JP5228891B2 - センサデバイス - Google Patents
センサデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5228891B2 JP5228891B2 JP2008328408A JP2008328408A JP5228891B2 JP 5228891 B2 JP5228891 B2 JP 5228891B2 JP 2008328408 A JP2008328408 A JP 2008328408A JP 2008328408 A JP2008328408 A JP 2008328408A JP 5228891 B2 JP5228891 B2 JP 5228891B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulating layer
- oxide
- porous insulating
- sensor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4145—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
Description
応用物理学会誌、74巻、第12号(2005)pp.1555−1562 Thin Solid Films 331(1998)51−54 工藤他、T.IEE Japan,Vol.118−A,No.10,(1998)P1166−1171 池上他、電子情報通信学会、OME2000−20,P47−51
図3は、本発明の第1実施例に係る縦型バイオトランジスタ単素子を模式的に示した断面図及び電気回路図である。
次に、本発明の第1実施例について説明する。図3に示す縦型バイオトランジスタ10は、例えば血液等の溶液中に浸漬されることにより用いられる。即ち、縦型バイオトランジスタ10におけるソース電極20、ドレイン電極40、ゲート電極30のすべてを溶液に浸した状態で前記電流を検出し、前記電流の値に基づき前記溶液又は前記溶液に含まれる材料の特性又は含まれる材料の含有量の計測を行なう。
GOD
C6H12O6+O2→C6H10O6+H2O2 (1)
血液中のヘモグロビンは、GOD72により酸化され、溶解中のイオン濃度が変化するため、バイアス電圧VDS及びゲート電圧VGの印加によりポテンシャルの増減を制御することで、ソース電極20からドレイン電極40に移動するキャリアの量が変動する。
次に、図5を用いて、バイオセンサの原理について説明する。図5は、バイオセンサの原理を示す図である。
次に、図6を用いて、本発明の第2実施例について説明する。図6は、本発明の第2実施例に係る縦型バイオトランジスタ単素子を模式的に示した断面図及び電気回路図である。
次に、図7を用いて、本発明の第3実施例について説明する。図7は、本発明の第3実施例に係る縦型バイオトランジスタ単素子を模式的に示した断面図及び電気回路図である。
次に、図8及び図9を用いて、図7に示した縦型バイオトランジスタ14の製造方法を説明する。図8は、縦型バイオトランジスタの製造方法を示す図である。また、図9は、図8に示した縦型バイオトランジスタ製造方法における基本工程(E)乃至(I)を、斜視透明図により示した図である。
次に、図10を用いて、本発明の第4実施例について説明する。図10は、本発明の第4実施例に係る縦型バイオトランジスタ単素子を模式的に示した断面図及び電気回路図である。
図7に示す縦型バイオトランジスタ14を作製する工程において、多孔質アルミナ62に換えて、酸化亜鉛を成膜してそれぞれソース電極20と、ドレイン電極40と、ゲート電極30とを形成した。この場合においても、上述した実施例と同様の動作が確認された。
また、上述した図7に示す縦型バイオトランジスタ14を作製する工程において、酸化亜鉛に換えて、酸化クロムを成膜してそれぞれソース電極20と、ドレイン電極40と、ゲート電極30を形成した。この場合においても、上述した実施例と同様の動作が確認された。
また、上述した図7に示す縦型バイオトランジスタ14を作製する工程において、アルミニウム(Al)214に換えて、Auを用いてドレイン電極40を形成した。この場合にも、上述した実施例と同様の動作が確認された。
また、上述した図7に示す縦型バイオトランジスタ14を作製する工程において、Auに換えて、Pdを用いてドレイン電極40を形成した。この場合にも、上述した実施例と同様の動作が確認された。
また、上述した図7に示す縦型バイオトランジスタ14を作製する工程において、Auに換えて、アルミニウム(Al)をドープした酸化亜鉛を用いてドレイン電極40を形成した。この場合にも、上述した実施例と同様の動作が確認された。
また、上述した図7に示す縦型バイオトランジスタ14を作製する工程において、Auに換えて、導電性ポリアニリンを用いてドレイン電極40を形成した。この場合にも、同様の動作が確認された。
また、上述した絶縁層の金属酸化物が、シリコン酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコン酸化物、ランタン酸化物、スカンジウム酸化物、プラセオジム酸化物、ビスマス酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物、イットリウム酸化物、シリコン窒化物よりなる群から選択される少なくとも一種の材料を含む構成においても好適であった。
11 バイオセンサ
20 ソース電極
30 ゲート電極
40 ドレイン電極
50 絶縁層
60 多孔部
62 多孔質アルミナ
63 第1の開口部
64 第2の開口部
66 アルミニウム
70 孔
72 グルコースオキシターゼ(GOD)
80 機能性膜
82 電気信号変換器
200 シリコン基板
210 シリコン酸化膜
212 レジスト
214 アルミニウム膜
216 多孔質アルミナ
300 絶縁ゲート電界効果トランジスタ
310 絶縁膜
320 分子認識材料
330 参照電極
Claims (10)
- 絶縁物の多孔質により形成される多孔質絶縁層と、
前記多孔質絶縁層の一方の面に形成される第1の開口部を有する第1の電極と、
前記多孔質絶縁層の他方の面に形成される前記第1の開口部に対応した第2の開口部を有する第2の電極と、
前記第2の電極上に形成される絶縁層と、
前記多孔質絶縁層の孔の内壁に配置された分子認識材料と、
を有することを特徴とするセンサデバイス。 - 第1の開口部を有する低抵抗基板と、
前記低抵抗基板の一方の面に形成される第1の電極と、
前記低抵抗基板の他方の面に形成される多孔質絶縁層と、
前記多孔質絶縁層上に形成される前記第1の開口部に対応した第2の開口部を有する第2の電極と、
前記第2の電極上に形成される絶縁層と、
前記多孔質絶縁層の孔の内壁に配置された分子認識材料と、
を有することを特徴とするセンサデバイス。 - 前記第1の電極及び前記第2の電極から離れた位置に、第3の電極が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサデバイス。
- 前記第1の電極、前記第2の電極及び多孔質絶縁層のすべてを溶液に浸し、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加することにより流れる電流値を検出し、前記電流値に基づき前記溶液又は前記溶液に含まれる物質の特性又は含まれる材料の含有量の計測を行なうことを特徴とする請求項1または2に記載のセンサデバイス。 - 前記第1の電極、前記第2の電極、前記第3の電極及び多孔質絶縁層のすべてを溶液に浸し、
前記第3の電極に一定の電圧を印加するとともに、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧を印加することにより流れる電流値を検出し、前記電流値に基づき前記溶液又は前記溶液に含まれる材料の特性又は含まれる材料の含有量の計測を行なうことを特徴とする請求項3に記載のセンサデバイス。 - 前記多孔質絶縁層における前記第1の開口部または前記第2の開口部のいずれかにおいて、前記多孔質絶縁層は、前記分子認識材料に対し前記第3の電極方向に凸状に形成されていることを特徴とする請求項3または5に記載のセンサデバイス。
- 前記多孔質絶縁層は、前記一方の面から前記他方の面に連通する複数の孔が設けられていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のセンサデバイス。
- 前記分子認識材料は、前記溶液又は前記溶液に含まれる物質と酸化還元反応を生じさせるものであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のセンサデバイス。
- 前記多孔質絶縁層は、金属酸化物を含み、
前記金属酸化物は、
(a)酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化ニオブ、五酸化タンタル、チタン酸バリウム、及び、チタン酸ストロンチウムから選択された一つの金属酸化物、
若しくは(b)酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化ビスマスから選択された一つの金属酸化物、
又は不純物をドーピングして形成された(a)若しくは(b)に記載された金属酸化物であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のセンサデバイス。 - 前記分子認識材料は、
(1)グルコースオキシダーゼ、ジアスターゼ、ペプシン、トリプシン、パパイン、ブロメラン、トロンビン、リパーゼ、モノオキシゲナーゼ、ATP合成酵素、ヌクレアーゼ、アミノアシルtRNAシンセテース、キナーゼ、フォスファターゼ、グリコシルトランスフェラーゼ、DNAメチラーゼの生体で起こる化学反応を触媒する物質である酵素と、それらの基質、
(2)(1)に記載の酵素と、NAD、NADP、FMN、FAD、チアミン二リン酸、ピリドキサールリン酸、コエンザイムA、リポ核酸、葉酸の補酵素、
並びに(3)大腸菌、納豆菌の枯草菌、シアノバクテリアの細菌、ウイルス、病原体の体内に入る蛋白質の抗原や、抗原に対して有効な反応性を持ったリンパ球の一種であるT細胞、B細胞、NK細胞が生み出す、糖たんぱく分子である抗体、
並びに(4)インヒビン、パラトルモン、カルシトニン、甲状腺刺激ホルモン、メラトニン、インスリン、グルカゴン、成長ホルモンのホルモンと、レセプターの組み合わせ、
前記(1)乃至(4)に記載の組み合わせの一方を、前記多孔質絶縁層の孔の内壁に固定化し、他方の物質を計測することを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のセンサデバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008328408A JP5228891B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-12-24 | センサデバイス |
US12/615,481 US20100126885A1 (en) | 2008-11-21 | 2009-11-10 | Sensor device and method of measuring a solution |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008298827 | 2008-11-21 | ||
JP2008298827 | 2008-11-21 | ||
JP2008328408A JP5228891B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-12-24 | センサデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010151540A JP2010151540A (ja) | 2010-07-08 |
JP5228891B2 true JP5228891B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=42195233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008328408A Expired - Fee Related JP5228891B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-12-24 | センサデバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100126885A1 (ja) |
JP (1) | JP5228891B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009002060B4 (de) * | 2009-03-31 | 2023-08-03 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Ionensensitiver Sensor mit Mehrfachschichtaufbau im sensitiven Bereich sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Sensors |
JP5459554B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2014-04-02 | 株式会社リコー | センサデバイス |
CN102654460B (zh) * | 2011-03-02 | 2014-07-30 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 聚吡咯、异硫氰酸荧光素与多孔氧化铝组成的复合传感膜及其制备方法和用途 |
EP2629086B1 (en) * | 2012-02-14 | 2018-04-25 | Honeywell Romania SRL | Molecule sensing and identification |
US10089930B2 (en) | 2012-11-05 | 2018-10-02 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Brightness compensation in a display |
WO2014098566A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Mimos Berhad | An ion sensitive field effect transistor |
JP6550694B2 (ja) * | 2014-07-08 | 2019-07-31 | 国立大学法人九州工業大学 | 細胞外電位計測デバイス及び細胞外電位計測方法 |
ITUB20152592A1 (it) * | 2015-07-29 | 2017-01-29 | Hft Smartsensors Inc | Dispositivo per la misurazione di parametri corporei e indumento che lo incorpora |
JP6656507B2 (ja) | 2015-09-18 | 2020-03-04 | Tianma Japan株式会社 | バイオセンサ及び検出装置 |
US9722125B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-08-01 | International Business Machines Corporation | Radiation sensor, method of forming the sensor and device including the sensor |
CN109946337B (zh) * | 2017-12-21 | 2022-01-04 | 王玉麟 | 血液检测方法 |
US20210030342A1 (en) * | 2019-08-02 | 2021-02-04 | Bionime Corporation | Micro biosensor and measuring method thereof |
SG10202103157SA (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-28 | Helios Bioelectronics Inc | Method for pathogen detection |
CN111591953B (zh) * | 2020-05-07 | 2022-08-05 | 南京航空航天大学 | 针状微电极及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8522785D0 (en) * | 1985-09-14 | 1985-10-16 | Emi Plc Thorn | Chemical-sensitive semiconductor device |
JP3548919B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2004-08-04 | カシオ計算機株式会社 | バイオセンサ |
AU9595298A (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Mercury Diagnostics Inc. | Membrane based electrochemical test device and related methods |
DE19907164C2 (de) * | 1999-02-19 | 2002-10-24 | Micronas Gmbh | Meßeinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung |
JP4438049B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2010-03-24 | キヤノン株式会社 | 電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 |
JP2007170850A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Osaka Univ | センサと検出方法 |
-
2008
- 2008-12-24 JP JP2008328408A patent/JP5228891B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-10 US US12/615,481 patent/US20100126885A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100126885A1 (en) | 2010-05-27 |
JP2010151540A (ja) | 2010-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5228891B2 (ja) | センサデバイス | |
Liao et al. | Highly selective and sensitive glucose sensors based on organic electrochemical transistors using TiO2 nanotube arrays-based gate electrodes | |
Bernards et al. | Enzymatic sensing with organic electrochemical transistors | |
Mabeck et al. | Chemical and biological sensors based on organic thin-film transistors | |
Nikolou et al. | Applications of poly (3, 4‐ethylenedioxythiophene) doped with poly (styrene sulfonic acid) transistors in chemical and biological sensors | |
US7695609B2 (en) | Nanobiosensor and carbon nanotube thin film transistors | |
Wang et al. | Advances in Organic Transistor‐Based Biosensors | |
CN107449812B (zh) | 一种在cmos标准工艺下的生物化学传感器 | |
Yin et al. | Glucose ENFET doped with MnO2 powder | |
Muguruma et al. | Electronically type-sorted carbon nanotube-based electrochemical biosensors with glucose oxidase and dehydrogenase | |
CN104520700A (zh) | 酶电极 | |
Alvi et al. | Highly efficient potentiometric glucose biosensor based on functionalized InN quantum dots | |
Jindal et al. | A novel low-powered uric acid biosensor based on arrayed pn junction heterostructures of ZnO thin film and CuO microclusters | |
Poghossian | Method of fabrication of ISFET-based biosensors on an Si–SiO2–Si structure | |
Ma et al. | Recent advances in ion‐sensitive field‐effect transistors for biosensing applications | |
Kim et al. | Self-powered biosensors using various light sources in daily life environments: integration of p–n heterojunction photodetectors and colorimetric reactions for biomolecule detection | |
Liao et al. | Preliminary investigations on a new disposable potentiometric biosensor for uric acid | |
Li et al. | Interface engineering of Si hybrid nanostructures for chemical and biological sensing | |
Sarcina et al. | Enzyme based field effect transistor: State‐of‐the‐art and future perspectives | |
JP2006308458A (ja) | バイオセンサ | |
US11056559B2 (en) | Gas sensor and method for manufacturing same | |
Wang et al. | Low-potential amperometric determination of NADH using a disposable indium-tin-oxide electrode modified with carbon nanotubes | |
JP5459554B2 (ja) | センサデバイス | |
Ji et al. | Highly sensitive glucose sensor based on organic electrochemical transistor with modified gate electrode | |
CN115791933A (zh) | 一种基于外延栅型场效应晶体管的生化传感器及其应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121128 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130304 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |