CN102637579A - 一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法 - Google Patents

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孙良欣
张应可
陈壁滔
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Abstract

本发明公开了一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,包括以下步骤:对硅片表面氧化层循环酸处理;采用快排方式清洗;烘干过程保证硅片在花篮中位置不发生变动;承载硅片的小花篮在放入大花篮后能与水平面成一定的夹角。本发明可有效的去除二次清洗过程中产生的花篮印,并保证对后续工艺及最终电池片性能无影响。

Description

一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法
技术领域
本发明涉及一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,属于太阳能晶硅电池片制造技术领域。
背景技术
传统的二次清洗工艺方法在清洗氧化层之后需要脱水处理,目前主流的方法有甩干和经过纯水槽的慢提拉处理后烘干两种方法。机械甩干能有效的去除硅片表面的水滴,但碎片率高;而慢提拉处理能大大降低碎片率及硅片的机械损伤被广泛关注。大规模生产中,采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印,镀膜后会产生明显的暗白色花篮状印记,对成品的外观影响很大。
大规模生产中,采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印,镀膜后会产生明显的暗白色花篮状印记,对成品的外观影响很大。
传统的二次清洗工艺方法在清洗氧化层之后需要脱水处理,目前主流的方法有甩干和经过纯水槽的慢提拉处理后烘干两种方法。机械甩干能有效的去除硅片表面的水滴,但碎片率高;而慢提拉处理能大大降低碎片率及硅片的机械损伤被广泛关注。大规模生产中,采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印,镀膜后会产生明显的暗白色花篮状印记,对成品的外观影响很大。本发明属于太阳能晶硅电池片制造领域,具体涉及一种能够在去磷硅设备清洗单晶硅片和多晶硅片过程中去除花篮印(俗称齿痕印)的清洗工艺方法。
现有技术的缺点:大规模生产中,采用慢提拉处理的硅片表面容易附着一层水溶氧后与花篮接触形成的再次氧化的花篮印,镀膜后会产生明显的暗白色花篮状印记,对成品的外观影响很大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法。本发明属于太阳能晶硅电池片制造领域,具体为能够在去磷硅设备清洗单晶硅片和多晶硅片过程中去除花篮印(俗称齿痕印)。
一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,包括以下步骤:
对硅片表面氧化层循环酸处理;
采用快排方式清洗;
烘干过程保证硅片在花篮中位置不发生变动;
承载硅片的小花篮在放入大花篮后能与水平面成一定的夹角。
本发明涉及一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,包括以下步骤:
(1)一号槽(酸槽):与常规酸处理工艺不同,此步骤需要增加循环装置,达到均匀反应的目的;但循环不宜过大,否则易碎片。
(2)二号槽(快排槽):通过设备改进,当机械臂将处于槽内的大花篮挂臂上提时,随即马上进行自动快排。此项操作目的是通过纯水的张力及吸附力,有效地将从一号槽带出的HF在二号槽得到及时处理。
(3)大花篮通过去磷硅设备下料后,在取小花篮放入烘干箱的过程须注意:小花篮必须以U口在上的方式取出,不得将硅片的扩散面倒向花篮锯齿上;以小花篮在大花篮放置的方式放入烘干箱,且必须将小花篮U口方向搭在箱内铁架较高处,使小花篮与水平面形成一定的角度,保证硅片在烘干时扩散面不与花篮齿相接触。
(4)关于大花篮的改进:设计新的花篮模具务必使承载硅片的小花篮在放入大花篮后能与水平面成一定的夹角。
本发明步骤(1)中所述的酸处理循环工艺时间为150-300秒,适当的控制工艺时间对碎片比例有影响。
本发明步骤(2)中所述的快排工艺周期为1-2栏/次。
本发明步骤(3)中所述的烘干过程需严格控制取出小花篮的操作动作,务必保证小花篮从槽体中取出后转移到烘箱过程中硅片在小花篮中的位置无变动,并使小花篮与水平面形成一个20°-30°的角度以保证硅片在烘干时扩散面不与花篮齿相接触。
本发明步骤(4)中所述的大花篮改造:
I、为使承载硅片的小花篮1在放入大花篮2后能与水平面成12°-15°的夹角,需要在大花篮下面四条圆柱体的中点位置都加上一块类似“凸”型的模具3,在大花篮“凸”型模具3的正下方增加一块与之相同长宽的长方体,高与圆柱体到水平面的距离一致,
II、由于要求垫高的角度在12°-15°之间,故改进后的大花篮须保证三项原则:
①小花篮装入垫高大花篮后,上沿须紧靠大花篮的侧面,装螺帽处不得有偏差;
②小花篮装入垫高大花篮后,下沿不得悬空,须保证平稳地放在圆柱体上;
③大花篮经过修改后,所有的材质必须为防腐蚀、抗酸、耐磨损的材料。
与传统二次清洗工艺方法相比,本发明可有效的去除二次清洗过程中产生的花篮印,并保证对后续工艺及最终电池片性能无影响。
本发明的目的是从根本上解决太阳能电池片在生产过程中的二次清洗阶段由于硅片与清洗所使用的小花篮锯齿所接触而导致产生的花篮印,该工艺可确保硅片在二次清洗过程中扩散面完全不会接触到小花篮的锯齿上,从而不会有此产生主要成分为硅氧化合物的花篮印(俗称齿印),并完全不会因此而造成其电性能的降低,有效地保证了硅片的外观程度。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参照下面的详细描述,能够更完整更好地理解本发明以及容易得知其中许多伴随的优点,但此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定,其中:
图1是表示作为花篮改造前示意图;
图2是本发明的花篮改造后示意图。
具体实施方式
参照图1至图2对本发明的实施例进行说明。
实施例:
如图1至图2所示,
显然,本领域技术人员基于本发明的宗旨所做的许多修改和变化属于本发明的保护范围。
一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,
本发明实施例1,一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,包括一下步骤:
(1)一号槽(酸槽):工艺处理时间150s。必须保证大花篮进入内槽后,外槽酸溶液低于内槽酸溶液,不论是否打开氮气鼓泡;软件中启动“泵过滤”此项程序。此项操作目的是为了让HF溶液有机地循环,在清洗硅片时有效地处理硅片各处的磷硅玻璃。
(2)二号槽(快排槽):通过设备改进,当机械臂将处于槽内的大花篮挂臂上提时,随即马上进行自动快排。此操作周期为1栏/次。
(3)烘干过程需严格控制取出小花篮的操作动作,务必保证小花篮从槽体中取出后转移到烘箱过程中硅片在小花篮中的位置无变动,并使小花篮与水平面形成一个20°的角度以保证硅片在烘干时扩散面不与花篮齿相接触。
(4)大花篮改造后需保证工艺过程中小花篮与大花篮的夹角在15°,其它操作见附图。
实施例2
一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,
本发明实施例2之一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,包括一下步骤:
(1)一号槽(酸槽):工艺处理时间300s。必须保证大花篮进入内槽后,外槽酸溶液低于内槽酸溶液,不论是否打开氮气鼓泡;软件中启动“泵过滤”此项程序。此项操作目的是为了让HF溶液有机地循环,在清洗硅片时有效地处理硅片各处的磷硅玻璃。
(2)二号槽(快排槽):通过设备改进,当机械臂将处于槽内的大花篮挂臂上提时,随即马上进行自动快排。此操作周期为2栏/次。
(3)烘干过程需严格控制取出小花篮的操作动作,务必保证小花篮从槽体中取出后转移到烘箱过程中硅片在小花篮中的位置无变动,并使小花篮与水平面形成一个30°的角度以保证硅片在烘干时扩散面不与花篮齿相接触。
(4)大花篮改造后需保证工艺过程中小花篮与大花篮的夹角在12°,其它操作见附图。
采用上述实施方式均可有效的去除二次清洗过程中产生的花篮印,并保证对后续工艺及最终电池片性能无影响。
如上所述,对本发明的实施例进行了详细地说明,但是只要实质上没有脱离本发明的发明点及效果可以有很多的变形,这对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此,这样的变形例也全部包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,其特征在于包括以下步骤:
对硅片表面氧化层循环酸处理;
采用快排方式清洗;
烘干过程保证硅片在花篮中位置不发生变动;
承载硅片的小花篮在放入大花篮后能与水平面成一定的夹角。
2.根据权利要求1所述的一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)一号槽(酸槽):与常规酸处理工艺不同,此步骤需要增加循环装置,达到均匀反应的目的;但循环不宜过大,否则易碎片;
(2)二号槽(快排槽):通过设备改进,当机械臂将处于槽内的大花篮挂臂上提时,随即马上进行自动快排。此项操作目的是通过纯水的张力及吸附力,有效地将从一号槽带出的HF在二号槽得到及时处理;
(3)大花篮通过去磷硅设备下料后,在取小花篮放入烘干箱的过程须注意:小花篮必须以U口在上的方式取出,不得将硅片的扩散面倒向花篮锯齿上;以小花篮在大花篮放置的方式放入烘干箱,且必须将小花篮U口方向搭在箱内铁架较高处,使小花篮与水平面形成一定的角度,保证硅片在烘干时扩散面不与花篮齿相接触;
(4)关于大花篮的改进:设计新的花篮模具务必使承载硅片的小花篮在放入大花篮后能与水平面成一定的夹角。
3.根据权利要求2所述的一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,其特征在于步骤(1)中所述的酸处理循环工艺时间为150-300秒。
4.根据权利要求2所述的一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,其特征在于步骤(2)中所述的快排工艺周期为1-2栏/次。
5.根据权利要求2所述的一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,其特征在于步骤(3)中所述的烘干过程需严格控制取出小花篮的操作动作,务必保证小花篮从槽体中取出后转移到烘箱过程中硅片在小花篮中的位置无变动,并使小花篮与水平面形成一个20°-30°的角度以保证硅片在烘干时扩散面不与花篮齿相接触。
6.根据权利要求2所述的一种用于去除太阳能电池花篮印的清洗工艺方法,其特征在于步骤(4)中所述的设计新的花篮模具务必使承载硅片的小花篮在放入大花篮后能与水平面成12°-15°的夹角。
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