CN102576742B - 带纹理的透明板和这种板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

此单片透明板(1)在其表面的至少其中一个(3)上包括至少一个区域,该区域通过相对于所述表面(3)的整体平面(π)起伏的多个几何花纹(5)而带有纹理,每个花纹都具有平行于所述整体平面(π)的横截面,横截面在从基部开始远离所述表面(3)直至所述花纹的顶点的同时减小。根据本发明,带纹理的区域的区(8)的面积(S8)小于带纹理的区域的总面积(S1)的35%,其中对于区(8),所述区相对于所述组件平面(π)的倾斜角(α8)小于30°。

Description

带纹理的透明板和这种板的制造方法
技术领域
本发明涉及透明板,该透明板在其表面中的至少一个上包括多个几何花纹,所述几何花纹相对于表面的组件平面起伏。本发明还涉及一种组件,该组件包括这种透明板和能够采集或发出辐射的元件。此外,本发明涉及此类透明板的制造方法。
特别地,能够采集辐射的元件是能够采集来自于辐射的能量并将来自于辐射的能量转换为电能的元件,例如光伏单元。特别地,能够发出辐射的元件是能够将电能转换为辐射的元件,例如有机发光二极管(OLED)。
背景技术
传统地,光伏模块或OLED装置包括作为前衬底或玻璃功能衬底的透明板,该透明板保证能量转换元件(即光伏单元或OLED结构)的机械防护,同时允许辐射向着或来自这些能量转换单元的良好传输。特别地,该透明板可以由透明玻璃构成,该透明玻璃优选地是清澈或特别清澈的,并具有很低的铁氧化物的含量,例如由Saint-Gobain Glass以系列“DIAMANT”或“ALBARINO”投放市场的玻璃。
用于提高光伏模块或OLED装置的能量转换效率的一个策略在于通过限制入射在板上的辐射的反射来改善形成前衬底的板的传输特性,其中反射在光伏模块的情况下来自于空气,而在OLED装置的情况下则来自于装置的内部。为此,已知通过使板朝向能量转换元件对面的表面设有多个相对于该表面的组件平面凸起或凹陷的起伏的几何花纹来至少使该表面带有纹理。在本发明中,带纹理的表面的组件平面是包括该表面的不属于花纹的点的、或在拼接花纹的情况下包括在花纹之间的拼接点的平面。特别地,花纹可以是金字塔形或锥形,或是具有优先纵向方向的花纹(例如:槽或肋)。然而,借助于使用现有技术的、作为能量转换装置的前衬底的带纹理板所允许的效率的提高仍然是有限的。实际上,传统的纹理处理技术、尤其是通过轧制的纹理处理技术(例如专利申请WO-A-03/046617、WO-A-2005/111670和WO-A-2007/015019中所述的那些)目前不允许获得理想的几何花纹。
发明内容
本发明正是旨在通过提出一种透明板来特别地解决该缺陷,该透明板具有优化的传输入射在板上的辐射的特性,并在该板作为前衬底集成在能量转换装置(例如:光伏模块或OLED装置)中时特别地允许优化入射在板上的辐射向着或来自装置的能量转换元件的传输,由此使得能够相对于现有技术的装置提高该装置的效率。
为此,本发明的主题在于一种单片透明板,该单片透明板在其至少其中一个表面上包括至少一个区域,该区域通过相对于所述表面的组件平面起伏的几何花纹而带有多个纹理,每个花纹都具有平行于组件平面的横截面,该横截面在远离板的前述表面的同时、从基部开始直至花纹的顶点逐渐减小,其特征在于,带纹理的区域的区带的面积占带纹理的区域的总面积的35%以下,对于这些区带相对于整体平面该区带的倾斜角小于30°,其特征还在于:
-或者(i)每个花纹的厚度对板的厚度的比值ρ具有大于或等于0.2的给定数值,并且板的厚度包括在从4.5mm至8mm的范围内;
-或者(ii)板的厚度具有包括在从3mm至8mm的范围中的给定数值,并且每个花纹的厚度对板的厚度的比值ρ大于或等于0.3。
在本发明中,透明板是至少在对于装置的能量转换元件有用的、或由装置的能量转换元件所发出的波长范围中透明的板,其中该板用于作为前衬底集成在该装置中。作为示例,在包括基于多晶硅的光伏单元的光伏模块的情况下,板有利地在包括在400nm和1200nm之间的波长范围中是透明的。此外,在本发明的范围中,板是单片的指的是花纹与板是单块的,并例如在板的模制过程中或通过板的轧制经由板的表面的局部变形来成形。因此,板的花纹具有与板相同的化学组成。另外,在本发明中,相对于平面起伏的花纹是相对于该平面凸起或凹陷的花纹。
单独地或根据所有技术上可能的组合,按照根据本发明的板的其它有利的特征:
-每个花纹在沿着通过花纹的顶点并垂直于组件平面的至少一个平面的横截面上由两个侧部来限定范围,每个侧部都按照相对于整体平面不为零的平均倾斜角而倾斜,带纹理的区域的区带构成花纹的一个侧部与花纹的另一侧部或相邻花纹的侧部的连接区域,对于这些区带相对于整体平面该区带的倾斜角小于30°;
-板具有包括在3mm和8mm之间的厚度;
-每个花纹都具有大于或等于0.5mm的厚度;
-花纹的每个侧部相对于整体平面的平均倾斜角包括在40°和65°之间,优选地包括在45°和60°之间;
-对于每个花纹的厚度对板的厚度的比值ρ的给定数值,板的厚度具有优选数值,该优选数值对应于入射在板的所述表面上的辐射穿过该板的最大传输;
-当满足条件(i)时,每个花纹的厚度对板的厚度的比值ρ大于或等于0.25;
-当满足调节(i)时,每个花纹的厚度对板的厚度的比值ρ大于或等于0.3;
-板由玻璃、优选地由清澈或超清的透明玻璃构成;
-板由透明聚合材料构成;
-花纹是拼接的;
-花纹是彼此相同的;
-花纹以随机的方式分布在表面上;
-花纹是具有不为零的顶点半角的金字塔形或锥形;
-每个花纹的基部都嵌在直径小于或等于5mm的环中;
-花纹是槽或肋;
-板通过轧制获得;
-板通过模制获得。
本发明的主题还在于一种组件,该组件包括如上所述的透明板和能够采集或发出辐射的元件,该元件相对于板被布置为能够采集穿过板的辐射或能够发射穿过板的辐射,板的带纹理的表面指向该元件的对面。
最后,本发明的主题在于如上所述的板的制造方法,在该制造方法中,在由透明材料制成的板的至少一个表面上通过使每个花纹的厚度最大化来形成相对于表面的组件平面起伏的几何花纹。
有利地,通过板的轧制来形成花纹。
作为变型,可以通过板的模制来形成花纹。
根据该制造方法的第一变型,对于花纹的给定周期,通过使花纹侧部相对于表面的整体平面的平均倾斜角最大化来使每个花纹的高度最大化。
根据该制造方法的第二变型,对于每个花纹的侧部相对于表面的组件平面的给定的平均倾斜角,通过使花纹周期最大化来使每个花纹的深度最大化。
附图说明
在以下仅示例地参照附图而给出的根据本发明的板和组件的三个实施例的说明中,本发明的的特征和优点将变得显而易见。在这些附图中:
-图1是根据本发明的第一实施例的带纹理的透明板的透视图;
-图2是包括作为前衬底的图1的板的光伏模块的部分示意横向剖视图;
-图3是包括作为前衬底的根据本发明的第二实施例的带纹理的透明板的光伏模块与图2类似的剖视图;
-图4是包括作为前衬底的根据本发明的第三实施例的带纹理的透明板的光伏模块与图2类似的剖视图;
-图5是包括作为前衬底的现有技术的带纹理的透明板的光伏模块与图2类似的剖视图,其中该现有技术的带纹理的透明板具有与图2至图4的板相同的玻璃基质。
具体实施方式
在图1和图2中示出的本发明的第一实施例中,根据本发明的透明板1是经轧制和印制的超清透明玻璃板,该板在其表面3上包括由拼接的金字塔形花纹5的组合所构成的凸起的纹理。
如在1中可见,表面3的金字塔形花纹5沿着波浪形线L排列。在本发明中,花纹5的排列线L是由以相互相邻的方式布置成行列的金字塔形花纹的连续相同的边形成的线。在图1所示出的实施例中,沿着每条排列线L的连续金字塔形花纹5的边的纵向方向按照步长来改变。因此,在排列线L的整体或总体方向上迭加单独的金字塔形花纹的边的方向的变化,这造成使排列线L呈波浪形。如在申请WO-A-2006/134301中所述,金字塔形花纹5在表面3上的这种随机分布允许减小板1上的反射在每个单独的反射角中的平均绝对强度,并允许避免在反射方向和非反射方向之间的明显转变。由此使得板1更均匀,以及最小化眩光风险。
在图2中部分并示意地示出了根据本发明的光伏模块10,其包括作为前衬底的板1。如在该图中所示,设有纹理5的板1的表面3指向辐射在模块10上的入射侧。在该实施例中,与前表面3相对的板1的表面4整体是平的,并布置在一个或多个光伏单元9的对面。
该或每个光伏单元9的能够保证将来自于入射在单元上的辐射的能量转换为电能的吸收层可尤其是基于非晶或微晶硅或基于碲化镉的薄层。在该情况下,以已知的方式,每个带薄层的单元9都包括从板1的表面4开始的以下层的连续堆叠:
-透明导电层,其尤其是基于透明的导电氧化物(英语为“Transparent Conductive Oxide”或TCO),其构成单元的前电极;
-吸收层;
-形成单元的后电极的导电层。
实际上,该或每个单元9固定在模块10的前衬底1和未示出的后衬底之间。
作为变型,该或每个单元9的吸收层可以是由包括铜、铟和硒的黄铜矿构成的所谓CIS吸收层的薄层,该薄层可能地添加有镓(CIGS吸收层)、铝或硫。在该情况下,带薄层的该或每个单元9都包括类似于如上所述的堆叠,此外在单元9的前电极和板1的表面4之间布置未示出的聚合中间叠片,以保证模块10在其组装时的良好粘附。中间叠片特别地可以由聚乙烯(PVB)或乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)构成。
根据另一变型,该或每个单元9都可以基于构成PN结的单晶或多晶晶圆或硅饼构成。
在图3至图5中示出了光伏模块110、210和310,它们分别包括作为前衬底的:根据本发明的第二实施例的透明板101;根据本方面的第三实施例的透明板201;现有技术的透明板301。板101、201和301由具有与构成板1的玻璃相同成分的超清透明玻璃制成,并且位于与模块10的光伏单元9类似的一个或多个光伏单元109、209或309之上。板101、201和301中的每个都包括前表面103、203或303,这些前表面用于指向辐射在模块上的入射侧,其设有类似于板1的纹理的金字塔形纹理,该金字塔形纹理由基于平行四边形并具有不为零的顶点半角的多个拼接的金字塔形花纹105、205或305形成。
现有技术的板301的金字塔形花纹305中的每个都基于边为2mm的平行四边形和大约为45°的顶点半角。因此,每个金字塔形花纹305都由四个侧部307来限定范围,这些侧部每个都按照相对于带纹理的表面303的整体平面π大约为45°的倾斜角α307倾斜。每个花纹305都具有相对于平面π凸起的1mm的厚度e305,以使得带有其纹理的板301的总厚度e301为4mm。
根据本发明的第一实施例的板1的金字塔形花纹5中每个都由四个侧部7来限定范围,这些侧部每个都按照相对于带纹理的表面3的整体平面π的倾斜角α7倾斜。第一实施例的板1与现有技术的板301的不同之处在于一方面第一实施例的板1带有其纹理的总厚度e1为6mm,而不是4mm的e301,另一方面每个金字塔形花纹5都具有相对于表面3的整体平面π凸起的1.5mm的厚度e5,而不是1mm的e305。板1和301因此具有相同的花纹厚度e5、e305相对于板厚度e1、e301的比值ρ=0.25。由图2和图5的比较所示,板1的每个花纹5的基部具有与板301的花纹305的基部相同的尺寸,即具有2mm的边的平行四边形基部,但每个花纹5的顶点半角大约为33°,而不是板301的花纹305的45°。换句话说,对于相同的花纹周期p5、p305,通过相对于花纹305的侧部307的倾斜角α307来增大花纹5的侧部7的倾斜角α7,从而相对于现有技术的板301的每个花纹305的厚度e305增大了第一实施例的板1的每个花纹5的厚度e5
相同地,根据本发明的第二实施例的板101的金字塔形花纹105中每个都由四个侧部107来限定范围,这些侧部每个都按照相对于带纹理的表面103的整体平面π的倾斜角α107倾斜。与在第一实施例中相同,板101带有其纹理的总厚度e101为6mm,而不是现有技术的板301的4mm的e301,并且板101的每个金字塔形花纹105都具有相对于表面103的整体平面π凸起的1.5mm的厚度e105,而不是现有技术的板301的花纹305的1mm的e305。板101和301因此具有相同的花纹厚度e105、e305相对于板厚度e101、e301的比值ρ=0.25。图3和图5的比较示出每个花纹105的顶点半角等于板301的花纹305的顶点半角,即大约45°,但是每个花纹105的基部都具有3mm的边,而不是板301的花纹305的2mm。换句话说,对于起伏的花纹的侧部107、307的相同的倾斜角α107、α307,通过相对于花纹305的周期p305来增大花纹105的周期p105,从而相对于现有技术的板301的每个花纹305的厚度e305增大了第二实施例的板101的每个花纹105的厚度e105
根据第三实施例的在图4中可见的板201与现有技术的板301的不同之处在于,每个金字塔形花纹205都具有相对于表面203的整体平面π凸起的1.2mm的厚度e205,而不是1mm的e305,板201带有其纹理的总厚度e201等于板301的厚度e301,即4mm。因此,对于相同的板厚度e201、e301,板201的花纹205的厚度e205相对于板201的厚度e201的比值ρ等于0.3,而不是对于现有技术的板301的0.25。板201的每个金字塔形花纹205由四个侧部207来限定范围,这些侧部每个都按照相对于带纹理的表面203的整体平面π的倾斜角α207倾斜。图4和图5的比较示出板201的每个花纹205的基部具有与板301的花纹305的基部相同的尺寸,即具有2mm的边的平行四边形基部,但每个花纹205的顶点半角为大约40°,而不是板301的花纹305的45°。换句话说,对于相同的花纹周期p205、p305,通过相对于花纹305的侧部307的倾斜角α307来增大花纹205的侧部207的倾斜角α207,从而相对于现有技术的板301的每个花纹305的厚度e305增大了第三实施例的板201的每个花纹205的厚度e205
有利地,根据本发明的板的纹理通过对最初是平的玻璃板的表面进行轧制来实现,玻璃被加热到借助于固体物体(例如:金属辊)能够使其表面变形的温度,其中该固体物体在其表面上具有与要成形的纹理相反的形状。作为变型,纹理可以通过模制来获得。
对于这两个纹理处理技术(轧制和模制),当所追求的纹理包括具有平侧部和尖角的花纹时,例如在金字塔形、锥形或具有三角形或梯形横截面的肋或槽类型的花纹的情况下,所形成的花纹不具有完美的几何形状。因此,对于这些不同的花纹形状,每个花纹的顶点和包围每个花纹的凹陷被修圆,如对于图2至图5的金字塔形花纹通过曲率半径R和r的标示而示意地示出的那样。由于通过轧制或模制来制造的特殊条件,在纹理的顶点处的曲率半径R和在凹陷处的曲率半径r随着起伏的花纹的厚度变化不大。通过轧制来制造的条件造成在纹理的顶点处的曲率半径R大于在纹理的凹陷处的曲率半径r。
8、108、208、308标出板1、101、201或301的花纹5、105、205、305的侧部7、107、207、307与花纹的另一侧部或相邻花纹的侧部的连接区,对于这些区,区的每个点处相对于整体平面π的倾斜角α8、α108、α208、α308小于30°。这些连接区8、108、208、308对应于板的金字塔形纹理5、105、205或305的修圆的顶点和凹陷。现有技术的板301的连接区308(对于这些连接区308相对于带纹理的表面303的整体平面π的倾斜角α308小于30°)的面积S308相对于板301带纹理的总面积S301的比值为大约36%。相比而言,根据本发明的每个板1、101或201的连接区8、108、208(对于这些连接区相对于带纹理的表面3、103、203的整体平面π的倾斜角α8、α108、α208小于30°)的面积S8、S108、S208相对于板的带纹理的总面积S1、S101、S201的比值小于30%。对于根据本发明的板1、101、201,该比值的减小是由于相对于现有技术的板301的花纹305的厚度e305增大了根据本发明的板的花纹5、105、205的厚度e5、e105、e205的。在图2至图5中,借助于虚线以极为示意的方式示出了面积S8、S108、S208、S308和S1、S101、S201、S301
作为变型,连接区8、108、208、308可以定义为板的花纹的侧部7、107、207、307与花纹的另一侧部或与相邻花纹的侧部的连接区,对于这些连接区,区的每个点处相对于整体平面π的倾斜角α8、α108、α208、α308小于40°。根据该定义,现有技术的板301的连接区308(对于该连接区308相对于带纹理的表面303的整体平面π的倾斜角α308小于40°)的面积S308相对于板301带纹理的总面积S301的比值为大约60%,而根据本发明的每个板1、101或201的连接区8、108、208(对于这些连接区相对于带纹理的表面3、103、203的整体平面π的倾斜角α8、α108、α208小于40°)的面积S8、S108、S208相对于板的带纹理的总面积S1、S101、S201的比值小于45%。
下表1示出了相对于参考光伏模块的效率的零入射角的效率的提高ε10(0°)、ε110(0°)、ε210(0°)和ε310(0°),以及分别对于模块10、模块110、模块210和模块310的所有入射角的总的年效率的提高ε10、ε110、ε210和ε310,这些提高通过板1、101、201和301的表面结构的光学模拟来确定。参考模块与模块10、110、210、310的不同之处仅在于参考模块的前衬底是不带纹理的、具有与带纹理的板1、101、201和301相同的玻璃成分的透明板。通过使用在德国科隆的直接光照数据来获得总的年效率的结果ε10、ε110、ε210和ε310,该直接光照数据对应于将模块按照相对于水平面大约为35°的角度朝南布置。在表1中示出的效率数值通过模拟来确定,没有考虑辐射的发散性质,这使得实际效率数值可能会更高。
表1
用于进行模拟的假设条件如下:
-板1、101、201、301和参考模块的板由相同的如Saint-Gobain Glass所商业化的ALBARINO成分的玻璃所构成;
-入射在模块10、110、210、310和参考模块上的辐射的能量分布对应于标准日照光谱;
-通过将基于多晶硅的光伏单元作为参考来按照入射辐射的波长来评估光伏单元9、109、209、309和参考模块的效率,该效率对应于所采集的电子数相对于到达单元的光子数的比值,但是,由于板的纹理所造成的该板传输特性的改善不明显地取决于入射在板上的辐射的波长,结果可以移用于其他光伏单元类型。
表1的数据示出,根据本发明的模块10、110和210中的每个的总的年效率的提高ε10比现有技术的模块310的总的年效率的提高ε310大大约1%。
带纹理的板相对于不带纹理的板传输提高的原理的分析允许在理论上解释为什么能够甚至通过使带纹理的板的花纹的厚度最大化来使得能量转换装置的效率的提高最大化。
带纹理的板的传输提高的第一原理在于由在板的起伏花纹上的多次反射所造成的入射辐射的俘获。如图2至图5所示,对于以小入射角入射在板1、101、201、301上的光线Ei,在带纹理的表面3、103、203、303的起伏的花纹5、105、205、305上产生多次反射,这为辐射提供了更多再次进入板中的可能性Et1、Et2,从而导致在板1、101、201、301的带纹理的表面3、103、203、303上相对于不带纹理的板的平表面减少了反射。
然而,由于花纹5、105、205、305不具有完全金字塔形的形状,而是相反地是修圆的,该多次反射现象没有在带纹理的表面3、103、203、303的所有区域上发生。特别地,如由位于图2至图5左侧的箭头Er1所示,在对应于金字塔形纹理5、105、205、305的修圆的顶点和凹陷的连接区8、108、208、308中,上述入射辐射的俘获现象不能够产生。因此,为了提高入射辐射穿过板的传输,应相对于板带纹理的总面积减小这些连接区8、108、208、308的面积。在根据本发明的板1、101和201的上述示例中,连接区的面积的此减小通过相对于现有技术的板的花纹增大板的花纹的厚度、以使得在两个相邻连接区之间的每个花纹的面积更大来获得,在两个相邻连接区之间的每个花纹的面积是花纹对于在花纹上的多次反射有用的面积或表面。
此外,辐射在其进入板1、101、201、301后在板与单元9、109、209、309或可能的中间叠片之间的交界处被反射,并通过在花纹5、105、205、305的表面上的反射而被重新俘获,使得更大部分的辐射穿过板传输。因此,对于带纹理的板,由于辐射的该第二俘获,反射损失相对于不带纹理的板更小。而且,连接区8、108、208、308的面积相对于板带纹理的总面积的减小,或换句话说每个花纹对于在花纹上的多次反射有用的面积的增大,增大了辐射的第二俘获,并提高了辐射穿过板的传输。
带纹理的板传输提高的第二原理在于对于以大于45°的大入射角入射在板上的光线Fi,辐射在花纹5、105、205、305的表面上具有比在平表面上更小的入射角。例如,对于具有甚至修圆的45°顶点半角的金字塔形花纹,以在0°和90°之间变化的入射角入射在平表面上的光线Fi以包括在-45°和+45°之间的入射角到达纹理5、105的表面。正如接近90°的大入射角的范围有利于空气/玻璃交界处的反射一样,0至90°的入射角范围被-45°至+45°的范围所替代伴有明显的反射减少。连接区8、108、208、308的面积相对于板带纹理的总面积的减小因此通过该第二原理允许同样地提高穿过板的传输,这些连接区8、108、208、308对应于板相对于平面π最不倾斜的区。
如表1和上述理论解释所示,根据本发明的板具有优化的传输入射在板上的辐射的特性,这些板的连接区面积S8、S108、S208相对于板带纹理的总面积S1、S101、S201的比值相对于现有技术的板的比值减小。因此,当这种板作为前衬底被集成在光伏模块中时,相对于现有技术的模块的效率,这种板显著地改善该模块的效率。
根据本发明,无论是通过多次反射还是通过减小相对于花纹表面的入射角,穿过带纹理的板的传输的改善都是通过增大板的花纹的有用面积或表面、即花纹对于接受和传输辐射有用的花纹表面来获得的。因此,减小了板带纹理的总面积中对应于修圆的连接区的比例,并接近带纹理的板的花纹的完美几何剖面。
为了增大花纹的有用表面,如在第一和第二实施例中所示,本发明提出相对于现有技术的带纹理的板的厚度对于给定的每个花纹的厚度相对于板厚度的比值ρ来增大根据本发明的带纹理的板的厚度。由于这些实施例,辐射穿过根据本发明的带纹理的板的传输相对于辐射穿过现有技术的带纹理的板的传输被改善,而根据本发明的板的厚度并因此辐射在板中的吸收则更高。实际上,本发明人示出了对于板厚度的某些数值,由增大花纹厚度并因此增大这些花纹的有用表面所引起的穿过根据本发明的带纹理的板的传输的改善可以比由增大板的厚度所引起的辐射在板内部的吸收的提高更大,尤其是对于具有低辐射吸收的板的成分。
对于比值ρ的给定数值,根据本发明的带纹理的板的厚度的数值优选地选择为等于优选的厚度数值,对于该优选的厚度数值,穿过板的传输由于花纹厚度的增大所造成的提高最好地平衡由于板厚度的增大所造成的在板中的吸收的增大,即对于该优选的厚度数值,入射在板的带纹理表面上的辐射穿过板的传输是最大的。特别地,对于比值ρ大于或等于0.2的给定数值,根据本发明的带纹理的板的厚度优选地选择为大于或等于4.5mm,其中0.2是现有技术的带纹理的板的比值ρ的传统数值。在根据本发明的带纹理的板作为能量转换装置(例如:光伏模块或OLED装置)的前衬底的应用中,为了保持装置的适当重量,根据本发明的带纹理的板的厚度优选地保持小于或等于8mm。
用于增大花纹的有用表面的另一解决方案在于如在第三实施例中所示,对于板厚度的给定数值,相对于现有技术的带纹理的板的比值ρ,增大每个花纹的厚度相对于板厚度的比值ρ。花纹对于接受和传输辐射有用的表面因此通过增大每个花纹的厚度而增大。在该情况下,对于板厚度的传统数值(例如:包括在3mm和4mm之间),根据本发明的带纹理的板的比值ρ优选地被选择为例如0.3≤ρ。此外,在通过轧制的带有纹理的玻璃板的情况下,实际上由于轧制的方法而导致最大数值ρ为0.5,以避免玻璃粘在轧制辊上的问题。
本发明基于如本发明人所示出的,带纹理的板的传统制造方法(为轧制和模制)造成在起伏的花纹的顶点和凹陷处的曲率半径,无论花纹的厚度和板厚度如何,这些曲率半径都不改变。本以为这些曲率半径会以与花纹厚度和板厚度同步的方式增大。然而,令人吃惊的是,对于给定的通过轧制或模制来制造的方法,平均曲率半径总是保持不变,对于在轧制的情况下的曲率半径r和R,该平均曲率半径特别地大约为数微米。本发明人利用曲率半径的该稳定性,以获得在穿过带纹理的板的传输的提高方面更有效的纹理。为此,本发明人特别地选择对于比值ρ的给定数值来增大板的厚度。作为变型,本发明人考虑对于板厚度的给定数值来增大比值ρ。
本发明不限于所示出的所述示例。特别地,根据本发明的板的纹理可以通过金字塔形花纹以外的花纹的组合来形成。根据本发明的板的花纹可以尤其是锥形的,或是槽或肋类型的长形花纹。当板的花纹由金字塔形或锥形花纹形成时,这些花纹有利地具有多边形基部,尤其是三角形、方形、长方形、平行四边形、六边形或八边形基部。更一般地,根据本发明的板的花纹例如为包括相对于板包括花纹的表面的整体平面π倾斜的至少两个侧部。此外,由于花纹的每个侧部不一定是平的,侧部相对于整体平面π的倾斜角被定义为在侧部的平均表面和平面π之间限定的平均倾斜角。
根据本发明的板的纹理还可以是凹的纹理,而不是凸的纹理,花纹因此相对于板的带纹理的表面的组件平面是凹陷的。此外,如果说根据本发明的板的花纹优选地是拼接的,那么所述花纹则还可以是不拼接的。同样地,如果说花纹在板的带纹理的表面上的随机分布是有利的,那么所述随机分布不是必须的。根据本发明的板的花纹可以相互之间是相同的,如在上述实施例中一样,或者相互之间是不同的。此外,根据本发明的板的花纹可以在板的对应表面的整个表面上形成,或作为变型,只在该表面的一个或多个区域上形成。
另外,根据本发明的带纹理的板可以由任何成分的超清透明玻璃来构成,尤其是“ALBARINO”玻璃或超清透明浮法玻璃(例如:由Saint-Gobain Glass以“DIAMANT”系列商业化的玻璃)。特别地,通过轧制的纹理可以借助于集成在浮法玻璃轧制的纹理处理辊来实现。根据本发明的带纹理的板还可以由玻璃以外的透明材料来形成,例如由透明的热塑性聚合物(例如:聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯)来构成。
根据本发明未示出的一个变型,根据本发明的板还可以在其两个表面上包括纹理,而不是如在所示出的所述示例中一样只在其表面中的一个上包括纹理。最后,根据本发明的具有优化的入射辐射传输特性的带纹理的板的一个有利应用在于其被用作能量转换装置(例如:光伏模块、热模块或OLED装置)的前衬底。然而,根据本发明的带纹理的板还可以用作装饰性的玻璃元件。

Claims (14)

1.一种单片透明板(1 ; 101 ; 201),该板在至少其中一个表面(3 ; 103 ; 203)上包括至少一个区域,所述区域通过相对于所述表面(3 ; 103 ; 203)的整体平面(π)起伏的多个几何花纹(5 ; 105 ; 205)而带有纹理,每个花纹都具有与所述整体平面(π)平行的横截面,所述横截面在从基部开始远离所述表面(3 ; 103 ; 203)直至所述花纹的顶点的同时减小,其特征在于,带纹理的区域的连接区(8 ; 108 ; 208)的面积(S8 ; S108 ; S208)小于所述带纹理的区域的总面积(S1 ; S101 ; S201)的35%,对于所述连接区(8 ; 108 ; 208),相对于所述整体平面(π)所述连接区的每个点处的倾斜角(α8 ; α108 ; α208)小于30°,其特征还在于:
- 或者(i)每个花纹(5 ; 105)的厚度(e5 ; e105)相对于所述板(1 ; 101)的厚度(e1 ; e101)的比值ρ具有大于或等于0.2的给定数值,并且所述板(1; 101)的厚度(e1 ; e101)包括在从4.5mm到8mm的范围内;
- 或者(ii)所述板(201)的厚度(e201)具有包括在从3mm到8mm的范围内的给定数值,并且每个花纹(205)的厚度(e205)相对于所述板(201)的厚度(e201)的比值ρ大于或等于0.3。
2.如权利要求1所述的板,其特征在于,每个花纹(5 ; 105 ; 205)都在沿着通过所述花纹的顶点并且垂直于所述整体平面(π)的至少一个平面的横向剖面上由两个侧部(7; 107 ; 207)来限定范围,这些侧部每个都按照相对于所述整体平面(π)非零的平均倾斜角(α7 ; α107 ; α207)倾斜,所述带纹理的区域的连接区(8 ; 108 ; 208)形成在花纹的侧部(7 ; 107 ; 207)和所述花纹的另一侧部或相邻花纹的侧部之间的连接区(8 ; 108 ; 208),对于所述连接区(8 ; 108 ; 208),所述连接区的每个点处相对于所述整体平面(π)的倾斜角(α8 ; α108 ; α208)小于30°。
3.如权利要求2所述的板,其特征在于,花纹(5 ; 105 ; 205)的每个侧部(7 ; 107 ; 207)相对于所述整体平面(π)的平均倾斜角(α7 ; α107 ; α207)包括在40°和65°之间。
4.如权利要求1-3中任一项所述的板,其特征在于,每个花纹(5 ; 105 ; 205)都具有大于或等于0.5mm的厚度(e5 ; e105 ; e205)。
5.如权利要求1-3中任一项所述的板,其特征在于,对于每个花纹(5 ; 105; 205)的厚度(e5 ; e105 ; e205)相对于所述板(1 ; 101 ; 201)的厚度(e1 ; e101 ; e201)的比值ρ的给定数值,所述板(1 ; 101 ; 201)的厚度(e1 ; e101 ; e201)具有优化数值,所述优化数值对应于入射在所述板的所述表面(3 ; 103 ; 203)上的辐射穿过所述板的最大传输。
6.如权利要求1-3中任一项所述的板,其特征在于,所述花纹(5 ; 105 ; 205)是拼接的。
7.如权利要求1-3中任一项所述的板,其特征在于,所述花纹(5 ; 105 ; 205)是具有非零的顶点半角的金字塔形或锥形。
8.如权利要求1-3中任一项所述的板,其特征在于,所述花纹是槽或肋。
9.如权利要求1-3中任一项所述的板,其特征在于,所述带纹理的区域通过轧制获得。
10.如权利要求1-3中任一项所述的板,其特征在于,所述带纹理的区域通过模制获得。
11.一种组件(1 ; 110 ; 210),所述组件包括如上述权利要求中任一项所述的透明板(1 ; 101 ; 201),以及能够采集或发出辐射的元件(9 ; 109 ; 209),所述元件(9 ; 109 ; 209)相对于所述板(1 ; 101 ; 201)被布置为能够采集穿过所述板的辐射或能够发出穿过所述板的辐射,所述板的所述带纹理的表面(3; 103 ; 203)指向所述元件(9 ; 109 ; 209)的对面。
12.一种如权利要求1至10中任一项所述的透明板(1 ; 101 ; 201)的制造方法,其特征在于,在由透明材料制成的板的至少一个表面(3 ; 103 ; 203)上形成相对于所述表面(3 ; 103 ; 203)的整体平面(π)起伏的几何花纹(5; 105 ; 205),同时最大化每个起伏的花纹(5 ; 105 ; 205)的厚度(e5 ; e105 ;e205),包括:
或者,对于花纹的给定周期,通过使花纹侧部相对于表面的整体平面的平均倾斜角最大化来使每个花纹的高度最大化;
或者,对于每个花纹的侧部相对于表面的组件平面的给定的平均倾斜角,通过使花纹周期最大化来使每个花纹的深度最大化。
13.如权利要求12所述的制造方法,其特征在于,通过轧制所述板来形成所述起伏的花纹(5 ; 105 ; 205)。
14.如权利要求12所述的制造方法,其特征在于,通过模制所述板来形成所述起伏的花纹(5 ; 105 ; 205)。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013061099A1 (en) * 2011-10-27 2013-05-02 Christophoros Diakopoulos Photovoltaic panels of high productivity in energy
US9876129B2 (en) * 2012-05-10 2018-01-23 International Business Machines Corporation Cone-shaped holes for high efficiency thin film solar cells
WO2014097387A1 (ja) 2012-12-18 2014-06-26 パイオニア株式会社 発光装置
CN103824967A (zh) * 2013-12-30 2014-05-28 北京维信诺科技有限公司 一种具有内光取出结构的基板及其制造方法
US20150285959A1 (en) * 2014-04-02 2015-10-08 Nebula Energy Inc. Solar radiation concentrators, methods of concentrating solar radiation, and solar radiation concentrating prism lenses
FR3035397A1 (fr) * 2015-04-23 2016-10-28 Saint Gobain Verre texture pour serre
WO2017217303A1 (ja) * 2016-06-14 2017-12-21 ミネベアミツミ株式会社 配光制御部材および照明装置
ES2898720T3 (es) * 2018-07-27 2022-03-08 Cnbm Bengbu Design & Res Institute For Glass Industry Co Ltd Módulo solar con placa cobertora estructurada y capa de interferencia óptica
EP3599318B1 (de) * 2018-07-27 2021-11-10 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Fassadenelemente mit strukturierter deckplatte und optischer interferenzschicht
EP3858606B1 (de) * 2020-01-28 2022-09-07 Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Farbiges fassadenelement mit verbundscheibenstruktur

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1447134A (zh) * 2002-03-25 2003-10-08 三洋电机株式会社 抗反射构件
CN1596374A (zh) * 2001-11-28 2005-03-16 法国圣戈班玻璃厂 强透射光的结构化透明板
CN2850965Y (zh) * 2004-05-10 2006-12-27 法国圣戈班玻璃厂 透明板及组合件和转化装置
CN101233433A (zh) * 2005-08-02 2008-07-30 法国圣戈班玻璃厂 包含非对称特形体的有纹理的薄板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19514908C1 (de) * 1995-04-22 1996-04-18 Ver Glaswerke Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Solarmoduls
NL1025191C2 (nl) * 2004-01-08 2005-07-11 Agrotechnology And Food Innova Afdekking voor een zonnestraling gebruikend object.
CN1942788A (zh) * 2004-02-26 2007-04-04 他喜龙株式会社 光扩散片和使用该光扩散片的背光单元
FR2881844B1 (fr) 2005-02-09 2007-04-13 Saint Gobain Structure diffusante a proprietes d'absorption dans l'ultraviolet
DE102005027737B4 (de) 2005-06-16 2013-03-28 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Verwendung einer transparenten Scheibe mit einer dreidimensionalen Oberflächenstruktur als Deckscheibe für Bauelemente zur Nutzung des Sonnenlichts
DE102005027799B4 (de) 2005-06-16 2007-09-27 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen einer transparenten Scheibe mit einer Oberflächenstruktur und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
JP4662151B2 (ja) * 2005-11-29 2011-03-30 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用充填材、およびそれを用いた太陽電池モジュール、ならびに太陽電池モジュール用充填材の製造方法
JP2008241889A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Sekisui Chem Co Ltd プリズムシート及び光学シート
FR2915834B1 (fr) 2007-05-04 2009-12-18 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une couche electrode perfectionnee
FR2916901B1 (fr) 2007-05-31 2009-07-17 Saint Gobain Procede d'obtention d'un substrat texture pour panneau photovoltaique
FR2917899B1 (fr) * 2007-06-21 2010-05-28 Apollon Solar Module photovoltaique comprenant un film polymere et procede de fabrication d'un tel module
FR2938078B1 (fr) 2008-11-03 2011-02-11 Saint Gobain Vitrage a zones concentrant la lumiere par echange ionique.
FR2941447B1 (fr) 2009-01-23 2012-04-06 Saint Gobain Substrat en verre transparent et procede de fabrication d'un tel substrat.

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1596374A (zh) * 2001-11-28 2005-03-16 法国圣戈班玻璃厂 强透射光的结构化透明板
CN1447134A (zh) * 2002-03-25 2003-10-08 三洋电机株式会社 抗反射构件
CN2850965Y (zh) * 2004-05-10 2006-12-27 法国圣戈班玻璃厂 透明板及组合件和转化装置
CN101233433A (zh) * 2005-08-02 2008-07-30 法国圣戈班玻璃厂 包含非对称特形体的有纹理的薄板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
REDUCTION OF REFLECTION LOSSES OF PV-MODULES BY STRUCTURED SURFACES;A.SCHEYDECKER et al;《Solar Energy》;19940801;第53卷(第2期);全文 *

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