CN102543994A - 显示装置及其结晶化方法 - Google Patents

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Abstract

提供显示装置及其结晶化方法。显示装置包括有源区域以及周边区域，所述有源区域包括分别具有结晶化区域以及非结晶化区域的多个单位像素，所述周边区域与所述有源区域相邻设置且具有结晶化区域以及非结晶化区域，有源区域的结晶化区域以及周边区域的结晶化区域沿着相同的假想的直线设置。

Description

显示装置及其结晶化方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其结晶化方法，尤其涉及具有多晶硅的显示装置及其结晶化方法。
背景技术
最近随着信息化时代的发展，对具有薄型、轻量、低功耗等优良特性的平板显示装置产生了需求。平板显示装置包括液晶显示装置或者有机发光装置等。
针对平板显示装置而言，以显示画面的像素为单位具备进行开启/关闭的开关器件(例如，薄膜晶体管)的有源矩阵(Active Matrix)型正成为主流。用于有源矩阵型显示装置的薄膜晶体管采用了多晶硅。由于多晶硅与非晶硅相比，其场效应迁移率高，因此显示装置的响应速度得到了提高，且对温度和光的稳定性也更为优良。将非晶硅沉积之后予以结晶化，从而将其作为多晶硅来使用。
发明内容
本发明的目的在于提供将生产率提高的显示装置及其结晶化方法。
根据本发明实施例的显示装置包括：有源区域，包括分别具有第一电路区域以及图像显示区域的多个单位像素；以及与所述有源区域相邻设置且具有第二电路区域的第一周边区域以及具有第三电路区域的第二周边区域，所述有源区域将所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着相同的假想的直线设置。
将根据本发明实施例的所述第一电路区域和所述图像显示区域可以交替重复地设置。
根据本发明实施例的所述第一电路区域包括所述单位像素的电路部，所述图像显示区域可以包括图像显示部。
将根据本发明实施例的所述第一电路区域以及所述第二电路区域可以沿着行方向设置。
根据本发明实施例的所述第三电路区域可以沿着所述行方向延伸。
根据本发明实施例的所述假想的直线可以分别间隔有相同的距离。
根据本发明实施例的所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对，所述直线对之间可以间隔有相同的距离。
将根据本发明实施例的所述第一电路区域以及所述第二电路区域可以沿着列方向设置。
根据本发明实施例的所述第三电路区域可以沿着所述列方向设置。
根据本发明实施例的所述假想的直线可以分别间隔有相同的距离。
根据本发明实施例的所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对，所述直线对之间可以间隔有相同的距离。
根据本发明实施例的显示装置的结晶化方法包括：准备包括有源区域、第一周边区域以及第二周边区域的基板，所述有源区域包括分别具有第一结晶化区域以及第一非结晶化区域的多个单位像素，所述第一周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第二结晶化区域以及第二非结晶化区域，所述第二周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第三结晶化区域以及第三非结晶化区域；以及对所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域照射激光，从而将非晶硅同时结晶化为多晶硅；将所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域沿着相同的假想的直线设置。
根据本发明实施例的所述第三结晶化区域通过所述激光照射而先于所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域被结晶化，或者可以在结晶化所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域之后被结晶化。
沿着行方向设置根据本发明实施例的所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域，照射所述激光的扫描方向可以为列方向。
根据本发明实施例的所述第三结晶化区域可以沿着所述行方向延伸。
沿着列方向设置根据本发明实施例的所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域，照射所述激光的扫描方向可以为行方向。
根据本发明实施例的所述第三结晶化区域可以沿着所述列方向延伸。
根据本发明实施例的所述激光可以包括脉冲激光或者连续波(continuous wave laser)激光。
根据本发明实施例的所述激光可以通过调节开启/关闭时间或者调节周期来被照射。
根据本发明实施例的显示装置的结晶化方法还可以包括：在结晶化所述结晶化区域之后去除在所述非结晶化区域所提供的所述非晶硅。
根据本发明的实施例，可以同时结晶化有源区域和周边区域。即，可以同时结晶化有源区域的结晶化区域和周边区域的结晶化区域。或者，可以通过一次扫描结晶化有源区域以及周边区域的结晶化区域。从而，即使不用变更激光扫描方向或者旋转激光坐标台(stage)，通过一次激光扫描也可以完成结晶化。由此，可以减少显示装置的工序费用以及工序时间。
附图说明
图1为用于说明根据本发明第一实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图；
图2为用于说明根据本发明第二实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图；
图3为用于说明根据本发明第三实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图；
图4为用于说明根据本发明第四实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图。
附图标记说明
110：有源区域                  120：第一周边区域
130：第一结晶化区域            140：第一非结晶化区域
150：单位像素                  160：第二结晶化区域
170：第二非结晶化区域          180：第二周边区域
182：第三结晶化区域            184：第三非结晶化区域
190：激光
具体实施方式
通过以下结合附图描述的优选实施例，可更容易地理解上述本发明的目的、其他目的、特征以及优点。但是，本发明并不限于在此说明的实施例，而是还可以具体化为其他形态。在此提供实施例的目的在于，使公开的内容能够彻底且完整、并且能够向所属技术领域的技术人员充分地传达本发明的思想。说明书全文中以相同的附图标记标示的部分显示相同的组成要素。
将通过参考本发明的理想示意图、即截面图和/或平面图，对将在本说明书中所记述的实施例进行说明。在附图中，为了有效地说明技术内容而夸张了膜以及区域的厚度。从而，根据制造技术和/或允许的误差等，示意图的形态可以有所出入。从而，本发明的实施例并不限于所示出的特定的形态，而是还包括根据制造工序生成的形态变化。从而，附图所示出的区域仅具有概略属性，并且附图所示出的区域的形状用于示出器件区域的特定形态，而不是用于限定发明的范围。本说明书中的多种实施例中，第一、第二、第三等用语用于说明多种组成要素，然而这些组成要素不应受限于这些用语。使用这些用语的目的仅在于，将某种组成要素与其他组成要素加以区分。在此进行说明并且示出的实施例还包括其互补的实施例。
在本说明书中所使用的用语是用于说明实施例的，而不是用于对本发明加以限定。在本说明书的语句中，除了有特别的描述之外，单数型词汇亦包括复数含义。说明书中所使用的“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”是指，所提及的组成要素并不排除一个以上的其他组成要素的存在或者增加。
图1为用于说明根据本发明第一实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图。
如图1所示，显示装置100包括：有源区域(active region)110、以及与有源区域110相邻的第一周边区域120和第二周边区域180。所述有源区域110包括多个单位像素150。可以以有源矩阵形态设置所述多个单位像素150。换言之，所述单位像素可以分别包括开关器件，例如薄膜晶体管。
所述显示装置100包括至少一个基板。在所述基板上可以限定所述有源区域110、所述第一周边区域120以及第二周边区域180。所述基板可以由玻璃、塑料或者金属形成。
所述多个单位像素150包括：第一结晶化区域130以及第一非结晶化区域140。所述第一结晶化区域130包括所述单位像素150的第一电路部。其中，如果显示装置100为液晶显示装置，则单位像素150的第一电路部包括薄膜晶体管。或者，如果显示装置100为有机发光器件，则单位像素150的第一电路部包括：薄膜晶体管或者电容器。所述第一结晶化区域130可以包括多晶硅。所述第一非结晶化区域140包括图像显示部。可以将所述单位像素150沿着行列重复设置。
所述第一周边区域120包括：第二结晶化区域160以及第二非结晶化区域170。第二周边区域180包括：第三结晶化区域182以及第三非结晶化区域184。可以将所述第二结晶化区域160以及所述第二非结晶化区域170交替重复地设置。并且，可以将所述第三结晶化区域182以及所述第三非结晶化区域184交替重复地设置。所述第二结晶化区域160以及第三结晶化区域182包括多晶硅。所述第二结晶化区域160包括第二电路部。所述第三结晶化区域182包括第三电路部。所述第二电路部以及第三电路部可以包括薄膜晶体管或者二极管，所述薄膜晶体管或者二极管可以包括多晶硅。所述第二结晶化区域160以及第三结晶化区域182的薄膜晶体管或者二极管可以为由移位寄存器(shift register)、分接器(demultiplexer)、栅极驱动器(gate driver)所需的器件。
可以将所述第一结晶化区域130以及所述第二结晶化区域160沿着相同的假想的直线X-X′设置。换言之，可以将所述第一结晶化区域130以及所述第二结晶化区域160以行方向沿着假想的直线X-X′设置。所述假想的直线X-X′可以分别间隔有相同的距离。所述第三结晶化区域182可以沿着所述行方向延伸。
根据本发明第一实施例的显示装置的结晶化方法如下。
在所述有源区域110、第一周边区域120以及第二周边区域180的全面形成非晶硅，对所述第一结晶化区域130以及所述第二结晶化区域160照射激光190，从而将所述非晶硅结晶化为多晶硅。可以通过图案化去除未被结晶化的非晶硅。所述第三结晶化区域182先于所述第一结晶化区域130以及所述第二结晶化区域160被结晶化，或者可以在结晶化所述第一结晶化区域130以及所述第二结晶化区域160之后被结晶化。
所述激光190可以包括：脉冲激光(pulse laser)或者连续波(Continuous Wave，简称为CW)激光。所述激光190可以使用具有长轴的光束(beam)。照射所述激光190的扫描方向195可以是列方向，即可以是垂直于假想的直线X-X′的方向。可以调节开启/关闭时间或者调节周期来照射所述激光190。结晶化所述结晶化区域130、160、182之后，可以去除在所述非结晶化区域140、170、184所提供的非晶硅。
根据本发明的实施例，可以同时结晶化有源区域110、第一周边区域120。即，可以同时结晶化所述第一结晶化区域130和所述第二结晶化区域160。并且，所述第三结晶化区域182可以通过一次扫描与所述第一结晶化区域130以及所述第二结晶化区域160一并被结晶化。从而，即使不用变更激光扫描方向或者旋转激光坐标台(stage)，通过一次激光扫描也可以完成结晶化。由此，可以减少显示装置的工序费用以及工序时间。
图2为用于说明根据本发明第二实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图。对于与参考图1进行说明的本发明的第一实施例实质上相同的重复技术特征，将会省略详细说明。
如图2所示，显示装置200包括：有源区域(active region)210以及与有源区域210相邻的第一周边区域220和第二周边区域280。所述有源区域210包括：多个单位像素250。可以将所述多个单位像素250以有源矩阵形态设置。所述多个单位像素250包括：第一结晶化区域230以及第一非结晶化区域240。所述第一结晶化区域230包括所述单位像素250的第一电路部。所述第一结晶化区域230可以包括多晶硅。所述第一非结晶化区域240包括图像显示部。可以将所述单位像素250沿着行列重复设置。
所述第一周边区域220包括：第二结晶化区域260以及第二非结晶化区域270。第二周边区域280包括：第三结晶化区域282以及第三非结晶化区域284。可以将所述第二结晶化区域260以及所述第二非结晶化区域270交替重复地设置。并且，可以将所述第三结晶化区域282以及所述第三非结晶化区域284交替重复地设置。所述第二结晶化区域260以及第三结晶化区域282包括多晶硅。
可以将所述第一结晶化区域230以及所述第二结晶化区域260沿着相同的假想的直线X-X′设置。换言之，可以将所述第一结晶化区域230以及所述第二结晶化区域260以行方向沿着假想的直线X-X′设置。所述假想的直线X-X′两两相邻以形成多个直线对，所述直线对之间可以间隔有相同的距离。即，沿着所述假想的直线X-X′设置的第一结晶化区域230是每一对相邻设置的，且一对第一结晶化区域230与下一对结晶化区域230之间是可以相互间隔设置的。所述第三结晶化区域282可以沿着所述行方向延伸。
根据本发明第二实施例的显示装置的结晶化方法如下。
在所述有源区域210、第一周边区域220以及第二周边区域280的全面形成非晶硅，对所述第一结晶化区域230以及所述第二结晶化区域260照射激光290，从而将所述非晶硅结晶化为多晶硅。可以通过图案化去除未被结晶化的非晶硅。所述第三结晶化区域282先于所述第一结晶化区域230以及所述第二结晶化区域260被结晶化，或者可以在结晶化所述第一结晶化区域230以及所述第二结晶化区域260之后被结晶化。
所述激光290可以包括：脉冲激光(pulse laser)或者连续波(Continuous Wave，简称为CW)激光。照射所述激光290的扫描方向295可以是列方向，即可以是垂直于假想的直线X-X′的方向。可以调节开启/关闭时间或者调节周期来照射所述激光290。
根据本发明的实施例，可以同时结晶化有源区域210和第一周边区域220。即，可以同时结晶化所述第一结晶化区域230和所述第二结晶化区域260。并且，所述第三结晶化区域282可以通过一次扫描与所述第一结晶化区域230以及所述第二结晶化区域260一并被结晶化。从而，即使不用变更激光扫描方向或者旋转激光坐标台(stage)，通过一次激光扫描也可以完成结晶化。由此，可以减少显示装置的工序费用以及工序时间。
图3为用于说明根据本发明第三实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图。与参考图1进行说明的本发明的第一实施例实质上相同的重复技术特征，将会省略详细说明。
如图3所示，显示装置300包括：有源区域(active region)310以及与有源区域310相邻的第一周边区域320和第二周边区域380。所述有源区域310包括：多个单位像素350。可以将所述多个单位像素350以有源矩阵形态设置。所述多个单位像素350包括：第一结晶化区域330以及第一非结晶化区域340。所述第一结晶化区域330包括所述单位像素350的第一电路部。所述第一结晶化区域330可以包括多晶硅。所述第一非结晶化区域340包括图像显示部。可以将所述单位像素350沿着行列重复设置。
所述第一周边区域320包括：第二结晶化区域360以及第二非结晶化区域370。第二周边区域380包括：第三结晶化区域382以及第三非结晶化区域384。可以将所述第二结晶化区域360以及所述第二非结晶化区域370交替重复地设置。并且，可以将所述第三结晶化区域382以及所述第三非结晶化区域384交替重复地设置。所述第二结晶化区域360以及第三结晶化区域382包括多晶硅。
可以将所述第一结晶化区域330以及所述第二结晶化区域360沿着相同的假想的直线X-X′设置。换言之，可以将所述第一结晶化区域330以及所述第二结晶化区域360以列方向沿着假想的直线X-X′设置。所述假想的直线X-X′可以分别间隔有相同的距离。所述第三结晶化区域382可以沿着所述列方向延伸。
根据本发明第三实施例的显示装置的结晶化方法如下。
在所述有源区域310、第一周边区域320以及第二周边区域380的全面形成非晶硅，对所述第一结晶化区域330以及所述第二结晶化区域360照射激光390，从而将所述非晶硅结晶化为多晶硅。可以通过图案化去除未被结晶化的非晶硅。所述第三结晶化区域382先于所述第一结晶化区域330以及所述第二结晶化区域360被结晶化，或者可以在结晶化所述第一结晶化区域330以及所述第二结晶化区域360之后被结晶化。
所述激光390可以包括：脉冲激光(pulse laser)或者连续波(Continuous Wave，简称为CW)激光。照射所述激光390的扫描方向395可以是行方向，即可以是垂直于假想的直线X-X′的方向。可以调节开启/关闭时间或者调节周期来照射所述激光390。
根据本发明的实施例，可以同时结晶化有源区域310和第一周边区域320。即，可以同时结晶化所述第一结晶化区域330和所述第二结晶化区域360。并且，所述第三结晶化区域382可以通过一次扫描与所述第一结晶化区域330以及所述第二结晶化区域360一并被结晶化。从而，即使不用变更激光扫描方向或者旋转激光坐标台(stage)，通过一次激光扫描也可以完成结晶化。由此，可以减少显示装置的工序费用以及工序时间。
图4为用于说明根据本发明第四实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图。与参考图1进行说明的本发明的第一实施例实质上相同的重复技术特征，将会省略详细说明。
如图4所示，显示装置400包括：有源区域(active region)410以及与有源区域410相邻的第一周边区域420和第二周边区域480。所述有源区域410包括：多个单位像素450。可以将所述多个单位像素450以有源矩阵形态设置。所述多个单位像素450包括：第一结晶化区域430以及第一非结晶化区域440。所述第一结晶化区域430包括所述单位像素450的第一电路部。所述第一结晶化区域430可以包括多晶硅。所述第一非结晶化区域440包括图像显示部。可以将所述单位像素450沿着行列重复设置。
所述第一周边区域420包括：第二结晶化区域460以及第二非结晶化区域470。第二周边区域480包括：第三结晶化区域482以及第三非结晶化区域484。可以将所述第二结晶化区域460以及所述第二非结晶化区域470交替重复地设置。并且，可以将所述第三结晶化区域482以及所述第三非结晶化区域484交替重复地设置。所述第二结晶化区域460以及第三结晶化区域482包括多晶硅。
可以将所述第一结晶化区域430以及所述第二结晶化区域460沿着相同的假想的直线X-X′设置。换言之，可以将所述第一结晶化区域430以及所述第二结晶化区域460以列方向沿着假想的直线X-X′设置。所述假想的直线X-X′两两相邻以形成多个直线对，所述直线对之间可以间隔有相同的距离。即，沿着所述假想的直线X-X′设置的第一结晶化区域430可以是每一对相邻设置的。所述第三结晶化区域482可以沿着所述列方向延伸。
根据本发明第四实施例的显示装置的结晶化方法如下。
在所述有源区域410、第一周边区域420以及第二周边区域480的全面形成非晶硅，对所述第一结晶化区域430以及所述第二结晶化区域460照射激光490，从而将所述非晶硅结晶化为多晶硅。可以通过图案化去除未被结晶化的非晶硅。所述第三结晶化区域482先于所述第一结晶化区域430以及所述第二结晶化区域460被结晶化，或者可以在结晶化所述第一结晶化区域430以及所述第二结晶化区域460之后被结晶化。
所述激光490可以包括：脉冲激光(pulse laser)或者连续波(Continuous Wave，简称为CW)激光。照射所述激光490的扫描方向495可以是行方向，即可以是垂直于假想的直线X-X′的方向。可以调节开启/关闭时间或者调节周期来照射所述激光490。
根据本发明的实施例，可以同时结晶化有源区域410和第一周边区域420。即，可以同时结晶化所述第一结晶化区域430和所述第二结晶化区域460。并且，所述第三结晶化区域482可以通过一次扫描与所述第一结晶化区域430以及所述第二结晶化区域460一并被结晶化。从而，即使不用变更激光扫描方向或者旋转激光坐标台(stage)，通过一次激光扫描也可以完成结晶化。由此，可以减少显示装置的工序费用以及工序时间。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
有源区域，包括分别具有第一电路区域以及图像显示区域的多个单位像素；以及
与所述有源区域相邻设置的第一周边区域和第二周边区域，所述第一周边区域具有第二电路区域，所述第二周边区域具有第三电路区域；
其中，所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着相同的假想的直线设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电路区域和所述图像显示区域交替重复地设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一电路区域包括所述单位像素的电路部，所述图像显示区域包括图像显示部。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着行方向设置。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第三电路区域沿着所述行方向延伸。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述假想的直线分别间隔有相同的距离。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对，所述直线对之间间隔有相同的距离。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
将所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着列方向设置。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述第三电路区域沿着所述列方向延伸。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述假想的直线分别间隔有相同的距离。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对，所述直线对之间间隔有相同的距离。
12.一种显示装置的结晶化方法，包括：
准备包括有源区域、第一周边区域以及第二周边区域的基板，所述有源区域包括分别具有第一结晶化区域以及第一非结晶化区域的多个单位像素，所述第一周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第二结晶化区域以及第二非结晶化区域，所述第二周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第三结晶化区域以及第三非结晶化区域；以及
对所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域照射激光，从而将非晶硅同时结晶化为多晶硅；
将所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域沿着相同的假想的直线设置。
13.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法，其中，
所述第三结晶化区域通过所述激光照射而先于所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域被结晶化，或者在结晶化所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域之后被结晶化。
14.根据权利要求13所述的显示装置的结晶化方法，其中，沿着行方向设置所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域，照射所述激光的扫描方向为列方向。
15.根据权利要求14所述的显示装置的结晶化方法，其中，所述第三结晶化区域沿着所述行方向延伸。
16.根据权利要求13所述的显示装置的结晶化方法，其中，沿着列方向设置所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域，照射所述激光的扫描方向为行方向。
17.根据权利要求16所述的显示装置的结晶化方法，其中，所述第三结晶化区域沿着所述列方向延伸。
18.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法，其中，所述激光包括脉冲激光或者连续波激光。
19.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法，其中，通过调节开启/关闭时间或者调节周期来照射所述激光。
20.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法，其中，还包括：
在结晶化所述第一结晶化区域、所述第二结晶化区域、所述第三结晶化区域之后，去除在所述第一非结晶化区域、所述第二非结晶化区域、所述第三非结晶化区域所提供的所述非晶硅。
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