CN102651413B - 太阳能电池模块、电子装置及太阳能电池的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种太阳能电池模块、电子装置及太阳能电池的制造方法，该太阳能电池模块包含第一太阳能电池与第二太阳能电池。第一太阳能电池包含第一金属基板、第一光电转换层、第一上电极层、第一P-N接合半导体与第一下电极层。第二太阳能电池包含第二金属基板、第二光电转换层、第二上电极层、第二P-N接合半导体与第二下电极层。第一光电转换层与第一P-N接合半导体分别位于第一金属基板的第一表面与第二表面上。第二光电转换层与第二P-N接合半导体分别位于第二金属基板的第一表面与第二表面上。第二下电极层位于第二P-N接合半导体相对于第二金属基板的对侧，且电性耦接第一金属基板。本发明可避免阴影效应导致电力无法输出，使太阳能电池模块能持续工作而不损坏。
Description
技术领域
本发明是有关一种太阳能电池模块，且特别有关一种具有二极管旁通电路的太阳能电池模块。
背景技术
近年来，太阳能电池模块已广泛地应用于可携式电子装置与大楼的屋顶及外墙。太阳能电池模块通常具有复数个太阳能电池。当太阳能电池模块中的其中一个太阳能电池被遮蔽时，由于阴影效应会导致电力无法正常输出。此外，受遮蔽的太阳能电池还有可能产生高热，而造成太阳能电池模块损坏。习知解决太阳能电池阴影效应的方法，是在每一太阳能电池旁加装二极管，在太阳能电池无法提供正常电力的时候，提供另一个通过二极管的电流路径，使太阳能电池模块能持续工作而不损坏。
图1绘示现有太阳能电池模块100未被遮蔽时的示意图。太阳能电池模块100包含太阳能电池110与二极管130。导线120电性耦接于所有太阳能电池110，且二极管130通过导线132与太阳能电池110并联。当太阳140照射太阳能电池模块100时，由于太阳能电池110未被遮蔽，因此电流I1可沿导线120流动。
图2绘示图1的现有太阳能电池模块100部分被遮蔽时的示意图。当其中一个太阳能电池110被乌云150遮蔽时，由于被遮蔽的太阳能电池110无法提供正常电力，此时电流I2可不经被遮蔽的太阳能电池110而通过导线132通过二极管130，使太阳能电池模块100能持续工作而不损坏。
然而，由于二极管130占有太阳能电池模块100的面积，因此在太阳能电池模块100设计上，设计者可能会为了设置二极管130而设置较小面积的太阳能电池110，使输出的电力降低。或者，增加太阳能电池模块100的面积，而提高材料的成本。此外，由于二极管130具有至少1mm的厚度，设计者可能为了提高太阳能电池模块100的平整度，而增加整体太阳能电池模块100的厚度。因此，现有太阳能电池模块100不利于可携式电子装置的应用。另一方面，二极管130设置于太阳能电池模块100的工艺并无法省略，而增加了制造的成本。
发明内容
本发明的一技术态样为一种太阳能电池模块。
根据本发明一实施方式，一种太阳能电池模块包含第一太阳能电池与第二太阳能电池。第一太阳能电池包含第一金属基板、第一光电转换层、第一上电极层、第一P-N接合半导体与第一下电极层。第二太阳能电池包含第二金属基板、第二光电转换层、第二上电极层、第二P-N接合半导体与第二下电极层。第一金属基板具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。第一光电转换层位于第一金属基板与第一表面相同的一侧。第一上电极层位于第一光电转换层上。第一P-N接合半导体位于第一金属基板与第二表面相同的一侧。第一下电极层位于第一P-N接合半导体相对于第一金属基板的对侧。第二金属基板具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。第二光电转换层位于第二金属基板与第一表面相同的一侧。第二上电极层位于第二光电转换层上，且电性耦接第一金属基板。第二P-N接合半导体位于第二金属基板与第二表面相同的一侧。第二下电极层位于第二P-N接合半导体相对于第二金属基板的对侧，且电性耦接第一金属基板。
其中，该第一光电转换层包含：一第一P型半导体层，位于该第一金属基板的该第一表面上；一第一I型半导体层，位于该第一P型半导体层上；以及一第一N型半导体层，位于该第一I型半导体层上。
其中，该第一P-N接合半导体包含：一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；以及一第二P型半导体层，位于该第二N型半导体层上，且位于该第二N型半导体层与该第一下电极层之间。
其中，该第二光电转换层包含：一第三P型半导体层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的一侧；一第二I型半导体层，位于该第三P型半导体层上；以及一第三N型半导体层，位于该第二I型半导体层上。
其中，该第二P-N接合半导体包含：一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；以及一第四P型半导体层，位于该第四N型半导体层上，且位于该第四N型半导体层与该第二下电极层之间。
其中，该第一P-N接合半导体包含：一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；一第一绝缘体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧且紧邻该第二N型半导体层；以及一第二P型半导体层，位于该第一绝缘体上，且位于该第一绝缘体与该第一下电极层之间。
其中，该第二P-N接合半导体包含：一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；一第二绝缘体，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧且紧邻该第四N型半导体层；以及一第四P型半导体层，位于该第二绝缘体上，且位于该第二绝缘体与该第二下电极层之间。
其中，该第一金属基板与该第二金属基板的材质选自由金、银、铜、铁、锡、铟、铝及铂所组成的群组中的一种材质；该第一光电转换层欧姆接触该第一金属基板的该第一表面，该第一P-N接合半导体欧姆接触该第一金属基板的该第二表面；该第二光电转换层欧姆接触该第二金属基板的该第一表面，该第二P-N接合半导体欧姆接触该第二金属基板的该第二表面；该第一上电极层、该第一下电极层、该第二上电极层与该第二下电极层的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物；该第一光电转换层与该第二光电转换层的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒、砷化镓或聚合物；该第一P-N接合半导体与该第二P-N接合半导体的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒或砷化镓。
本发明的一技术态样为一种电子装置。
根据本发明一实施方式，一种电子装置包含显示器、输入接收单元、控制单元与上述太阳能电池模块。显示器用以显示影像。输入接收单元用以接受输入命令。控制单元电性耦接显示器与输入接收单元，用以根据输入接收单元接收的输入命令控制显示器显示对应的影像。太阳能电池模块电性耦接显示器、输入接收单元及控制单元，用以提供显示器、输入接收单元及控制单元电源。
本发明的一技术态样为一种太阳能太阳能电池的制造方法。
根据本发明一实施方式，一种太阳能电池的制造方法，包含下列步骤：
提供第一金属基板，其具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。
在第一表面上沉积或涂布第一P型半导体层。
在第一P型半导体层上沉积或涂布第一I型半导体层。
在第一I型半导体层上沉积或涂布第一N型半导体层。
在第一N型半导体层上形成第一上电极层。
在第二表面上沉积或涂布第二N型半导体层。
在第二N型半导体层上沉积或涂布第二P型半导体层。
在第二P型半导体层上形成第一下电极层。
在本发明上述实施方式中，第二上电极层位于第二光电转换层上且电性耦接第一金属基板。第二P-N接合半导体位于第二金属基板的第二表面上。此外，第二下电极层位于第二P-N接合半导体相对于第二金属基板的对侧，且电性耦接第一金属基板。当使用此太阳能电池模块时，第二太阳能电池并未被遮蔽，电流可从第一金属基板经由第二上电极层流入，并经过第二光电转换层后从第二金属基板流出。当第二太阳能电池被遮蔽时，电流可从第一金属基板经由第二下电极层流入，并经过第二P-N接合半导体后从第二金属基板流出。也就是说，太阳能电池模块的太阳能电池虽未电性耦接二极管，但仍可具有二极管等效电路，以避免阴影效应导致电力无法输出，使太阳能电池模块能持续工作而不损坏。
此外，第二P-N接合半导体与第二下电极层可在制作太阳能电池时形成，不会增加太阳能电池模块的工艺难度，并可节省现有设置二极管与导线于太阳能电池旁的工艺与材料成本。再者，此太阳能电池模块不会受限于二极管而增加面积，因此可增加太阳能电池的面积，使太阳能电池模块输出的电力增加。此外，由于此太阳能电池模块可同时减少其厚度与面积，利于可携式电子装置的应用。
附图说明
图1绘示现有太阳能电池模块未被遮蔽时的示意图。
图2绘示图1的现有太阳能电池模块部分被遮蔽时的示意图。
图3绘示根据本发明一实施方式的太阳能电池模块的俯视图。
图4绘示图3的太阳能电池模块沿线段4-4’的剖面图。
图5绘示图4的太阳能电池模块未被遮蔽时的示意图。
图6绘示图5的太阳能电池模块部分被遮蔽时的示意图。
图7绘示图4的太阳能电池模块的二极管等效电路的示意图。
图8绘示根据本发明另一实施方式的太阳能电池模块的剖面图。
图9绘示图8的太阳能电池模块部分被遮蔽时的示意图。
图10绘示根据本发明一实施方式的电子装置的方块图。
图11绘示根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法的流程图。
图12绘示根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法的流程图。
其中，附图标记：
100：太阳能电池模块 120：导线
132：导线 150：乌云
210：第一太阳能电池 212：第一金属基板
214：第一光电转换层 216：第一上电极层
218：第一P-N接合半导体 222：第一下电极层
226：第二P型半导体层 231：第一表面
233：第二表面 235：第三P型半导体层
237：第二I型半导体层 239：第三N型半导体层
244：第四N型半导体层 250：导线
270：二极管等效电路 284：第二绝缘体
310：乌云 410：显示器
430：控制单元 I2：电流
I4：电流 S1：步骤
S3：步骤 S5：步骤
S7：步骤 110：太阳能电池
130：二极管 140：太阳
200：太阳能电池模块 211：第一表面
213：第二表面 215：第一P型半导体层
217：第一I型半导体层 219：第一N型半导体层
224：第二N型半导体层 230：第二太阳能电池
232：第二金属基板 234：第二光电转换层
236：第二上电极层 238：第P-N接合半导体
242：第二下电极层 246：第四P型半导体层
260：导线 282：第一绝缘体
300：太阳 400：电子装置
420：输入接收单元 I1：电流
I3：电流 I5：电流
S2：步骤 S4：步骤
S6：步骤 S8：步骤
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
图3绘示根据本发明一实施方式的太阳能电池模块200的俯视图。图4绘示图3的太阳能电池模块200沿线段4-4’的剖面图。同时参阅图3与图4，太阳能电池模块200包含第一太阳能电池210与第二太阳能电池230。其中，第一太阳能电池210包含第一金属基板212、第一光电转换层214、第一上电极层216、第一P-N接合半导体218与第一下电极层222。第二太阳能电池230包含第二金属基板232、第二光电转换层234、第二上电极层236、第二P-N接合半导体238与第二下电极层242。
第一金属基板212具有分别位于相反侧的第一表面211与第二表面213。第一光电转换层214位于第一金属基板212与第一表面211相同的一侧。第一上电极层216位于第一光电转换层214上。第一P-N接合半导体218位于第一金属基板212与第二表面213相同的一侧。第一下电极层222位于第一P-N接合半导体218相对于第一金属基板212的对侧。
同样地，第二金属基板232具有分别位于相反侧的第一表面231与第二表面233。第二光电转换层234位于第二金属基板232与第一表面231相同的一侧。第二上电极层236位于第二光电转换层234上。第二P-N接合半导体238位于第二金属基板232与第二表面233相同的一侧。第二下电极层242位于第二P-N接合半导体238相对于第二金属基板232的对侧。
在本实施方式中，第一光电转换层214欧姆接触第一金属基板212的第一表面211。第一P-N接合半导体218欧姆接触第一金属基板212的第二表面213。同样地，第二光电转换层234欧姆接触第二金属基板232的第一表面231。第二P-N接合半导体238欧姆接触第二金属基板232的第二表面233。第二上电极层236通过导线250电性耦接第一金属基板212的第一表面211，且第二下电极层242通过导线260电性耦接第一金属基板212的第二表面213。
此外，第一光电转换层214可以包含第一P型半导体层215、第一I型半导体层217与第一N型半导体层219。其中，第一P型半导体层215位于第一金属基板212与第一表面211相同的一侧。第一I型半导体层217位于第一P型半导体层215上。第一N型半导体层219位于第一I型半导体层217上。第一P-N接合半导体218可以包含第二N型半导体层224与第二P型半导体层226。其中，第二N型半导体层224位于第一金属基板212与第二表面213相同的一侧。第二P型半导体层226位于第二N型半导体层224上，且位于第二N型半导体层224与第一下电极层222之间。
同样地，第二光电转换层234可以包含第三P型半导体层235、第二I型半导体层237与第三N型半导体层239。其中，第三P型半导体层235位于第二金属基板232与第一表面231相同的一侧。第二I型半导体层237位于第三P型半导体层235上。第三N型半导体层239位于第二I型半导体层237上。此外，第二P-N接合半导体238可以包含第四N型半导体层244与第四P型半导体层246。其中，第四N型半导体层244位于第二金属基板232与第二表面233相同的一侧。第四P型半导体层246位于第四N型半导体层244上，且位于第四N型半导体层244与第二下电极层242之间。
然而在其它实施方式中，第一光电转换层214、第一P-N接合半导体218、第二光电转换层234与第二P-N接合半导体238的极性可以与图4相反。也就是说，第一P型半导体层215与第一N型半导体层219的位置可以交换，第二N型半导体层224与第二P型半导体层226的位置可以交换，第三P型半导体层235与第三N型半导体层239的位置可以交换，且第四N型半导体层244与第四P型半导体层246的位置可以交换，并不以限制本发明。
在本实施方式中，第一金属基板212与第二金属基板232的材质可以选自由金、银、铜、铁、锡、铟、铝及铂所组成的群组中的一种材质。第一上电极层216、第一下电极层222、第二上电极层236与第二下电极层242的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物。第一光电转换层214与第二光电转换层234的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒、砷化镓或聚合物。第一P-N接合半导体218与第二P-N接合半导体238的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒或砷化镓。
应了解到，在以下叙述中，已在上述叙述过的元件连接关系将不再重复赘述，合先叙明。
图5绘示图4的太阳能电池模块200未被遮蔽时时的示意图。同时参阅图4与图5，当太阳能电池模块200曝露于太阳300下时，由于第一太阳能电池210与第二太阳能电池230皆未被遮蔽，电流I3可从第一上电极层216流入，并经过第一光电转换层214后从第一金属基板212流出至第二上电极层236。接着，电流I3经过第二光电转换层234后从第二金属基板232流出至其它邻接的太阳能电池(未绘示于图)。
在本实施方式中的光源系以太阳300为例，然而在其它实施方式中，太阳能电池模块200也可照射其它光源，例如具有灯泡、灯管或发光二极管的灯具。
图6绘示图5的太阳能电池模块200部分被遮蔽时的示意图。同时参阅图4与图6，当太阳能电池模块200曝露于太阳300下时，第一太阳能电池210未被遮蔽但第二太阳能电池230被乌云310遮蔽，电流I4可从第一上电极层216流入，并经过第一光电转换层214后从第一金属基板212流出至第二下电极层242。接着，电流I4经过第二P-N接合半导体238后从第二金属基板232流出至其它邻接的太阳能电池(未绘示于图)。
也就是说，太阳能电池模块200的第一太阳能电池210与第二太阳能电池230虽未电性耦接二极管，但仍可具有如图7所示的二极管等效电路270，以避免阴影效应导致电力无法输出，使太阳能电池模块200能持续工作而不损坏。此外，由于第一P-N接合半导体218与第一下电极层222可在制作第一太阳能电池210时形成，且第二P-N接合半导体238与第二下电极层242可在制作第二太阳能电池230时形成，因此不会增加太阳能电池模块200的工艺难度，并可节省现有设置二极管与导线于太阳能电池旁的工艺与材料成本。再者，此太阳能电池模块200不会受限于二极管而增加面积，因此可增加第一太阳能电池210与第二太阳能电池230的面积，使太阳能电池模块200输出的电力增加。此外，由于太阳能电池模块200可同时减少其厚度与面积，利于可携式电子装置的应用。
图8绘示根据本发明另一实施方式的太阳能电池模块200的剖面图。如图所示，太阳能电池模块200包含第一太阳能电池210与第二太阳能电池230。与上述实施方式不同的地方在于第一P-N接合半导体218包含第二N型半导体层224、第一绝缘体282与第二P型半导体层226。其中，第二N型半导体层224位于第一金属基板212与第二表面213相同的一侧。第一绝缘体282位于第一金属基板212的第二表面213上且紧邻第二N型半导体层224。第二P型半导体层226位于第一绝缘体282上，且位于第一绝缘体282与第一下电极层222之间。
同样地，第二P-N接合半导体238包含第四N型半导体层244、第二绝缘体284与第四P型半导体层246。其中，第四N型半导体层244位于第二金属基板232的第二表面233上。第二绝缘体284位于第二金属基板232与第二表面233相同的一侧且紧邻第四N型半导体层244。第四P型半导体层246位于第二绝缘体284上，且位于第二绝缘体284与第二下电极层242之间。
在本实施方式中，由于第一下电极层222与第二下电极层242的材料(例如铟锡氧化物)使用量较少，因此可以节省太阳能电池模块200的花费。
图9绘示图8的太阳能电池模块200部分被遮蔽时的示意图。同时参阅图8与图9，当太阳能电池模块200曝露于太阳300下时，第一太阳能电池210未被遮蔽但第二太阳能电池230被乌云310遮蔽，电流I5可从第一上电极层216流入，并经过第一光电转换层214后从第一金属基板212流出至第二下电极层242。接着，电流I5经过第二P-N接合半导体238后从第二金属基板232流出至其它邻接的太阳能电池(未绘示于图)。
图10绘示根据本发明一实施方式的电子装置400的方块图。如图所示，电子装置400包含显示器410、输入接收单元420、控制单元430与上述太阳能电池模块200。显示器410用以显示影像。输入接收单元420用以接受输入命令。控制单元430电性耦接显示器410与输入接收单元420，用以根据输入接收单元420接收的输入命令控制显示器410显示对应的影像。太阳能电池模块200电性耦接显示器410、输入接收单元420及控制单元430，用以提供显示器410、输入接收单元420及控制单元430电源。其中，显示器410可以为液晶显示器、LED显示器或具有可挠性的电泳显示器(Electrophoretic Display；EPD)。输入接收单元420可以例如是按键、触控面板、麦克风、鼠标、光感测元件或其它可接收输入命令或感测外在环境变化的传感器。
图11绘示根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法的流程图。首先在步骤S1中，提供第一金属基板，其具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。接着在步骤S2中，在第一表面上沉积或涂布第一P型半导体层。之后在步骤S3中，在第一P型半导体层上沉积或涂布第一I型半导体层。接着在步骤S4中，在第一I型半导体层上沉积或涂布第一N型半导体层。之后在步骤S5中，在第一N型半导体层上形成第一上电极层。接着在步骤S6中，在第二表面上沉积或涂布第二N型半导体层。之后在步骤S7中，在第二N型半导体层上沉积或涂布第二P型半导体层。最后在步骤S8中，在第二P型半导体层上形成第一下电极层。在本实施方式中，太阳能电池的受光面为N型半导体层。
图12绘示根据本发明一实施方式的太阳能电池的制造方法的流程图。首先在步骤S1中，提供第一金属基板，其具有分别位于相反侧的第一表面与第二表面。接着在步骤S2中，在第一表面上沉积或涂布第一N型半导体层。之后在步骤S3中，在第一N型半导体层上沉积或涂布第一I型半导体层。接着在步骤S4中，在第一I型半导体层上沉积或涂布第一P型半导体层。之后在步骤S5中，在第一P型半导体层上形成第一上电极层。接着在步骤S6中，在第二表面上沉积或涂布第二P型半导体层。之后在步骤S7中，在第二P型半导体层上沉积或涂布第二N型半导体层。最后在步骤S8中，在第二N型半导体层上形成第一下电极层。在本实施方式中，太阳能电池的受光面为P型半导体层。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种太阳能电池模块，其特征在于，包含：
一第一太阳能电池，包含：
一第一金属基板，具有分别位于相反侧的一第一表面与一第二表面；
一第一光电转换层，位于该第一金属基板与该第一表面相同的一侧，且设置于该第一金属基板的第一表面上；
一第一上电极层，位于该第一光电转换层上；
一第一P-N接合半导体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧，且设置于该第一金属基板的第二表面上；以及
一第一下电极层，位于该第一P-N接合半导体相对于该第一金属基板的对侧；以及
一第二太阳能电池，包含：
一第二金属基板，具有分别位于相反侧的一第一表面与一第二表面；
一第二光电转换层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的一侧，且设置于该第二金属基板的第一表面上；
一第二上电极层，位于该第二光电转换层上，且电性耦接该第一金属基板；
一第二P-N接合半导体，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧，且设置于该第二金属基板的第二表面上；以及
一第二下电极层，位于该第二P-N接合半导体相对于该第二金属基板的对侧，且电性耦接该第一金属基板。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一光电转换层包含：
一第一P型半导体层，位于该第一金属基板的该第一表面上；
一第一I型半导体层，位于该第一P型半导体层上；以及
一第一N型半导体层，位于该第一I型半导体层上。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一P-N接合半导体包含：
一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；以及
一第二P型半导体层，位于该第二N型半导体层上，且位于该第二N型半导体层与该第一下电极层之间。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二光电转换层包含：
一第三P型半导体层，位于该第二金属基板与该第一表面相同的一侧；
一第二I型半导体层，位于该第三P型半导体层上；以及
一第三N型半导体层，位于该第二I型半导体层上。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二P-N接合半导体包含：
一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；以及
一第四P型半导体层，位于该第四N型半导体层上，且位于该第四N型半导体层与该第二下电极层之间。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一P-N接合半导体包含：
一第二N型半导体层，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧；
一第一绝缘体，位于该第一金属基板与该第二表面相同的一侧且紧邻该第二N型半导体层；以及
一第二P型半导体层，位于该第一绝缘体上，且位于该第一绝缘体与该第一下电极层之间。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第二P-N接合半导体包含：
一第四N型半导体层，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧；
一第二绝缘体，位于该第二金属基板与该第二表面相同的一侧且紧邻该第四N型半导体层；以及
一第四P型半导体层，位于该第二绝缘体上，且位于该第二绝缘体与该第二下电极层之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池模块，其特征在于，该第一金属基板与该第二金属基板的材质选自由金、银、铜、铁、锡、铟、铝及铂所组成的群组中的一种材质；该第一光电转换层欧姆接触该第一金属基板的该第一表面，该第一P-N接合半导体欧姆接触该第一金属基板的该第二表面；该第二光电转换层欧姆接触该第二金属基板的该第一表面，该第二P-N接合半导体欧姆接触该第二金属基板的该第二表面；该第一上电极层、该第一下电极层、该第二上电极层与该第二下电极层的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物；该第一光电转换层与该第二光电转换层的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒、砷化镓或聚合物；该第一P-N接合半导体与该第二P-N接合半导体的材质包含非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒或砷化镓。
9.一种电子装置，其特征在于，包含：
一显示器，用以显示影像；
一输入接收单元，用以接受输入命令；
一控制单元，电性耦接该显示器与该输入接收单元，用以根据该输入接收单元接收的输入命令控制该显示器显示对应的影像；以及
权利要求1所述的太阳能电池模块，电性耦接该显示器、该输入接收单元及该控制单元，用以提供该显示器、该输入接收单元及该控制单元电源。
10.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：
提供一第一金属基板，其具有分别位于相反侧的一第一表面与一第二表面；
在该第一表面上沉积或涂布一第一P型半导体层；
在该第一P型半导体层上沉积或涂布一第一I型半导体层；
在该第一I型半导体层上沉积或涂布一第一N型半导体层；
在该第一N型半导体层上形成一第一上电极层；
在该第二表面上沉积或涂布一第二N型半导体层；
在该第二N型半导体层上沉积或涂布一第二P型半导体层；以及
在该第二P型半导体层上形成一第一下电极层。
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