CN102540782A - 用于光刻设备的对准装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种用于光刻设备的对准装置，用于确定掩模与基底的相对位置关系，包括：掩模对准装置、基准版装置、背面对准装置及工件台装置，其特征在于：所述背面对准装置位于所述工件台装置的下方；能使用一套所述背面对准装置实现对不同对准标记的对准；所述对准标记包括基准版标记及背面对准标记。

Description

用于光刻设备的对准装置及方法

技术领域

本发明涉及一种集成电路制造装备制造领域，尤其涉及一种用于在半导体光刻设备实现背面对准的装置及方法。

背景技术

随着人们生活水平不断提高及半导体技术的日益发展，未来半导体市场对半导体封装器件的智能化和小型化的程度要求将不断提高，如相机、手机、PDA等数码产品不仅要求体积小便于携带，更要求其功能多样化且性价比低。为了实现封装器件智能化和小型化的发展要求，出现了对多硅片封装解决方案的需要。多硅片封装是一种将两个或更多平面器件堆叠并连接起来的硅片级封装方法，该封装方式也称为三维(3D)封装。3D封装实现方式目前主要有三种：引线键合(Wire Bonding)、倒装芯片键合(Flip Chip Bonding)和贯穿硅片通孔(以下简称TSV工艺：Through Silicon Via)，其中TSV工艺方式相对传统的引线键合工艺方式，具有互联引线长度短、引线密度高、封装面积小和封装成本不会随着封装硅片数量增加而大幅度提高等优点，因此TSV封装工艺方式被认为是未来最有潜力、也是最有前途的3D封装方式之一。TSV封装工艺方法是在半导体硅片的正面到背面形成微型通孔，然后以电气方式将上下硅片连接起来，由于采用3D垂直互联方式，从而大大缩短了硅片之间的互联引线长度，从而使封装器件在体积、性能及信号存取传输速度上都有了大幅度提高。

TSV封装工艺方式要求能在硅片背面进行曝光，因此要求半导体光刻设备具有背面对准装置以满足硅片背面曝光的工艺需求.该背面对准装置以硅片前表面(或称为硅片正面)已有的图形为硅片背面(或称为硅片后面)对准标记，从而确定硅片背面曝光图形与硅片前表面已有图形之间的位置误差。背面对准装置的测量精度将直接决定了硅片前后表面光刻图形之间的套刻误差。

目前实现硅片背面对准的方法主要有两种：可见光测量法和红外测量法。可见光测量法主要是在硅片承片台的两侧底部安装光路转折及成像系统，利用可见光实现对硅片背面标记的照明和成像。红外测量法是利用红外光对硅片的穿透能力来实现对背面标记的照明和成像。上述两种硅片背面位置对准方法在结构实现上各有优点及不足之处。

附图1是美国专利US6525805所提供的一种背面对准装置，该装置利用可见光测量法通过离轴对准装置实现硅片背面对准，该实施例所述硅片背面对准装置存在以下缺点：一、背面对准标记照明装置多，一个背面对准标记对应一套背面对准标记照明装置，导致背面对准标记照明装置装配复杂且成本高；二、由于背面对准标记照明装置位于硅片承片台下方，因此硅片承片台结构设计复杂、加工成本高；三、要求背面对准标记位置必须位于背面对准标记照明装置的照明视场内，否则没有标记无法对准，因此工艺适应性比较差。

附图2是美国专利US6525805所提供的硅片背面位置对准装置，利用近红外光测量法在硅片承片台内不同位置处安装近红外光源以实现对硅片背面标记的照明，然后通过硅片上方的近红外成像系统实现对硅片背面标记的成像。该实施例所述硅片背面位置装置存在以下缺点：一、硅片背面标记照明装置安装于硅片承片台内，因此工件台结构设计和装配比较复杂，且加工成本高；二、硅片背面标记照明装置在硅片承片台内的安装位置及数量将受到硅片全场对准精度及硅片承片台空间尺寸的制约；三、需要在硅片背面标记照明装置指定位置处制作相应的硅片背面对准标记，因此增加了工艺流程及复杂度，导致工艺适应性比较差。

附图3是美国专利US6768539所提法的另一种硅片背面对准装置的解决方案，也是利用可见光法实现硅片的背面对准，该专利所述背面位置对准装置同样存在以下缺点：一、背面对准标记照明装置多，一个背面对准标记对应一套背面对准标记照明装置，导致背面对准标记照明装置装配复杂且成本高；二、由于背面对准标记照明装置位于硅片承片台下方，因此硅片承片台结构设计复杂、加工成本高；三、要求背面对准标记位置必须位于背面对准标记照明装置的照明视场内，否则没有标记无法对准，因此工艺适应性比较差。

发明内容

为了克服上述技术问题，本发明提供一种用于光刻设备的对准装置及方法，可以实现背面对准，该装置及方法结构简洁，并能整体降低集成电路制造装备的设计难度及加工难度。

为实现上述发明目的，本发明提供一种用于光刻设备的对准装置，用于确定掩模与基底的相对位置关系，包括：掩模对准装置、基准版装置、背面对准装置及工件台装置，其特征在于：所述背面对准装置位于所述工件台装置的下方；能使用一套所述背面对准装置实现对不同对准标记的对准；所述对准标记包括基准版标记及背面对准标记。

更进一步，该工件台装置包括至少三个通光孔，用于通过可见光，以实现对所述基准版标记和背面对准标记的照明及成像。

更进一步，该掩模对准装置包括掩模对准光源、掩模版、掩模对准标记及两个掩模对准传感器。掩模对准光源与所述光刻设备的曝光光源波长相同。掩模对准传感器位于所述掩模版上方，在水平方向上关于光刻设备的投影物镜的光轴对称。

更进一步，该基准版装置由基准版、基准版对准标记和基准版支架构成。基准版对准标记位于所述基准版下表面，所述基准版固定于所述基准版支架上。基准版对准标记与硅片背面对准标记位于同一水平面。基准版支架由对可见光有较高透过率的材料构成。基准版支架由玻璃构成。

更进一步，该背面对准装置包括照明单元、成像单元及图像处理系统。照明单元按光束传播的方向依次包括可见光光源、光纤、照明镜组及光束传播单元，所述成像单元按光束传播的方向依次包括光束传播单元及可见光成像探测器件，所述照明单元与所述成像单元共用光束传播单元。光束传播单元包括分束棱镜、反射镜和成像物镜组，其中所述反射镜位于分束棱镜与成像物镜组的光束中间。可见光成像探测器件是CCD摄像机或CMOS摄像机。

更进一步，该工件台装置包括工件台和位于工件台之下的基座，所述工件台至少实现3个自由度的移动。工件台装置还包括硅片吸盘，所述硅片吸盘位于工件台之上，所述硅片吸盘由玻璃或对可见光具有较高透过率的材料构成。通光孔的位置、数量及大小由对准精度以及单个芯片尺寸大小决定。基座上包括基座通光孔，所述基座通光孔位于所述背面对准装置的正下方。基座通光孔大小取决于背面对准装置的照明视场和成像视场大小以及背面对准标记的搜索范围大小；若背面对准标记不在背面标记照明装置照明视场内，则可以通过运动工件台来实现在一定范围内背面对准标记的搜索。

更进一步，该述背面对准标记与所述硅片吸盘位于同一水平面上。

本发明同时提供一种用于光刻设备的对准方法，用于确定掩模与硅片的相对位置关系，包括：

S1：掩模对准传感器标定；

S2：背面对准装置标定；

S3：掩模对准；

S4：硅片全局对准；

S5：实现掩模硅片对准。

更进一步，该S1包括：

步骤一、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准左边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准左边传感器和工件台坐标系之间的位置关系；

步骤二、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准右边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准右边传感器和工件台坐标系之间的位置关系。

或者，该S1包括：

步骤一、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准右边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准右边传感器和工件台坐标系之间的位置关系；

步骤二、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准左边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准左边传感器和工件台坐标系之间的位置关系。

更进一步，该S2包括：

步骤三、移动工件台到期望位置，使基准版标记在背面对准装置的视场内成像，从而建立背面对准传感器和工件台坐标系之间的位置关系。

更进一步，该S3包括：

步骤四、根据图像处理系统的计算结果进行掩模版的位置调整，同时根据步骤一和步骤二的结果计算出当前曝光图像在工件台坐标系中的位置。

更进一步，该S4包括：

步骤五、上载硅片，利用背面对准装置进行至少3个以上背面对准标记的对准，利用图像处理系统给出的背面对准标记在靶面上的位置，同时记录当前工件台的位置；

步骤六、根据步骤三以及步骤五所得结果，计算出当前硅片在工件台坐标系中的位置。

更进一步，该S5包括：

步骤七、根据步骤四和步骤六结果，即实现当前曝光图像与硅片上已有图像之间的精确套刻。

本发明采用可见光测量法，与原有技术的不同之处及其有益效果在于：背面对准标记照明和成像装置只有一套，降低背面对准标记照明和成像装置的设计、装配复杂度，同时降低开发成本。背面对准标记照明和成像有一部分光路共用，因此背面对准装置结构更加紧凑，节省整机布局空间。背面对准装置安装于工件台大理石平台以下，从而减小背面对准标记照明装置与硅片承片台机械接口之间的相互耦合，降低工件台结构设计和装配的复杂度，同时降低硅片承片台的加工成本。当硅片背面对准标记不在背面标记成像装置的视场范围内时，可以通过移动工件台在一定范围内搜索背面对准标记，因此提高硅片背面对准装置对硅片背面对准标记的工艺适应性。

附图说明

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。

图1是现有技术US6525805所公开的一种实施方式；

图2是现有技术US6525805所公开的一种实施方式；

图3是现有技术US6768539所公开的另一种实施方式；

图4是本发明所涉及的对准装置的结构示意图；

图5是本发明所涉及的对准装置的详细结构示意图；

图6是本发明所涉及的对准方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。

本发明提供一种适用于集成电路制造装备中的对准装置及方法。该对准装置的结构示意图如图4所示。1是集成电路制造装备中的投影物镜，根据需要制造的设备不同，投影物镜1可以是折射式投影物镜、反射式投影物镜、折反射式投影物镜。掩模对准装置6用于在基板与掩模之间建立一一对应关系。21是基底，根据需要制造的设备不同，可以是硅片、玻璃基底或其他材质基底。基底21放置于工件台装置2，工件台装置2能够在至少3个自由度内运动。在本发明中，基准版(也作基准板)装置4用于建立背面对准标记成像装置5与工件台2坐标系之间的关系，背面对准装置5用于确定基底21与工件台装置2的相对位置关系。

为进一步说明本发明所提供的对准装置，附图5是该对准装置的详细结构示意图。如图5中所示，该对准装置的掩模对准装置由掩模版62、掩模对准标记63、掩模左边对准传感器64以及掩模右边对准传感器65等构成。掩模左边对准传感器64和掩模右边对准传感器65在光学结构上是完全一样的，其位于掩模版62上方，水平方向上关于投影物镜1的光轴对称。掩模对准装置光源(图中未示出)采用与光刻设备的曝光光源波长相同的光，这样可以降低对投影物镜1的设计要求，以致基准标记41通过投影物镜在掩模对准传感器上成像时，可以成清晰的像。

该对准装置的基准版装置由基准版40、基准版对准标记41和基准版支架42构成，用于建立掩模对准装置与工件台坐标系之间的关系，以及背面对准装置与工件台坐标系之间的关系。基准版对准标记41位于基准版40下表面，基准版40固定于基准版支架42上。基准版对准标记41与硅片背面对准标记20位于同一水平面上。基准版支架42由对可见光有较高透过率的玻璃材料或者对其他可见光具有较高透过率的材料构成，因此背面对准装置5所发出的可见光能透射过该基准版支架42，实现对基准版对准标记41的照明。

该基准版装置固定于工件台装置的上方，可以随工件台装置的运动调整其在至少3个自由度方向上的位置。同时，该对准装置的背面对准装置位于工件台装置下方，其位置不受工件台装置运动的影响。

在本实施例中，基底21由硅片构成。在该硅片21的下表面20f设置有硅片对准标记20。

背面对准装置5由照明单元、成像单元及图像处理系统构成，整个背面对准装置仅设计一套照明单元和一套成像装置，降低背面对准标记照明和成像装置的设计、装配复杂度，同时降低开发成本。照明单元按光束传播的方向依次由可见光光源10、照明光纤11、照明镜组12、分束棱镜13、反射镜52和成像物镜组51等构成，实现基准版对准标记41和硅片背面对准标记20的均匀照明。成像单元依次由成像物镜组51、反射镜52、分束棱镜13、可见光成像探测器件32等构成，实现背面对准标记20和基准版对准标记41在可见光成像探测器件32靶面上清晰成像。其中本实施例中的成像单元与照明单元共用同一个成像物镜组51、反射镜52及分束棱镜13，使背面对准装置5结构更加紧凑，节省整机布局空间，为光刻设备的整体设计预留较大空间。图像处理系统33主要对可见光成像探测器件32采集到的上述对准标记位置进行计算。可见光成像探测器件32用于接收基准版对准标记41和背面对准标记20通过成像单元所成的像，该可见光成像探测器件可以是CCD(Charge Coupled Device电荷耦合器件)摄像机或CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor互补型金属氧化物半导体)摄像机。

工件台装置从工件台上表面往下依次由硅片吸盘22、工件台24和大理石26等构成，主要用于对硅片21进行支撑及为硅片21提供在至少3个自由度方向上的位置调整。该背面对准标记20位于硅片21上，并与硅片吸盘22位于同一个面。该硅片吸盘22安装于工件台24上表面，同时该工件台24位于大理石26之上。硅片吸盘22由对可见光具有较高透过率的玻璃材料构成或者由其他对可见光具有较高透过率的材料组成，如树脂等。

该工件台24上在指定位置处由3个或3个以上工件台通光孔23构成，主要用于背面对准标记20的均匀照明和清晰成像。该工件台通光孔23位于背面对准标记20的正下方，在设计时一个背面对准标记20对应一个工件台通光孔23。该工件台通光孔23的位置、数量及大小主要取决于对准精度以及单个芯片尺寸大小。

该大理石26上有一个大理石通光孔25，主要用于背面对准装置5的照明光源10所发出的可见光能通过该孔，并同时通过工件台通光孔23以及硅片吸盘22，对背面对准标记20实现均匀照明。该大理石通光孔25的位置位于背面对准装置5的正上方。大理石通光孔25的大小取决于背面对准装置5的照明视场和成像视场大小以及背面对准标记20的搜索范围大小。若背面对准标记20不在背面标记照明装置照明视场内，则可以通过运动工件台24来实现在一定范围内背面对准标记20的搜索，可进一步提高硅片背面对准装置对硅片背面对准标记的工艺适应性。

如图4、5中所示，背面对准装置5安装于大理石26平台以下，从而减小背面对准标记照明装置与硅片承片台机械接口之间的相互耦合，降低工件台结构设计和装配的复杂度，同时降低硅片承片台的加工成本。

在使用该对准设备时，可以分为背面对准标记照明过程和背面对准标记成像过程。

具体而言，背面对准标记的照明过程从可见光光源10起，经照明光纤11、照明镜组12、分束棱镜13、反射镜52、成像物镜组51、大理石通光孔25、工件台通光孔23、硅片吸盘22至基准版对准标记41或背面对准标记20，可以将基准版对准标记41和背面对准标记20均匀照明。

背面对准标记成像过程从基准版对准标记41或背面对准标记20起，硅片吸盘22、工件台通光孔23、大理石通光孔25、成像物镜组51、反射镜52、分束棱镜13、可见光成像探测器件32至图像处理系统33，可实现基准版对准标记41或和背面对准标记20在红外成像探测器件32上清晰成像，同时经图像处理系统33给出基准版对准标记41或和背面对准标记20在可见光成像探测器件32靶面上的位置信息。

图6是本发明所涉及的对准方法的流程图。如图6所示，601掩模对准传感器标定是该流程图的开始步骤。同时参见图5，在601掩模对准传感器标定过程中包括：步骤一、移动工件台24到期望位置，使基准版标记41在掩模对准左边传感器64的视场内成像，从而建立掩模对准左边传感器64和工件台坐标系之间的位置关系；步骤二、移动工件台24到期望位置，使基准版标记41在掩模对准右边传感器65的视场内成像，从而建立掩模对准右边传感器65和工件台坐标系之间的位置关系。上述步骤一和步骤二的顺序可相互颠倒，无论先进行左边掩模对准传感器标定还是右边掩模对准传感器标定，不影响本发明的技术效果。

602背面对准装置标定，在过程602中包括步骤三、移动工件台24到期望位置，使基准版标记41在背面对准装置50的视场内成像，从而建立背面对准传感器50和工件台坐标系之间的位置关系。

603掩模对准，上载掩模版进行掩模对准，包括步骤四、根据图像处理系统33的计算结果进行掩模版的位置调整，同时根据步骤一和步骤二的结果计算出当前曝光图像在工件台坐标系中的位置。

604硅片全局对准，硅片全局对准包括：步骤五、上载硅片，利用背面对准装置50进行至少3个以上背面对准标记20的对准，利用图像处理系统33给出的背面对准标记20在靶面上的位置，同时记录当前工件台24的位置；步骤六、根据步骤三以及步骤五所得结果，可以计算出当前硅片21在工件台坐标系中的位置。

605实现掩模硅片对准，包括：根据步骤四和步骤六结果，即可实现当前曝光图像与硅片上已有图像之间的精确套刻。

本发明采用可见光测量法，与原有技术的不同之处及其有益效果在于：背面对准标记照明和成像装置只有一套，降低背面对准标记照明和成像装置的设计、装配复杂度，同时降低开发成本。背面对准标记照明和成像有一部分光路共用，因此背面对准装置结构更加紧凑，节省整机布局空间。背面对准装置安装于工件台大理石平台以下，从而减小背面对准标记照明装置与硅片承片台机械接口之间的相互耦合，降低工件台结构设计和装配的复杂度，同时降低硅片承片台的加工成本。当硅片背面对准标记不在背面标记成像装置的视场范围内时，可以通过移动工件台在一定范围内搜索背面对准标记，因此提高硅片背面对准装置对硅片背面对准标记的工艺适应性。

本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本发明的范围之内。

Claims (27)

1.一种用于光刻设备的对准装置，用于确定掩模与基底的相对位置关系，包括：掩模对准装置、基准版装置、背面对准装置及工件台装置，其特征在于：所述背面对准装置位于所述工件台装置的下方；能使用一套所述背面对准装置实现对不同对准标记的对准；所述对准标记包括基准版标记及背面对准标记。

2.如权利要求1所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述工件台装置包括至少三个通光孔，用于通过可见光，以实现对所述基准版标记和背面对准标记的照明及成像。

3.如权利要求1所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述掩模对准装置包括掩模对准光源、掩模版、掩模对准标记及两个掩模对准传感器。

4.如权利要求3所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述掩模对准光源与所述光刻设备的曝光光源波长相同。

5.如权利要求3所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述掩模对准传感器位于所述掩模版上方，在水平方向上关于光刻设备的投影物镜的光轴对称。

6.如权利要求1所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述基准版装置由基准版、基准版对准标记和基准版支架构成。

7.如权利要求6所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述基准版对准标记位于所述基准版下表面，所述基准版固定于所述基准版支架上。

8.如权利要求6所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述基准版对准标记与硅片背面对准标记位于同一水平面。

9.如权利要求6所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述基准版支架由对可见光有较高透过率的材料构成。

10.如权利要求9所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述基准版支架由玻璃构成。

11.如权利要求1所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述背面对准装置包括照明单元、成像单元及图像处理系统。

12.如权利要求11所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述照明单元按光束传播的方向依次包括可见光光源、光纤、照明镜组及光束传播单元，所述成像单元按光束传播的方向依次包括光束传播单元及可见光成像探测器件，所述照明单元与所述成像单元共用光束传播单元。

13.如权利要求12所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述光束传播单元包括分束棱镜、反射镜和成像物镜组，其中所述反射镜位于分束棱镜与成像物镜组的光束中间。

14.如权利要求12所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述可见光成像探测器件是CCD摄像机或CMOS摄像机。

15.如权利要求1所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述工件台装置包括工件台和位于工件台之下的基座，所述工件台至少实现3个自由度的移动。

16.如权利要求15所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述工件台装置还包括硅片吸盘，所述硅片吸盘位于工件台之上，所述硅片吸盘由玻璃或对可见光具有较高透过率的材料构成。

17.如权利要求2所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述通光孔的位置、数量及大小由对准精度以及单个芯片尺寸大小决定。

18.如权利要求15所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述基座上包括基座通光孔，所述基座通光孔位于所述背面对准装置的正下方。

19.如权利要求18所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述基座通光孔大小取决于背面对准装置的照明视场和成像视场大小以及背面对准标记的搜索范围大小；若背面对准标记不在背面标记照明装置照明视场内，则通过运动工件台来实现在一定范围内背面对准标记的搜索。

20.如权利要求16所述的用于光刻设备的对准装置，其特征在于，所述背面对准标记与所述硅片吸盘位于同一水平面上。

21.一种用于光刻设备的对准方法，用于确定掩模与硅片的相对位置关系，包括：

S1：掩模对准传感器标定；

S2：背面对准装置标定；

S3：掩模对准；

S4：硅片全局对准；

S5：实现掩模硅片对准。

22.如权利要求21所述的用于光刻设备的对准方法，其特征在于，所述S1包括：

步骤一、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准左边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准左边传感器和工件台坐标系之间的位置关系；

步骤二、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准右边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准右边传感器和工件台坐标系之间的位置关系。

23.如权利要求22所述的用于光刻设备的对准方法，其特征在于，所述S1包括：

步骤一、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准右边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准右边传感器和工件台坐标系之间的位置关系；

步骤二、移动工件台到期望位置，使基准版标记在掩模对准左边传感器的视场内成像，从而建立掩模对准左边传感器和工件台坐标系之间的位置关系。

24.一种如权利要求23所述的用于光刻设备的对准方法，其特征在于，所述S2包括：

步骤三、移动工件台到期望位置，使基准版标记在背面对准装置的视场内成像，从而建立背面对准传感器和工件台坐标系之间的位置关系。

25.如权利要求24所述的用于光刻设备的对准方法，其特征在于，所述S3包括：

步骤四、根据图像处理系统的计算结果进行掩模版的位置调整，同时根据步骤一和步骤二的结果计算出当前曝光图像在工件台坐标系中的位置。

26.如权利要求25所述的用于光刻设备的对准方法，其特征在于，所述S4包括：

步骤五、上载硅片，利用背面对准装置进行至少3个以上背面对准标记的对准，利用图像处理系统给出的背面对准标记在靶面上的位置，同时记录当前工件台的位置；

步骤六、根据步骤三以及步骤五所得结果，计算出当前硅片在工件台坐标系中的位置。

27.如权利要求26所述的用于光刻设备的对准方法，其特征在于，所述S5包括：

步骤七、根据步骤四和步骤六结果，即实现当前曝光图像与硅片上已有图像之间的精确套刻。

Images