CN102560683B - 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟 - Google Patents

一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟 Download PDF

Info

Publication number
CN102560683B
CN102560683B CN201010622618.3A CN201010622618A CN102560683B CN 102560683 B CN102560683 B CN 102560683B CN 201010622618 A CN201010622618 A CN 201010622618A CN 102560683 B CN102560683 B CN 102560683B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
quartz boat
cell body
chamfering
circular arc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010622618.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102560683A (zh
Inventor
刘佐星
孙洪波
赵伟
王海涛
蔡丽燕
冯丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Youyan semiconductor silicon materials Co.,Ltd.
Original Assignee
You Yan Semi Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by You Yan Semi Materials Co Ltd filed Critical You Yan Semi Materials Co Ltd
Priority to CN201010622618.3A priority Critical patent/CN102560683B/zh
Publication of CN102560683A publication Critical patent/CN102560683A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102560683B publication Critical patent/CN102560683B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明涉及一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟,本方法将原放置硅片的石英舟槽体的断面从V型改成为其槽体底部为圆弧型,槽体斜面与硅片的倒角相平行,使硅片在石英舟中的接触面为面接触。本发明的优点是:改变传统石英舟的开槽方式,由原来的V型槽,充分考虑到倒角边缘的形状设计新的开槽方式,通过改变R,H,M值能够适用不同产品规格的硅片,改变了倒角的边缘与石英舟的接触方式,从而是硅片由原来的点接触改变成面接触,大大增加了接触面积,减少两种材料由于应力和热应力不同对硅片边缘的损伤,降低崩边的比率,能降低0.3-0.6%的崩边比率,提高了产品的合格率。

Description

一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟
技术领域
本发明涉及一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟
背景技术
硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料,一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、背封、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。硅片热处理是硅器件衬底加工过程中一个重要的工序,热处理可以使硅片中的氧形成沉积,从而形成新施主,从而稳定硅片的电阻率,对集成电路制备性能有着极为重要的影响。
硅片在热处理过程中离不开石英舟,石英舟作为硅片的载体,是唯一与硅片接触的固体材料,且由于石英舟的硬度较大,在热处理过程中与硅片接触会造成硅片的崩边。
发明内容
本发明的目的是提供一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟,本方法改变了倒角的边缘与石英舟的接触方式,从而使硅片由原来的点接触改变成面接触,大大增加了接触面积,减少两种材料由于应力和热应力不同对硅片边缘的损伤,降低崩边的比率。
为达到上述发明目的,本发明采用下面的方案:
这种防止硅片在热处理过程中崩边的方法是将原放置硅片的石英舟槽体的断面从V型改成为其槽体底部为圆弧型,槽体斜面与硅片的倒角相平行,使硅片在石英舟中的接触面为面接触。
本发明的石英舟是:放置硅片的石英舟槽体的底部为圆弧,圆弧的半径为R,槽体斜面与硅片的倒角相平行,槽体斜面与圆弧相切的切线张角为M,石英舟槽体的深度H。
所述的R、H、M的数值由下式确定:其中R=d、H=d*(1-2*SIN(a/2))+C/(2*TAN(a/2))、M=a,其中a代表倒角轮的槽体张角,d代表倒角轮槽体底部圆弧的半径,C为硅片厚度。
本发明的优点是:本方法改变传统石英舟的开槽方式,充分考虑到倒角边缘的形状,改变传统石英舟的开槽方式,由原来的V型槽,充分考虑到倒角边缘的形状设计新的开槽方式,针对不同规格倒角边缘的硅片,设计不同R、H、M值的石英舟,(其中R槽体底部圆弧半径,H槽体的深度,M槽体斜面与圆弧相切的切线张角,见附图2),从而改变了倒角的边缘与石英舟的接触方式,从而是硅片由原来的点接触改变成面接触,大大增加了接触面积,减少两种材料由于应力和热应力不同对硅片边缘的损伤,降低崩边的比率,能降低0.3-0.6%的崩边比率,提高了产品的合格率。
附图说明
图1:原来石英舟V型槽结构图
图2:本发明的石英舟的槽体结构图
图3:石英舟主视图
图1、图2、图3中,1为硅片,2为石英舟槽体,R是底部圆弧半径,H是石英舟槽体的深度,M是石英舟槽体斜边与圆弧相切的切线张角
具体实施方式
将上述的方法和我公司的倒角型号设计新的石英舟:它包括:槽体,槽体的底部为圆弧,圆弧的半径R,槽体斜边与圆弧相切的切线张角为M,石英舟槽体的深度H(如图2所示),例如,我公司倒角轮的型号SD800-aV-dR(其中a代表倒角轮的槽体张角,d代表倒角轮槽体底部圆弧的半径),硅片厚度C,根据倒角轮型号和硅片厚度设计石英舟的底部圆弧半径R,石英舟槽体的深度H,石英舟槽体与圆弧相切的切线张角M的值,从而实现硅片与石英舟面接触,降低崩边比率。R、H、M的计算公式:R=d、H=d*(1-2*SIN(a/2))+C/(2*TAN(a/2))、M=a。
实施例
针对我公司的两种倒角规格,例如我公司倒角轮的型号SD800-aV-dR(其中a代表倒角轮的槽体张角,d代表倒角轮槽体底部圆弧的半径),硅片厚度C,根据倒角轮型号和硅片厚度设计石英舟的底部圆弧半径R,石英舟槽体的深度H,石英舟槽体与圆弧相切的切线张角M的值,从而实现硅片与石英舟面接触,降低崩边比率。R、H、M的计算公式:R=d、H=d*(1-2*SIN(a/2))+C/(2*TAN(a/2))、M=a;
例如PX-37-4规范的产品,倒角型号SD800-1500-22V-0.23R,硅片厚度C=0.55mm,则我们设计石英舟的槽体,R=0.23mm,M=22度,H=0.23*(1-2*SIN(11°))+0.55/TAN(11°)/2=1.56mm,利用我们设计的石英舟PX-37的产品的崩边比率由原来的平均0.98%降低到平均0.5%,降低接近0.5个百分点。

Claims (1)

1.一种石英舟,其用于防止硅片在热处理过程中崩边,其特征在于:放置硅片的石英舟槽体的底部为圆弧,圆弧的半径为R,槽体斜面与硅片的倒角相平行,槽体斜面与圆弧相切的切线张角为M,石英舟槽体的深度H;所述的R、H、M的数值由下式确定:其中R=d、H=d*(1-2*SIN(a/2))+C/(2*TAN(a/2))、M=a,其中a代表倒角轮的槽体张角,d代表倒角轮槽体底部圆弧的半径,C为硅片厚度。
CN201010622618.3A 2010-12-29 2010-12-29 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟 Active CN102560683B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010622618.3A CN102560683B (zh) 2010-12-29 2010-12-29 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010622618.3A CN102560683B (zh) 2010-12-29 2010-12-29 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102560683A CN102560683A (zh) 2012-07-11
CN102560683B true CN102560683B (zh) 2015-09-30

Family

ID=46407225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010622618.3A Active CN102560683B (zh) 2010-12-29 2010-12-29 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102560683B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601594A (zh) * 2016-12-29 2017-04-26 上海合晶硅材料有限公司 硅片表面长多晶的方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5797622A (en) * 1980-12-11 1982-06-17 Toshiba Corp Diffusion heat treating jig of semiconductor substrate
JP3223847B2 (ja) * 1996-06-28 2001-10-29 住友金属工業株式会社 シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法と製造方法
CN1538536A (zh) * 2003-04-14 2004-10-20 ������������ʽ���� Led灯及其制造方法
CN1823407A (zh) * 2003-07-16 2006-08-23 信越半导体股份有限公司 一种热处理用立式晶舟
CN2900559Y (zh) * 2005-12-26 2007-05-16 北京有色金属研究总院 一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
CN1992191A (zh) * 2005-12-26 2007-07-04 北京有色金属研究总院 一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
CN201030303Y (zh) * 2007-04-28 2008-03-05 北京交通大学 一种六棱圆底石英舟及配套盛放装置
CN201128778Y (zh) * 2007-11-23 2008-10-08 北京有色金属研究总院 一种防止硅片在生长多晶过程中产生崩边的石英舟
CN101556931A (zh) * 2009-05-19 2009-10-14 上海宏力半导体制造有限公司 晶舟

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2911023B2 (ja) * 1994-08-31 1999-06-23 信越石英株式会社 シリコンウエハ熱処理用石英ガラス治具およびその使用方法
US7055702B1 (en) * 2000-06-06 2006-06-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Slip resistant horizontal semiconductor wafer boat
CN201210490Y (zh) * 2008-06-13 2009-03-18 张彩根 一种半导体器件热处理用半圆硅舟

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5797622A (en) * 1980-12-11 1982-06-17 Toshiba Corp Diffusion heat treating jig of semiconductor substrate
JP3223847B2 (ja) * 1996-06-28 2001-10-29 住友金属工業株式会社 シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法と製造方法
CN1538536A (zh) * 2003-04-14 2004-10-20 ������������ʽ���� Led灯及其制造方法
CN1823407A (zh) * 2003-07-16 2006-08-23 信越半导体股份有限公司 一种热处理用立式晶舟
CN2900559Y (zh) * 2005-12-26 2007-05-16 北京有色金属研究总院 一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
CN1992191A (zh) * 2005-12-26 2007-07-04 北京有色金属研究总院 一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
CN201030303Y (zh) * 2007-04-28 2008-03-05 北京交通大学 一种六棱圆底石英舟及配套盛放装置
CN201128778Y (zh) * 2007-11-23 2008-10-08 北京有色金属研究总院 一种防止硅片在生长多晶过程中产生崩边的石英舟
CN101556931A (zh) * 2009-05-19 2009-10-14 上海宏力半导体制造有限公司 晶舟

Also Published As

Publication number Publication date
CN102560683A (zh) 2012-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100400722C (zh) 消除半导体硅晶片表面应力的方法
CN101167163B (zh) 挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅
CN109285762A (zh) 一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺
CN102437043B (zh) 采用划磨方式去除igbt用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法
CN102888193A (zh) 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法
CN102420176A (zh) 一种改善半导体晶片翘曲的方法
CN108177044B (zh) 一种集成电路用单晶硅片边缘倒角方法
CN105313234A (zh) 一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法
CN103014877A (zh) 一种两面光泽度不同的单晶硅晶圆腐蚀片的加工方法
JP5795461B2 (ja) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
CN102115633A (zh) 一种化学机械抛光液
CN104842225A (zh) 大尺寸蓝宝石衬底片表面的湿法处理方法
CN102560683B (zh) 一种防止硅片在热处理过程中崩边的方法及石英舟
CN103153564A (zh) 用于锯切单晶锭的设备和方法
CN107775521A (zh) 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法
CN104835720B (zh) 一种半导体结构及其形成方法
CN107686779A (zh) 半导体硅磨片清洗剂及其制备方法
CN207128107U (zh) 一种刻槽主辊以及切割设备
CN106653561A (zh) 一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法
CN104441283A (zh) 一种使用Φ80μm电镀金刚石线切割硅片的方法
TW201417958A (zh) 玻璃基板之製造方法及玻璃基板研磨用磁性流動體
CN204295485U (zh) 化学机械研磨垫
CN204935348U (zh) 用于蓝宝石双抛片的加工结构
CN106914802A (zh) 一种改善背封硅片边缘质量的方法
CN110757287A (zh) 倒角磨轮及其制备方法、晶圆加工设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Applicant after: YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD.

Address before: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Applicant before: GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD. TO: GRINM ADVANCED MATERIALS CO., LTD.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: GRINM ADVANCED MATERIALS CO., LTD.

Effective date: 20150902

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150902

Address after: 101300, the south side of Shuanghe Road, Lin River Industrial Development Zone, Beijing, Shunyi District 101300

Applicant after: You Yan Semi Materials Co., Ltd.

Address before: 100088, 2, Xinjie street, Beijing

Applicant before: YOUYAN NEW MATERIAL CO., LTD.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing

Patentee after: Youyan semiconductor silicon materials Co.,Ltd.

Address before: 101300 south side of Shuanghe Road, Linhe Industrial Development Zone, Shunyi District, Beijing

Patentee before: GRINM SEMICONDUCTOR MATERIALS Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address