CN102534535B - 在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法 - Google Patents
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- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 92
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 52
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 47
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 38
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 abstract 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明属于薄膜制备领域，具体地说是一种在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，解决了在纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的问题。该装置由两组四面矩形或正方形非平衡态磁控靶材和两个相同的带孔遮蔽板组成的真空封闭长方体或立方体连接两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体组成。非平衡态磁控溅射靶由中频脉冲/直流电源驱动，并在封闭的长方体或立方体内产生高密度等离子体，连续纤维丝/条带直接从高密度等离子体中穿过，等离子体均匀地环绕在纤维丝/条带的周围，整个纤维丝/条带的表面同时被均匀地沉积上纳米薄膜。本发明可实现在纤维丝/条带材料上的高速均匀地镀膜，拓展了磁控溅射镀膜的应用范围。
Description
技术领域
本发明属于薄膜制备领域，具体地说是一种在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法。
背景技术
对于纤维丝/条带的表面改性，已成为本行业的瓶颈问题。通常采用化学气相沉积和物理气相沉积在纤维丝/条带的表面沉积一定厚度的金属层/化合物层以及它们的复合涂层。化学气相沉积由于需要高的沉积温度和使用有毒的前驱气体，对设备要求比较严格；物理气相沉积可以在较低温条件下制备金属或化合物薄膜，包括真空热蒸发、电弧离子镀和磁控溅射等。电弧离子镀由于大颗粒的问题限制了其应用，而磁控溅射则可以沉积致密均匀的纳米薄膜。
传统的磁控溅射即为平衡态磁控溅射，是在阴极靶材背后芯部磁场设置与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈，在靶材表面磁场会形成与电场方向相垂直的正交磁场，该磁场导致等离子体区被强烈地束缚在靶面区域，随着离开靶面距离的增大，等离子浓度迅速降低。在平衡态磁控溅射时，飞出的靶材粒子能量较低，膜基结合强度较差，低能量的沉积原子在基体表面迁移率低，易生成多孔粗糙的柱状晶结构薄膜。于是，出现了非平衡态磁场的设计，磁场强度可设计成边缘强或中部强，实现溅射靶表面磁场位形和分布的“非平衡”。磁控溅射靶的非平衡磁场不仅可以通过改变内外磁体的大小和强度的永磁体获得，也可由两组电磁线圈产生，或采用电磁线圈与永磁体混合结构，还有在阴极和基体之间增加附加的螺线管线圈磁场，用来改变和形成阴极与基体之间的耦合磁场，并以它来控制沉积过程中等离子体在空间分布的均匀度，提高薄膜的沉积速率。非平衡态磁控溅射克服了平衡态磁控溅射的缺点，主要体现在以下两个方面：一方面是溅射出来的原子和粒子沉积在基体表面形成致密均匀的薄膜，另一方面是等离子体以一定的能量轰击基体，起到离子束辅助沉积的作用，大大的改善了膜层的质量。
实验结果表明：单独的非平衡磁控靶在复杂基片上较难沉积出均匀的薄膜，多靶非平衡磁控溅射系统可以弥补单靶非平衡磁控溅射的不足。多靶非平衡磁控溅射系统根据磁场的分布方式可以设计为相邻磁极相反的闭合磁场非平衡磁控溅射和相邻磁极相同的镜像磁场非平衡磁控溅射。多靶闭合磁场非平衡磁控溅射系统可以获得高的沉积速率和较高质量的薄膜，因此实际应用中较多采用的是闭合磁场非平衡磁控溅射系统。
沉积金属等导电薄膜，可以使用直流电源直接进行溅射沉积；如果沉积多元化合物薄膜，则需要使用反应磁控溅射技术。但是，使用直流电源在反应磁控溅射沉积介电材料或绝缘材料化合物薄膜时，容易出现迟滞现象，会导致靶中毒和打弧问题。最为有效的解决方式是改变溅射电源，即采用中频脉冲电源。脉冲磁控溅射技术和射频电源可以有效地抑制电弧产生，进而消除由此产生的薄膜缺陷，同时可以提高溅射沉积速率，降低沉积温度等一系列显著优点。一般地要获得结晶度好的薄膜，基片需要加热到一定温度，对于纤维丝/条带加热有一定难度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，利用四个非平衡磁控溅射靶所形成的封闭磁场系统解决了在纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的问题，可以在连续纤维丝/条带表面高速沉积出厚度均匀的金属/多元化合物薄膜，实现沉积过程的连续性和稳定性。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是：
一种在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的装置，该装置为真空装置，由两组四面矩形或正方形非平衡态磁控靶材和两个相同的带孔遮蔽板组成的真空封闭长方体或立方体连接两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体组成，其中：两组四面非平衡态靶材和两个遮蔽板形成封闭的长方体或立方体空间，两组靶材由中频脉冲或直流电源驱动在封闭的长方体或立方体空间内产生高密度的等离子体，纤维丝/条带通过两个张力可控的卷绕工件转架从封闭空间的高密度等离子体中心穿过并在纤维丝/条带上高速均匀地镀膜；中频脉冲/直流磁控溅射电源的阴极与靶材相接，阳极和真空腔体接地。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的装置，整个真空系统中两个非平衡靶材A、B为一组，另两个非平衡靶材C、D为一组，两组靶材单独分别使用，或者同时使用。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的装置，每组靶材背面的磁铁磁极相反，分别形成封闭的磁场，背面的磁铁使用永磁铁或者电磁铁，中间加磁轭或不加磁轭。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的装置，该装置中真空封闭长方体或立方体为一个或一个以上。
一种利用所述装置在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，采用直流电源沉积金属薄膜，采用中频脉冲磁控溅射电源沉积化合物薄膜，全对称双极性方波输出方式，占空比为5～45%，可调脉冲频率范围5～80kHz；溅射气体和反应气体由真空封闭长方体或立方体与两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体之间的连接处，进入到真空封闭的空间内产生等离子体，连续纤维丝/条带直接从高密度等离子体中穿过，等离子体均匀地环绕在纤维丝/条带的周围，整个纤维丝/条带的表面同时被均匀地沉积上纳米薄膜。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，该装置使用的靶材采用纯金属靶材：镍靶、钛靶、锌靶、铬靶、镁靶、铌靶、锡靶、铝靶、铁靶、锆靶、铜靶、银靶、钴靶、金靶、钇靶、铈靶或钼靶。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，整个真空系统中两个非平衡靶材A、B为一组，另两个非平衡靶材C、D为一组，两组靶材A、B和C、D的材料相同或不同，相同的靶材适用于制备同质薄膜，不同的靶材适用于制备化合物薄膜。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，该装置中真空封闭长方体或立方体为一个或一个以上，长方体或立方体分段使用，用于镀单层膜或同时镀一个以上的多层膜。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，溅射气体为惰性气体，反应气体为氧气或氮气。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，该装置工件转架的旋转速度可调，还具有正向转或反向转功能。
本发明的技术原理：
本发明采用两组四面非平衡态磁控溅射靶材使等离子体封闭在所形成的长方体或立方体内，等离子体密度大大增加；通过控制磁场，使等离子在整个区间内均匀分布，可以实现高速和高均匀性沉积薄膜。
本发明具有四个非平衡磁控溅射靶构成闭合磁场系统的特点，采用直流电源沉积金属薄膜或者采用中频脉冲电源沉积化合物薄膜，也可以采用不同的靶材实现多元化合物薄膜的制备和使用多个密封的长方体/立方体连续制备多层薄膜。
本发明的优点和积极效果为：
1、本发明提出一种连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，可以让两组四面矩形（正方形）靶产生的高密度等离子体局域在长方体或立方体封闭的空间内，连续纤维丝/条带直接从等离子体中穿过，等离子体均匀地环绕在纤维丝/条带的周围，实现在纤维丝/条带的表面上高速均匀沉积纳米薄膜。
2、本发明提出的装置在连续纤维丝/条带上不仅可以实现单一种类金属薄膜的沉积，还可以实现沉积多元化合物薄膜和多层复合膜。
3、本发明将纤维丝/条带均匀卷绕在工件转架上可以连续沉积均匀的薄膜。
4、本发明通过调节溅射气体流量、反应气体种类、溅射时间、卷绕转架的速度等，实现在连续纤维/条带表面沉积不同厚度的金属或化合物薄膜。
5、本发明纤维丝/条带为金属纤维丝/条带、SiC纤维丝/条带、碳纤维丝/条带等。
6、本发明采用控制基片区域内等离子体密度和均匀性可显著地弥补现有技术的缺陷，获得低损伤均匀纳米薄膜。
附图说明
图1为本发明装置整个真空系统的示意图。
图中，1第一组靶材，分别为第一组靶材A面1A和第一组靶材B面1B；2第二组靶材，分别为第二组靶材C面1C和第二组靶材D面1D；2两端遮蔽板，分别为2A和2B；3张力可控的卷绕工件转架，分别为进样转架3A和出样转架3B；4磁铁系统，分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A和磁铁系统B部4B对应于第一组靶材A面1A和第一组靶材B面1B，且磁极相反；磁铁系统C部4C和磁铁系统D部4D对应于第二组靶材C面1C和第二组靶材D面1D，且磁极相反；5纤维丝/条带，5A为进样端纤维丝/条带，5B为出样端纤维丝/条带；6溅射气体进气口，分别为6A和6B；7真空腔体，与密封的长方体或立方体相连，卷绕工件转架位于其中，分别为7A和7B；8真空泵，分别为8A和8B，维持腔体7A、7B与封闭长方体的真空；9为磁控溅射直流/中频脉冲电源。
图2为本发明装置整个真空系统的俯视示意图。
图中，1第一组靶材，分别为第一组靶材A面1A和第一组靶材B面1B；1C第二组靶材C面；2两端遮蔽板，分别为2A和2B；3张力可控的卷绕工件转架，分别为进样转架3A和出样转架3B；4磁铁系统，分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A和磁铁系统B部4B对应于第一组靶材A面1A和第一组靶材B面1B，且磁极相反；磁铁系统C部4C和磁铁系统D部4D对应于第二组靶材C面1C和第二组靶材D面1D，且磁极相反；5纤维丝/条带，5A为进样端纤维丝/条带，5B为出样端纤维丝/条带；6溅射气体进气口，分别为6A和6B；7真空腔体，与密封的长方体/立方体相连，卷绕工件转架位于其中，分别为7A和7B；8真空泵，分别为8A和8B，维持腔体7A、7B与封闭长方体的真空。
图3为本发明装置中三（多）个密封的长方体/立方体和卷绕转架真空腔体组成的整个真空系统的俯视示意图。
图中，3张力可控的卷绕工件转架，分别为进样转架3A和出样转架3B；5纤维丝/条带，5A为进样端纤维丝/条带，5B为出样端纤维丝/条带；7真空腔体，与密封的长方体/立方体相连，卷绕工件转架位于其中，分别为7A和7B。第一个密封的长方体/立方体中，1第一组靶材，分别为第一组靶材A面1A1，和第一组靶材B面1B1；1C1第二组靶材C面；2两端遮蔽板，分别为2A1和2B1；4磁铁系统，分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A1和磁铁系统B部4B1对应于第一组靶材A面1A1和第一组靶材B面1B1，且磁极相反；磁铁系统C部4C1和磁铁系统D部4D1对应于第二组靶材C面1C1和第二组靶材D面1D1，且磁极相反；6溅射气体进气口，分别为6A1和6B1。第二个密封的长方体/立方体中，1第一组靶材，分别为第一组靶材A面1A2，和第一组靶材B面1B2；1C2第二组靶材C面；2两端遮蔽板，分别为2A2和2B2；4磁铁系统，分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A2和磁铁系统B部4B2对应于第一组靶材A面1A2和第一组靶材B面1B2，且磁极相反；磁铁系统C部4C2和磁铁系统D部4D2对应于第二组靶材C面1C2和第二组靶材D面1D2，且磁极相反；6溅射气体进气口，分别为6A2和6B2。第三个密封的长方体/立方体中，1第一组靶材，分别为第一组靶材A面1A3，和第一组靶材B面1B3；1C3第二组靶材C面；2 两端遮蔽板，分别为2A3和2B3；4磁铁系统，分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A3和磁铁系统B部4B3对应于第一组靶材A面1A3和第一组靶材B面1B3，且磁极相反；磁铁系统C部4C3和磁铁系统D部4D3对应于第二组靶材C面1C3和第二组靶材D面1D3，且磁极相反；6 溅射气体进气口，分别为6A3和6B3。
具体实施方式
本发明提供一种在纤维丝/条带表面均匀沉积金属/化合薄膜的装置和方法，装置为真空装置，由两组四面矩形（或正方形）非平衡态磁控靶材和两个相同的带孔遮蔽板组成的真空封闭长方体（或立方体）连接两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体组成，其中两组四面非平衡态靶材和两个遮蔽板形成封闭的长方体（或立方体）空间，两组靶材由中频脉冲或直流电源驱动在封闭的长方体（或立方体）空间内产生高密度的等离子体，纤维丝/条带通过两个张力可控的卷绕工件转架，从封闭空间的高密度等离子体中心穿过，并在纤维丝/条带上高速均匀地镀膜。中频脉冲/直流磁控溅射电源的阴极与靶材相接，阳极和真空腔体接地。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，整个真空系统中非平衡靶材A、B为一组，非平衡靶材C、D为一组，可以两组靶材同时使用，也可以单独分别使用。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，每组靶材（A、B和C、D）背面的磁铁磁极相反，分别形成封闭的磁场，背面的磁铁可以使用永磁铁或者电磁铁，中间可以加磁轭，也可以不加。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，该装置使用的靶材采用纯金属靶材：镍靶、钛靶、锌靶、铬靶、镁靶、铌靶、锡靶、铝靶、铁靶、锆靶、铜靶、银靶、钴靶、金靶、钇靶、铈靶或钼靶。
所述的连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，两组靶材A、B和C、D的材料可以相同，也可以不同。相同的适用于制备同质薄膜，不同的靶材适用于制备化合物薄膜。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，这种装置中的沉积薄膜腔体部分（真空封闭的长方体或正方体）可以为一个，镀单层膜；也可以为多个，所述长方体或正方体分段使用，同时镀多层膜。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，溅射气体惰性气体（如氩气等）和反应气体（如氧气或氮气）由真空封闭长方体（或立方体）与两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体之间的连接处，进入到封闭的空间内产生等离子体。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，工件转架的旋转速度可调，还具有正向转/反向转功能。
所述的在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积金属/化合物薄膜的装置和方法，采用直流电源沉积金属薄膜，采用中频脉冲磁控溅射电源沉积化合物薄膜，全对称双极性方波输出方式，占空比为5～45%，可调脉频率范围5～80kHz，金属薄膜或化合物薄膜为纳米薄膜，厚度为10～500纳米。
实施例1
如图1-2所示，本发明装置整个真空系统主要包括：第一组靶材（第一组靶材A面1A和第一组靶材B面1B）、第二组靶材（第二组靶材C面1C和第二组靶材D面1D）、两端遮蔽板（遮蔽板2A和遮蔽板2B）、张力可控的卷绕工件转架（进样转架3A和出样转架3B）、磁铁系统（磁铁系统A部4A、磁铁系统B部4B、磁铁系统C部4C和磁铁系统D部4D）、纤维丝/条带（进样端纤维丝/条带5A和出样端纤维丝/条带5B）、溅射气体进气口（溅射气体进气口6A和溅射气体进气口6B）、真空腔体（真空腔体7A和真空腔体7B）、真空泵（真空泵8A和真空泵8B）、磁控溅射直流/中频脉冲电源9等，具体结构如下：
第一组靶材A面1A、第一组靶材B面1B、第二组靶材C面1C、第二组靶材D面1D、遮蔽板2A和遮蔽板2B组成真空封闭空间（长方体或立方体），其中：第一组靶材A面1A和第一组靶材B面1B相对设置，第二组靶材C面1C和第二组靶材D面1D相对设置，遮蔽板2A和遮蔽板2B相对设置，遮蔽板2A和遮蔽板2B上的开孔分别通过管道与真空腔体7A和真空腔体7B相通，真空腔体7A和真空腔体7B分别与真空泵8A和真空泵8B连通。所述真空腔体7A与真空封闭空间相通的管道上设有溅射气体进气口6A，所述真空腔体7B与真空封闭空间相通的管道上设有溅射气体进气口6B。
真空腔体7A和真空腔体7B分别与真空封闭空间（长方体或立方体）相连通，进样转架3A和出样转架3B分别位于真空腔体7A和真空腔体7B中，进样端纤维丝/条带5A缠绕于进样转架3A，出样端纤维丝/条带5B缠绕于出样转架3B；
磁铁系统分别位于每组靶材的背面，其中：磁铁系统A部4A和磁铁系统B部4B对应于第一组靶材A面1A和第一组靶材B面1B，且磁极相反；磁铁系统C部4C和磁铁系统D部4D对应于第二组靶材C面1C和第二组靶材D面1D，且磁极相反；中频脉冲/直流磁控溅射电源9的阴极与靶材相接，阳极和真空腔体接地。
本实施例中，采用Al靶在SiC纤维丝/条带表面沉积Al2O3薄膜，溅射气体（氩气）和反应气体（氧气）由真空封闭长方体（或立方体）与两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体之间的连接处，进入到封闭的空间内产生高密度等离子体。采用中频脉冲磁控溅射电源沉积化合物薄膜，全对称双极性方波输出方式，占空比为30%，可调脉频率范围50kHz。连续纤维丝/条带直接从高密度等离子体中穿过，等离子体均匀地环绕在纤维丝/条带的周围，整个纤维丝/条带的表面同时被均匀地沉积上纳米薄膜。本发明实施例1沉积薄膜的厚度为50纳米。
实施例2
如图3所示，本发明装置可以采用三（多）个密封的长方体/立方体和卷绕转架真空腔体组成的整个真空系统，三个密封的长方体/立方体与卷绕转架两两相连，进样转架3A与第一个密封的长方体/立方体左部相连，第一个密封的长方体/立方体的右部与第二个密封的长方体/立方体的左部相连，第二个密封的长方体/立方体的右部与第三个密封的长方体/立方体的左部相连，第三个密封的长方体/立方体的右部与出样转架3B相连；进样端纤维丝/条带5A缠绕于进样转架3A，出样端纤维丝/条带5B缠绕于出样转架3B；真空腔体7A和7B与密封的长方体/立方体相连，卷绕工件转架位于其中。其中第一个密封的长方体/立方体中，第一组靶材A面1A1和第一组靶材B面1B1相对，第二组靶材C面1C1和第二组靶材D面1D1相对，两端遮蔽板2A1和2B1相对；磁铁系统分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A1和磁铁系统B部4B1对应于第一组靶材A面1A1和第一组靶材B面1B1，且磁极相反；磁铁系统C部4C1和磁铁系统D部4D1对应于第二组靶材C面1C1和第二组靶材D面1D1，且磁极相反；溅射气体进气口，分别为6A1和6B1。第二个密封的长方体/立方体中，第一组靶材A面1A2和第一组靶材B面1B2相对，第二组靶材C面1C2和第二组靶材D面1D2相对，两端遮蔽板2A2和2B2相对；磁铁系统分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A2和磁铁系统B部4B2对应于第一组靶材A面1A2和第一组靶材B面1B2，且磁极相反；磁铁系统C部4C2和磁铁系统D部4D2对应于第二组靶材C面1C2和第二组靶材D面1D2，且磁极相反；溅射气体进气口，分别为6A2和6B2。第三个密封的长方体/立方体中，第一组靶材A面1A3和第一组靶材B面1B3相对，第二组靶材C面1C3和第二组靶材D面1D3相对，两端遮蔽板2A3和2B3相对；磁铁系统，分别位于每组靶材的背面，其中磁铁系统A部4A3和磁铁系统B部4B3对应于第一组靶材A面1A3和第一组靶材B面1B3，且磁极相反；磁铁系统C部4C3和磁铁系统D部4D3对应于第二组靶材C面1C3和第二组靶材D面1D3，且磁极相反；溅射气体进气口，分别为6A3和6B3。
本实施例中，三个密封的长方体/立方体分别采用钛靶、锆靶和镁靶，并分别在碳纤维丝/条带表面沉积金属钛纳米薄膜(厚度30纳米)、金属锆纳米薄膜(厚度30纳米)和金属镁纳米薄膜(厚度40纳米)，溅射气体（氩气）由真空封闭长方体（或立方体）与两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体之间的连接处，进入到封闭的空间内产生高密度等离子体。采用直流磁控溅射电源沉积金属薄膜，连续纤维丝/条带直接从高密度等离子体中穿过，等离子体均匀地环绕在纤维丝/条带的周围，整个纤维丝/条带的表面同时被均匀地沉积上纳米薄膜。本发明实施例1沉积薄膜的厚度为100纳米。
本发明两组非平衡态磁控靶由中频脉冲或直流电源驱动在封闭的长方体（或立方体）空间内产生高密度的等离子体，纤维丝/条带通过卷绕工件转架从封闭空间的高密度等离子体中心穿过，并在纤维丝/条带上均匀地沉积上纳米薄膜，反应溅射气体通过真空封闭体和卷绕装置真空腔体两端的连接处引入。本发明通过调节磁控溅射装置中真空室内的气体流量、反应气体种类、溅射沉积时间、卷绕转架的速度和使用不同的靶材等，实现在连续纤维丝/条带表面沉积不同种类和不同厚度的金属/化合物薄膜，对纤维丝/条带进行表面改性。
实施例结果表明，本发明四面矩形中非平衡态磁控溅射靶由中频脉冲/直流电源驱动并在封闭的长方体（或立方体）内产生高密度等离子体，连续纤维丝/条带直接从高密度等离子体中穿过，等离子体均匀地环绕在纤维丝/条带的周围，整个纤维丝/条带的表面同时被均匀地沉积上纳米薄膜。本发明可实现在纤维丝/条带材料上的高速均匀地镀膜，拓展了磁控溅射镀膜的应用范围。
Claims (8)
1.一种在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，沉积薄膜的装置为真空装置，由两组四面矩形或正方形非平衡态磁控靶材和两个相同的带孔遮蔽板组成的真空封闭长方体或立方体连接两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体组成，其中：两组四面非平衡态磁控靶材和两个遮蔽板形成封闭的长方体或立方体空间，两组靶材由中频脉冲磁控溅射电源或直流磁控溅射电源驱动在封闭的长方体或立方体空间内产生的等离子体，纤维丝/条带通过两个张力可控的卷绕工件转架从封闭空间的等离子体中心穿过并在纤维丝/条带上高速均匀地镀膜；中频脉冲磁控溅射电源或直流磁控溅射电源的阴极与靶材相接，阳极和真空腔体接地；
采用直流磁控溅射电源沉积金属薄膜，采用中频脉冲磁控溅射电源沉积化合物薄膜，全对称双极性方波输出方式，占空比为5~45%，可调脉冲频率范围5~80kHz；溅射气体和反应气体由真空封闭长方体或立方体与两个张力可控的卷绕工件转架于内的真空腔体之间的连接处，进入到真空封闭的空间内产生等离子体，连续纤维丝/条带直接从等离子体中穿过，等离子体均匀地环绕在纤维丝/条带的周围，整个纤维丝/条带的表面同时被均匀地沉积上纳米薄膜。
2.按照权利要求1所述的在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，整个真空系统中两个非平衡态磁控靶材A、B为一组，另两个非平衡态磁控靶材C、D为一组，两组靶材单独分别使用，或者同时使用。
3.按照权利要求1所述的在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，每组靶材背面的磁铁磁极相反，分别形成封闭的磁场，背面的磁铁使用永磁铁或者电磁铁，中间加磁轭或不加磁轭。
4.按照权利要求1所述的在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，沉积薄膜的装置使用的靶材采用纯金属靶材：镍靶、钛靶、锌靶、铬靶、镁靶、铌靶、锡靶、铝靶、铁靶、锆靶、铜靶、银靶、钴靶、金靶、钇靶、铈靶或钼靶。
5.按照权利要求1所述的在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，整个真空系统中两个非平衡态磁控靶材A、B为一组，另两个非平衡态磁控靶材C、D为一组，两组靶材A、B和C、D的材料相同或不同，相同的靶材适用于制备同质薄膜，不同的靶材适用于制备化合物薄膜。
6.按照权利要求1所述的在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，沉积薄膜的装置中真空封闭长方体或立方体为一个以上，长方体或立方体分段使用，用于镀单层膜或同时镀多层膜。
7.按照权利要求1所述的在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，溅射气体为惰性气体，反应气体为氧气或氮气。
8.按照权利要求1所述的在连续纤维丝／条带表面高速均匀沉积薄膜的方法，其特征在于，沉积薄膜的卷绕工件转架的旋转速度可调，还具有正向转或反向转功能。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201210050759 CN102534535B (zh) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201210050759 CN102534535B (zh) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102534535A CN102534535A (zh) | 2012-07-04 |
| CN102534535B true CN102534535B (zh) | 2013-07-10 |
Family
ID=46342534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201210050759 Expired - Fee Related CN102534535B (zh) | 2012-02-29 | 2012-02-29 | 在连续纤维丝/条带表面高速均匀沉积薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102534535B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105316646B (zh) * | 2015-12-07 | 2018-01-02 | 中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所 | 通过物理气相沉积制备连续丝材表面涂层的设备和方法 |
| CN105970155A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-09-28 | 北京浩运盛跃新材料科技有限公司 | 对碳纳米管纤维镀膜的方法 |
| WO2021132230A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 株式会社アルバック | 薄膜製造装置 |
| CN114959608A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-08-30 | 北京科技大学 | 一种对高熵合金丝材表面进行镀覆处理的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3886209B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2007-02-28 | 貞夫 門倉 | 対向ターゲット式スパッタ装置 |
| JP2001049428A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に被膜を被覆する方法およびその方法に用いるスパッタリング装置 |
| JP2006096841A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Thk Co Ltd | 固体潤滑膜およびその製造方法、固体潤滑膜が成膜される転がり摺動部材 |
-
2012
- 2012-02-29 CN CN 201210050759 patent/CN102534535B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102534535A (zh) | 2012-07-04 |
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| C06 | Publication | ||
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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