CN102654460B

CN102654460B - 聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜及其制备方法和用途

Info

Publication number: CN102654460B
Application number: CN201110051812.5A
Authority: CN
Inventors: 王美玲; 孟国文
Original assignee: Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Current assignee: Hefei Institutes of Physical Science of CAS
Priority date: 2011-03-02
Filing date: 2011-03-02
Publication date: 2014-07-30
Anticipated expiration: 2031-03-02
Also published as: CN102654460A

Abstract

本发明公开了一种聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜及其制备方法和用途。传感膜由多孔氧化铝薄膜的孔内壁上依次覆有聚吡咯和异硫氰酸荧光素构成，其中的多孔氧化铝薄膜的厚度为70～90μm、孔密度为10⁹～10¹¹/cm²，孔为通孔，其孔直径为25～35nm；方法为先将吡咯乙醇水溶液和氯化铁水溶液依次滴加到多孔氧化铝薄膜上，再将其置于压力为≤0.1MPa的负压下至少10min后，使用去离子水和乙醇对其进行超声清洗，得到其表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜，随后，先将多孔氧化铝薄膜置于浓度为10^-3～10^-5M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡至少1h，再使用乙醇清洗掉其表面的异硫氰酸荧光素，制得目标产物。它可用于对痕量2，3，3′-三氯联苯进行有效地检测。

Description

聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜及其制备方法和用途

技术领域

本发明涉及一种复合传感膜及制备方法和用途，尤其是一种聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜及其制备方法和用途。

背景技术

近年来，使用阳极氧化法获得的多孔氧化铝薄膜因其具有孔洞排列均匀、孔径一致等优点而引起了人们广泛的关注，纷纷意欲利用其作为基础，来复合不同的物质，以探索和拓展应用范围，改善和提升原有性能，如在2003年12月10日公开的中国发明专利申请公开说明书CN 1460733A中披露的一种“交流电化学制备导电聚合物吡咯纳米材料的方法”。它是利用在酸溶液中阳极氧化高纯铝箔得到的AAO/Al复合电极为模板，并以其为工作电极，铂片为辅助电极，在吡咯的溶液中采用交流电化学方法在阳极氧化铝模板的孔内聚合形成导电聚吡咯的纳米材料。但是，无论是导电聚吡咯纳米材料，还是其制备方法，均存在着不足之处，首先，作为在多孔氧化铝膜板中复合聚吡咯而形成的导电聚吡咯纳米材料只是一种导电聚合物，其仅能用于导电，而不能作为他用，尤其是不能用于环境有毒污染物2，3，3′-三氯联苯(PCB20)的快速痕量检测；其次，制备方法不能制得对2，3，3′-三氯联苯进行快速痕量检测的复合多孔氧化铝薄膜。

发明内容

本发明要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处，提供一种可对环境有毒污染物2，3，3′-三氯联苯进行快速痕量检测的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜。

本发明要解决的另一个技术问题为提供一种上述聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的制备方法。

本发明要解决的还有一个技术问题为提供一种上述聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的用途。

为解决本发明的技术问题，所采用的技术方案为：聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜包括多孔氧化铝薄膜和其孔内的聚吡咯，特别是，

所述多孔氧化铝薄膜的孔内壁上依次覆有聚吡咯和异硫氰酸荧光素；

所述多孔氧化铝薄膜的厚度为70～90μm、孔密度为10⁹～10¹¹/cm²，薄膜中的孔为通孔，其孔直径为25～35nm。

作为聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的进一步改进，所述的聚吡咯的厚度为8～12nm。

为解决本发明的另一个技术问题，所采用的另一个技术方案为：上述聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的制备方法包括使用二次阳极氧化法获得多孔氧化铝薄膜，特别是完成步骤如下：

步骤1，先将浓度为0.4～0.6M的吡咯乙醇水溶液和浓度为0.8～1.2M的氯化铁水溶液依次滴加到多孔氧化铝薄膜上，再将其上带有吡咯乙醇水溶液和氯化铁水溶液的多孔氧化铝薄膜置于压力为≤0.1MPa的负压下至少10min后，使用去离子水和乙醇对其进行超声清洗，得到其表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜；

步骤2，先将表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜置于浓度为10^-3～10^-5M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡至少1h，再使用乙醇清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸荧光素，制得聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜。

作为聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的制备方法的进一步改进，所述的乙醇水溶液为乙醇与去离子水之间按体积比为1∶1配制而成；所述的使用二次阳极氧化法获得多孔氧化铝薄膜的过程为，先将铝片置于温度为1～5℃、浓度为0.2～0.4M的硫酸溶液中，于直流电压为25～29V下阳极氧化3～5h，再将其置于4～8wt％的磷酸和1.6～2wt％的铬酸的混和溶液中浸泡5～7h，接着，将其再置于同样的工艺条件下进行7～9h的阳极氧化后，先用氯化铜溶液或四氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用3～7wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层；所述的铝片的纯度为≥99.9％。

为解决本发明的还有一个技术问题，所采用的还有一个技术方案为：上述聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的用途为，

先使用紫外光照射受2，3，3′-三氯联苯污染的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜，再使用荧光光谱仪测量聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜中的聚吡咯、异硫氰酸荧光素的发射光谱强度，并计算聚吡咯和异硫氰酸荧光素两者发光强度的比值，得到2，3，3′-三氯联苯的含量。

作为聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的用途的进一步改进，所述的紫外光的波长范围为280～320nm和400～440nm。

相对于现有技术的有益效果是，其一，对制得的目标产物分别使用扫描电镜、透射电镜和紫外可见光谱仪进行表征，由表征结果可知，目标产物为多孔氧化铝薄膜的孔内壁上依次覆有聚吡咯(PPy)和异硫氰酸荧光素(FITC)。其中，多孔氧化铝薄膜的厚度为70～90μm、孔密度为10⁹～10¹¹/cm²，薄膜中的孔为通孔，其孔直径为25～35nm；聚吡咯的厚度为8～12nm。其二，对含有痕量2，3，3′-三氯联苯的目标产物使用稳态寿命荧光光谱仪来对其进行荧光转移效应的表征，由其结果可知：一是目标产物具有优异的光学性能，在对其分别用280～320nm和400～440nm的激发光源激发后，其分别在300～400nm和500～600nm波段有着很强的光致发光带，因而是一种较好的光致发光膜材料。二是目标产物随着内含PCB20浓度的增大，其330nm和532nm波长处的荧光强度比值不断地线性减弱，这种线性变化的荧光强度使目标产物具备了作为PCB20荧光传感器的基本条件。尤为重要的是，目标产物对浓度低至3.9×10^-10M的PCB20仍能有效地检测出。三是目标产物对于其它杂质的干扰，如2，2′，4，5，5′-五氯联苯(PCB101)、六氯苯(HB)、3，3′，4，4′-四氯联苯(PCB77)、五氯苯酚(PCP)，2，4，5-三氯联苯(PCB29)等，均有着非常广泛的选择性，即只能特异性地识别PCB20。四是目标产物对PCB20的选择性和灵敏度，远高于吡咯单体在正己烷溶液之中的选择性和灵敏度；这是因为合成的PPy膜的多孔结构，减少了PPy分子间电子和能量转移对能量造成的损失，因而增大了其荧光量子效率，增强了其发光能力，多孔结构的存在有利于探测分子进入PPy膜内与之发生相互作用，因此增大了其响应速度；负压沉积方法连同AAO多孔结构衬底的结合使用，增大了PPy管膜在AAO模板表面的附着性，避免了荧光测量过程中PPy向溶液中泄露对检测的影响，PPy的存在也在一定程度上有效地阻止了FITC分子的泄露；另外，AAO孔壁的保护作用减少了长时间的光漂白对FITC荧光特性的影响，因而提高了FITC作为内标的准确度和可靠性；PPy管膜结构增强了其比表面积，有利于探测分子的渗入接触，同时AAO的纳米孔道结构对于进入目标产物的PCB20分子，在一定程度上减弱了其运动，也就增强了其与PPy的作用概率，即这种结构提高了目标产物对探测分子的捕获作用。五是目标产物相对于已有的检测PCB20的方法，有着制作简易、灵敏度高、检测快捷和成本低廉的特点。目标产物检测痕量PCB20的机理为，基于PCB20的吸收光谱和PPy的发射光谱之间的部分重叠，以及PPy发射光谱受PCB20吸收光谱的影响程度与目标产物中PCB20的含量呈线性变化，以及FITC发射光谱基本不受PCB20浓度的影响之事实，使用两种不同波段的紫外光分别照射含有PCB20的目标产物，就可由目标产物330nm和532nm波长处的荧光强度比值变化量而得出目标产物中PCB20的含量。制得的目标产物可广泛地应用于环境、食品及医学等领域的样品检测之中。其三，制备方法科学、有效，既制备出了多孔氧化铝薄膜的孔内壁上依次覆有PPy和FITC的复合膜，又使PPy外的FITC仅为分子层的厚度，从而未影响到PPy的性能，使制备出的目标产物满足了对环境有毒污染物2，3，3′-三氯联苯进行快速痕量检测的要求，还有着制备设备简易、工艺简单、成本低廉、易于工业化生产的优点。

作为有益效果的进一步体现，一是聚吡咯的厚度优选为8～12nm，不仅满足了检测痕量2，3，3′-三氯联苯时对其灵敏度的要求，也保证了聚吡咯管壁应具备的机械强度；二是乙醇水溶液优选为乙醇与去离子水之间按体积比为1∶1配制而成，为获得较佳的吡咯乙醇水溶液奠定了基础；三是使用二次阳极氧化法获得多孔氧化铝薄膜的过程优选为，先将铝片置于温度为1～5℃、浓度为0.2～0.4M的硫酸溶液中，于直流电压为25～29V下阳极氧化3～5h，再将其置于4～8wt％的磷酸和1.6～2wt％的铬酸的混和溶液中浸泡5～7h，接着，将其再置于同样的工艺条件下进行7～9h的阳极氧化后，先用氯化铜溶液或四氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用3～7wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层，确保了获得的多孔氧化铝薄膜的适用性；四是铝片的纯度优选为≥99.9％，保证了多孔氧化铝薄膜的品质；五是紫外光的波长范围优选为280～320nm和400～440nm，保证了目标产物在300～400nm和500～600nm波段均有着很强的光致发光带。

附图说明

下面结合附图对本发明的优选方式作进一步详细的描述。

图1是分别对中间产物和制得的目标产物分别使用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外可见光谱(UV-vis)仪进行表征的结果之一。其中，图1A为中间产物——多孔氧化铝薄膜的SEM照片；图1B为在图1A所示的多孔氧化铝薄膜上进行负压沉积PPy后的高倍SEM照片，由其可看出，负压沉积PPy后的多孔氧化铝薄膜的孔径已明显地减小了，证实了PPy已沉积到多孔氧化铝薄膜的表面和其的纳米孔道内；图1C为图1B所示多孔氧化铝薄膜的管内壁上沉积有PPy纳米管的TEM照片；图1D为目标产物的UV-vis吸收光谱图，谱图中的200～300nm吸收带是PPy氮杂环π-7π*跃迁吸收的结果，420～520nm吸收带对应于FITC的吸收，其表明了PPy和FITC已成功的组装于多孔氧化铝薄膜之中；图1E为以激发波长为300nm的光对目标产物照射后，目标产物的UV-vis荧光光谱图，谱图中的330nm及530nm荧光峰分别对应于PPy和FITC的荧光发射。

图2是分别对采用浓度为0.1×(3.9×10^-10M)、0.2×(3.9×10^-10M)、0.3×(3.9×10^-10M)、0.4×(3.9×10^-10M)、0.5×(3.9×10^-10M)、0.6×(3.9×10^-10M)、0.7×(3.9×10^-10M)和0.8×(3.9×10^-10M)的2，3，3′-三氯联苯的正己烷溶液浸泡的目标产物使用稳态寿命荧光光谱仪进行表征的结果。由其可知，在对目标产物分别用280～320nm和400～440nm的激发光源激发后，其分别在300～400nm和500～600nm波段有着很强的光致发光带；且在PCB20浓度为0.1～10ppb的范围内时，目标产物中PPy的荧光强度随着PCB20浓度增大而减弱，说明PCB20对PPy有荧光淬灭作用，同时，FITC的荧光强度却几乎保持不变。

图3是分别对采用浓度为0.1～0.8×(3.9×10^-10M)、1×(3.9×10^-10M)、10×(3.9×10^-10M)、1500×(3.9×10^-10M)和2250×(3.9×10^-10M)的2，3，3′-三氯联苯的正己烷溶液浸泡的目标产物使用稳态寿命荧光光谱仪进行表征的结果。由其可知，在对目标产物分别用280m和420nm的激发光源激发后，结合图2所示的结果，可以以PPy作为检测PCB20的荧光指示试剂，而以FITC作为内标定，以两者的荧光强度的比值α＝F_PPy/F_FITC随PCB20浓度的变化作曲线，将其应用于PCB20的定量分析，其中F_PPy和F_FITC分别为目标产物处于一定浓度的PCB20溶液中时，其上的PPy和FITC的荧光强度，如图3中的插图所示。对于0.1～0.8×(3.9×1^-10M)的PCB20，α与PCB20浓度呈近似线性关系，线性拟合的结果如下方程所示：α＝1.19-0.07[PCB20]，其中[PCB20]以(3.9×10^-10M)为单位。如果以荧光淬灭百分比大于10％作为目标产物检测下限的标准，则目标产物能达到的最低检测限为0.1ppb，即3.9×10^-10M(如图2所示)，这样就达到了痕量探测的目的。

图4是基于图2和图3的结果，如果把不同浓度的PCB20的正己烷溶液中的FITC荧光强度近似看作定值，对于浓度在0.1～0.8×(3.9×10^-10M)的PCB20，根据Stern-Volmer方程(I₀和I分别为目标产物在正己烷溶剂及不同浓度的PCB20的正己烷溶液中时其上的PPy的荧光强度，[Q]＝[PCB20])，得到的Stern-Volmer曲线如图所示，由曲线斜率得到Stern-Volmer常数：K_sv＝2.96×10⁸/M，这比使用现有的检测方法得出的结果高出了3～5个数量级。

图5是对内含相同浓度的正己烷或2，2′，4，5，5′-五氯联苯(PCB101)或六氯苯(HB)或2，4，5-三氯联苯(PCB29)或五氯苯酚(PCP)或2，3，3′-三氯联苯(PCB20)或3，3′，4，4′-四氯联苯(PCB77)的目标产物使用稳态寿命荧光光谱仪进行表征的结果。图中的纵坐标为α，其含义如图3说明中所述。由图5可看出，目标产物对PCB20具有很好的选择性，其对PCB20的选择性不会因正己烷、2，2′，4，5，5′-五氯联苯(PCB101)、六氯苯(HB)、2，4，5-三氯联苯(PCB29)、五氯苯酚(PCP)和3，3′，4，4′-四氯联苯(PCB77)的同时存在而受到影响。

具体实施方式

首先从市场购得或用常规方法制得：

吡咯；乙醇水溶液，其中，乙醇水溶液为乙醇与去离子水之间按体积比为1∶1配制而成；氯化铁水溶液；去离子水；乙醇；异硫氰酸荧光素乙醇溶液；纯度≥99.9％的铝片；以及使用二次阳极氧化法制备多孔氧化铝薄膜，其过程为先将铝片置于温度为1～5℃、浓度为0.2～0.4M的硫酸溶液中，于直流电压为25～29V下阳极氧化3～5h，再将其置于4～8wt％的磷酸和1.6～2wt％的铬酸的混和溶液中浸泡5～7h，接着，将其再置于同样的工艺条件下进行7～9h的阳极氧化后，先用氯化铜溶液或四氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用3～7wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层，得到如或近似于图1A所示的多孔氧化铝薄膜。接着，

实施例1

制备的具体步骤为：

步骤1，先将浓度为0.4M的吡咯乙醇水溶液和浓度为0.8M的氯化铁水溶液依次滴加到多孔氧化铝薄膜上；再将其上带有吡咯乙醇水溶液和氯化铁水溶液的多孔氧化铝薄膜置于压力为0.06MPa的负压下12min后，使用去离子水和乙醇对其进行超声清洗，得到近似于图1B和图1C所示的其表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜。

步骤2，先将表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜置于浓度为10-3M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡1.2h；再使用乙醇清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸荧光素，制得近似于图1D和图1E中的曲线所示的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜。

实施例2

制备的具体步骤为：

步骤1，先将浓度为0.45M的吡咯乙醇水溶液和浓度为0.9M的氯化铁水溶液依次滴加到多孔氧化铝薄膜上；再将其上带有吡咯乙醇水溶液和氯化铁水溶液的多孔氧化铝薄膜置于压力为0.07MPa的负压下11.5min后，使用去离子水和乙醇对其进行超声清洗，得到近似于图1B和图1C所示的其表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜。

步骤2，先将表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜置于浓度为0.5×10^-3M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡1.2h；再使用乙醇清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸荧光素，制得近似于图1D和图1E中的曲线所示的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜。

实施例3

制备的具体步骤为：

步骤1，先将浓度为0.5M的吡咯乙醇水溶液和浓度为1M的氯化铁水溶液依次滴加到多孔氧化铝薄膜上；再将其上带有吡咯乙醇水溶液和氯化铁水溶液的多孔氧化铝薄膜置于压力为0.08MPa的负压下11min后，使用去离子水和乙醇对其进行超声清洗，得到如图1B和图1C所示的其表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜。

步骤2，先将表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜置于浓度为10^-4M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡1.1h；再使用乙醇清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸荧光素，制得如图1D和图1E中的曲线所示的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜。

实施例4

制备的具体步骤为：

步骤1，先将浓度为0.55M的吡咯乙醇水溶液和浓度为1.1M的氯化铁水溶液依次滴加到多孔氧化铝薄膜上；再将其上带有吡咯乙醇水溶液和氯化铁水溶液的多孔氧化铝薄膜置于压力为0.09MPa的负压下10.5min后，使用去离子水和乙醇对其进行超声清洗，得到近似于图1B和图1C所示的其表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜。

步骤2，先将表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜置于浓度为0.5×10^-4M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡1.1h；再使用乙醇清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸荧光素，制得近似于图1D和图1E中的曲线所示的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜。

实施例5

制备的具体步骤为：

步骤1，先将浓度为0.6M的吡咯乙醇水溶液和浓度为1.2M的氯化铁水溶液依次滴加到多孔氧化铝薄膜上；再将其上带有吡咯乙醇水溶液和氯化铁水溶液的多孔氧化铝薄膜置于压力为0.1MPa的负压下10min后，使用去离子水和乙醇对其进行超声清洗，得到近似于图1B和图1C所示的其表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜。

步骤2，先将表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜置于浓度为10^-5M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡1h；再使用乙醇清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸荧光素，制得近似于图1D和图1E中的曲线所示的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜。

聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的用途为，

先使用紫外光照射受2，3，3′-三氯联苯污染的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜，其中，紫外光的波长范围优选为280～320nm和400～440nm；再使用荧光光谱仪测量聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜中的聚吡咯、异硫氰酸荧光素的发射光谱强度，并计算聚吡咯和异硫氰酸荧光素两者发光强度的比值，得到2，3，3′-三氯联苯的含量。

显然，本领域的技术人员可以对本发明的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜及其制备方法和用途进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若对本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的制备方法，包括使用二次阳极氧化法获得多孔氧化铝薄膜，其特征在于完成步骤如下：

步骤2，先将表面和孔内壁上均覆有聚吡咯的多孔氧化铝薄膜置于浓度为10^-3～10^-5M的异硫氰酸荧光素乙醇溶液中浸泡至少1h，再使用乙醇清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸荧光素，制得聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜；

其中，复合传感膜由多孔氧化铝薄膜的孔内壁上依次覆有聚吡咯和异硫氰酸荧光素组成，多孔氧化铝薄膜的厚度为70～90μm、孔密度为10⁹～10¹¹/cm²，薄膜中的孔为通孔，其孔直径为25～35nm。

2.根据权利要求1所述的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的制备方法，其特征是乙醇水溶液为乙醇与去离子水之间按体积比为1∶1配制而成。

3.根据权利要求1所述的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的制备方法，其特征是使用二次阳极氧化法获得多孔氧化铝薄膜的过程为，先将铝片置于温度为1～5℃、浓度为0.2～0.4M的硫酸溶液中，于直流电压为25～29V下阳极氧化3～5h，再将其置于4～8wt％的磷酸和1.6～2wt％的铬酸的混和溶液中浸泡5～7h，接着，将其再置于同样的工艺条件下进行7～9h的阳极氧化后，先用氯化铜溶液或四氯化锡溶液去除背面未氧化的铝，再用3～7wt％的磷酸溶液腐蚀掉位于孔底部的氧化铝障碍层。

4.根据权利要求3所述的聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜的制备方法，其特征是铝片的纯度为≥99.9％。