CN102687382B - 测量变送器 - Google Patents

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Abstract

描述了一种测量变送器，通过该测量变送器对其供应直流电压（UDC1、UDC2）的两个或更多个可连接单元（7、9）可相对于彼此和该测量变送器的其它组件被流电隔离地连接到该测量变送器，其在考虑了安装空间和对于流电隔离装置所需要的组件的数目时进行优化。该测量变送器包括：电源（1），该电源（1）具有用于产生稳定直流电压（UDC）的直流电压发生器（3）；斩波器（11），该斩波器（11）被连接到直流电压发生器（3），并且从稳定直流电压（UDC）中产生矩形交流电压（UAC）；数字单元（5），该数字单元（5）用于操作斩波器（11）；以及彼此并联地连接到斩波器（11）的两个或更多个连接器模块（19、21）；每个连接器模块（19、21）都具有变压器（23），该变压器（23）对矩形交流电压（UAC）进行变压；每个连接器模块（19、21）都具有在相应的变压器（23）下游的整流器（25）；并且该整流器（25）从所变压后的矩形交流电压中产生直流电压（UDC1、UDC2）。每个单元（7、9）都可连接到连接器模块（19、21）中的相应的一个，并且经由其连接器模块（19、21）与测量变送器的所有其它组件流电隔离地对每个单元（7、9）供应直流电压（UDC1、UDC2）。

Description

测量变送器
技术领域
本发明涉及一种测量变送器，包括：电源，该电源可连接到外部能源供应，并且具有用于产生稳定直流电压的直流电压发生器；数字单元；以及两个或更多个连接器模块，在每一种情况下，特别是传感器、用于将测量变送器连接到上级模块的测量值输出或通信单元都可连接到该两个或更多个连接器模块，在与测量变送器的所有其它组件和与该两个或更多个连接器模块连接的所有其它单元进行流电隔离的每一种情况下，都经由测量变送器来对该可连接单元进行供应直流电压。
背景技术
测量变送器适用于工业测量技术的所有领域。测量变送器通常用于将由与之连接的传感器所测量的一个或多个物理变量转换成反映所测量的变量的电输出信号，并且经由例如电流输出的输出单元或者例如总线接口的通信单元来将这些电输出信号传送到上级单元，例如处理控制系统。
出于安全原因，当今对于这样的测量变送器的工业使用，通常要求独立单元彼此隔离并且与测量变送器的能源供应流电隔离。
为此，通常需要与相应的测量变送器的单元的数目相对应的多个流电隔离装置。这些流电隔离装置中的每一个通常是设置在各个连接器模块中的电源IC；经由电源IC来对每个流电隔离单元都供应能量。对每个电源IC馈送直流电压，并且在其初级侧具有切换控制器；切换控制器用于将直流电压转换为交流电压，其然后经由变压器被流电隔离地传送到二次级侧，其中将所变换的交流电压转换成对各个单元进行供应所需要的直流电压。此外，为了对可用于单元的次级侧的直流电压的稳定，在初级侧上通常设置与次级侧流电隔离的反馈回路；基于反馈，对相应地调节初级侧电压。
在用于具有要与之连接的许多传感器以及不同的通信单元和输出单元的多传感器系统的测量变送的情况下，必须特别设置相对多的这些流电隔离装置。测量变送器中所需要的组件和空间的数目相应地高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种测量变送器，通过该测量变送器对其供应直流电压的两个或更多个单元可相对于彼此和该测量变送器的其它组件被流电隔离地连接到该测量变送器，并且其在考虑了安装空间和流电隔离装置所需要的组件的数目时进行优化。
为此，本发明在于一种测量变送器，包括：
-电源，
--该电源具有直流电压发生器，该直流电压发生器用于产生稳定直流电压；
-斩波器，该斩波器连接到直流电压发生器，
--该斩波器从稳定直流电压中产生矩形交流电压；
-数字单元，该数字单元用于操作斩波器；以及
-两个或更多个连接器模块，该两个或更多个连接器模块彼此并联地连接到斩波器；
--其中，每个连接器模块都具有变压器，该变压器对矩形交流电压进行变压；
--其中，每个连接器模块都具有在相应的变压器下游的整流器；该整流器从所变压后的矩形交流电压中产生直流电压；并且
--其中，可连接单元可连接到每个连接器模块，
---其中，经由每个可连接单元的连接器模块与测量变送器的所有其它组件流电隔离地对每个可连接单元供应直流电压。
在本发明的实施例中，可连接单元是传感器、测量变送器的电流输出和/或用于将测量变送器连接到上级单元的通信单元。
在其他实施例中，经由配备有流电隔离装置的数字数据线将可连接单元中的至少一个连接到数字单元。在这样的情况下，流电隔离装置是例如光耦合器或变压器，并且在每一种情况下优选地被布置在特定可连接单元要与之连接的相关连接器模块中。
在其他开发中，本发明包括本发明的测量变送器，其中
-斩波器具有连接到由电压发生器所生成的直流电压的p-导电型场效应晶体管、以及与该p-导电型场效应晶体管串联的连接到地的n-导电型场效应晶体管；
-该两个场效应晶体管通过经由其控制输入所供应的预定时钟速率的控制电压来以下述方式进行操作：在由该时钟速率预定的频率处，该两个场效应晶体管中的一个被交替地切换成导通而另一个截止；并且
-矩形交流电压可经由布置在两个场效应晶体管之间的分接头来移除。
在其他开发的另一开发中，
-数字单元产生随预定时钟速率变化的第一矩形控制电压和第二矩形控制电压；
-两个控制电压相对于彼此在时间上偏移半个周期；
-斩波器包括电平位移器，该电平位移器基于第一控制电压来产生具有较高电压电平并且随第一控制电压同步变化的矩形控制电压；其中，该具有较高电压电平的矩形控制电压被施加到p-导电型场效应晶体管的控制输入，并且从而控制p-导电型场效应晶体管；并且
-第二控制电压处于n-导电型场效应晶体管的控制输入上，并且
经由第二控制电压来控制n-导电型场效应晶体管。
在其他开发的另外开发中，在场效应晶体管的各个切换过程之间设置死区时间（deadtime）；在该死区时间期间，两个场效应晶体管是不导通的。
在具有死区时间的开发的其他开发中，
-斩波器包括串联连接并且以反相偏压进行操作的两个二极管；
该二极管被布置成与两个场效应晶体管并联，并且位于这两个场效应晶体管的下游；
-将两个场效应晶体管之间的分接头连接到布置在两个二极管之间的分接头；并且
-矩形交流电压可从布置在两个二极管之间的分接头移除。
在其他开发的另外开发中，斩波器在其输入侧和/或输出侧包括干扰抑制电路；该干扰抑制电路对由该斩波器中的场效应晶体管的切换事件所引起的高频电流分量，特别是具有兆赫范围中的频率的电流小分量，进行衰减。
在其他开发中，斩波器在其输出侧包括直流电压去耦合装置；该直流电压去耦合装置消除包含在斩波器中生成的交流电压中的直流电压分量。
在另外的其他开发中，由斩波器产生的交流电压具有小于100kHz特别是小于50kHz的频率。
在优选实施例中，整流器是具有连接在下游的平滑电容器（smoothingcapacitor）的桥式整流器。
本发明的测量变送器提供了以下优点：对于所有连接的单元的能源供应的流电隔离装置所需要的交流电压由单个斩波器来集中地产生并且可并联用于所有隔离装置。
附图说明
现将基于附图来更详细地解释本发明和其它优点，在附图中呈现了实施例的示例。附图中相同的元素具有相同的附图标记。附图中的图如下示出：
图1本发明的测量变送器的方框图；
图2图1的斩波器的电路框图；
图3作为用于操作斩波器的时间的函数的由数字单元生成的控制电压；
图4由斩波器生成的矩形交流电压；以及
图5具有在下游连接的整流器的连接到交流电压的两个平行的变压器。
具体实施方式
图1示出了本发明的测量变送器的框图。如常规测量变送器，本发明的测量变送器包括：电源1，该电源1可连接到外部能源供应（未示出），并且配备有用于生成稳定的直流电压UDC的直流电压发生器3；以及中央数字单元5。根据应用，两个或更多个分立单元7、9可连接到测量变送器。
单元7、9是传感器、测量变送器的电流输出和/或用于将测量变送器连接到诸如处理控制系统或可编程逻辑控制器的上级单元（未示出）的通信单元。为了更好的概述，在此，单元7、9与其功能相对应地被划分成用于测量值登记的单元7和用于测量值输出的单元9。
特别地，用于测量值登记的单元7包括连接到测量变送器的传感器。传感器优选地是数字传感器，该传感器用于测量物理测量变量，例如pH值、导电率或其使用位置处的氧浓度，并且用于以数字测量信号的形式向中央数字单元5供应物理测量变量。中央数字单元5处理传入的测量信号，并且使其以适当调整的形式提供到适用于其输出的单元9。例如，用于测量值输出的单元9是电流输出单元，其使流过与之连接的双电线线路的电流作为与常见的工业标准相对应的测量的物理变量的值（例如在4mA与20mA之间）的函数而变化。类似地，单元9可以是用于将测量变送器连接到诸如处理控制系统或可编程逻辑控制器的上级单元（未示出）的通信单元。单元9的示例由此包括例如用于公知现场总线系统（诸如例如以太网、ModBus、Profibus、FoundationFieldbus（基金会现场总线）或WLAN）的总线适配器、以及根据诸如例如HART标准的工业标准运行的通信模块。
在图1中，通过示例的方式呈现了两个单元7、9。当然，本发明的测量变送器完全类似地可扩展为远远更大数目的可连接单元7、9。
数字单元5是例如数字电路、微控制器（μC）或现场可编程门阵列（FPGA）。
电压发生器3产生稳定直流电压UDC，例如12VDC，并且用作用于包括数字单元5以及与之连接的所有单元7、9的总体测量变送器的能源供应。
根据本发明，测量变送器包括布置在中心的单个斩波器11，该斩波器11连接到电压发生器3，用于所有单元7、9彼此之间以及所有单元7、9与能源供应之间的流电隔离；通过电压发生器3对斩波器11馈送稳定直流电压UDC，并且从其产生具有精确稳定的电压电平的稳定矩形交流电压UAC，例如+/-6V。在这样情况下，斩波器11（如随后详细地解释的）由数字单元5来操作，该数字单元5产生具有预定时钟速率Takt1、Takt2的需要的控制电压Ust1、Ust2。如现今在测量变送器中所应用的，该功能作为规则在任何情况下都存在于数字单元5中，使得不需要额外的组件，否则可能需要测量变送器中的额外空间并且将增加制造成本。
图2示出了斩波器11的实施例的优选示例。在输入侧，斩波器11包括位于直流电压UDC的第一线路L1和连接到地GND或连接到参考电势的第二线路L2。斩波器11的核心元件是连接到直流电压UDC的p-导电型场效应晶体管p-FET以及连接到地GND的n-导电型场效应晶体管n-FET。这两个场效应晶体管p-FET和n-FET被串联地布置在将第一线路L1连接到第二线路L2的第一横向支路Q1中，并且以下述方式进行操作：经由对其控制输入Gp、Gn供应的控制电压，使得两个场效应晶体管中的一个，p-FET或n-FET，交替地导通而另一个，n-FET或p-FET，截止。因此，控制电压是预定频率f的矩形的交流电压。
由产生具有相应的预定时钟速率Takt1、Takt2的两个控制电压Ust1、Ust2的数字单元5来操作斩波器11。时钟速率Takt1、Takt2二者都具有用于生成交流电压UAC所期望的频率f。
利用现今通常安装在测量变送器中的数字单元5，可以产生具有大约3伏特的幅度的最大电压电平Uhigh的控制电压。这足够以经由数字单元5所生成的控制电压Ust2来直接切换连接到地GND的n-导电型场效应晶体管n-FET。
因此，如图2中所示，经由连接到第二线路L2的并联电阻器RP将该场效应晶体管n-FET的控制输入端Gn直接连接到数字单元5所生成的第二控制电压Ust2。
相反，对于连接到直流电压UDC的p-导电型场效应晶体管p-FET的控制，根据直流电压UDC的值需要实际上更高的电压电平。在12V的直流电压UDC和3V的切换间隔的情况下，要求在9V与12V之间的控制电压电平。
为了产生这些更高的控制电压电平，采用电平位移器13，该电平位移器13基于由数字单元5所生成的控制电压Ust1来生成具有相应增加的电压电平的控制电压。
例如，电平位移器13包括连接到横向支路Q1的额外的横向支路Q2；电阻器R和另外的n-导电型场效应晶体管n-FETLS被串联地布置在横向支路Q2中。
正如布置在第一横向支路Q1中的n-导电型场效应晶体管n-FET，该另一n-导电型场效应晶体管n-FETLS被连接到地，并且包括控制输入端GLS，该控制输入端GLS经由连接到第二线路L2的并联电阻器Rp来连接到由数字单元3生成的控制电压Ust1。
布置在第一横向支路Q1中的连接到直流电压UDC的场效应晶体管p-FET的控制输入Gp被连接到设置在电阻器R与额外的n-导电型场效应晶体管FETLS之间的第二横向支路Q2中的分接头P1。
因此，p-导电型场效应晶体管p-FET的控制输入Gp处于直流电压UDC的电压电平，而另一n-导电型场效应晶体管n-FETLS不导通。在该状态中，p-导电型场效应晶体管p-FET不导通。
如果使另一n-导电型场效应晶体管n-FETLS导通，则更低的电压电平位于在分接头P1处，并且于是该更低的电压电平处于p-导电型场效应晶体管p-FET的控制输入Gp。该电压电平的值可经由电阻器R的值来调节。这是以下述方式与p-导电型场效应晶体管p-FET的切换间隔相对应地进行选择的：在使n-导电型场效应晶体管n-FETLS导通的情况下使p-导电型场效应晶体管p-FET导通。于是，p-导电型场效应晶体管p-FET与附加的n-导电型场效应晶体管FETLS同步地导通和截止。因此，其可由控制电压Ust1来控制。
以下述方式建立控制电压Ust1和Ust2：两个场效应晶体管中的一个，p-FET或n-FET，被交替地切换成导通而另一个，n-FET或p-FET，被切换成截止。
图3示出了两个控制电压Ust1和Ust2的时间曲线。控制电压Ust1、Ust2二者是矩形交流电压，其交替地具有0V的最小电压电平和最大电压电平Uhigh，并且相对于彼此偏移半个周期。以该方式，生成具有两个时钟速率Takt1、Takt2的频率f的交流电压；经由在两个场效应晶体管p-FET和n-FET之间布置的分接头P2可得到该交流电压。在这样的情况下，当p-导电型场效应晶体管p-FET导通，并且n-导电型场效应晶体管n-FET不导通时，分接头P2处于直流电压UDC的电势。相反，当p-导电型场效应晶体管p-FET不导通并且n-导电型场效应晶体管n-FET导通时，分接头处于地GND。
由斩波器11生成的交流电压UAC的频率f优选地被故意地设置得非常低。频率f例如低于100kHz，优选地甚至低于50kHz。于是，频率f处于远远低于通常用于流电隔离装置的切换控制器的频率。后者通常处于几百千赫的范围内。这些低频率f具有下述优点：在这种情况下，在非常长的连接线路上没有问题地将传送交流电压UAC传送到测量变送器的其它组件、与之连接（例如通过电容耦合）的单元7、9或与之连接（例如通过电容耦合）的总线线路而不传送干扰。
为了在反相期间防止该两个场效应晶体管p-FET和n-FET在短时间中导通，在每个独立的切换过程之间设置了短暂的死区时间Δt12、Δt21；在死区时间Δt12、Δt21期间，两个场效应晶体管p-FET和n-FET都不导通。在死区时间Δt12、Δt21期间，这个通过将两个控制电压Ust1和Ust2设置为低电压电平（在这里为0V）来发生。以该方式，防止经由第一横向支路Q1的短路。
在确定死区时间Δt12、Δt21中，优选地考虑各种切换相关的信号延迟时间。例如，这些由电平位移器13引起，其针对用于p-导电型场效应晶体管p-FET的低高沿和高低沿，可以具有不同的信号延迟时间。在该情况下，建议利用两个不同的死区时间Δt12、Δt21代替单个死区时间Δt来运行；死区时间Δt12适用于第一时钟速率Takt1的高低转变，而另一死区时间Δt21适用于第二时钟速率Takt2的高低转变。两个死区时间Δt12、Δt21彼此相差由电平位移器13中的不同的信号延迟时间所给出的时间差。
在死区时间Δt期间，场效应晶体管p-FET和n-FET二者都不导通。以该方式，未定义的电压电平在分接头P2上上升。为了防止由于切换固有的寄生电感而导致的不受控制的回零（flyback）电压的形成，优选地在第一横向支路Q1的下游设置了第三横向支路Q3；串联连接并且在相反方向上操作的两个二极管Z1、Z2被布置在第三横向支路Q3中。此外，第一横向支路Q1中的分接头P2连接到位于第三横向支路Q3中的两个二极管Z1、Z2之间的分接头P3。在关断连接到直流电压UDC的p-导电型场效应晶体管p-FET的情况下出现的回零电压现在以电流流动计数器（currentflowingcounter）的形式引入到二极管Z1的反向，而连接到地的n-导电型场效应晶体管n-FET仍然被关断。
相反，在关闭连接到地GND的n-导电型场效应晶体管n-FET的情况下出现的回零电压以电流流动计数器的形式引入到二极管Z2反向，而连接到直流电压UDC的p-导电型场效应晶体管p-FET仍然被关断。
由于场效应晶体管p-FET、n-FET、FETLS的矩形激活而导致在斩波器11中执行了非常快速的切换事件；这些切换事件可能导致非常高频率的干扰信号，例如，在特定条件下具有50MHz或更大的频率的干扰信号。为了防止这些干扰信号到达外部，斩波器11优选地在输入侧并且在输出侧包括干扰抑制电路15、17，该干扰抑制电路15、17排出在给定情况下由于切换事件而产生的高频电流分量。
输入侧的干扰抑制电路15包括例如在第一线L1中应用的电感I1；电感I1在配备有电容器C1的横向支路Q4的下游；此外，电感I1在同样地配备有电容器C2的横向支路Q5的上游。以该方式，形成滤波器以衰减高频电流分量，特别是在兆赫范围中的频率的电流分量，但是允许直流分量不受阻碍地通过。
斩波器11在输出侧包括第一输出线路A1和第二输出线路A2。第一输出线路A1经由布置在第三横向支路Q3中的两个二极管Z1、Z2之间的额外的分接头P3被连接到分接头P2。第二输出线路A2被连接到第二线路L2并且于是处于在地GND处。
设置在输出侧的干扰抑制电路17应用于例如输出线路A1、A2，并且包括第一输出线路A1中的电感I2；配备有电容器C3并且连接输出线路A1、A2二者的横向支路Q6被连接在电感I2的下游。该干扰抑制电路17还形成滤波器，该滤波器对高频电流分量，特别是在兆赫范围中的频率的电流分量进行衰减，但是允许由斩波器11生成的交流电压UAC的非常低频率的交流电流分量不受阻碍地通过。
优选地，斩波器11在其输出侧包括直流电压去耦合装置，该直流电压去耦合装置消除存在于所产生的交流电压中的直流电压部分。例如，这是施加到第一输出线路A1的直流电压去耦合电容器CDC。于是，在斩波器11的输出处得到不包含直流电压部分的图4中所示的交流电压UAC。
测量变送器包括并联连接到斩波器11的两个或更多个连接器模块19、21；通过斩波器11向连接器模块19、21并行地馈送矩形交流电压UAC。每个连接器模块19、21包括变压器23和在每个变压器23的下游的整流器25。图5示出了该实施例的示例，其中存在两个变压器23，其被并联连接并且馈送有交流电压UAC，其中在下游具有整流器25。在该情况下，整流器25的每个都由被连接为典型桥式整流器的四个二极管D1、D2、D3、D4组成，该桥式整流器优选地被连接到在下游的滤波电容器CG。
在这样的情况下，先前描述的在斩波器11中的直流电压去耦合装置提供了下述优点：变压器23的初级绕组没有必要加载直流分量，直流分量将导致变压器23中不期望的热量的蓄积。
由于通过斩波器11来生成的在此为+/-6V的具有精确稳定的电压电平的矩形交流电压UAC，位于变压器23的初级侧，所以在其次级侧可获得同样的具有精确稳定的电压电平的矩形次级电压。在这样的情况下，次级电压的矩形形状提供了下述优点：能够利用简单的整流直接从其产生的大程度恒定的直流电压UDC1、UDC2。这将是应用正弦交流电压的情况。因此，在此，有能力使用非常小的平滑电容器CG，诸如例如更加经济的陶瓷电容器。
其他优点在于，在整流器25的输出上可用的直流电压UDC1、UDC2的电压电平可经由每个变压器23的变压系数来自由地调节。
上述单元7、9中的一个可连接到每个连接器模块19、21。然后，对每个单元供应由相应的连接器模块19、21所产生的直流电压UDC1、UDC2；每个单元通过连接器模块19、21与测量变送器的所有其它组件流电隔离。在这样的情况下，需要完全不同的直流电压来对其进行供应的单元7、9能够通过对变压器23的相应选择来进行连接。
与此并行地，在给定的情况下，在单元7、9与数字单元5之间所需要的数字通信经由数字数据线路29、31来进行，该数字数据线路29、31配备有流电隔离装置27，例如光耦合器或变压器；数字数据线路29、31将特定单元7、9连接到数字单元5。在此，流电隔离装置27被优选地容纳在相应的连接器模块19、21中。
1电源
3直流电压发生器
5数字单元
7单元
9单元
11斩波器
13电平位移器
15输入侧干扰抑制电路
17输出侧干扰抑制电路
19连接器模块
21连接器模块
23变压器
25整流器
27流电隔离装置
29数据线路
31数据线路

Claims (14)

1.一种测量变送器，包括：
-电源(1)，
--所述电源(1)具有直流电压发生器(3)，所述直流电压发生器(3)用于产生稳定直流电压(UDC)；
-斩波器(11)，所述斩波器(11)连接到所述直流电压发生器(3)，
--所述斩波器(11)从所述稳定直流电压(UDC)中产生矩形交流电压(UAC)，
--其中：
所述斩波器(11)具有连接到由所述电压发生器(3)所生成的直流电压(UDC)的p-导电型场效应晶体管(p-FET)、以及与所述p-导电型场效应晶体管(P-FET)串联的连接到地(GND)的n-导电型场效应晶体管(n-FET)；
所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)和所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)通过经由其控制输入(Gp、Gn)所供应的预定时钟速率(Takt1、Takt2)的控制电压来以下述方式进行操作：在由所述时钟速率(Takt1、Takt2)预定的频率(f)处，所述两个场效应晶体管(p-FET或n-FET)被交替地切换成两个场效应晶体管中的一个(p-FET或n-FET)导通而另一个场效应晶体管(n-FET或p-FET)截止，反之亦然；并且
矩形交流电压经由布置在所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)和所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)之间的分接头(P2)来移除；
-数字单元(5)，所述数字单元(5)用于操作所述斩波器(11)；以及
-至少两个连接器模块(19、21)，所述至少两个连接器模块(19、21)彼此并联地连接到所述斩波器(11),
--其中，每个连接器模块(19、21)都具有变压器(23)，所述变压器(23)对所述矩形交流电压(UAC)进行变压，
--其中，每个连接器模块(19、21)都具有在相应的变压器(23)下游的整流器(25)；所述整流器(25)通过整流所变压后的矩形交流电压而产生直流电压(UDC1、UDC2)；并且
--其中，可连接单元(7、9)连接到每个连接器模块(19、21)；
---其中，经由每个可连接单元(7、9)的连接器模块(19、21)与所述测量变送器的所有其它组件流电隔离地对所述每个可连接单元(7、9)供应直流电压(UDC1、UDC2)。
2.根据权利要求1所述的测量变送器，其中，所述可连接单元(7、9)是传感器、所述测量变送器的电流输出和/或用于将所述测量变送器连接到上级单元的通信单元。
3.根据权利要求1所述的测量变送器，其中，所述可连接单元(7、9)中的至少一个经由配备有流电隔离装置(27)的数字数据线路(29、31)连接到所述数字单元(5)。
4.根据权利要求3所述的测量变送器，其中，所述流电隔离装置(27)被布置在所述连接器模块(19、21)中，所述可连接单元(7、9)要与所述连接模块(19、21)连接。
5.根据权利要求3所述的测量变送器，其中，所述流电隔离装置(27)是光耦合器或变压器。
6.根据权利要求1所述的测量变送器，其中
-所述数字单元(5)产生随预定时钟速率(Takt1、Takt2)变化的第一矩形控制电压和第二矩形控制电压(Ust1、Ust2)；
-所述第一矩形控制电压(Ust1)和所述第二矩形控制电压(Ust2)相对于彼此在时间上偏移半个周期；
-所述斩波器(11)包括电平位移器(13)，所述电平位移器(13)基于所述第一矩形控制电压(Ust1)来产生具矩形控制电压，所述矩形控制电压的电压电平高于所述第一矩形控制电压(Ust1)的电压电平并且所述矩形控制电压随所述第一矩形控制电压(Ust1)同步变化；其中，该具有较高的电压电平的矩形控制电压被施加到所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)的所述控制输入(GP)，并且控制所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)；并且
-所述第二矩形控制电压(Ust2)处于所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)的所述控制输入(Gn)上，并且经由所述第二矩形控制电压(Ust2)来控制所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)。
7.根据权利要求1所述的测量变送器，其中，在其间所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)和所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)不导通的死区时间(Δt)被设置在所述场效应晶体管(p-FET、n-FET)的各个的切换过程之间。
8.根据权利要求7所述的测量变送器，其中
-所述斩波器(11)具有串联连接并且以反相偏压进行操作的两个二极管(Z1、Z2)；所述两个二极管(Z1、Z2)被布置成与所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)和所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)并联，并且位于所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)和所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)的下游；
-将所述p-导电型场效应晶体管(p-FET)和所述n-导电型场效应晶体管(n-FET)之间的所述分接头(P2)连接到布置在所述两个二极管(Z1、Z2)之间的分接头(P3)；以及
-矩形交流电压经由布置在所述两个二极管(Z1、Z2)之间的所述分接头(P3)来移除。
9.根据权利要求1所述的测量变送器，其中，所述斩波器(11)在其输入侧和/或输出侧具有干扰抑制电路(15、17)；所述干扰抑制电路(15、17)对由所述斩波器(11)中的所述场效应晶体管(p-FET、n-FET、n-FETLS)的切换事件所引起的高频电流分量进行衰减。
10.根据权利要求9所述的测量变送器，其中，所述干扰抑制电路(15、17)对由所述斩波器(11)中的所述场效应晶体管(p-FET、n-FET、n-FETLS)的切换事件所引起的在兆赫范围内的频率的电流分量进行衰减。
11.根据权利要求1所述的测量变送器，其中，所述斩波器(11)在其输出侧具有直流电压去耦合装置；所述直流电压去耦合装置消除包含在所述斩波器(11)中生成的所述交流电压中的直流电压分量。
12.根据权利要求1所述的测量变送器，其中，由所述斩波器(11)产生的所述交流电压(UAC)具有小于100kHz的频率(f)。
13.根据权利要求12所述的测量变送器，其中，由所述斩波器(11)产生的所述交流电压(UAC)具有小于50kHz的频率(f)。
14.根据权利要求1所述的测量变送器，其中，所述整流器(25)是具有连接在下游的平滑电容器(CG)的桥式整流器。
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