| CN102695368B (zh) | 线路板的内埋式线路结构的制造方法 | |
| CN113727541A (zh) | 一种选择性电镀孔，激光制导电图案的电路板生产方法 | |
| CN112672545A (zh) | 一种多层电路板的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150218 Termination date: 20170927 |