CN102634773B - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种成膜装置。与分别形成有用于向反应管内供给Zr系气体、O3气体等处理气体的气体喷射口的第1体喷射器及第2气体喷射器相对独立地形成第3气体喷射器，在该第3气体喷射器上，沿着反应管的长度方向形成有狭缝，在切换处理气体时，通过从该狭缝向反应管内供给吹扫气体而该置换反应管内的气氛气体。

Description

成膜装置
本申请以在2011年2月9日向日本特许厅提出的日本专利申请号第2011-026400号为基础主张优先权，作为参照将其全部公开内容援引于本说明书。
技术领域
本发明涉及通过将分层保持有多张基板的基板保持器送入到在周围配置有加热部的立式的反应管内而对基板进行成膜处理的成膜装置。
背景技术
公知一种使用ALD(Atomic Layer Deposition)法来形成薄膜的方法，该ALD法通过对基板、例如半导体晶圆(以下称为“晶圆”)依次(交替地)供给互相反应的多种、例如两个种类的处理气体而层叠反应生成物。在利用立式热处理装置实施该ALD法的情况下，使用用于供给第1处理气体的喷射器和用于供给第2处理气体的喷射器，这些喷射器作为在与各晶圆相对应的位置具有气体喷射孔的、所谓的分散喷射器设在反应管内。于是，在切换处理气体时，例如，从上述两个喷射器供给吹扫气体。
另一方面，研究了3维结构的半导体器件，具体而言，对于例如在表面的多个部位形成有深度尺寸为30nm、开口径为2000nm左右的、具有较大的径深比的开口部的晶圆，有时利用上述的ALD法进行成膜处理。在这样的晶圆中，与平滑的晶圆相比，表面积有时成为例如40倍～80倍的大小。因此，利用从上述的喷射器供给的吹扫气体的流量，有可能难以对物理吸附于晶圆的表面的处理气体进行排气(置换)。因而，例如在处理气氛中(反应管内)，处理气体彼此之间相互混合、所谓的CVD(Chemical Vapor Deposition)式地发生反应，在比上述的开口部的下端侧靠上端侧的位置，薄膜的膜厚变厚，有时例如开口部的上端部被堵住等、不能得到良好的覆盖性(coverage)。
在专利文献1中记载有下述这样的技术：在成膜处理过程中，为了限制处理气体的流动而从非活性气体喷嘴22c、22d的非活性气体喷射口24c、24d向晶圆10供给非活性气体，另外，在专利文献2中记载有在立式的热处理装置中使用ALD法来形成薄膜的方法，但没有研究上述的问题。
专利文献1：日本特开2010-118462号公报(段落0048、0051)
专利文献2：日本特开2005-259841号公报(段落0019)
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而做成的，其目的在于提供一种在对被分层载置在基板保持器中的多张基板依次供给互相反应的多个种类的处理气体而进行成膜处理时能够容易地对切换处理气体时的气氛气体进行置换的成膜装置。
本发明提供一种成膜装置，其通过将分层保持有多张基板的基板保持器送入到在周围配置有加热部的立式的反应管内而对基板进行成膜处理，其特征在于，
该成膜装置包括：
第1气体喷射器，其针对各基板之间的高度位置分别形成有用于向基板供给第1处理气体的多个气体喷射口；
第2气体喷射器，为了向基板供给与第1处理气体反应的第2处理气体，该第2气体喷射器在上述反应管的周向上与上述第1气体喷射器分开地设置，该第2气体喷射器沿着上述反应管的长度方向延伸且在靠基板侧形成有气体喷射口；
第3气体喷射器，其在上述反应管的周向上与上述第1气体喷射器分开的位置以沿着上述反应管的长度方向延伸的方式设置，该第3气体喷射器从被保持在上述基板保持器中的基板的保持区域的上端一直到下端地形成有吹扫气体供给用的狭缝；
排气口，其隔着上述保持区域形成在与上述第1气体喷射器相反一侧，用于排出上述反应管内的气氛气体；
控制部，其用于输出控制信号，以便向上述反应管内依次供给第1处理气体及第2处理气体，并且在切换这些处理气体时向上述反应管内供给吹扫气体而置换该反应管内的气氛气体。
将在下面的说明中阐述本发明的其它目的和优点，其部分地从下面的说明中显现或者可以通过实施本发明而了解。本发明的目的和优点可以借助于在下文中特别指示的手段和组合实现及获得。
附图说明
被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图图示出本发明的实施方式，并且与上述概略说明及下面给出的对实施方式的详细说明一起，用于解释本发明的原理。
图1是表示本发明的立式热处理装置的一例的纵剖视图。
图2是表示上述立式热处理装置的横剖俯视图。
图3是从侧方侧观察上述立式热处理装置的各气体喷射器的示意图。
图4是从上方侧观察上述气体喷射器的横剖视图。
图5是表示上述立式热处理装置的作用的横剖俯视图。
图6是表示上述立式热处理装置的作用的横剖俯视图。
图7是表示上述立式热处理装置的作用的横剖俯视图。
图8是表示本发明的其他的例的气体喷射器的示意图。
图9是表示本发明的又一其他例的气体喷射器的示意图。
图10是表示本发明的其他的例的气体喷射器的示意图。
图11是表示本发明的其他的例的横剖俯视图。
图12是表示上述立式热处理装置的其他的例的纵剖视图。
图13是表示上述立式热处理装置的其他的例的反应管的立体图。
图14是表示利用本发明的实施例所能得到的特性的特性图。
图15是示意性地表示上述实施例所使用的晶圆的概略的纵剖视图。
具体实施方式
现在，将参照附图说明基于上面给出的发现而实现的本发明的实施方式。在下面的说明中，用相同的附图标记指示具有实质相同的功能和结构的构成元件，并且仅在必需时才进行重复说明。
参照图1～图4说明本发明的成膜装置的实施方式的一例。首先，简单地说明该成膜装置的概略，该成膜装置构成为利用将互相反应的多个种类、在该例中为两个种类的处理气体依次(交替地)向晶圆W供给而层叠反应生成物的ALD(AtomicLayer Deposition)法来形成薄膜的立式热处理装置。另外，在切换处理气体时，以大于这些处理气体的流量的大流量将非活性气体作为吹扫气体进行供给，从而能够迅速地置换用于进行成膜处理的处理气氛气体。以下，详细说明该成膜装置的具体的结构。
成膜装置包括：作为基板保持器的晶圆舟皿11，其由例如石英构成，用于将直径尺寸为例如300mm的晶圆W分层载置；反应管12，其由例如石英构成，用于将该晶圆舟皿11气密地收容在内部并进行成膜处理。在反应管12的外侧设有加热炉主体14，该加热炉主体14沿着内壁面的整个周向配置有作为加热部的加热器13，利用在水平方向上延伸的底板15来沿着整个周向支承反应管12的下端部及加热炉主体14的下端部。在晶圆舟皿11中设有在上下方向上延伸的多根、例如3根支柱32，在各个支柱32的内周侧针对各个晶圆W的保持位置形成有用于从晶圆W的下方侧支承晶圆W的槽部32a。另外，图1中的附图标记37是晶圆舟皿11的顶板、附图标记38是晶圆舟皿11的底板。
在该例中反应管12是由外管12a和被收容在该外管12a内部的内管12b构成的双层管结构，该外管12a及内管12b分别以下表面侧开口的方式形成。内管12b的顶面水平地形成，外管12a的顶面以向外侧膨出的方式大致圆筒形状地形成。该外管12a及内管12b分别由大致圆筒形状的凸缘部17从下方侧气密地支承，该凸缘部17的下端面形成为凸缘状且上下表面开口。即，利用凸缘部17的上端面气密地支承外管12a，利用从凸缘部17的内壁面朝向径向内侧水平地突出的突出部17a气密地支承内管12b。该内管12b的侧面的一端侧以沿着该内管12b的长度方向向径向外侧膨出的方式形成，在该向外侧膨出的部分收容有气体喷射器51。
在该例中，配置有3个气体喷射器51，各个气体喷射器51沿着晶圆舟皿11的长度方向配置，并且沿着反应管12的周向以彼此分开的方式排列。这些气体喷射器51例如分别由石英构成。如图2所示，对于这3个气体喷射器51，从上方侧观察反应管12而按顺时针(右旋)方向分别称为“第1气体喷射器51a”、“第2气体喷射器51b”及“第3气体喷射器51c”时，第1气体喷射器51a与含有锆(Zr)的Zr系气体(原料气体)、例如四(乙基甲基氨基)锆(tetrakis(ethylmethylamino)zirconium)(TEMAZr)气体的积存源55a连接。另外，第2气体喷射器51b与O3(臭氧)气体的积存源55b连接，第3气体喷射器51c与N2(氮气)气体的积存源55c连接。在图2中，附图标记53是阀，附图标记54是流量调整部。
如图3所示，在气体喷射器51a、51b的靠晶圆W的保持区域(处理区域)侧的管壁的整个上下方向上等间隔地分别形成有多个气体喷射口52，各个气体喷射口52的开口径为例如0.5mm。另外，各个气体喷射口52以与晶圆舟皿11的各个晶圆W的保持位置相对应的方式、即以朝向一张晶圆W的上表面与在该一张晶圆W的上方侧与该晶圆W相对的其他的晶圆W的下表面之间的区域的方式形成。另外，图3表示从晶圆W侧观察的各个气体喷射器51的状态，对各个晶圆W以从气体喷射器51向侧方侧错开的方式进行描画。另外，在图3中省略了晶圆舟皿11、反应管12。
另外，以从该保持区域的上端一直到下端地在上下方向上延伸的方式在第3气体喷射器51c的靠上述保持区域侧的管壁上形成有大致矩形的狭缝50。即，将被保持在晶圆舟皿11中的晶圆W的张数设为N张时，狭缝50从比上述保持区域的上端(第1张)的晶圆W的表面靠上方的位置延伸到比保持区域的下端(第N张)的晶圆W的下表面靠下方的位置。如图4所示，该狭缝50的宽度尺寸(详细而言，沿着第3气体喷射器51c的外周面的周向的宽度尺寸)t为0.01mm～1mm，在该例中为0.3mm。另外，俯视第3气体喷射器51c时的吹扫气体的流路的内径尺寸(管主体的内径)R为例如11.4mm。此时，如图3所示，彼此相邻的晶圆W之间的分开距离h为例如11mm。
也如图2所示，以与各个气体喷射器51相对的方式在上述的内管12b的侧面沿着该内管12b的长度方向形成有狭缝状的排气口16。即，排气口16隔着在晶圆舟皿11中收容晶圆W的保持区域形成在各个气体喷射器51的相反侧、在该例中以与各气体喷射器51相对的方式形成。该排气口16以上端位置位于与第3气体喷射器51c的狭缝50的上端位置相同的高度位置、下端位置位于与第3气体喷射器51c的狭缝50的下端位置相同的高度位置的方式形成。因此，从各个气体喷射器51向内管12b供给的处理气体及吹扫气体经由该排气口16向内管12b与外管12a之间的区域排出。此时，如图2所示，上述“相反侧”是指，在从上方侧观察反应管12时，如果将与气体喷射器51a、51c排列而成的列平行且通过反应管12中心的直线标注附图标记“L”，则是指反应管12内的由该直线L划分而成的两个区域中的未设有气体喷射器51的区域。
另外，在上述的凸缘部17的侧壁上以向该内管12b与外管12a之间的区域连通的方式形成有排气口21，从该排气口21延伸的排气管路22经由蝶形阀等压力调整部23与真空泵24连接。在凸缘部17的下方侧设有盖体25，该盖体25形成为概略圆板状，该盖体25以外缘部在整个周向上与作为该凸缘部17的下端部的凸缘面气密地接触的方式设置，该盖体25借助未图示的舟皿升降机等升降机构与晶圆舟皿11一起升降自如。图1中的附图标记26是形成在晶圆舟皿11与盖体25之间的圆筒状的绝热体，附图标记27是用于使晶圆舟皿11及绝热体26绕铅垂轴线旋转的电动机等旋转机构。另外，图1中的附图标记28是将盖体25气密地贯穿并将电动机27与晶圆舟皿11、绝热体26连接的旋转轴，附图标记21a是排气口。
在该立式热处理装置中设有用于进行装置整体的动作的控制的由计算机构成的控制部100，在该控制部100的存储器内存储有用于进行下述的成膜处理的程序。将该程序从作为硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等存储介质的存储部101安装到控制部100内。
接着，说明上述实施方式的作用。首先，在反应管12的下方侧，利用未图示的输送臂向晶圆舟皿11载置例如150张12英寸(300mm)尺寸的晶圆W。在各个晶圆W的表面形成有例如用于埋入高电介体的孔。从晶圆舟皿11的最上层(第1张)到第5张、从最下层(第N张)到第(N-4)张载置有模拟晶圆，在这些模拟晶圆之间(第6张～第(N-5)张)保持有产品用的晶圆W。
然后，将晶圆舟皿11气密地插入到反应管12内，一边利用真空泵24对反应管12内的气氛气体进行真空排气，并且使晶圆舟皿11绕铅垂轴线旋转，一边利用加热器13将该晶圆舟皿11上的晶圆W加热到例如250℃左右。接着，一边利用压力调整部23将反应管12内的压力调整成处理压力、例如1.0Torr(133Pa)，如图5所示，一边以例如0.4ml/min(液体流量)从第1气体喷射器51a的气体喷射口52向该反应管12内供给作为第1处理气体的上述的Zr系气体。如果晶圆W的表面与Zr系气体接触，则该Zr系气体的原子层或者分子层吸附在该晶圆W的表面。未反应的Zr系气体、由于向晶圆W吸附而生成的有机气体等向排气口16排出。
接着，停止Zr系气体的供给，并且在将例如150张12英寸尺寸的晶圆W保持在晶圆舟皿11中的情况下，如图6所示，优选以20slm(升/分)～100slm从第3气体喷射器51c向反应管12内供给作为吹扫气体的N2气体，在该例中以60slm在例如20秒的期间内进行供给。这样，以大于Zr系气体流量的流量将吹扫气体向反应管12内供给，因此，极其迅速地置换该反应管12内的气氛气体。
接着，停止吹扫气体的供给，如图7所示，以例如300g/Nm3(使O2以20slm流动而得到的O3浓度)向反应管12内供给作为第2处理气体的O3气体。该O3气体同样从各个气体喷射口52朝向晶圆W通流，使吸附于各个晶圆W的Zr系气体的成分氧化而生成由氧化锆(Zr-O)构成的反应生成物。然后，在停止O3气体的供给之后，利用吹扫气体以上述的方式置换反应管12内的气氛气体。多次进行这样将Zr系气体、吹扫气体、O3气体及吹扫气体以该顺序供给的供给循环，从而层叠上述反应生成物的层。
采用上述的实施方式，在将互相反应的两个种类的处理气体交替地向晶圆W供给而利用ALD法层叠反应生成物时，与处理气体供给用的第1气体喷射器51a相对独立地设有第3气体喷射器51c，在切换处理气体时从沿着第3气体喷射器51c的长度方向形成的狭缝50供给吹扫气体，于是，与例如以往的装置(使用形成有气体喷射口52的气体喷射器51来供给吹扫气体的情况)相比，该吹扫气体的流量设定成以往的例如40倍左右的大流量。因此，在切换处理气体时，能够将流量比处理气体的流量大很多的吹扫气体向反应管12内稳定地(例如不会引起第3气体喷射器51c的破损等)供给，因此，能够迅速地置换该反应管12内的气氛气体。因而，能够抑制处理气氛气体中的处理气体彼此之间的例如CVD式的反应，因此，即使是3维结构的(表面积较大的)晶圆W，也如下述的实施例所示，也能够进行在晶圆W的整个面内覆盖(coverage)性良好且膜厚及膜质的均匀性较高的成膜处理。
另外，对于吹扫气体用的第3气体喷射器51c，在该第3气体喷射器51c上从上方侧到下方侧形成有狭缝50，因此，能够抑制例如紊乱气流的发生，而是以层流的状态向各晶圆W供给吹扫气体。因此，能够以没有不均匀的状态或者抑制了不均匀的状态向晶圆W的保持区域供给吹扫气体，而且能够抑制例如由沉积在第3气体喷射器51c的管壁(狭缝50的周缘部)的CVD膜的剥离等引起的微粒的发生。另外，由于将狭缝50的宽度尺寸t设定在上述的范围内，因此，能够以使流量在该狭缝50的整个长度方向上一致的状态供给吹扫气体。
另外，为了在切换处理气体时抑制处理气体彼此相互混合，如上所述将吹扫气体的流量设定成大于各处理气体的流量的流量，因此，如下述的实施例所示，不需要将反应管12内设定成高真空。即，能够将反应管12内的压力设定成适于成膜处理的处理压力，因此，能够抑制成膜速率的下降地进行成膜处理。
在此，对于用于供给处理气体的第1气体喷射器51a，形成有气体喷射口52，使该处理气体的流量保持成最小限度。即，如果是从狭缝50向各晶圆W间的区域均匀地供给处理气体，则该处理气体的流量会大到需要量以上，因此，从处理气体(原料气体)的成本较高这方面考虑不是良策。但是，在本发明中，对于作为原料气体的Zr系气体，通过在第1气体喷射器51a上形成有气体喷射口52而谋求气体流量的少量化，另一方面，对于吹扫气体，在第3气体喷射器51c上形成有狭缝50以便以大流量供给吹扫气体，也就是说与各气体的供给流量相对应地调整了气体的喷射面积(气体喷射口52及狭缝50)。另外，对于O3气体，也与大流量用的第3气体喷射器51c相对独立地设有专用的第2气体喷射器51b，从而谋求该O3气体的流量的少量化(最优化)。因此，能够抑制处理气体(原料气体、O3气体)的成本，并且迅速地进行利用ALD法进行的成膜。
作为上述的狭缝50，也可以在上下方向上形成为锥形状，具体而言，也可以如下述这样形成：将该狭缝50的上端侧的宽度尺寸t设定成4mm，将该狭缝50的下端侧的宽度尺寸t设定成1mm，狭缝50的4个外缘中的在上下方向上延伸的两个外缘与铅垂轴线形成的角度分别为1°。
另外，对于狭缝50，也可以在长度方向上划分成多个区域。图8表示将狭缝50在长度方向上等间隔地划分为3部分的例。在该例中，若对3个狭缝50分别标注附图标记“50a”，则相互相邻的狭缝50a、50a之间的分开距离d被设定成例如0.05cm～1.0cm(与晶圆W的厚度尺寸相同的尺寸)左右。
另外，图9表示将狭缝50a的长度尺寸设定得最短的例、即将狭缝50的划分数量设定得最多的例。具体而言，各个狭缝50a被相互相邻的2张晶圆W共用，形成在从第k(k：自然数)张晶圆W的下端位置到该晶圆W的下方侧的第(k+2)张晶圆W的上端位置的区域。在图9中，上述分开距离d也设定成同样的尺寸。另外，在图9中，将第3气体喷射器51c的一部分放大描画。
另外，图10表示第3气体喷射器51c的其他的例。在图10中，与图8及图9同样，沿着第3气体喷射器51c的长度方向形成有多个狭缝50a。而且，在该例中，狭缝50a的长度尺寸j从第3气体喷射器51c的上方侧朝向下方侧而渐渐地变长。具体而言，第3气体喷射器51c的最上层的狭缝50a的长度尺寸j为例如1.6cm，最下层的长度尺寸j为例如12cm，随着从该最上层朝向下方侧去而每层变长例如0.8cm。
即，由于从第3气体喷射器51c的下方侧导入吹扫气体，因此，在该第3气体喷射器51c内通流的吹扫气体的流量随着从下方侧朝向上方侧去而变少。因此，在该例中，与在第3气体喷射器51c内通流的吹扫气体流量相对应地在吹扫气体流量较多的下方侧的区域中将狭缝50a的长度尺寸j设定得较长、随着朝向吹扫气体流量变少的上方侧去而将狭缝50a的长度尺寸j渐渐地设定得较短。因而，能够使从各个狭缝50a向晶圆W供给的吹扫气体压力在第3气体喷射器51c的整个长度方向上一致。在该例中，也将相互相邻的狭缝50a、50a之间的分开距离d设定成与上述的尺寸相同的尺寸。
在此，由于如上所述从下方侧向第3气体喷射器51c供给吹扫气体，因此，在该第3气体喷射器51c的下方侧，向晶圆W供给过多的吹扫气体，而在上方侧，也有时向晶圆W供给的吹扫气体的流量不足。在此情况下，也可以以如下这样的方式设置狭缝50a：在下方侧将长度尺寸j设定得较短，随着朝向第3气体喷射器51c的上方侧去而长度尺寸j渐渐地变长的方式、即，将上述的图10中的各个狭缝50a的配置上下颠倒。
在此，由于如上所述O3气体的流量比Zr系气体的流量多，因此，也可以从N2气体的第3气体喷射器51c向反应管12内供给O3气体。即，如图11所示，也可以使O3气体用的第2气体喷射器51b与N2气体用的第3气体喷射器51c共用。在图11中，从O3气体的积存源55b延伸的气体供给管路56在反应管12的外侧区域中和在N2气体的积存源55c与第3气体喷射器51c之间的气体供给管路57连接。
另外，将反应管12形成为双层管结构，但也可以如下这样形成：使用单层管结构的反应管12，并且将分别在晶圆舟皿11的长度方向上延伸的风道状的气体供给部(气体喷射器)及排气部分别气密地配置在反应管12的外侧，且在反应管12的侧面形成气体喷射口52、狭缝50及排气口16以便分别与该气体供给部及排气部连通。图12及图13表示这样的构成例的主要部分。在图12及图13中，附图标记80是排气风道，附图标记81是气体供给部，针对Zr系气体、O3气体及N2气体分别独立地设有气体供给部81。另外，在图13中，切除了排气风道80的一部分来表示内部的排气口16。
在上述的例中，将从第3气体喷射器51c向反应管12内供给的N2气体的流量设定成了20slm～100slm，但也可以在将被保持在晶圆舟皿11中的晶圆W的张数设为N张时将N2气体流量设定成0.05Nslm～2.0Nslm，具体而言，也可以设定成7.5slm～300slm(晶圆W的保持张数：150张)。
【实施例】
接着，说明对在如上所述将吹扫气体的流量设定得比各处理气体的流量多的情况下得到的薄膜的特性进行评价的实验。在该实验中使用了将晶圆W的收容张数设定成33张(产品晶圆W：25张、模拟晶圆：上下各4张)的小型的实验用装置。另外，如图15所示，使用了在多个部位形成有开口部(孔)200的3维结构的晶圆W。另外，如上所述使用Zr系气体及O3气体并在切换这些气体时供给吹扫气体，基于以下所示的各实验条件，以目标膜厚为形成了氧化锆膜。另外，在以下的表中“通用”是指与其他的实验例一致的条件。
(实验条件)
然后，从开口部200的上侧到下侧对在孔顶、顶部、中央、中央与底部之间及底部处的薄膜的膜厚进行测量，并且针对各个实验条件计算了在将孔顶的膜厚设为100％时的下方侧的薄膜的膜厚比(阶梯覆盖率：step coverage)。以下的表及图14表示该结果。
结果，在各实验例中，在中央处的膜厚大致相同。由在中央不易受到气体流量的影响可知，是在各实验例中能够得到大致同等程度的膜厚的薄膜的实验条件。另一方面，将比较例与本发明相比时，在CVD膜具有特别易于附着的倾向的孔顶处的膜厚在本发明(5.5nm)中比比较例(6.4nm)薄0.9nm，是与中央处的膜厚(4.6nm)相近的值。即，在本发明中，将孔顶处的膜厚的相对于目标膜厚的增加量抑制为因此，可知在比较例中处理气体的置换不充分，在处理气氛气体中(开口部200的上方侧)处理气体彼此相互混合而以CVD方式生成了反应生成物。但是，在本发明中，可知由于以16slm的大流量供给吹扫气体，因此，良好地进行了处理气体的置换而抑制了处理气氛气体中的反应气体彼此之间的反应，从开口部200的上方侧到下方侧整体能够得到一致的膜厚的薄膜。由阶梯覆盖率的计算结果也可知在本发明中开口部200的整个深度方向上为均匀的膜厚。
另外，在参考例1中，通过增加O3气体的流量，与比较例相比一定程度上改善了覆盖性。另外，在参考例2中，为与本发明相同水平的特性。因而，根据参考例2及本发明的结果可以说，通过将反应管12内设定成高真空能够抑制处理气体彼此之间的反应，但在本发明中，通过增多吹扫气体的流量来代替将反应管12内设定成高真空。因此，可知在本发明中，能够抑制因将反应管12内设定成高真空所导致的成膜速率的下降，并能够抑制处理气体彼此之间的反应。
在本发明中，为了通过向被分层载置在基板保持器中的多张基板依次供给互相反应的多个种类的处理气体而进行成膜处理，与用于供给处理气体的第1气体喷射器相对独立地以沿着反应管的长度方向设有用于供给吹扫气体的第3气体喷射器。而且，在上述第3气体喷射器上形成有在上述长度方向上延伸的狭缝，在切换处理气体时从该狭缝供给吹扫气体，因此，能够容易地置换用于进行成膜处理的气氛气体。因此，能够抑制气氛气体中的处理气体彼此之间的反应，能够在基板的整个面内进行覆盖性良好且均匀性较高的成膜处理。

Claims (3)

1.一种成膜装置，其通过将分层保持有多张基板的基板保持器送入到在周围配置有加热部的立式的反应管内而对基板进行成膜处理，其特征在于，
该成膜装置包括：
第1气体喷射器，其针对各基板之间的高度位置分别形成有用于向基板供给第1处理气体的多个气体喷射口；
第2气体喷射器，为了向基板供给与第1处理气体反应的第2处理气体，该第2气体喷射器在上述反应管的周向上与上述第1气体喷射器分开地设置，该第2气体喷射器沿着上述反应管的长度方向延伸且在靠基板侧形成有气体喷射口；
第3气体喷射器，其在上述反应管的周向上与上述第1气体喷射器分开的位置以沿着上述反应管的长度方向延伸的方式设置，该第3气体喷射器从被保持在上述基板保持器中的基板的保持区域的上端一直到下端地形成有吹扫气体供给用的狭缝；
排气口，其隔着上述保持区域形成在与上述第1气体喷射器相反一侧，用于排出上述反应管内的气氛气体；
控制部，其用于输出控制信号，以便向上述反应管内依次供给第1处理气体及第2处理气体，并且在切换这些处理气体时向上述反应管内供给吹扫气体而置换该反应管内的气氛气体；
上述狭缝在上述第3气体喷射器的长度方向被划分成多个，分割而成的狭缝的长度尺寸被设定成从上述第3气体喷射器的上方侧及下方侧中的一侧朝向另一侧渐渐地变长。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在将基板的保持张数设为N时，在切换处理气体时从上述第3气体喷射器供给的吹扫气体的总流量为0.05×N升/分～2.0×N升/分。
3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述第3气体喷射器兼作上述第2气体喷射器。
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