CN102564291A - 侦测晶圆打标质量的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明关于一种侦测晶圆打标质量的方法，其包括打标机台在晶圆片表面打九个孔，打标条件同产品片，即晶圆；用原子力显微镜(Atomic Force Microscope，简称AFM)扫描九个打标孔得出扫描图像，同时计算每个孔的深度、孔径和堆积物高度，取九个打标孔的平均值；根据上述平均值，对产品片晶圆的打标孔的深度、孔径和堆积物高度都设置规范，对于原子力显微镜扫描到的晶圆的打标孔超出规范者则视为打标机台异常。本发明侦测晶圆打标质量的方法通过原子力显微镜监测打标机台异常，从而防范不良打标状况的发生。
Description
【技术领域】
本发明涉及半导体晶圆，尤其涉及一种晶圆打标质量侦测的方法。
【背景技术】
晶圆下线之后的第一步是在晶圆表面打标，打标是采用激光(laser)在晶圆的12点钟方向打出晶圆的批号。而批号实际上是由激光在晶圆表面打出的众多小孔组成的，如图1所示。激光在挖孔的同时，会把挖孔的副产物(硅，Si)堆积在孔的旁边，堆积物过高会导致后续化学机械抛光(Chemical MechanicalPolishing，CMP)的刮伤。但是目前打标的深度和堆积物的高度都无法侦测，存在发生划伤晶圆表面的风险。对打标异常的晶圆切片发现：堆积物最多可以达到8000nm以上(请参阅图2)，而正常情形下应该小于1000nm。因此，该打标异常的晶圆进行到STI-SMP步骤时，CMP会在机械力的作用下将突起的部分割断，割断的部分会在晶圆表面划伤有源区SiN，如图3所示。还有一种情形是当打标机台出现异常的时候，打标孔旁边堆积物的厚度会出现异常，在后续的浅沟槽隔离二氧化硅-化学机械抛光(STI-CMP)步骤会造成晶圆划伤，因此需要对打标机台的状态实施监测。而目前制造公司在打标步骤没有相应的侦测方法，或者仅侦测打标孔的孔径(即在显微镜下量测孔径大小)。但是孔径的变化不会造成后续STI-CMP的划伤，只有打标孔周围堆积物的厚度异常时才会造成划伤。
因此，需要提供一种能同时侦测打标孔的深度、孔径以及堆积物高度的方法。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种侦测晶圆打标质量的方法，其可以有效防范不良打标状况的发生。
为实现上述目的，本发明是关于一种侦测晶圆打标质量的方法，其包括：
步骤一：打标机台在测试的晶圆片表面打若干打标孔；
步骤二：用原子力显微镜(AFM，Atomic Force Microscope)扫描所述若干打标孔得出对应的扫描图像，计算所有打标孔的深度、孔径和堆积物高度的平均值；
步骤三、根据上述平均值，对产品的晶圆片的打标孔的深度、孔径和堆积物高度设置规范，对于原子力显微镜扫描到的打标孔其深度、孔径和堆积物高度至少其中之一超出规范的推定打标机台异常。
作为本发明的进一步改进，所述打标孔为9个。
本发明的有益效果是：通过原子力显微镜监测打标机台异常，从而防范不良打标状况的发生。
【附图说明】
图1是现有技术中激光在晶圆表面打标产生的打标孔的示意图；
图2是图1所示的打标孔周围堆积物的放大示意图；
图3是图2所示堆积物在STI-CMP步骤中被割断并划伤晶圆表面有源区SiN的示意图；
图4是本发明侦测晶圆打标质量的方法中在晶圆片表面打标形成打标孔的示意图；
图5是图4中所示打标孔的放大视图。
【具体实施方式】
本发明侦测晶圆打标质量的方法包括：
步骤一：打标机台在晶圆片表面打九个孔，打标条件同产品片，即晶圆，请参图4。然而，于其他优选实施方式中，孔的个数并不仅限于九个。
步骤二：用原子力显微镜(AFM，Atomic Force Microscope)扫描九个打标孔得出图5所示的扫描图像，包括俯视放大视图及剖视视图，同时计算每个孔的深度、孔径和堆积物高度，取九个打标孔的平均值。其中剖视视图反应出打标孔的孔径、堆积物高度及孔深。
步骤三、根据上述平均值，对产品片晶圆的打标孔的深度、孔径和堆积物高度都设置规范，对于原子力显微镜扫描到的晶圆的打标孔超出规范者则视为打标机台异常。当打标孔的深度、孔径及堆积物高度中任一项参数超出规范，都视为打标孔超出规范。
特别需要指出的是，本发明具体实施方式中仅以该侦测晶圆打标质量的方法作为示例，在实际应用中任何类型的侦测晶圆打标质量的方法均适用本发明揭示的原理。对于本领域的普通技术人员来说，在本发明的教导下所作的针对本发明的等效变化，仍应包含在本发明权利要求所主张的范围中。
Claims (2)
1.一种侦测晶圆打标质量的方法，其包括：
步骤一：打标机台在测试的晶圆片表面打若干打标孔；
步骤二：用原子力显微镜(AFM，Atomic Force Microscope)扫描所述若干打标孔得出对应的扫描图像，计算所有打标孔的深度、孔径和堆积物高度的平均值；
步骤三、根据上述平均值，对产品的晶圆片的打标孔的深度、孔径和堆积物高度设置规范，对于原子力显微镜扫描到的打标孔其深度、孔径和堆积物高度至少其中之一超出规范的推定打标机台异常。
2.如权利要求1所述的侦测晶圆打标质量的方法，其特征在于：所述打标孔为9个。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010106053199A CN102564291A (zh) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 侦测晶圆打标质量的方法 |
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| CN2010106053199A CN102564291A (zh) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 侦测晶圆打标质量的方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN102564291A true CN102564291A (zh) | 2012-07-11 |
Family
ID=46410378
Family Applications (1)
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| CN2010106053199A Pending CN102564291A (zh) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 侦测晶圆打标质量的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102564291A (zh) |
Citations (5)
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2010
- 2010-12-27 CN CN2010106053199A patent/CN102564291A/zh active Pending
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