CN102651454A - 一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法 - Google Patents

一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法，所述电致发光器件依次包括基板、阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层和阴极层分别连接电源的正极和负极，其中还包括：用于调整电子迁移率的插入层，所述插入层设置在所述发光层中。本发明提供的实施例中，通过在发光层中设置插入层，以降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例，从而提高发光层的发光效率，同时有利于延长电致发光器件的使用寿命，电致发光器件发出的颜色也更加稳定。

Description

一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法
技术领域
本发明涉及电致发光的技术领域，具体地，涉及一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示技术与传统的LCD显示方式不同，OLED显示方式不需背光灯，而是采用非常薄的发光层和基板制作得到。由于OLED显示方式不需背光灯，因此OLED显示装置可以做得更轻、更薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能，所以，OLED显示技术越来越多普及。
图1为现有技术中电致发光器件的结构示意图。如图1所示，现有技术中电致发光器件依次包括基板101、阳极层102、发光层103和阴极层104，阳极层102和阴极层104分别连接到电源的正极和负极。其中，基板101可以是玻璃基板、TFT基板、聚酯类基板或聚酞亚胺化合物基板等；阳极层102通常采用无机金属氧化物，如氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等，也可以采用高功函数金属材料，如金、铜、银、铂等；阴极层104通常采用低功函数金属材料，如锂、镁、钙、锶、铝和铟等；发光层的材料主要包括荧光材料，如NPB(N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1)、DPVBI(4，4’-双(2，2-二苯乙烯基)联苯)等。
在现有技术中，研究人员纷纷致力于充分利用三重态激子和单重态激子得到高效率有机电致发光器件。但是，由于载流子的传输不是理想的，可能会有载流子的不平横注入，注入的载流子也不能百分之百复合发光，载流子复合形成的激子甚至可能发生猝灭，这就使得实际效率要远低于最高理论值。同时，当通过阳极层102和阴极层104在发光层103上施加电压时，由于空穴的迁移率要高于电子的迁移率，但是随着电压的增加，电子的迁移率增长速度要超过空穴的迁移率的增加速度，所以器件的复合区的位置也会随着电压的变化而变化，会使得器件的颜色会随着电压的改变而发生明显变化。有P掺杂以及N掺杂的器件，又使用有利于电子传输的基质来制作发光层，若是单一复合区的话，则发光区要更靠近于空穴传输层，这也会使多余的激子向空穴传输层扩散，无辐射衰减，导致发光层103中的电子和空穴等载流子的数量不匹配，降低了发光层103的发光效率，对于提高器件效率产生不利影响。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法，用于减弱电压变化对复合区的影响，解决现有技术中发光层中的电子和空穴的数量不匹配，发光层的发光效率低，颜色随电压改变的问题。
为此，本发明提供一种电致发光器件，依次包括基板、阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层和阴极层分别连接电源的正极和负极，其中还包括：
用于调整电子迁移率的插入层，所述插入层设置在所述发光层中。
其中，所述插入层包括阻挡电子传输的插入层，以使发光层中的电子和空穴的数量相匹配。
其中，所述插入层的厚度在1-20nm之间。
其中，所述插入层的最低未占轨道LUMO高于所述发光层的LUMO，所述插入层的最高已占轨道HOMO等于或低于所述发光层的HOMO，所述插入层的电子迁移率低于其空穴迁移率。
其中，所述插入层的材料包括：
芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物\金属配合物和咔唑类聚合物中的至少一种。
其中，所述插入层设置在所述发光层中包括：
所述发光层中设置有一层插入层，所述插入层将所述发光层分隔为第一发光子层和第二发光子层；
所述第一发光子层和所述第二发光子层的厚度占所述发光层的厚度的比例范围在1-99％之间。
其中，所述插入层设置在所述发光层中包括：
所述发光层中设置有至少两层插入层，所述至少两层插入层将所述发光层分隔为至少三层发光子层，各发光子层的厚度的厚度占所述发光层的厚度的比例范围在1-99％之间。
其中，所述电致发光器件还包括：电子传输层和空穴传输层；
所述电子传输层位于所述阴极层和发光层之间，所述空穴传输层位于所述阳极层和发光层之间。
其中，所述电致发光器件还包括：电子与激子阻挡层、空穴与激子阻挡层；
所述电子与激子阻挡层设置在所述空穴传输层和发光层之间，所述空穴与激子阻挡层设置在所述电子传输层和所述发光层之间。
本发明还提供一种显示装置，其中，包括上述的任意一种电致发光器件。
本发明还提供一种电致发光器件的制备方法，包括在基板上依次制备阳极层、发光层、设置在所述发光层中的用于调整电子迁移率的插入层，以及阴极层，所述发光层至少包括第一发光子层和第二发光子层，其中，制备所述发光层和所述插入层包括：
制备所述第一发光层；
在所述第一发光子层上沉积插入层；
在所述插入层上制备所述第二发光层。
本发明具有下述有益效果：
本发明提供的电致发光器件，通过在发光层中设置插入层，以降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例，从而提高发光层的发光效率，同时有利于延长电致发光器件的使用寿命，电致发光器件发出的颜色也更加稳定。
本发明提供的显示装置和电致发光器件制备方法，也具备上述的有益效果。
附图说明
图1为现有技术中电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明电致发光器件第一实施例的结构示意图；
图3为本发明电致发光器件第二实施例的结构示意图；
图4为本发明电致发光器件第三实施例的结构示意图；
图5为本发明电致发光器件的制备方法第一实施例的流程图；
图6为本发明电致发光器件的制备方法第二实施例的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法进行详细描述。
图2为本发明电致发光器件第一实施例的结构示意图。如图2所示，本实施例电致发光器件依次包括基板101、阳极层102、发光层和阴极层104，其中，发光层包括第一发光子层1031和第二发光子层1032，在第一发光子层1031和第二发光子层1032之间设置有调整电子传输的插入层105，以使发光层中的电子和空穴的数量相匹配。
在实际应用中，以第一发光子层1031和第二发光子层1032的厚度比来定义插入层105的位置，可选地，第一发光子层1031和第二发光子层1032的厚度占发光层总厚度的1-99％之间，第一发光子层1031和第二发光子层1032的厚度所占发光层总厚度的比例之和为1。插入层105的厚度范围可以在1-20nm之间，发光层可以为不掺杂的荧光材料发光层、掺杂荧光材料的有机材料层或者是掺杂磷光材料的有机发光层。
示例性的，发光层可以是以下几种：
所述发光层为不掺杂的荧光发光的有机材料层，例如NPB，Alq3(8-羟基喹啉铝)，DPVBI(4，4’-双(2，2-二苯乙烯基)联苯)等有传输能力的发光材料组成；
可替代地，所述发光层为掺杂荧光材料的有机材料层，例如荧光掺杂剂与基质材料组成；
可替代地，所述发光层为掺杂磷光材料的有机材料层(磷光掺杂剂与基质材料组成)
所述有传输能力的发光材料包括NPB、Alq3、DPVBI。
所述荧光掺杂剂包括：香豆素染料(coumarin 6、C-545T)、喹吖啶酮(DMQA)、DCM系列等。
所述磷光掺杂剂为基于Ir、Pt、Ru、Cu等金属配合物发光材料，比如：FIrpic、Fir6、FirN4、FIrtaz、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、PtOEP、(btp)2Iracac、Ir(piq)2(acac)、(MDQ)2Iracac等。
所述基质材料包括：金属配合物材料、咪唑类材料、邻菲罗林衍生物等，比如：8-羟基喹啉铝(Alq3)、Liq、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(Balq)、1，3，5-三(N-苯基-2-笨并咪唑-2)苯(TPBI)、BCP、Bphen、9，10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、TAZ、CBP、MCP、TCTA(4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)、NPB等。
在实际应用中，插入层105具有电子阻挡功能，示例性地，插入层105的材料可以包括如下材料中的至少一种：芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、以及咔唑类聚合物。例如，插入层105的材料可以包括：NPB、TCTA、ADN、TPD(三苯基二胺)、CuPc(酞箐铜)、聚乙烯咔唑或者其单体等有电子阻挡性能的有机材料，或者有电子阻挡性能的无机材料等。
进一步的，本实施例中在发光层中设置一层插入层的技术，可以用于顶发射结构的器件中，包括蓝光顶发射器件、有机聚合物顶发射发光器件等。
本实施例中，通过在发光层中设置插入层，以降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例，从而提高发光层的发光效率，同时有利于延长电致发光器件的使用寿命，电致发光器件发出的颜色也更加稳定。
图3为本发明电致发光器件第二实施例的结构示意图。如图3所示，在本实施例中，发光层中包括有两层插入层105，两层插入层105将发光层分成三个发光子层，分别为第一发光子层1031、第二发光子层1032和第三发光子层1033。以第一发光子层1031、第二发光子层1032和第三发光子层1033的厚度比来定义插入层105的位置，可选地，每一层发光子层之间的厚度占发光层厚度的比例范围在1-99％之间，第一发光子层1031、第二发光子层1032和第三发光子层1033的厚度所占发光层总厚度的比例之和为1；两层插入层105的厚度范围在1-20nm之间，例如可以分别为3nm和5nm等，在实际应用中，还可以根据发光层中电子或空穴的迁移率在发光层中设置三层或更多的插入层105，增加发光层中电子和空穴复合的数量，提高电子和空穴的复合比例。
在本实施例中，无掺杂的荧光材料包括NPB、DPVBI；掺杂的荧光材料和掺杂的磷光材料的基质材料可以包括金属配合物材料、咪唑类材料、邻菲罗林衍生物等，其中，荧光掺杂剂有香豆素染料(C-545T)、喹吖啶酮(DMQA)等，磷光掺杂剂为基于Ir、Pt、Ru、Cu等金属配合物发光材料，比如：FIrpic、Fir6、FirN4、FIrtaz、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、PtOEP、(btp)2Iracac、Ir(piq)2(acac)、(MDQ)2Iracac等。
在实际应用中，插入层105的最低未占轨道(Lowest UnoccupiedMolecular Orbital，LUMO)高于发光层的LUMO，插入层105的最高已占轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)等于或低于发光层的HOMO，插入层105的电子迁移率低于空穴迁移率。
图4为本发明电致发光器件第三实施例的结构示意图。如图4所示，本实施例电致发光器件还包括电子传输层106和空穴传输层107，其中，发光层中包括一层插入层105，电子传输层106位于阴极层104和发光层之间，用于传输电子；空穴传输层107位于阳极层102和发光层，用于传输空穴。电子传输层106和空穴传输层107可以确保注入的电子和空穴是在发光层中复合，增加电子和空穴的复合比例，提高发光层的发光效率。
进一步的，本实施例电致发光器件还包括电子与激子阻挡层108和空穴与激子阻挡层109，电子与激子阻挡层108位于空穴传输层107和发光层之间，空穴与激子阻挡层109位于电子传输层106和发光层之间；通过电子与激子阻挡层108和空穴与激子阻挡层109对载流子和激子的阻挡作用，可以增加发光层中的载流子和激子的数量，提高发光层的发光效率。
进一步的，本实施例电致发光器件还包括空穴注入层110，空穴注入层110位于阳极层102和空穴传输层107之间，空穴注入层110可以增加发光层中空穴和激子的数量，提高发光层的发光效率，
本实施例中，空穴注入层110的材料可以采用星形的三苯胺化合物、金属配合物、P掺杂的有机层或聚合物，例如：三-[4-(5-苯基-2-噻吩基)苯]胺、4，4’4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)、4，4’，4”-三-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(m-MTDATA)、酞箐铜(CuPc)或Pedot:Pss等。
空穴传输层107和电子与激子阻挡层108的材料可以采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物以及咔唑类聚合物等，例如NPB、三苯基二胺(TPD)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)以及聚乙烯咔唑或者其单体。
电子传输层106和空穴与激子阻挡层109的材料可以采用金属配合物材料、噁二唑类电子传输材料、咪唑类材料、邻菲罗林衍生物或上述材料以一定比例的混合物等，例如8-羟基喹啉铝(Alq3)、8-羟基喹啉锂(Liq)、8-羟基喹啉镓、双[2-(2-羟基苯基-1)-吡啶]铍、2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、1，3，5-三(N-苯基-2-笨并咪唑-2)苯(TPBI)、BCP、以及Bphen等。
本实施例中，在发光层中设置一层或多层插入层，还在发光层的两侧设置电子传输层和空穴传输层，以及设置电子与激子阻挡层和空穴与激子阻挡层等，以降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例，从而提高发光层的发光效率，同时，也延长电致发光器件的使用寿命，改善电致发光器件的发光颜色纯度，使电致发光器件发出的颜色也更加稳定。
本发明还提供一种显示装置，其中，本实施例中的显示装置包括上述的任意一种电致发光器件。
本发明的实施例在发光层插入一个或多个有电子阻挡作用的插入层，此插入层为超薄层。例如，可以在白光器件中不同颜色发光层中插入，改善器件发光颜色随电压的改变。也可以在P-i-N器件中插入，防止复合区移到发光层与空穴传输层的边界，减少激子损失。
本发明还提供一种电致发光器件的制备方法，以得到如图2、3或4所示的电致发光器件。图5为本发明电致发光器件的制备方法第一实施例的流程图。如图5所示，本实施例电致发光器件的制备方法的流程包括如下步骤：
步骤501、在基板上制备阳极层。
在本步骤中，选用丙酮或去离子水对透明基板101进行超声波清洗，然后用干燥氮气吹干基板101，在基板101上沉积透明的金属薄膜ITO，该金属薄膜即为阳极层102，然后进入步骤502。
步骤502、在完成上述步骤的基板上制备发光层。
在本步骤中，在真空度为2×10-4Pa的真空室中制备发光层过程中。在阳极层102上依次沉积空穴注入层110、空穴传输层107和电子与激子阻挡层108，然后再沉积发光层中的第一发光子层1031、插入层105和第二发光子层1032，再在第二发光子层1032沉积空穴与激子阻挡层109和电子传输层106。其中，插入层105采用厚度为4nm的TCTA，第一发光子层1031和第二发光子层1032的厚度分别为4nm和6nm；上述各有基层的沉积速度为0.08nm/s。
其中，步骤502中的依次沉积空穴注入层110、空穴传输层107和电子与激子阻挡层108，以及在第二发光子层1032沉积空穴与激子阻挡层109和电子传输层106的步骤可以省去。
步骤503、在完成上述步骤的基板上制备阴极层。
在本步骤中，在完成上述步骤的基板上制备阴极层104，阴极层104可以采用锂、镁、钙、锶或铝等金属材料，其厚度为200nn。
在实际应用中，可以在发光层中制备大于一层的插入层105，以将发光层分隔为至少三层发光子层。以降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例。
本实施例中，通过在发光层中设置一层或多层插入层，以平衡载流子注入，降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例，从而提高发光层的发光效率，同时有利于延长电致发光器件的使用寿命，器件的颜色的纯度也更加稳定。
图6为本发明电致发光器件的制备方法第二实施例的流程图。如图6所示并参阅图3和图4，本实施例电致发光器件的制备方法具体流程包括如下步骤：
步骤601、清洗基板。
在本步骤中，选用丙酮或去离子水对透明基板101进行超声波清洗，清洗后用干燥氮气吹干。
步骤602、在基板上沉积阳极层。
在本步骤中，在基板101上沉积透明的金属薄膜ITO，该金属薄膜即为阳极层102，其中，ITO薄膜的方块电阻为25Ω/□(欧姆每个方块)。
步骤603、对完成上述步骤的基板进行紫外光处理。
在本步骤中，对完成上述步骤的基板进行紫外光处理，以进一步清洁基板101，同时提高其功函数。
步骤604、在完成上述步骤的基板上依次制备空穴注入层和空穴传输层。
在本步骤中，空穴注入层110的材料为Meo-TPD:F4TCNQ，厚度为100nm，空穴传输层107的材料为NPB，厚度为20nm。
步骤605、在完成上述步骤的基板上依次制备第一发光子层、插入层、第二发光子层、插入层、第三发光子层。
在本步骤中，第一发光子层1031的材料为MADN:DSA-Ph，厚度为10nm，第二发光子层1032和第三发光子层1033的材料均为TPBI:(MDQ)2Ir(acac)，厚度均为10nm；其中，第二发光子层1032两侧的两层插入层105的材料均为TCTA，厚度均为4nm。
步骤606、在完成上述步骤的基板上依次制备空穴与激子阻挡层和电子传输层。
在本步骤中，空穴与激子阻挡层109采用的材料为Bphen，厚度为10nm，电子传输层106的材料为Bphen:Li，厚度为40nm。
步骤607、在完成上述步骤的基板上依次制备阴极层。
在本步骤中，在完成上述步骤的基板上采用蒸镀的方式沉积一层铝，沉积速度为1.5nm/s，厚度为200nm，即得到阴极层104，从而得到电致发光器件。
然后，可以制备得到的电致发光器件进行电流-电压-亮度特性的检测，同时还可以检测其发光光谱，也可以计算出其发光效率。
在实际应用中，发光层也可以只包括第一发光子层1031和第二发光子层1032两层发光子层，其中，第一发光子层1031的材料为TPBI:Ir(ppy)3，厚度为10nm，第二发光子层1032的材料为CBP:Ir(ppy)3，厚度为20nm；两层发光子层之间设置一层插入层105材料可以为TCTA，厚度为4nm。
本实施例中，通过在发光层中设置一层或多层插入层，以平衡载流子注入，降低电压对发光层中电子和空穴复合的影响，增加发光层中电子和空穴等载流子复合的数量，提高电子和空穴的复合比例，从而提高发光层的发光效率，同时有利于延长电致发光器件的使用寿命，器件的颜色的纯度也更加稳定。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种电致发光器件，依次包括基板、阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层和阴极层分别连接电源的正极和负极，其特征在于还包括：
用于调整电子迁移率的插入层，所述插入层设置在所述发光层中。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述插入层包括阻挡电子传输的插入层，以使发光层中的电子和空穴的数量相匹配。
3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述插入层的厚度在1-20nm之间。
4.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述插入层的LUMO高于所述发光层的LUMO，所述插入层的HOMO等于或低于所述发光层的HOMO，所述插入层的电子迁移率低于其空穴迁移率。
5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述插入层的材料包括：
芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物和咔唑类聚合物中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述插入层设置在所述发光层中包括：
所述发光层中设置有一层插入层，所述插入层将所述发光层分隔为第一发光子层和第二发光子层；
所述第一发光子层和所述第二发光子层的厚度占所述发光层的厚度的比例范围在1-99％之间。
7.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述插入层设置在所述发光层中包括：
所述发光层中设置有至少两层插入层，所述插入层将所述发光层分隔为至少三层发光子层，各发光子层的厚度的厚度占所述发光层的厚度的比例范围在1-99％之间。
8.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于还包括：电子传输层和空穴传输层；
所述电子传输层位于所述阴极层和发光层之间，所述空穴传输层位于所述阳极层和发光层之间。
9.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于还包括：电子与激子阻挡层、空穴与激子阻挡层；
所述电子与激子阻挡层设置在所述空穴传输层和发光层之间，所述空穴与激子阻挡层设置在所述电子传输层和所述发光层之间。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的电致发光器件。
11.一种电致发光器件的制备方法，包括在基板上依次制备阳极层、发光层、设置在所述发光层中的用于调整电子迁移率的插入层，以及阴极层，所述发光层至少包括第一发光子层和第二发光子层，其特征在于，
制备所述发光层和所述插入层包括：
制备所述第一发光层；
在所述第一发光子层上沉积插入层；
在所述插入层上制备所述第二发光层。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013159514A1 (zh) * 2012-04-25 2013-10-31 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法
CN103887436A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 厦门天马微电子有限公司 一种有机发光二极管
CN104051631A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN106252523A (zh) * 2016-09-30 2016-12-21 福州大学 一种提高有机发光器件发光效率的新型结构
CN106783932A (zh) * 2016-12-30 2017-05-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置
CN109585668A (zh) * 2019-01-10 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件、显示面板、oled显示器件的制备方法
CN113097402A (zh) * 2021-04-12 2021-07-09 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法和显示面板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505463A (zh) * 2014-09-28 2015-04-08 桂林电子科技大学 一种双层发光层结构的白光oled器件
CN104795507B (zh) * 2015-04-16 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制造方法、电子设备
US10411213B2 (en) * 2017-07-03 2019-09-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd White LED with two blue layers and a yellow layer and the display panel thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313553A (ja) * 2001-04-06 2002-10-25 Kansai Tlo Kk 高速動作有機ｅｌ素子
US20060084347A1 (en) * 2002-12-31 2006-04-20 Eastman Kodak Company Using hole-or electron-blocking layers in color oleds
CN1906976A (zh) * 2004-04-02 2007-01-31 出光兴产株式会社 隔着电子阻挡层具有两个发光层的有机电致发光元件
CN101055923A (zh) * 2006-04-13 2007-10-17 Lg电子株式会社 有机电致发光器件及其制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007287652A (ja) * 2006-03-23 2007-11-01 Fujifilm Corp 発光素子
CN102651454B (zh) 2012-04-25 2015-02-11 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313553A (ja) * 2001-04-06 2002-10-25 Kansai Tlo Kk 高速動作有機ｅｌ素子
US20060084347A1 (en) * 2002-12-31 2006-04-20 Eastman Kodak Company Using hole-or electron-blocking layers in color oleds
CN1906976A (zh) * 2004-04-02 2007-01-31 出光兴产株式会社 隔着电子阻挡层具有两个发光层的有机电致发光元件
CN101055923A (zh) * 2006-04-13 2007-10-17 Lg电子株式会社 有机电致发光器件及其制造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013159514A1 (zh) * 2012-04-25 2013-10-31 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件、显示装置和电致发光器件制备方法
US9209416B2 (en) 2012-04-25 2015-12-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Electroluminescent element, display device and method for preparing electroluminescent element
CN103887436A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 厦门天马微电子有限公司 一种有机发光二极管
EP2747160A3 (en) * 2012-12-21 2015-08-12 Xiamen Tianma Micro_Electronics Co., Ltd Organic light emitting diode
CN103887436B (zh) * 2012-12-21 2016-12-28 厦门天马微电子有限公司 一种有机发光二极管
CN104051631A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN106252523A (zh) * 2016-09-30 2016-12-21 福州大学 一种提高有机发光器件发光效率的新型结构
CN106783932A (zh) * 2016-12-30 2017-05-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及装置
CN109585668A (zh) * 2019-01-10 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件、显示面板、oled显示器件的制备方法
US11737296B2 (en) 2019-01-10 2023-08-22 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED display device, display panel and manufacturing method of OLED display device
CN113097402A (zh) * 2021-04-12 2021-07-09 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法和显示面板
CN113097402B (zh) * 2021-04-12 2024-04-16 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法和显示面板

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