CN102574676B - 用于制造具有埋腔的mems器件的方法以及由此获得的mems器件 - Google Patents

用于制造具有埋腔的mems器件的方法以及由此获得的mems器件 Download PDF

Info

Publication number
CN102574676B
CN102574676B CN201080045056.9A CN201080045056A CN102574676B CN 102574676 B CN102574676 B CN 102574676B CN 201080045056 A CN201080045056 A CN 201080045056A CN 102574676 B CN102574676 B CN 102574676B
Authority
CN
China
Prior art keywords
region
groove
bottom section
thin membrane
membrane regions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080045056.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102574676A (zh
Inventor
P·科罗纳
S·洛萨
I·格尔米
R·卡姆佩德利
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Publication of CN102574676A publication Critical patent/CN102574676A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102574676B publication Critical patent/CN102574676B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/00468—Releasing structures
    • B81C1/00476—Releasing structures removing a sacrificial layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00047—Cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0109—Bridges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0102—Surface micromachining
    • B81C2201/0105—Sacrificial layer
    • B81C2201/0109—Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。

Description

用于制造具有埋腔的MEMS器件的方法以及由此获得的MEMS器件
技术领域
本发明涉及用于制造MEMS器件的方法。具体而言，本发明涉及具有悬置于埋腔或埋沟之上的薄膜的器件的制造。
背景技术
在下文中，将对电容式压力传感器的制造进行参考，该传感器具有亦称为薄膜的悬置区域，该区域能够相对于结构的其余部分移动。
然而，本发明并不限于这种传感器，而是还适用于例如用于在微流体器件中使用的其他具有埋沟的MEMS传感器、致动器和器件。
具体地，在电容式类型的压力传感器的情况中，薄膜表示可变电极，其面向形成固定电极的固定部分，并且通过埋腔而与后者分离。
已知各种基于粘结两个衬底或移除牺牲层的、用于制造薄膜的技术。
例如，US 7,273,764描述了一种制造方法，该方法的实现从由硅衬底、绝缘层和沉积的多晶硅层构成的晶片开始，其中首先在多晶硅层中形成沟槽，通过沟槽移除绝缘层的一部分以便形成空腔，利用多孔氧化物填充空腔和沟槽，在晶片的平坦化表面上形成多孔硅覆盖区域，通过覆盖区域移除多孔氧化物，并且在覆盖区域上形成密封区域。由于填充和排空空腔及沟槽的操作，这种方法因而相当复杂。此外，所产生的薄膜(在空腔之上的多晶硅层)是穿孔的，并且因此是脆弱的。
在其他解决方案中，在薄膜层中形成蚀刻孔并移除牺牲层后，对孔进行填充。例如，US 6,521,965设想到提供底电极；在底电极上形成牺牲区域；外延生长薄膜层；在薄膜层中形成蚀刻孔；通过蚀刻孔移除牺牲区域；以及利用填料氧化物使孔封闭。在US 6,527,961中也描述了用于获得压力传感器的类似方法。US 6,012,336使用氮化硅或金属来填充蚀刻孔。
在上述方法中，填充蚀刻孔是一个关键步骤。实际上，使用保形材料是不可能的，否则这将会穿透到刚获得的空腔之中并且将会造成对其的至少部分填充，从而由此引起错误的电容耦合。另一方面，还鉴于针对需要大厚度薄膜的应用而窄且深的孔的几何特性，使用非保形材料不支持对其的完全封闭。实际上，一般情况下，在填充材料在底部中完全填充孔之前，蚀刻孔即在顶部开口附近封闭。
使用两种不同的材料——第一种非保形材料限制顶部开口并阻止第二种保形材料穿透到空腔之中——也不能解决问题。此外，目标往往是在空腔内实现低压，并且因此对于蚀刻孔的填充，使用在大气压下沉积的诸如氧化物之类的材料是不可能的。此外，由于可能出现使制成的器件的电特性和耐久特性恶化的热应力或机械应力，所以使用不同材料并不是最优的。此外，在压力传感器的情况中，提供较薄的薄膜是不利的，这是因为薄膜的厚度对于获得更线性的行为和更高的准确性而言是重要的。
发明内容
本发明的目标是提供克服现有技术缺点的方法和器件。
根据本发明，提供如分别如在权利要求1和权利要求8中限定的、用于制造MEMS器件的方法和由此获得的MEM器件。
附图说明
为了更好地理解本发明，现在参考附图，纯粹以非限制性示例的方式描述本发明的优选实施方式，其中：
图1至图5示出了在本方法的连续步骤中半导体材料晶片的截面；
图6示出了图5的晶片细节的顶视放大图；
图7示出了在本方法的后续步骤中，图5的晶片的截面；
图8以透视图示出了图7的晶片细节的SEM图像；
图9和图10示出了在本方法的连续步骤中，图7的晶片的截面；
图11示出了图10的晶片细节的截面的SEM图像；
图12示出了在本方法的后续步骤中，图10的晶片的截面；
图13示出了在切块后获得的MEMS器件的截面；
图14示出了图13的MEMS器件的变体的截面。
具体实施方式
图1示出了晶片1，其包括通常为硅的半导体材料的衬底2，该衬底2覆盖有绝缘层3，绝缘层3例如为具有2.2μm至3μm、通常为2.6μm厚度的氧化硅。在绝缘层3上延伸的底部区域4a、4b(例如多晶硅区域)通过沉积和成形具有例如0.5μm-1.3μm、通常为0.9μm厚度的多晶硅层获得。
接下来(图2)，沉积绝缘材料的牺牲层6，例如TEOS(正硅酸乙酯)，其与绝缘层3一起形成介电层5，该介电层5具有例如3.6μm-5.2μm，通常为4.4μm的总厚度。继而，在一些区域中，例如在侧区7上(在图2中左侧示出)，贯穿介电层5的厚度选择性地移除介电层5。
继而(图3)，提供锚固掩模8，例如抗蚀掩模，其具有位于侧区7上的开口8a，在此要制出对准标记；以及位于底部区域4a之上的介电层5的一部分上的开口8b，在此要制出用于外延生长的锚固。使用锚固掩模8，进行硅刻蚀用以在衬底2中提供对准标记10，以及进行氧化物刻蚀用以移除牺牲层6的选择性部分并且选择性地暴露底部区域4a、4b。如下文中所进一步详述，刻蚀不涉及底部区域4b上的介电层5的部分5a，从而形成牺牲部分。
在移除锚固掩模8之后(图4)，从衬底2和底部区域4a、4b的暴露部分开始进行外延生长，以及进行由此获得的晶片1的平坦化。以此方式，生长出伪外延层9，其包括侧区7上并且一般在衬底2的暴露区之上的单晶区域9a，以及在介电层5上的多晶区域9b。具体地，如下文中所进一步详述，多晶区域9b在锚固区域9c处与底部区域4b电接触，以便支持其电连接。外延生长根据介电层5上的期望厚度进行；通常情况下，为了获得压力传感器，多晶区域9b在所考虑的区域中可以具有5μm到20μm、例如6μm的厚度。
继而(图5)，使用抗蚀沟槽掩模(未示出)，在牺牲部分5a之上执行多晶区域9b的各向异性蚀刻，以便形成沟槽或孔隙15。刻蚀在介电层5上被自动地中断，从而使沟槽15成为穿通沟槽并且贯穿所考虑的区域中的多晶区域9b的整个厚度。沟槽15可以具有圆形或方形截面，或者带圆角的方形截面，或者任何多边形状。沟槽15被形成为使得其具有远小于其深度并且按网格布置的横截面，该网格确定期望的薄膜和/或空腔的形状。在例如图6中示例说明的是方形网格的一部分，其具有100μm到1000μm的边长，其中沟槽15沿着两个直角坐标轴以均匀的距离间隔设置。在此，沟槽15具有带圆角的方形形状，其具有0.8μm到1.2μm、通常为1μm的边长D，并且以距离间隔d＝1.8-2.2μm、通常为2μm设置。在上文所提及的、在其中多晶区域9b在沟槽15处具有6μm厚度的情况下，它们具有大约1∶6的直径/深度比。一般而言，沟槽15可以具有1∶5到1∶20的宽度/深度比。
接下来(图7)，使用标准LCVD技术，沉积多孔硅的覆层16，其具有例如50nm-150nm、通常是100nm的厚度。如在图8的以扫描电子显微镜(SEM)拍摄的沟槽15的放大图像中部分地可见，由于覆层16能够以保形方式沉积，并且因为对其在底部的延伸做出定界的牺牲部分5a的存在，其不仅完全覆盖晶片1的表面，而且还覆盖沟槽15的垂直壁和底部。
利用覆层16对于蚀刻剂和反应产物二者的渗透性，经由干法蚀刻或湿法蚀刻，例如利用无水氢氟酸或含水氢氟酸，将介电层5的牺牲部分5a位于沟槽15的网格之下的部分移除。因此如图9中所示，在沟槽15的网格下面产生空腔18。
接下来(图10)，沉积多晶硅层，该多晶硅层穿透到沟槽15中并填充沟槽15，从而形成其中的填充区域20a和晶片1的表面上的多晶层20b。例如，可以沉积具有0.5μm-1.5μm、通常为1.0μm厚度的层。以此方式，在空腔18上形成薄膜21，并且该薄膜21仅包含多晶硅，包括多晶区域9b、覆层16和填充区域20a。薄膜21的结构亦可见于图11的SEM图像。
接下来，在晶片1的表面上形成例如为金的第一接触22a和第二接触22b(图12)，并且经由对多晶区域9b的蚀刻和选择性移除来形成绝缘沟槽23(图13)。以此方式，薄膜21与多晶区域9b的其余部分电解耦，并且可以通过自身的接触22a被电偏置；接触22b另外支持底部区域4b通过锚固部分9c的电连接。
最后，使晶片1经受通常的最终加工和切块步骤，以获得如图13中所示的单个器件24。在此，薄膜21形成电容式类型的压力传感器25的可变电极，其固定电极由底部区域4b形成。
压力传感器25能够检测作用在薄膜21上的力P。实际上，在力P的存在下，薄膜21会弯曲，从而改变传感器25的电容。电容的这种改变如众所周知的那样，继而通过接触22a、22b被检测到，并且经由未示出的已知电路进行处理。
备选地，薄膜21可以用于形成不同类型的MEMS器件，诸如加速度计、陀螺仪、谐振器、阀、喷墨打印机的打印头等，在这种情况下，薄膜21下方和/或上方的结构根据所设想的应用而更改。
同样地，如果MEMS器件形成具有多个空腔/埋沟18的微流体器件，则根据应用而优化沟道18的尺寸、形状和数量，并且MEMS器件利用其操作所必需的结构和元件而完成。
当期望在同一晶片1中集成电子元件时，这可以使用单晶区域9a来完成。在这种情况下，在形成接触22a、22b之前，对晶片进行回蚀刻，以便从晶片1的表面移除多晶层20b。继而，集成图14中由28标示为整体的期望元件。
以上描述的方法和器件具有众多优点。首先，方法很简单，并且需要减少数目的掩蔽步骤。器件因此能够以低廉成本制造。
由于基本上无空区的薄膜的单片结构，薄膜很强健，并因此特别适合于获得不同类型的MEMS结构，降低可能危害其功能性的故障、变形或损伤的风险。当针对多晶区域9b、覆层16和填充区域20a只使用一种材料(硅)时，由于薄膜对热应力具有较低的敏感性，因而获得薄膜的更高的强健性。
由于方法不存在特别的关键方面或者执行难点，因此其易于实现，因而确保了高产率和低最终成本。此外，其特别灵活在于，其在表面和厚度二者方面支持以简单的方式获得期望形状和尺寸的埋腔18和/或薄膜21。具体地，对于如压力传感器之类的应用，有可能获得大厚度薄膜，以便增加传感器的精确度。
使用对多孔硅支持在没有填充材料20a穿透到空腔18中或者甚至被沉积在其底部上的任何风险的情况下对沟槽15进行填充，因而确保将会获得具有规则形状的薄膜，并且避免会损害或者在任何情况下减弱制成的MEMS器件的电气/机械特性的任何不良形成。
埋腔18与外部世界密封，如一些应用中所要求的那样。
最后，显然可以对本文所述和所示的方法及器件做出修改和改变，而不因此偏离在随附权利要求书中定义的本发明的范围。例如，可以通过至少在介电层5的牺牲部分5a上沉积种子层来进行外延生长。在这种情况下，可以直接由衬底2形成底部区域4b，从而消除其形成所必须的步骤，并且简化用于形成介电层5的步骤，尤其是在底部区域4b不需要与伪外延层9的其余部分和/或与衬底2绝缘时。此外，介电层5的牺牲部分5a可以具有基本上与空腔18的形状和尺寸对应、并因此与期望的薄膜21的形状和尺寸对应的形状和尺寸。
如果器件24不是电容式压力传感器，则底部区域4b的材料可以是任何材料，只要其不同于牺牲层6的材料即可；例如，其可以是不同于氧化物的介电材料，诸如氮化硅。
多孔硅层能够以不同方式获得；例如，其能够以本身已知的方式，仅在沉积之后才转化成为多孔。

Claims (14)

1.一种用于制造MEMS器件的方法，包括以下步骤：
在半导体材料的衬底(2)上形成绝缘层(3)；
在形成所述绝缘层(3)之后，形成第一材料的底部区域(4b)；
在所述底部区域之上形成牺牲层(6)，所述牺牲层由不同于所述第一材料的材料形成；
形成牺牲区域(5a)，其中形成所述牺牲区域(5a)包括在至少一个接触区(8b)中选择性地移除所述绝缘层(3)的一部分和所述牺牲层(6)的一部分；
在所述牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)，其中生长所述薄膜区域包括在所述底部区域(4b)上形成接触区域(9c)以及在所述接触区域(9c)之上并在所述薄膜区域(21)的旁边形成接触部分(9b)；
蚀刻所述薄膜区域，直至所述牺牲区域，以便形成沟槽(15)，每个沟槽(15)具有由所述薄膜区域定界的侧壁和由所述牺牲区域定界的底部；
利用多孔材料层(16)完全和保形地覆盖所述沟槽的所述侧壁和所述底部；
通过所述多孔材料层选择性地移除所述牺牲区域的至少一部分，以形成埋腔(18)；以及
利用填充材料(20a)填充所述沟槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述填充材料(20a)、所述薄膜区域(21)和所述多孔材料层(16)为硅。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述沟槽(15)具有1∶5到1∶20的宽度/深度比。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述蚀刻包括干法蚀刻或湿法蚀刻。
5.根据权利要求1或2所述的方法，包括：在形成底部区域(4b)之前，在半导体材料的衬底(2)上形成绝缘层(3)；以及在所述底部区域之上形成牺牲层，其中形成所述牺牲区域(5a)包括选择性地移除在至少一个侧区(7)中的所述绝缘层(3)的一部分和所述牺牲层(6)的一部分，并且外延生长包括在所述侧区上形成单晶区域(9a)以及在所述牺牲层(6)上形成多晶区域(9b)，所述多晶区域毗邻所述单晶区域，并且形成所述薄膜区域(21)和所述接触部分。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述单晶区域(9a)中集成电子元件。
7.一种MEMS器件，其包括：
半导体材料的衬底(2)；
底部区域(4)；
第一绝缘层(3)，其位于所述衬底之上和所述底部区域(4b)之下；
薄膜(21)，其为半导体材料，位于所述底部区域之下；以及
埋腔(18)，其布置在所述底部区域与所述薄膜区域之间；
第二绝缘层(6)，在所述埋腔(18)旁边和所述底部区域上延伸；
所述薄膜区域(21)具有多晶结构，该多晶结构包括多个沟槽(15)，所述沟槽(15)延伸贯穿所述薄膜区域的整个厚度并且覆盖有多孔材料层(16)，该多孔材料层(16)沿每个沟槽的侧壁和底部保形地延伸；所述沟槽利用填充材料(20a)填充。
8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其中所述薄膜区域、所述填充区域和所述多孔材料层为硅。
9.根据权利要求7或8所述的MEMS器件，其中所述底部区域(4b)为多晶硅。
10.根据权利要求7或8所述的MEMS器件，其中所述沟槽(15)具有1∶5到1∶20的宽度/厚度比。
11.根据权利要求7或8所述的MEMS器件，还包括单晶区域(9a)，该单晶区域(9a)在所述底部区域(4b)、所述埋腔(18)和所述薄膜区域(21)旁边延伸。
12.根据权利要求11所述的MEMS器件，还包括电子元件(28)，该电子元件(28)集成在所述单晶区域(9a)中。
13.根据权利要求7或8所述的MEMS器件，其形成选自下列各项的器件：压力传感器；加速度计；陀螺仪；谐振器；换能器；阀；喷墨打印头；微流体器件。
14.一种压力传感器，其包括：
接口电路，其被配置用于检测电容变化以及输出电学量；以及
根据权利要求7-13中任一项所述的MEMS器件。
CN201080045056.9A 2009-08-05 2010-08-05 用于制造具有埋腔的mems器件的方法以及由此获得的mems器件 Active CN102574676B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT000616A ITTO20090616A1 (it) 2009-08-05 2009-08-05 Procedimento di fabbricazione di dispositivi mems dotati di cavita' sepolte e dispositivo mems cosi' ottenuto
ITTO2009A000616 2009-08-05
PCT/EP2010/061441 WO2011015637A1 (en) 2009-08-05 2010-08-05 Process for manufacturing mems devices having buried cavities and mems device obtained thereby

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102574676A CN102574676A (zh) 2012-07-11
CN102574676B true CN102574676B (zh) 2015-07-15

Family

ID=42106022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080045056.9A Active CN102574676B (zh) 2009-08-05 2010-08-05 用于制造具有埋腔的mems器件的方法以及由此获得的mems器件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8344466B2 (zh)
EP (1) EP2462050B1 (zh)
CN (1) CN102574676B (zh)
IT (1) ITTO20090616A1 (zh)
WO (1) WO2011015637A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITTO20090973A1 (it) 2009-12-10 2011-06-11 St Microelectronics Srl Magnetometro triassiale integrato di materiale semiconduttore realizzato in tecnologia mems
CN102320561A (zh) * 2011-09-15 2012-01-18 上海先进半导体制造股份有限公司 可提高工艺效率的薄膜制作方法
US9013012B2 (en) 2013-03-05 2015-04-21 Stmicroelectronics Pte. Ltd. Self-sealing membrane for MEMS devices
US9254998B2 (en) * 2013-03-11 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS device with a capping substrate
US8802473B1 (en) * 2013-03-14 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS integrated pressure sensor devices having isotropic cavities and methods of forming same
US10192970B1 (en) * 2013-09-27 2019-01-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration Simultaneous ohmic contact to silicon carbide
US10023461B2 (en) * 2014-10-31 2018-07-17 Stmicroelectronics S.R.L. Microintegrated encapsulated MEMS sensor with mechanical decoupling and manufacturing process thereof
CN205262665U (zh) * 2015-06-22 2016-05-25 意法半导体股份有限公司 压力传感器
ITUB20161080A1 (it) * 2016-02-25 2017-08-25 St Microelectronics Srl Dispositivo sensore di pressione di tipo micro-elettro-meccanico con ridotta sensibilita' alla temperatura
DE102017203919A1 (de) * 2017-03-09 2018-09-13 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer MEMS-Einrichtung für einen mikromechanischen Drucksensor
CN111684252B (zh) * 2017-11-17 2022-02-01 希奥检测有限公司 具有悬浮膜并在锚边缘具有圆角的电容式压力传感器和其他器件
DE102018222715B4 (de) * 2018-12-21 2021-01-21 Robert Bosch Gmbh Sensoreinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoreinrichtung
CN111843247A (zh) * 2020-06-28 2020-10-30 西安中科微精光子制造科技有限公司 一种在金刚石内部形成通道的方法及金刚石制品
US20230110175A1 (en) * 2021-09-29 2023-04-13 Stmicroelectronics S.R.L. Microfluidic mems device comprising a buried chamber and manufacturing process thereof
TWI808926B (zh) * 2023-02-14 2023-07-11 王傳蔚 互補式金氧半微機電壓力感測器之製作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0863392A1 (en) * 1997-03-04 1998-09-09 STMicroelectronics S.r.l. A method of manufacturing pressure microsensors
US6012336A (en) * 1995-09-06 2000-01-11 Sandia Corporation Capacitance pressure sensor
US6521965B1 (en) * 2000-09-12 2003-02-18 Robert Bosch Gmbh Integrated pressure sensor
CN1732123A (zh) * 2002-12-23 2006-02-08 飞思卡尔半导体公司 通过外延形成半导体器件的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919364A (en) * 1996-06-24 1999-07-06 Regents Of The University Of California Microfabricated filter and shell constructed with a permeable membrane
DE19961578A1 (de) * 1999-12-21 2001-06-28 Bosch Gmbh Robert Sensor mit zumindest einer mikromechanischen Struktur und Verfahren zur Herstellung
US6928879B2 (en) * 2003-02-26 2005-08-16 Robert Bosch Gmbh Episeal pressure sensor and method for making an episeal pressure sensor
US8000789B2 (en) * 2006-09-28 2011-08-16 Medtronic, Inc. Capacitive interface circuit for low power sensor system
US8798291B2 (en) * 2008-09-19 2014-08-05 United Microelectronics Corp. Structure of MEMS electroacoustic transducer and fabricating method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6012336A (en) * 1995-09-06 2000-01-11 Sandia Corporation Capacitance pressure sensor
EP0863392A1 (en) * 1997-03-04 1998-09-09 STMicroelectronics S.r.l. A method of manufacturing pressure microsensors
US6521965B1 (en) * 2000-09-12 2003-02-18 Robert Bosch Gmbh Integrated pressure sensor
CN1732123A (zh) * 2002-12-23 2006-02-08 飞思卡尔半导体公司 通过外延形成半导体器件的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110031567A1 (en) 2011-02-10
ITTO20090616A1 (it) 2011-02-06
CN102574676A (zh) 2012-07-11
US8344466B2 (en) 2013-01-01
EP2462050A1 (en) 2012-06-13
EP2462050B1 (en) 2017-11-08
WO2011015637A1 (en) 2011-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102574676B (zh) 用于制造具有埋腔的mems器件的方法以及由此获得的mems器件
US7317233B2 (en) Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same
US8558327B2 (en) Micromechanical component and corresponding production method
US7923278B2 (en) Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems
US20160332867A1 (en) Recess with Tapered Sidewalls for Hermetic Seal in MEMS Devices
US8778194B2 (en) Component having a through-connection
US7585744B2 (en) Method of forming a seal for a semiconductor device
US9840410B2 (en) Micromechanical component
CN103964373A (zh) 具有抗裂膜结构的微机电系统器件及其制造方法
JP5383657B2 (ja) 裏面接続するためのトレンチ構造を有するマイクロマシンコンポーネントの製造方法
CN103229290A (zh) 薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊
US8481401B2 (en) Component having a through-contact
CN106290985A (zh) 一种电容式复合传感器及其制造方法
JP5812558B2 (ja) モノリシック集積回路を有するマイクロメカニカルエレメント、ならびにエレメントの製造方法
CN105628054A (zh) 惯性传感器及其制作方法
US20230339745A1 (en) Method for manufacturing a micromechanical sensor
TWI632358B (zh) 電容式壓力感測器及方法
US9875926B2 (en) Substrates with buried isolation layers and methods of formation thereof
EP3279630B1 (en) Pressure sensor module

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant