CN102490277A - 线切割晶体作图定向切割法 - Google Patents

线切割晶体作图定向切割法 Download PDF

Info

Publication number
CN102490277A
CN102490277A CN2011103895611A CN201110389561A CN102490277A CN 102490277 A CN102490277 A CN 102490277A CN 2011103895611 A CN2011103895611 A CN 2011103895611A CN 201110389561 A CN201110389561 A CN 201110389561A CN 102490277 A CN102490277 A CN 102490277A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
bonding
axis
line
axle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011103895611A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102490277B (zh
Inventor
陈屹立
荆旭华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EMEI SEMICONDUCTOR MATERIALS INSTITUTE
Original Assignee
DONGFANG ELECTRIC EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DONGFANG ELECTRIC EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL CO LTD filed Critical DONGFANG ELECTRIC EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL CO LTD
Priority to CN201110389561.1A priority Critical patent/CN102490277B/zh
Publication of CN102490277A publication Critical patent/CN102490277A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102490277B publication Critical patent/CN102490277B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种线切割晶体作图定向切割法,属于晶体加工领域，步骤依次包括：通过X射线衍射仪分别测出两条过中心的垂直交叉直线方向上的晶向偏离度；采用分量合成方法作出晶体总的晶向偏离方向；作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。本发明提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。

Description

线切割晶体作图定向切割法
技术领域
本发明属于晶体加工领域，尤其涉及定向切割方法。
背景技术
线切割定向与内圆切割定向不同，内圆切割定向可在垂直、水平两个方向进行两维调节，而线切割定向则只能在水平方进行调节，且不可切下头片之后复测，尤其是对晶向要求比较高的晶体，极易产生错误和偏差，而晶向偏离超出要求将导致整根晶体报废。为此，线切割机厂家为每台线切割机配备了专用的定向及调节设备（价格高达30万美元左右），在晶体上机时对晶体晶向偏离度进行测量及调整。由于此配套定向切割装置费用极高，能否用现有的独立定向设备来实现晶体在线切割机上的定向切割，而且可以达到多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备，就成了急待解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：针对现有技术存在的问题，提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用。
本发明目的通过下述技术方案来实现：
一种线切割晶体作图定向切割法,步骤依次包括：
A）在晶体端面作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；
B）采用分量合成方法在晶体端面作出晶体总的晶向偏离方向，偏离角度值为S=                                               ；
C）作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；
D) 设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向向标准线左/右侧偏转，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。
作为优选方式，所述D步具体为：首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记，再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。
本发明的有益效果：利用现有激光定向仪即可实现多台线切割机及内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法，大大减少设备费用，同时方法简单易操作，提高了工作效率。精度较高（≦1°），适用于晶向要求≦1°，X射线辐射时间短。
附图说明
图1是实施例1的晶体端面标记示意图；
图2是实施例1的金属托板结构示意图；
图3是实施例1的使用状态示意图；
图4是实施例2的使用状态示意图；
其中1为晶体、11为晶体端面、3为切透层、31为切透层长边、4为托板、41为托板长边、5为直线标记。
具体实施方式
下列非限制性实施例用于说明本发明
实施例1 
一种线切割晶体作图定向切割法,步骤依次包括：
A）在晶体端面11作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；
B）采用分量合成方法在晶体端面11作出晶体1总的晶向偏离方向，偏离角度值为S=
Figure 205593DEST_PATH_IMAGE002
；
C）作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，由于总的晶向偏离方向位于第一象限，此时总的晶向偏离方向位于粘接轴Z右侧，因此其相对粘接轴Z的偏离方向向右，如图1所示；
D) 设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体1中轴线按照上述右偏离方向向标准线右侧偏转，调整晶体1中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体1并按标准线方向上机切割。作为优选方式，如本实施例图1所示：首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记5，即以左长边向右偏离S画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板4上，如图2所示，此时晶体中轴线按照上述右偏离方向位于标准线右侧并偏离角度S，固定晶体1并按长边41方向上机切割，如图3所示。
实施例2 
如图4所示，一种线切割晶体作图定向切割法,步骤依次包括：
A）在经碱腐蚀处理的晶体端面11作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；
B）采用分量合成方法在晶体端面11作出晶体1总的晶向偏离方向，偏离角度值为S=
Figure 925331DEST_PATH_IMAGE002
；
C）作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，由于总的晶向偏离方向位于第三象限，此时总的晶向偏离方向位于粘接轴Z左侧，因此其相对粘接轴Z的偏离方向向左；
D)首先将晶体1按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层3上，切透层3可以是树脂、陶瓷、石墨等制成，晶体1中轴线与切透层3长边31平行，然后在长方体金属托板4顶端以其长边41为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记5，即以右长边向左偏离S画直线，再将粘接好的晶体1其切透层3长边31沿此直线标记5粘接在金属托板4上，如图2所示，此时晶体中轴线按照上述左偏离方向位于标准线左侧并偏离角度S，固定晶体1并按长边41方向上机切割。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种线切割晶体作图定向切割法,其特征在于步骤依次包括：
A）在晶体端面作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴，通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度；
B）采用分量合成方法在晶体端面作出晶体总的晶向偏离方向，偏离角度值为S=                                               
Figure 2011103895611100001DEST_PATH_IMAGE002
；
C）作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线，以此直线为粘接轴Z，并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向；
D) 设一水平直线为标准线，保持粘接轴Z竖直方向，且晶体中轴线按照上述左右偏离方向向标准线左/右侧偏转，调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S，固定晶体并按标准线方向上机切割。
2.如权利要求1所述的线切割晶体作图定向切割法，其特征在于：所述D步具体为：首先将晶体按粘接轴Z方向垂直粘接在长方体切透层上，晶体中轴线与切透层长边平行，然后在长方体金属托板顶端以其长边为标准线用角度仪按晶体偏离方向量出偏离度S，画一直线标记，再将粘接好的晶体其切透层长边沿此直线标记粘接在金属托板上，之后即可上机切割。
CN201110389561.1A 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体作图定向切割法 Expired - Fee Related CN102490277B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110389561.1A CN102490277B (zh) 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体作图定向切割法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110389561.1A CN102490277B (zh) 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体作图定向切割法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102490277A true CN102490277A (zh) 2012-06-13
CN102490277B CN102490277B (zh) 2014-05-28

Family

ID=46182159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110389561.1A Expired - Fee Related CN102490277B (zh) 2011-11-30 2011-11-30 线切割晶体作图定向切割法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102490277B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103592322A (zh) * 2013-12-02 2014-02-19 长春理工大学 单晶晶面偏角及偏向测算方法
CN103644869A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 浙江上城科技有限公司 蓝宝石晶体切割时用于检测切割面偏离角的测量方法
CN105269696A (zh) * 2015-10-30 2016-01-27 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石晶体的复合定向方法
CN106738390A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 中国电子科技集团公司第二研究所 一种晶体的定向切割方法及定位粘接装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107599196A (zh) * 2017-10-30 2018-01-19 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种<111>型单晶硅定晶向多线切割工艺

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4710259A (en) * 1983-09-23 1987-12-01 Howe Stephen H Setting the orientation of crystals
CN2133435Y (zh) * 1992-08-11 1993-05-19 周瑾瑜 晶体切割的定位装置
US5768335A (en) * 1997-02-10 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface
US5839424A (en) * 1996-04-16 1998-11-24 Hct Shaping System Sa Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process
CN1439495A (zh) * 2003-04-02 2003-09-03 南开大学 准确定向切割晶体的方法
CN1493443A (zh) * 2003-08-29 2004-05-05 袁建中 用于切割晶体的定向方法
CN101486231A (zh) * 2009-01-22 2009-07-22 四川大学 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
CN101834270A (zh) * 2010-04-15 2010-09-15 东海县海峰电子有限公司 硅酸镓镧晶体元件的生产方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4710259A (en) * 1983-09-23 1987-12-01 Howe Stephen H Setting the orientation of crystals
CN2133435Y (zh) * 1992-08-11 1993-05-19 周瑾瑜 晶体切割的定位装置
US5839424A (en) * 1996-04-16 1998-11-24 Hct Shaping System Sa Process for the orientation of several single crystals disposed side by side on a cutting support for their simultaneous cutting in a cutting machine and device for practicing this process
US5768335A (en) * 1997-02-10 1998-06-16 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for measuring the orientation of a single crystal surface
CN1439495A (zh) * 2003-04-02 2003-09-03 南开大学 准确定向切割晶体的方法
CN1493443A (zh) * 2003-08-29 2004-05-05 袁建中 用于切割晶体的定向方法
CN101486231A (zh) * 2009-01-22 2009-07-22 四川大学 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
CN101834270A (zh) * 2010-04-15 2010-09-15 东海县海峰电子有限公司 硅酸镓镧晶体元件的生产方法

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《半导体情报》 19971031 郭辉等 "半导体晶体的定向切割" 第51-52页 1-2 第34卷, 第5期 *
《物理学进展》 20070331 杨传铮等 "二维X射线衍射及其应用研究进展" 第69-91页 1-2 第27卷, 第1期 *
《理化检验-物理分册》 20091231 艾艳玲等 "单晶取向及其分布两种测定方法的对比" 第744-747页 1-2 第45卷, 第12期 *
《磁性材料及器件》 19920831 张大寿 "MnZn单晶的X射线定向切割" 第44-61页 1-2 第23卷, 第3期 *
张大寿: ""MnZn单晶的X射线定向切割"", 《磁性材料及器件》 *
杨传铮等: ""二维X射线衍射及其应用研究进展"", 《物理学进展》 *
艾艳玲等: ""单晶取向及其分布两种测定方法的对比"", 《理化检验-物理分册》 *
郭辉等: ""半导体晶体的定向切割"", 《半导体情报》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103644869A (zh) * 2013-11-26 2014-03-19 浙江上城科技有限公司 蓝宝石晶体切割时用于检测切割面偏离角的测量方法
CN103592322A (zh) * 2013-12-02 2014-02-19 长春理工大学 单晶晶面偏角及偏向测算方法
CN103592322B (zh) * 2013-12-02 2015-08-19 长春理工大学 单晶晶面偏角及偏向测算方法
CN105269696A (zh) * 2015-10-30 2016-01-27 江苏吉星新材料有限公司 一种蓝宝石晶体的复合定向方法
CN106738390A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 中国电子科技集团公司第二研究所 一种晶体的定向切割方法及定位粘接装置
CN106738390B (zh) * 2016-12-29 2019-06-04 中国电子科技集团公司第二研究所 一种晶体的定向切割方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102490277B (zh) 2014-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102490277A (zh) 线切割晶体作图定向切割法
CN102490279A (zh) 线切割晶体x射线衍射定向切割方法
TW201634958A (zh) 加工裝置
CN105758317B (zh) 一种可加工软质材料的三坐标测量机
CN103592893B (zh) 一种光学元件加工中自动补偿位姿误差的方法
CN104701256B (zh) 封装基板的加工方法
CN101733848A (zh) 定向切割晶体任意晶面的简便方法
CN102490278A (zh) 线切割晶体激光仪定向切割方法
CN105241718A (zh) 一种tem样品制备方法
CN103592322B (zh) 单晶晶面偏角及偏向测算方法
CN103791836A (zh) 基于激光扫描共聚焦技术的数控刀具刃口测量方法
CN103376217B (zh) Tem样品的精确定位的制作方法
CN104535042A (zh) 基于非正交轴系激光经纬仪的测量方法
CN103267661B (zh) Sem/tem样品的定位方法
CN204188090U (zh) 一种便携式模板工具
CN203409814U (zh) 光栅机械刻划工艺试验装置
CN101504266B (zh) 硅片检测工具及检测方法
CN104269365A (zh) 晶圆移除量的测量装置以及测量方法
CN203406275U (zh) 一种精度定位贴片装置
CN201720845U (zh) 一种余量划线尺
CN103398678B (zh) 用于航摄飞机内部测量gps偏心分量的装置及测量方法
CN105428291A (zh) 一种晶圆横向水平对准的方法
CN202742254U (zh) 塔吊标准节成型工装
CN110315389A (zh) 一种数控转角锯床锯切误差的补偿方法
CN107131849A (zh) 基于单光栅尺可伸缩机械臂的纸海图点经纬度读取方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ERMEI INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Free format text: FORMER OWNER: DONGFANG ELECTRIC EMEI SEMICONDUCTOR MATERIAL CO., LTD.

Effective date: 20131115

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20131115

Address after: 614200 No. 88 Fu Bei Road, Mount Emei, Sichuan, Leshan

Applicant after: EMEI SEMICONDUCTOR MATERIALS INSTITUTE

Address before: 614200 No. 88 Fu Bei Road, Mount Emei, Sichuan, Leshan

Applicant before: Dongfang Electric EMEI Semiconductor Material Co.,Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20140528

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee