CN102610755A - 一种超低功耗有机阻变存储器件及其制备方法 - Google Patents
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103258958A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-21 | 北京大学 | 有机阻变存储器及其制备方法 |
CN103258957A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-21 | 北京大学 | 一种有机阻变存储器及制备方法 |
CN103887431A (zh) * | 2014-02-11 | 2014-06-25 | 北京大学 | 一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法 |
CN109920911A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-06-21 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变存储器的制备方法 |
CN112599664A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-04-02 | 南京大学 | 一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法 |
CN113421963A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-21 | 北京大学 | 一种低功耗三维阻变存储器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59171045A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材 |
CN1832218A (zh) * | 2004-12-24 | 2006-09-13 | 三星电子株式会社 | 非易失性有机存储器件的制法及其制备的存储器件 |
US20090008633A1 (en) * | 2007-04-25 | 2009-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device using conductive organic polymer having nanocrystals embedded therein and method of manufacturing the nonvlatile memory device |
CN101630719A (zh) * | 2009-07-24 | 2010-01-20 | 北京大学 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
CN101630718A (zh) * | 2009-07-24 | 2010-01-20 | 北京大学 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
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2012
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59171045A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材 |
CN1832218A (zh) * | 2004-12-24 | 2006-09-13 | 三星电子株式会社 | 非易失性有机存储器件的制法及其制备的存储器件 |
US20090008633A1 (en) * | 2007-04-25 | 2009-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device using conductive organic polymer having nanocrystals embedded therein and method of manufacturing the nonvlatile memory device |
CN101630719A (zh) * | 2009-07-24 | 2010-01-20 | 北京大学 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
CN101630718A (zh) * | 2009-07-24 | 2010-01-20 | 北京大学 | 一种阻变存储器及其制备方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160049604A1 (en) * | 2013-05-13 | 2016-02-18 | Peking University | Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof |
US9431620B2 (en) * | 2013-05-13 | 2016-08-30 | Peking University | Organic resistive random access memory and a preparation method thereof |
CN103258958A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-21 | 北京大学 | 有机阻变存储器及其制备方法 |
WO2014183367A1 (zh) * | 2013-05-13 | 2014-11-20 | 北京大学 | 一种有机阻变存储器及制备方法 |
CN103258957B (zh) * | 2013-05-13 | 2016-05-25 | 北京大学 | 一种有机阻变存储器及制备方法 |
CN103258958B (zh) * | 2013-05-13 | 2015-09-23 | 北京大学 | 有机阻变存储器及其制备方法 |
CN103258957A (zh) * | 2013-05-13 | 2013-08-21 | 北京大学 | 一种有机阻变存储器及制备方法 |
WO2015120657A1 (zh) * | 2014-02-11 | 2015-08-20 | 北京大学 | 一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法 |
CN103887431A (zh) * | 2014-02-11 | 2014-06-25 | 北京大学 | 一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法 |
CN103887431B (zh) * | 2014-02-11 | 2017-01-04 | 北京大学 | 一种多值非易失性有机阻变存储器及制备方法 |
CN109920911A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-06-21 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变存储器的制备方法 |
CN109920911B (zh) * | 2019-03-06 | 2023-04-25 | 中国科学院微电子研究所 | 阻变存储器的制备方法 |
CN112599664A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-04-02 | 南京大学 | 一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法 |
CN112599664B (zh) * | 2020-11-25 | 2023-09-22 | 南京大学 | 一种模拟神经突触的超低能耗柔性薄膜忆阻器及其制备方法 |
CN113421963A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-21 | 北京大学 | 一种低功耗三维阻变存储器 |
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