CN102544233A - 一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括:(1)使用洗涤剂对玻璃衬底进行清洗,然后用去离子水冲净,再用氮气将玻璃吹干;(2)将上述玻璃衬底装入磁控溅射腔,然后对溅射腔体抽真空至3×10-3Pa~7×10-3Pa,将衬底加热到150~250℃,通入氩气作为溅射气体,将压强调节到0.3Pa~1.3Pa,对氧化铟锡靶材溅射6~30min,获得透明导电氧化铟锡薄膜。本发明抽真空的时间大大减少,降低制造成本;不需要制作高成本的种子层,衬底清洗采用简单的洗涤剂清洗再用去离子水冲净完成,没有采用较昂贵和危险的化学试剂,进一步降低了成本,具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于透明导电氧化物薄膜的制备领域,特别涉及一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法。
背景技术
透明导电氧化物(TCO)薄膜具有优异的光电性能,不但透明,而且导电,因而被广泛地应用于各种光电器件中,包括用作场致发光(EL)器件、平面液晶显示(LCD)、电致变色显示器件(ECD)以及太阳电池中的电极材料。各类薄膜太阳电池以及高效薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池都需要有TCO薄膜作为前电极,原因是这些类型的太阳电池前表面上的掺杂层一般非常薄,具有很大的横向电阻,为改善光电流横向收集特性,必须在其上制备高导电性的电极,但太阳电池前表面还要求具有非常高的透光性,由此,TCO薄膜就成为这些电池前电极的优选材料。并且,在太阳电池应用中,TCO作为透明导电电极使用的同时,也可以起到表面减反射的作用。
TCO中最具代表性的是氧化铟锡(ITO)薄膜。在ITO(In2O3∶SnO2质量比=9∶1)薄膜中,Sn原子代替了In2O3晶格中的一些In原子,贡献一个电子到导带上,同时在一定的缺氧状态下还以产生氧空穴,从而具有非常优异的电导率。
目前,制备ITO薄膜最常用的方法是磁控溅射,包括直流磁控溅射、射频磁控溅射等。直流反应磁控溅射采用金属靶材,金属靶材会因表层氧化而出现靶中毒现象,严重影响溅射稳定性和薄膜质量。射频磁控溅射用的是陶瓷靶材,但电导率高的ITO薄膜中往往具有较高的载流子浓度,由于自由载流子吸收的影响,会使近红外波段的光透过率降低,如何获得非常高的光透射率是人们重点关注的问题,这对太阳电池的效率有很大影响。
在现有技术中,为了在玻璃衬底上制备出优异的TCO薄膜,对玻璃衬底的清洗也非常复杂并且耗时。有的采用硫酸和过氧化氢的混合液加热煮沸,有的采用丙酮等有机溶剂清洗。这些清洗方法都有一定的危险性,耗时耗能增加了成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是在玻璃衬底上制备ITO薄膜的近红外波段光透射率不够高,同时衬底清洗成本较高,提供一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,该方法抽真空的时间大大减少,降低制造成本;衬底清洗采用简单的洗涤剂清洗再用去离子水冲净完成,没有采用较昂贵和危险的化学试剂,进一步降低了成本。
本发明的一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括:
(1)使用洗涤剂对玻璃衬底进行清洗,然后用去离子水冲净,再用氮气将玻璃吹干;
(2)将上述玻璃衬底装入磁控溅射腔,然后对溅射腔体抽真空至3×10-3Pa~7×10-3Pa,将衬底加热到150~250℃,通入氩气作为溅射气体,将压强调节到0.3Pa~1.3Pa,对氧化铟锡靶材溅射6~30min,获得透明导电氧化铟锡薄膜。
所述步骤(1)中的洗涤剂为日用洗涤剂,比如洗涤灵。
所述步骤(2)中对溅射腔体抽真空至5×10-3Pa。
所述步骤(2)中的氧化铟锡靶材的成分:质量比为9∶1的In2O3和SnO2。
所述步骤(2)中的溅射的工艺条件为射频源13.56MHz,溅射功率200~600W。
有益效果
(1)本发明不但在很大程度上降低薄膜电阻率的同时提高光透射率,而且采用廉价的玻璃衬底清洗技术,目前制备ITO薄膜的常用磁控溅射工艺大都采用达到10-4Pa量级的真空度,本发明所采用的真空度为5×10-3Pa左右,抽真空的时间大大减少,进而省去很大一部分电力消耗,降低制造成本;
(2)本发明也不需要制作高成本的种子层;
(3)衬底清洗采用简单的洗涤剂清洗再用去离子水冲净完成,没有采用较昂贵和危险的化学试剂,进一步降低了成本,具有良好的应用前景。
附图说明
图1为实施例1制备的ITO薄膜的透射率曲线;
图2为实施例2制备的ITO薄膜的透射率曲线;
图3为实施例3制备的ITO薄膜的透射率曲线;
图4为实施例4制备的ITO薄膜的透射率曲线;
图5为实施例5制备的ITO薄膜的透射率曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
实施例1
将超白玻璃两面用洗涤灵清洗一遍,再用去离子水正反面各清洗1分钟,用N2吹干;将吹干的玻璃放入磁控溅射腔室中,加热到250℃,将真空度抽至7×10-3Pa;通入氩气,流量选为22sccm增大压强到0.3Pa,采用射频电源功率450W溅射30分钟。
由此溅射得到的ITO薄膜的电阻率为3.07×10-4Ω·cm。如附图1所示,该ITO薄膜在400~1300nm波段范围的透射率在80%以上。
实施例2
将超白玻璃两面用洗涤灵清洗一遍,再用去离子水正反面各清洗1分钟,用N2吹干;将吹干的玻璃放入磁控溅射腔室中,加热到150℃,将真空度抽至3×10-3Pa;通入氩气,流量选为22sccm增大压强到1.0Pa,采用射频电源功率600W,溅射6分钟。
由此溅射得到的ITO薄膜的电阻率为2.6×10-4Ω·cm。如附图2所示,该ITO薄膜在360~1400nm波段范围的透射率在80%以上。
实施例3
将超白玻璃两面用洗涤灵清洗一遍,再用去离子水正反面各清洗1分钟,用N2吹干;将吹干的玻璃放入磁控溅射腔室中,加热到200℃,将真空度抽至5×10-3Pa;通入氩气,流量选为22sccm增大压强到1.0Pa,采用射频电源功率200W,溅射30分钟。
由此溅射得到的ITO薄膜的电阻率为2.6×10-4Ω·cm。如附图3所示,该ITO薄膜在360~1300nm波段范围的透射率在80%以上。
实施例4
将超白玻璃两面用洗涤灵清洗一遍,再用去离子水正反面各清洗1分钟,用N2吹干;将吹干的玻璃放入磁控溅射腔室中,加热到250℃,将真空度抽至5×10-3Pa;通入氩气,流量选为22sccm增大压强到1.3Pa,采用射频电源功率200W溅射15分钟。
由此溅射得到的ITO薄膜的电阻率为2.6×10-4Ω·cm。如附图4所示,该ITO薄膜在370~1400nm波段范围的透射率在80%以上。
实施例5
将超白玻璃两面用洗涤灵清洗一遍,再用去离子水正反面各清洗1分钟,用N2吹干;将吹干的玻璃放入磁控溅射腔室中,加热到250℃,将真空度抽至5×10-3Pa;通入氩气,流量选为25sccm增大压强到0.8Pa,采用射频电源功率450W,溅射10分钟。
由此溅射得到的ITO薄膜的电阻率为3.3×10-4Ω·cm。如附图5所示,该ITO薄膜在400~1400nm波段范围的透射率在80%以上。
Claims (5)
1.一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括:
(1)使用洗涤剂对玻璃衬底进行清洗,然后用去离子水冲净,再用氮气将玻璃吹干;
(2)将上述玻璃衬底装入磁控溅射腔,然后对溅射腔体抽真空至3×10-3Pa~7×10-3Pa,将衬底加热到150~250℃,通入氩气作为溅射气体,将压强调节到0.3Pa~1.3Pa,对氧化铟锡靶材溅射6~30min,获得透明导电氧化铟锡薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的洗涤剂为日用洗涤剂。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中对溅射腔体抽真空至5×10-3Pa。
4.根据权利要求1所述的一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的氧化铟锡靶材的成分:质量比为9∶1的In2O3和SnO2。
5.根据权利要求1所述的一种氧化铟锡透明导电氧化物薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的溅射的工艺条件为射频源13.56MHz,溅射功率200~600W。
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