CN102531408B - 具有增透膜的玻璃及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有增透膜的玻璃及其制造方法，该种具有增透膜的玻璃包括玻璃基板及形成在玻璃基板上的增透膜，所述增透膜包括高折射率区域及与高折射率区域呈网格状周期排列的低折射率区域。本发明的具有增透膜的玻璃可以从不同角度吸收、增透和拓宽太阳光谱波长。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃的技术领域，尤其涉及玻璃的增透膜领域。
背景技术
随着低碳能源越来越受到重视，如何提高太阳能转换成电能或热能的吸收效率变的尤为重要，目前增加转换效率的方式有增加一太阳能跟踪系统，以保持高的吸收率。
但是增加太阳能的跟踪系统将会使得整个系统变得复杂。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有增透膜的玻璃，可以增强光的吸收及增透效果。
为实现以上发明目的，本发明采用如下技术方案：一种具有增透膜的玻璃，包括玻璃基板及形成在玻璃基板上的增透膜，所述增透膜包括高折射率区域及与高折射率区域呈网格状周期排列的低折射率区域。
作为本发明的进一步改进，增透膜包括若干子层，所述各子层之间交错叠加，所述各子层(21，22，23)的高折射率区域(211，221，231)的折射率自靠近玻璃基板(10)向外依次变小，所述相邻子层(21，22，23)之间的交错叠加方式为沿一个高折射率区域(211，221，231)的对角线方向移动一个高折射率区域(211，221，231)的对角线长度的1/4的距离，所述高折射率区域(211，221，231)与低折射率区域(212，222，232)的间距为0.1-0.5微米。
作为本发明的进一步改进，所述各子层的高折射率区域的材料不同，各子层的低折射率区域的材料相同。
作为本发明的进一步改进，所述若干子层包括自靠近玻璃基板向外依次为二氧化钛与氟化镁形成的第一层、三氧化二铝与氟化镁形成的第二层及三氧化二钇与氟化镁形成的第三层。
作为本发明的进一步改进，所述第一层包括四个二氧化钛与氟化镁的单一层交错叠加，所述第二层包括四个三氧化二铝与氟化镁的单一层交错叠加，所述第三层包括四个三氧化二钇与氟化镁的单一层叠加。
作为本发明的进一步改进，所述各子层均包括若干交错叠加的单一层，所述各单一层均包括高折射率区域及与高折射率区域呈网格状周期排列的低折射率区域。
作为本发明的进一步改进，所述各单一层的厚度为50nm-100nm。
本发明的目的在于提供一种具有增透膜的玻璃的制造方法，可以制造出具有增强光的吸收及增透效果的增透膜的玻璃。
为实现以上发明目的，本发明采用如下技术方案：一种具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，包括如下步骤：
S1：提供一玻璃基板；
S2：在玻璃基板上形成高折射率层；
S3：利用刻蚀设备刻蚀步骤S2中形成的高折射率层，形成高折射率区域及与高折射率区域呈网格状周期排列空气区域；
S4：清洗残留物；
S5：制备低折射率层，低折射率的材料填充步骤S3中形成的空气区域形成低折射率区域；
S6：用强于步骤S4的清洗工艺清洗步骤S5制备的低折射率层(212)，直至露出高折射率层并使得高折射率区域(211)与低折射率区域(212)的厚度相同，以形成高低折射率区域呈网格状周期排列的单一层(210)。
作为本发明的进一步改进，所述制造方法还包括步骤S7：重复步骤S2；
水平及向上移动刻蚀设备后，重复步骤S3，水平移动使得刻蚀步后形成的 高折射率区域与上一次形成的高折射率区域交错叠加，向上移动使得刻蚀时不会影响到上次形成的单一层；
重复步骤S4-S6，从而形成与上次形成的单一层结构相同并交错叠加的另一单一层。
作为本发明的进一步改进，重复执行步骤S7若干次，以形成若干个依次交错叠加的单一层(210)。
作为本发明的进一步改进，所述水平移动的方向为高折射率区域的对角线的方向，水平移动的距离为该对角线长度的1/4，所述向上移动的距离等于上一次形成的高低折射率形成的单一层膜层的厚度。
作为本发明的进一步改进，所述制造方法还包括步骤S8：重选择另一高折射率材料后，重复步骤S2；
水平及向上移动刻蚀设备后，重复步骤S3，水平移动使得刻蚀步后形成的高折射率区域与上一次形成的高折射率区域交错叠加，向上移动使得刻蚀时不会影响到上次形成的单一层；
重复步骤S4-S6，从而形成与上次形成的单一层结构相同并交错叠加的另一单一层。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S2中的形成高折射率层(211)，是选取高折射率材料，采用中频磁控溅射镀膜工艺形成，该工艺的条件包括：加速电压为400～800V，占空比为30～60％，磁场为600～1000G，气压为0.5～0.9Pa，功率密度为5～20W/cm，沉积速率为300～500nm/min。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S3中是采用激光全息光刻机进行激光全息光刻。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S4中的清洗为离子清洗工艺，该工艺的条件包括：加速电压为500～800V，占空比为30～75％，气压为0.8～1.6Pa，时间为5分钟。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S6中的清洗为强于步骤S4中的离子清 洗工艺，该增强方法是通过增大加速电压及延长时间实现。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S5中的形成低折射率层，是选取低折射率材料，采用中频磁控溅射镀膜工艺形成，该工艺的条件包括：加速电压为400～800V，占空比为30～60％，磁场为600～1000G，气压为0.5～0.9Pa，功率密度为5～20W/cm，沉积速率为300～500nm/min。
相较于现有技术，本发明的具有增透膜的玻璃可以增强光的吸收及增透效果，本发明的具有增透膜的玻璃的制造方法可以制造出具有增强光的吸收及增透效果的增透膜的玻璃。
附图说明
图1是入射光线进入本发明的具有增透膜的玻璃后的出射光线的示意图。
图2本是本发明的具有增透膜的玻璃的结构示意图。
图3是入射光线在本发明的增透膜的任一子层内增透吸收的示意图。
图4是入射光线在本发明的增透膜内横向纵向吸收和增透的示意图。
图5是光线在本发明的增透膜内吸收传递的示意图。
图6A-6K是制造本发明的具有增透膜的玻璃的流程图。
图7是本发明的增透膜的任意两个叠加前的子层的结构示意图。
图8是图7所示的两个子层叠加后结构的俯视图。
图9是图7所示的两个子层叠加后的立体图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的具有增透膜的玻璃100包括玻璃基板10及形成在该基本上的增透膜20。本发明的具有增透膜的玻璃100是在现有纳米技术基础上，通过精密控制纳米材料的尺寸、结构、物理和化学性质，结合精密激全息光刻技术，在玻璃基板10表面形成增透膜20，该种增透膜20可以吸收来自任何角度的太阳光，且来自不同角度的入射光经过增透膜20后，出射光线保持垂直透过玻 璃基板10。
为了在单波长实现零反射，或在较宽的光谱区达到好的增透效果，往往采用双层、三层甚至更多层数的增透膜。本发明网格状高低折射率周期排布的增透膜20的结构，具有明显对光的吸收和增透效果，该增透膜20的材料可由氟化镁(MgF2)，二氧化硅(SiO2)，氧化镁(MgO)，三氧化二铝(A12O3)，氧化硅(SiO)，四氮化三硅(Si3N4)，氧化锆(ZrO2)，五氧化二钽(Ta2O5)，二氧化钛(TiO2)等等选取组成，增透膜20的层数依实际材料选取不同而确定。
如图2至图6K所示，是本发明的具有增透膜的玻璃100的较佳实施例。在该实施例中，选取的高折射率材料是由三氧化二钇(Y2O3)，三氧化二铝(A12O3)，二氧化钛(TiO2)组成的λ/4膜系共同叠加组成，共达十二层，低折射率材料由氟化镁(MgF2)λ/4膜系组成。本发明的具有增透膜的玻璃100包括玻璃基板10、形成在玻璃基板10上的第一子层21、形成在第一子层21上并与第一子层交错叠加的第二子层22及形成在第二子层22上并与第二子层交错叠加的第三子层23。
如图6I所示，所述第一子层21包括四层相同的第一单一层210。所述四层第一单一层210均包括高折射率区域211及与高折射率211区域呈网格状周期排列的低折射率区域212，所述四个第一单一层210依次交错叠加。第一单一层210的高折射率区域211的材料是二氧化钛(TiO2)，低折射率区域的材料是氟化镁(MgF2)。
如图6J所示，所述第二子层22包括四层第二单一层220。所述四层第二单一层220均包括高折射率区域221及与高折射率区域221呈网格状周期排列的低折射率区域222，所述四个第二单一层220依次交错叠加。第二单一层220的高折射率区域211的材料是三氧化二铝(A12O3)，低折射率区域的材料是氟化镁(MgF2)。
如图6K所示，所述第三子层23包括四层第三单一层230。所述四层第三单一层230均包括高折射率区域231及与高折射率231区域呈网格状周期排列的低折射率区域232，所述四个第三单一层230依次交错叠加。第三单一层230的高折射率区域211的材料是三氧化二钇(Y2O3)，低折射率区域的材料是氟化镁(MgF2)。
本发明的最佳实施例中的第一、第二及第三子层21，22，23的高折射率区域211，221，231的折射率自靠近玻璃基板10处向外依次变小。如图6K到图9所示，第二子层22与第一子层21的交错叠加方式为，第二子层22延第一子层21的高折射区域211的对角线方向水平移动，移动距离为第一子层21的一个高折射区域211的对角线长度的1/4。第三子层23以相同的方式相对第二子层22交错叠加。各单一层210，220，230中的高折射率区域211，221，231与相邻的低折射率区域212，222，232之间的间隔距离可为0.1-0.5微米。
本发明最佳实施例选取的材料的参数请参下表：
| 材料 | 折射率n | 吸收波长nm |
| 氟化镁(MgF2) | 1.3-1.4 | 200-7000 |
| 三氧化二钇(Y2O3) | 1.7-1.8 | 250-8000 |
| 三氧化二铝(A12O3) | 1.8-1.9 | 200-7000 |
| 二氧化钛(TiO2) | 2.3-2.4 | 400-12000 |
各第一、第二及第三单一层210，220，230的厚度介于50nm～100nm之间，每一个单一层210，220，230的高低折射率结构可以使光线从上至下反复折射出射传递给下个单一层210，220，230，具有明显的吸收光和捕获任意角度太阳光的作用，上下两个单一层210，220，230交错叠加，光线由上一个单一层210，220，230传递给下一个单一层210，220，230
依据增透膜原理：当膜层材料的折射率等于入射光波长的λ/4时，膜的两侧反射回去的光发生干涉，从而相互抵消，选择适当的膜层材料可以使反射光消除。一方面很好起到了增透效果，另一方面可以横向、纵向地把吸收自上一层的太阳光线继续在这一层高低折射率交错的区域反复折射出射并再传递给下一层膜。
传递到下一层膜的光线在高低折射率区域继续保持增透、吸收、传递，此过程一直重复进行，最后光线到达玻璃基板10时保持垂直透射。
本发明的具有增透膜20的玻璃100具有明显的拓宽光谱波长和高透射光的 作用，可实现波长在300nm-3000nm之间透光率达98％以上。
如图3所示，其显示了入射光线在本发明任一子层21、22、23内增透吸收光线示意图。
如图4所示，其显示了入射光线在本发明叠加的、由高低折射率区域形成的多层子层21、22、23间横向纵向吸收和增透。显示本发明的增透膜20可以吸收来自任何角度的太阳光，且来自不同角度的入射光经过增透膜20后，出射光线保持垂直透过玻璃基板10。
如图5所示，其显示了光线在任一子层21、22、23中不同高低折射率材料区域之间吸收传递示意图(图中是以子层22为例)。
如图6A-6K所示，显示了本发明的具有增透膜20的玻璃100的制造过程。本发明技术玻璃是在物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)中频磁控溅射镀膜工艺中引入激光全息光刻技术，通过精密控制激光刻蚀尺寸及高度，来制取所需高折射区域211，221，231的形状，刻蚀完成后再对玻璃基板10进行离子清洗去除玻璃基板10上的残留物，其制备过程如下。
步骤S1：如图6A所示，提供一玻璃基板10。
步骤S2：如图6A所示，先选取高折射率的靶材来制备第一层高折射率层211，在本发明的最佳实施例中，此时选取的高折射率的靶材为二氧化钛(TiO2)。在真空镀膜机炉体内部，冲入氩气惰性气体，炉体内部游离的电子会将氩气离化成氩离子，氩离子在电场的作用下会加速轰击靶材，溅射出来的靶材原子会附着在玻璃基板10上形成所需的高折射率层211。磁控溅射的制备条件是：加速电压：400～800V，占空比：30～60％，磁场：600～1000G，气压：0.5～0.9Pa，功率密度：5～20W/cm，沉积速率：300～500nm/min。磁控溅射技术克服了传统意义上靶打弧和靶中毒现象，优点是镀层的结合力好，沉积速率快，镀层均匀，易控制。
步骤S3：如图6B所示，第一层高折射率层211电镀完成后，关闭中频磁控溅射电源以及反应气体，用计算机控制小车开启真空炉体上方的挡板，这时引入 激光全息光刻技术。激光全息光刻技术是一种基于相干光干涉效应的无掩模版光刻技术。由于激光的准直性能较好，可以加工出复杂形状的结构和尺寸，因此具有较高的成品率。它的原理是使用多束激光在镀层表面重叠发生干涉效应从而产生各种由光亮区和暗区构成的干涉图形，图形以重复周期排列，明区对上以步骤形成的高折射率层211刻蚀处理形成空气区域213以低折射率方式排布，暗区膜层结构不变以高折射率方式排布，刻蚀完后的高折射率层211形成了高折射率区域211及与高折射率区域211呈网格状低折射率区域213的结构，此时，低折射率区域为空气区域213，图形明区和暗区间隔距离可为0.1-0.5微米，因此，对应刻蚀出的各高折射率区域211与相邻的空气区域213的间距与选择的图形明区和暗区间隔距离相同，也为0.1-0.5微米。此外，系统中因为没有掩模版，象场尺寸仅与使用激光束尺寸有关，所以能够加工大面积图形。
步骤S4：刻蚀完成后，用计算机控制小车把可移动挡板回到原位，再对刻蚀过的玻璃基板10进行离子清洗，去除刻蚀掉玻璃基板10上的残留物，具体工艺为玻璃基板10的下方工作台通过施加负偏压和一定的占空比，炉体内部通入氩气，炉体内部游离的电子会将氩气离化成氩离子，氩离子在负的偏压电场的作用下会加速轰击玻璃基板10，进而去处掉玻璃基板10上的残留物，在离子清洗时不同类型的真空镀膜机清洗工艺也不同，一般对其进行弱离子清洗，一方面去处掉玻璃基板10上面的杂质残留物，以使下一个单一层210电镀完成后与前一个单一层210有良好的结合力，另一方面不会清洗掉附着在玻璃基板10上的高折射率区域211本身。一般情况下的离子清洗制备工艺为：加速电压：500～800V，占空比：30～75％，气压：0.8～1.6Pa，时间：5分钟。
步骤S5：如图6C所示，离子清洗完成后，我们选取电镀制备低折射率层212，选取一种低折射率的靶材，在本发明的最佳实施例中，此时选取的低折射率的靶材为氟化镁(MgF2)。其制备工艺条件和步骤S2的相同。步骤S5完成后，第低折射率材料将填充步骤S3中形成的空气区域213，而形成第低折射率区域212。
步骤S6：如图6D所示，低折射率材料层212制备完成后，再对其进行离子清 洗处理，此时离子清洗工艺较步骤S4的离子清洗工艺要强，通过增加偏压和时间来进行清洗，目的是清洗掉附着在步骤S2中的高折射率层211上表面的低折射率材料，空气区域处已被低折射率材料填充，填充后的低折射率区域212的厚度刚好和高折射率率区域的厚度相同，这样就形成了一个高低折射率材料形成的单一层210。
步骤S7：如图6E-6H所示，步骤S6完成后，重复步骤S2。通过移动真空炉体上方的挡板，开启精密激光全息光刻机，水平及向上移动精密激光全息光刻机后，重复步骤S3，水平移动使得刻蚀步后形成的高折射率区域(211)与上一次形成的高折射率区域(211)交错叠加，向上移动使得刻蚀时不会影响到上次形成的单一层(210)。
精密激光全息光刻机的移动是通过计算机控制其向上移动，移动的距离为上一单一层210的厚度，以便刻蚀第二个单一层210时不会刻蚀到上一个单一层210的结构，通过改变光刻机水平的距离，移动方向是在上一个单一层210的暗区图形的对角线上，移动距离为对角线长度的1/4，以此来实现第二个单一层210和上一个单一层210的错位叠加。所述上一个单一层210的膜暗区图形即对应上一个单层的高折射率区域211。
重复步骤S4-S6，从而形成与上次形成的单一层(210)结构相同并交错叠加的另一单一层(210)。
如图6I所示，再执行步骤S7两次，即形成了本发明的最佳实施例的第一子层21。
如图6J所示，第一子层21完成后，选择选第二种高折射率的靶材，以形成另一种高折射率区域221，在本发明的最佳实施例中，此时选取的高折射率的靶材为三氧化二铝(A12O3)，低折射率材料与第一子层21的相同，为氟化镁(MgF2)，以形成低折射率区域222。按照步骤S1-S6以形成另一种单一层220，再执行3次步骤S7，从而形成了本发明的最佳实施例的第二子层22。
如图6K所示，第二子层22完成后，选择第三种高折射率的靶材，以形成第 三种高折射率区域231，在本发明的最佳实施例中，此时选取的高折射率的靶材为三氧化二钇(Y2O3)，低折射率材料与第一子层21的相同，为氟化镁(MgF2)，以形成低折射率区域232。按照步骤S1-S6以形成第三种单一层230，再执行3次步骤S7，从而形成了本发明的最佳实施例的第三子层23。
第一、第二及第三子层21，22，23制备完成后，从而形成了本发明最佳实施例的增透膜20。
如图7所示，是本发明增透膜的任意两个叠加前子层(以子层21、22为例)的结构示意图。
如图8所示，是图7所示的两个子层21、22叠加后结构的俯视图。
如图9所示，是图7所示的两个子层21、22叠加后的立体图
本发明的具有增透膜20的玻璃100及其制造方法解决了阳光从不同角度都可以吸收增透和拓宽了太阳光光谱波长两大难题，可以成功应用到例如太阳能热水器，太阳能组件以及其它有关充分利用太阳光效率的项目，从而使得没有太阳能跟踪系统，也可以保持高吸收率，而且来自不同角度的入射光经过增透膜20后，出射光线保持垂直透过玻璃基板10。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，不应以此限制本发明的范围，即凡是依本发明权利要求书及发明说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
Claims (17)
1.一种具有增透膜的玻璃(100)，包括玻璃基板(10)及形成在玻璃基板(10)上的增透膜(20)，其特征在于，所述增透膜(20)包括高折射率区域(211，221，231)及与高折射率区域(211，221，231)呈网格状周期排列的低折射率区域(212，222，232)。
2.如权利要求1所述的具有增透膜的玻璃(100)，其特征在于：所述增透膜(20)包括若干子层(21，22，23)，所述各子层(21，22，23)之间交错叠加，所述各子层(21，22，23)的高折射率区域(211，221，231)的折射率自靠近玻璃基板(10)向外依次变小，所述相邻子层(21，22，23)之间的交错叠加方式为沿一个高折射率区域(211，221，231)的对角线方向移动一个高折射率区域(211，221，231)的对角线长度的1/4的距离，所述高折射率区域(211，221，231)与低折射率区域(212，222，232)的间距为0.1-0.5微米。
3.如权利要求2所述的具有增透膜的玻璃(100)，其特征在于：所述各子层的高折射率区域(211，221，231)的材料不同，各子层的低折射率区域(212，222，232)的材料相同。
4.如权利要求3所述的具有增透膜的玻璃(100)，其特征在于：所述若干子层包括自靠近玻璃基板(10)向外依次排列的材料为二氧化钛与氟化镁的第一层(21)、材料为三氧化二铝与氟化镁的第二层(22)及材料为三氧化二钇与氟化镁的第三层(23)。
5.如权利要求4所述的具有增透膜的玻璃(100)，其特征在于：所述第一层包括四个二氧化钛与氟化镁的单一层交错叠加，所述第二层包括四个三氧化二铝与氟化镁的单一层交错叠加，所述第三层包括四个三氧化二钇与氟化镁的单 一层叠加。
6.如权利要求2所述的具有增透膜的玻璃(100)，其特征在于：所述各子层(21，22，23)均包括若干交错叠加的单一层(210，220，230)，所述各单一层(210，220，230)均包括高折射率区域(211，221，231)及与高折射率区域(211，221，231)呈网格状周期排列的低折射率区域(212，222，232)。
7.如权利要求6所述的具有增透膜的玻璃(100)，其特征在于：所述各单一层的厚度为50nm-100nm。
8.一种具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：提供一玻璃基板(10)；
S2：在玻璃基板(10)上形成高折射率层(211)；
S3：利用刻蚀设备刻蚀步骤S2中形成的高折射率层(211)，形成高折射率区域(211)及与高折射率区域(211)呈网格状周期排列空气区域(213)；
S4：清洗残留物；
S5：制备低折射率层(212)，低折射率的材料填充步骤S3中形成的空气区域(213)形成低折射率区域(212)；
S6：用强于步骤S4的清洗工艺清洗步骤S5制备的低折射率层(212)，直至露出高折射率层并使得高折射率区域(211)与低折射率区域(212)的厚度相同，以形成高低折射率区域呈网格状周期排列的单一层(210)。
9.如权利要求8所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述制造方法还包括步骤S7：重复步骤S2；
水平及向上移动刻蚀设备后，重复步骤S3，水平移动使得刻蚀步后形成的高折射率区域(211)与上一次形成的高折射率区域(211)交错叠加，向上移动使得刻蚀时不会影响到上次形成的单一层(210)；
重复步骤S4-S6，从而形成与上次形成的单一层(210)结构相同并交错叠加的另一单一层(210)。
10.如权利要求9所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：重复执行步骤S7若干次，以形成若干个依次交错叠加的单一层(210)。
11.如权利要求9所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述水平移动的方向为高折射率区域(211)的对角线的方向，水平移动的距离为该对角线长度的1/4，所述向上移动的距离等于上一次形成的高低折射率形成的单一层膜层的厚度。
12.如权利要求8所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述制造方法还包括步骤S8：选择另一高折射率材料后，重复步骤S2；
水平及向上移动刻蚀设备后，重复步骤S3，水平移动使得刻蚀步后形成的高折射率区域(221)与上一次形成的高折射率区域(211)交错叠加，向上移动使得刻蚀时不会影响到上次形成的单一层(210)；
重复步骤S4-S6，从而形成与上次形成的单一层(210)结构相同并交错叠加的另一单一层(220)。
13.如权利要求8所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述步骤S2中的形成高折射率层(211)，是选取高折射率材料，采用中频磁控溅射镀膜工艺形成，该工艺的条件包括：加速电压为400～800V，占空比为30～60％，磁场为600～1000G，气压为0.5～0.9Pa，功率密度为5～20W/cm，沉积速率为 300～500nm/min。
14.如权利要求8所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述步骤S3中是采用激光全息光刻机进行激光全息光刻。
15.如权利要求8所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述步骤S4中的清洗为离子清洗工艺，该工艺的条件包括：加速电压为500～800V，占空比为30～75％，气压为0.8～1.6Pa，时间为5分钟。
16.如权利要求15所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述步骤S6中的清洗为强于步骤S4中的离子清洗工艺，该增强方法是通过增大加速电压及延长时间实现。
17.如权利要求8所述的具有增透膜的玻璃(100)的制造方法，其特征在于：所述步骤S5中的形成低折射率层(212)，是选取低折射率材料，采用中频磁控溅射镀膜工艺形成，该工艺的条件包括：加速电压为400～800V，占空比为30～60％，磁场为600～1000G，气压为0.5～0.9Pa，功率密度为5～20W/cm，沉积速率为300～500nm/min。
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