CN102539462B - 一种原位表征纳米线的方法 - Google Patents
一种原位表征纳米线的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102539462B CN102539462B CN201110356193.0A CN201110356193A CN102539462B CN 102539462 B CN102539462 B CN 102539462B CN 201110356193 A CN201110356193 A CN 201110356193A CN 102539462 B CN102539462 B CN 102539462B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wire
- nano
- mark
- single nano
- electron microscope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明提供了一种采用SEM-CL和TEM的原位表征方法,包括步骤:1)提供一微栅;2)在微栅的表面形成一导电层;3)将纳米线置于所述导电层表面,并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面;4)采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线,拍摄其具体形貌并记录其尺寸;5)采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质,并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记;6)采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。本发明利用特殊的精细的制样和测试方法,将TEM获得的结构信息与SEM-CL获得发光性质直接联系起来,构建材料纳米结构和材料发光性质间的桥梁。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料测试领域,尤其涉及一种采用扫描电子显微镜-阴极荧光测试装置和透射电子显微镜原位表征纳米线的方法。
背景技术
随着纳米光电子器件的发展和光子集成原型器件的制作,对于单根纳米线的发光性质以及对应结构信息的研究显的尤其重要。微栅(lacey support films) 是电子显微镜用来检测样品的专用支持膜,特别是纳米材料检测的必备用品。研究者通常把试样直接放在微栅上进行透射电镜观察。透射电子显微镜或透射电镜(Transmission electron microscope,以下简称TEM),TEM是研究材料纳观结构非常有力的工具,但是由于TEM对于制样的特殊要求,很难高效的重复利用TEM样品。因此要有效的将材料的结构与发光性质直接的联系起来显的很困难。目前,对于纳米线的结构和发光性质原位表征最佳的方案是在TEM中集成阴极荧光(CathodoLuminescene,以下简称CL)。
虽然TEM-CL原位表征非常的简便而高效,但是TEM-CL原位表征在国际上都非常的稀少,因而极大的限制了该方法的实用性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种采用扫描电镜-阴极荧光(Scanning Electron Microscopy – Cathodoluminescence,以下简称 SEM-CL)系统和透射电镜的原位表征方法。
为了解决上述问题,本发明提供了一种原位表征纳米线的方法,包括步骤:1)提供一微栅;2)在微栅的表面形成一导电层;3)将纳米线置于所述导电层表面,并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面;4)采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线,拍摄其具体形貌并记录其尺寸;5)采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质,并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记;6)采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。
所述步骤2中,所述导电层的材料为金属或半导体,形成所述导电层的方式为电子蒸镀或溅射,所述导电层的厚度范围均为5nm至10nm。
所述步骤6进一步包括,所述微栅具有一第一标记,透射电子显微镜利用微栅中的第一标记指认出所述单根纳米线,再利用透射电子显微镜记录所述单根纳米线的第二标记处的结构信息。
本发明的优点在于,利用特殊的精细的制样和测试方法,将TEM获得的结构信息与SEM -CL获得发光性质直接联系起来,构建材料纳米结构和材料发光性质间的桥梁。
附图说明
图1是本发明提供的一种纳米线原位表征方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的一种纳米线原位表征方法的具体实施方式做详细说明。
图1所示为本发明提供的一种纳米线原位表征方法的步骤流程图,包括:步骤100,提供一微栅;步骤101,在微栅的表面形成一导电层;步骤102,将纳米线置于所述导电层表面,并采用粘合剂将所纳米线固定在导电层表面;步骤103,采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线,拍摄其具体形貌并记录其尺寸;步骤104,采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质,并利用阴极发光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记;步骤105,采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息。
所述步骤101中,所述导电层的物质为金属或半导体,形成所述导电层的方式为电子蒸镀或溅射,本发明中形成导电性能的物质的方式不限于电子蒸镀和溅射,还包括如PVD(物理气相沉积)等。所述具有导电性能的物质的厚度范围均为5nm~10nm。步骤101中形成具有导电性的物质为在TEM表征结构信息做准备。
所述步骤102中,所述粘合剂可以是有机液体,例如酒精或者丙酮等,利用液体的辅助吸附作用将纳米线固定在导电层表面。具体的吸附方法可以是先将纳米线分散于带导电层的微栅上,然后在带导电层的微栅上滴上适量的酒精或丙酮等,然后红外灯加热使液体挥发,纳米线就可以通过液体的表面张力作用更好的被吸附于带导电层的微栅上。
所述步骤103中,采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线,拍摄其具体形貌并记录其尺寸,以便于在TEM中找到所述单根纳米线。所述微栅还可以进一步具有一第一标记,本步骤中扫描电子显微镜进一步记录所选择的单根纳米线与第一标记的相对位置。
所述步骤104中,利用阴极发光的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记,以便于在TEM原位观察到所述单根纳米线的位置。
所述步骤105进一步包括,所述微栅具有一第一标记,透射电子显微镜利用微栅中的第一标记指认出所述单根纳米线,再利用透射电子显微镜记录所述单根纳米线的第二标记处的结构信息。
如果想在样品的原位获得更多根纳米线的结构与发光性质的组合信息,可重复步骤100至步骤105。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (1)
1.一种原位表征纳米线的方法,其特征在于,包括步骤:
1)提供一微栅;
2)在微栅的表面形成一导电层,为在TEM表征结构信息做准备;
3)将纳米线分散在所述导电层表面,并采用粘合剂将所述纳米线固定在导电层表面,所述粘合剂为有机液体;
4)采用扫描电子显微镜选择一单根纳米线,拍摄其具体形貌并记录其尺寸;
5)采用阴极荧光测试装置记录所述单根纳米线不同位置的发光性质,并利用阴极荧光测试装置的线扫描功能在所述单根纳米线上标定一第二标记;
6)采用透射电子显微镜记录所述单根纳米线上的第二标记处的结构信息;
所述步骤2中,所述导电层的材料为金属或半导体,形成所述导电层的方式为电子蒸镀或溅射,所述导电层的厚度范围均为5nm至10nm;
所述微栅具有一第一标记,所述步骤4进一步包括扫描电子显微镜进一步记录所选择的单根纳米线与第一标记的相对位置;所述步骤6进一步包括,透射电子显微镜利用微栅中的第一标记指认出所述单根纳米线,再利用透射电子显微镜记录所述单根纳米线的第二标记处的结构信息。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110356193.0A CN102539462B (zh) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | 一种原位表征纳米线的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110356193.0A CN102539462B (zh) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | 一种原位表征纳米线的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102539462A CN102539462A (zh) | 2012-07-04 |
CN102539462B true CN102539462B (zh) | 2014-04-16 |
Family
ID=46346878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110356193.0A Active CN102539462B (zh) | 2011-11-11 | 2011-11-11 | 一种原位表征纳米线的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102539462B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105143867B (zh) * | 2013-03-28 | 2018-05-18 | 杰富意钢铁株式会社 | 镁橄榄石确认方法、镁橄榄石评价装置以及钢板制造线 |
CN112305001B (zh) * | 2020-10-22 | 2021-08-31 | 清华大学 | 一种扫描电镜半导体纳米线光机电耦合特性原位表征方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1618738A (zh) * | 2003-11-18 | 2005-05-25 | 北京大学 | 一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用 |
JP2006244742A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 電子顕微鏡試料支持用マイクログリッド及び電子顕微鏡試料の作製方法 |
WO2007027664A2 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | California Institute Of Technology | Devices and methods for nanowire electron scattering spectroscopy |
CN201488957U (zh) * | 2009-05-15 | 2010-05-26 | 北京工业大学 | 纳米线的显微结构与电学性能测试装置 |
CN101798058A (zh) * | 2010-03-12 | 2010-08-11 | 厦门大学 | 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8266969B2 (en) * | 2006-06-07 | 2012-09-18 | Case Western Reserve University | Method and system for measuring properties of microstructures and nanostructures |
-
2011
- 2011-11-11 CN CN201110356193.0A patent/CN102539462B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1618738A (zh) * | 2003-11-18 | 2005-05-25 | 北京大学 | 一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用 |
JP2006244742A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 電子顕微鏡試料支持用マイクログリッド及び電子顕微鏡試料の作製方法 |
WO2007027664A2 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | California Institute Of Technology | Devices and methods for nanowire electron scattering spectroscopy |
CN201488957U (zh) * | 2009-05-15 | 2010-05-26 | 北京工业大学 | 纳米线的显微结构与电学性能测试装置 |
CN101798058A (zh) * | 2010-03-12 | 2010-08-11 | 厦门大学 | 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法 |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
In situ measurements on individual thin carbon nanotubes using nanomanipulators inside a scanning electron microscope;XianLong Wei, et al;《Ultramicroscopy》;20100228;第110卷(第3期);182-189 * |
TEM and SEM-CL studies of SiC Nanowires;Fancesca Rossi,et al.;《Materials Science Forum》;20100429;第645-648卷;387-390 * |
TEM和CL准原位表征GaN单根纳米线中WZ/ZB结构及其发光特性;王志高,等;《电子显微学报》;20120229;第31卷(第1期);7-12 * |
固体磷酸催化剂中活性相的晶体结构与形貌的电镜研究;邹本三,等;《电子显微学报》;19890131(第1期);1-5 * |
在扫描电子显微镜中原位操纵、加工和测量纳米结构;陈清,魏贤龙;《电子显微学报》;20111231;第30卷(第6期);473-481 * |
纳米光电子材料和器件的原位一体化表征技术;高旻,等;《中国真空学会2008年学术年会论文集》;20081231;44 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102539462A (zh) | 2012-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Wu et al. | Metal–organic framework for transparent electronics | |
CN102353817B (zh) | 导电原子力显微镜的探针以及采用此探针的测量方法 | |
Beal et al. | The molecular structure of polymer− fullerene composite solar cells and its influence on device performance | |
McDowell et al. | Single nanostructure electrochemical devices for studying electronic properties and structural changes in lithiated Si nanowires | |
EP3028993A1 (en) | A deposit and electrical devices comprising the same | |
Rani et al. | One‐Step All‐Solution‐Based Au–GO Core–Shell Nanosphere Active Layers in Nonvolatile ReRAM Devices | |
CN103400740B (zh) | 光电性能可测的透射电镜样品杆及构建太阳能电池的方法 | |
CN102929101B (zh) | 一种导电光刻胶及使用该导电光刻胶的oled电极及制造方法 | |
JP2012097219A (ja) | 導電性インク、導電性インクの製造方法および透明導電膜の製造方法 | |
CN102539462B (zh) | 一种原位表征纳米线的方法 | |
Kyle et al. | Industrial graphene metrology | |
Sadki et al. | Embedding a carbon nanotube across the diameter of a solid state nanopore | |
Scherer et al. | Sample preparation for scanning Kelvin probe microscopy studies on cross sections of organic solar cells | |
Huang et al. | Ultrathin self-assembled diphenylalanine nanosheets through a gold-stabilized strategy for high-efficiency adsorption/desorption/ionization | |
Lu et al. | Lateral photovoltaic effect co-observed with unipolar resistive switching behavior in Cu-doped ZnO film | |
Huang et al. | A robust and homogeneous porous poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)/graphene thin film for high-efficiency laser desorption/ionization analysis of estrogens in biological samples | |
Klinke et al. | Enhanced field emission from multiwall carbon nanotube films by secondary growth | |
CN202284206U (zh) | 一种高分辨率的生物传感器 | |
Noh et al. | Analysis and modification of defective surface aggregates on PCDTBT: PCBM solar cell blends using combined Kelvin probe, conductive and bimodal atomic force microscopy | |
TWI525034B (zh) | 以紙為基材之超級電容器 | |
CN111999149A (zh) | 一种碳膜液体池及其制备方法 | |
CN103512869A (zh) | 具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法 | |
CN108470765B (zh) | 石墨烯垂直异质结器件及其制备方法 | |
CN103112818B (zh) | 一种利用扫描电镜在单根微纳线上制作金属电极的方法 | |
CN102312211A (zh) | 低温形成非晶态透明氧化物薄膜的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |