CN102478455B - 承载盘及利用该承载盘的光参数量测方法 - Google Patents

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Abstract

一种承载盘,用于承载至少一个发光源,该承载盘包含一个本体及一个反射件,该反射件安装于该本体与该发光源间以反射该发光源所产生的光线,使用时,该反射件能够将该发光源朝该反射件发射的光反射,以提高后续量测该发光源的发光量时的准确性。

Description

承载盘及利用该承载盘的光参数量测方法
技术领域
本发明涉及一种盘,特别是涉及一种用于光学检测的承载盘。
背景技术
参阅图1、2,现有的一种半导体发光元件的光参数量测设备2,如美国专利第6,734,959号发明专利所公开,是将一个半导体发光元件22放置在一个承载盘1上,该承载盘1安装于该光参数量测设备2的机座21上,一个积分球24对准该半导体发光元件22上方,运用两个探针23导电点亮该半导体发光元件22上的其中一个发光单元221后,再由该积分球24收集该发光单元221所发出的光线来进行光参数(如光度、光波长、光谱等参数)量测。
实际上,半导体发光元件22多为360度发光的,然而,由于所述探针23的存在,进而导致半导体发光元件22无法置入该积分球24当中进行完整的收光。以现有的光参数量测设备2来说,该积分球24与该半导体发光元件22中心所构成的收光角度仅有12度~120度,换句话说,现有的光参数量测设备2根本无法收集前述收光角度以外的光线,而且只能够量测该半导体发光元件22自顶部所发出且未受到所述探针23遮蔽的光线,量测的准确度因此大打折扣。
此外,受限于制程良率,不同半导体发光元件22的光形不尽相同,顶部和底部发光的比例也存在有差异,且封装后的成品通常会应用到底部所发出的光线,然而,由于该承载盘1一般皆设计为深色,因此该半导体发光元件22底部所发出的光线无法有效反射至上方,使得该积分球24无法将该半导体发光元件22底部所发出的光线纳入量测范围,而造成各项光参数量测的误差,使量测到的光参数会与最后封装完成的产品的光参数产生相当大的落差,对于业者在品质管控上将会造成很大的困扰。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够反射光的承载盘。
本发明承载盘,用于承载至少一个发光源,该承载盘包含一个本体及一个反射件,该反射件安装于该本体与该发光源间以反射该发光源所产生的光线。
本发明承载盘,该反射件具有一个相邻该发光源的硬质透明层,及一个相邻该本体的反射层。
本发明承载盘,该反射件还具有一个位于该反射层与该本体间的保护层。
本发明承载盘,该本体相对该发光源的表面具有一个凹槽,该反射件容置于该凹槽中。
本发明承载盘,该本体相对该发光源的表面还具有多个气孔。
本发明承载盘,该硬质透明层以具有高硬度及高透射率的材质制成。
本发明承载盘,该硬质透明层以硬度5.5以上的材质制成。
本发明承载盘,该硬质透明层的材质为一般玻璃、光学玻璃、石英玻璃、青板玻璃、白板玻璃、强化玻璃或蓝宝石。
本发明承载盘,该反射层是由具有高反射率的材质制成的。
本发明承载盘,该反射层是由反射率90%以上的材质制成的。
本发明承载盘,该反射层的材质为铝、金、银、铬、铑,或上述材料的组合。
本发明承载盘,该反射件为多层介电膜。
本发明一种光参数量测方法,用于量测一个发光源,该光参数量测方法包含下列步骤:
步骤一,制备一个承载盘,该承载盘包括一个本体,及一个安装于该本体与该发光源间以反射该发光源所产生的光线的反射件;
步骤二,将多个发光元件放置于该反射件上;
步骤三,利用点测方式使其中一个发光元件发光而成为该发光源;
步骤四,以一个光学感测器接收分别来自该发光源朝该光学感测器发射的光,及该发光源朝相反该光学感测器发射后经过该反射件反射后的光,并进行量测计算,以得到该发光源的光参数。
本发明光参数量测方法,该反射件是在一个硬质透明层的一个表面镀上一层具有光反射功能的反射层,并于该反射层再镀上一层保护层。
本发明光参数量测方法,该硬质透明层的材质为玻璃,该反射层的材质为银,该保护层的材质为金。
本发明的有益的效果在于:该反射件能够将该发光源朝该反射件发射的光反射,以提高后续量测该发光源的光参数时的准确性。
附图说明
图1是一个现有的承载盘与一个光参数量测设备的组合示意图;
图2是该现有的承载盘与一个晶圆的立体分解图;
图3是本发明承载盘的一个第一较佳实施例与一个光学检测平台的组合示意图;
图4是该第一较佳实施例与一个透光膜片及一个晶圆的立体分解图;
图5是该第一较佳实施例的一个反射件的结构示意图;
图6是本发明承载盘的一个第二较佳实施例与一个透光膜片及一个晶圆的立体分解图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与有益效果,在以下配合参考图式的两个较佳实施例的详细说明中,将能够清楚呈现。
为了方便说明,以下的实施例,相同的元件以相同的标号表示。
参阅图3、4、5,本发明承载盘5的第一较佳实施例用于安装于一个光学检测平台4内,该承载盘5包含一个本体6及一个反射件7。
该光学检测平台4包括一个机座41、一个位于该机座41上方且具有多个发光元件421的晶圆42、一个位于该晶圆42下方以承载该晶圆42的透光膜片43、两个位于该晶圆42上方的探针44,及一个位于该晶圆42上方的光学感测器45。于本实施例中,当所述发光元件421的其中一个通电时,会发光而成为一个发光源。
该本体6呈圆盘状且安装于该机座41,具有多个发光元件421的该晶圆42及该透光膜片43是放置于该承载盘5上。
该反射件7安装于该本体6与所述发光元件421间,且具有一个相邻所述发光元件421的硬质透明层71、一个相邻该本体6的反射层72,及一个位于该反射层72与该本体6间的保护层73。当所述发光元件421的至少其中一个通电而成为该发光源时,该反射件7就会反射该发光源所产生的光线。
该硬质透明层71为硬度5.5以上、透射率大于90%的高硬度且高透射率材质制成,且选用的材质为一般玻璃、光学玻璃、石英玻璃、青板玻璃、白板玻璃、强化玻璃或蓝宝石。于本实施例中,该硬质透明层71为一种透射率90%的光学玻璃制成。
该反射层72由反射率90%以上的高反射率材质电镀制成,且选用的材质为铝、金、银、铬、铑,或所述的材料的组合。于本实施例中,该反射层72为反射率90%的铝金属电镀制成。
该保护层73用于避免该反射层72接触空气而被破坏,如避免氧化、硫化等作用。于本实施例中,该保护层73的材质为金,经电镀制成,但也能够是其他能够保护该反射层72而不遭受破坏的其他材质制成。
要说明的是,该反射件7的材质也能够是一种多层介电膜,而能够达到前述该硬质透明层71、该反射层72及该保护层73所产生的效果。
使用时,是使用一种能够利用该承载盘的光参数量测方法进行光学检测,该光参数量测方法,用于量测该发光源,且包含下列步骤一、步骤二、步骤三,及步骤四。
于该步骤一中,是先制备前述的该承载盘5,其中该反射件7是在该硬质透明层71的下表面镀上一层具有光反射功能的反射层72,并于该反射层72的下表面再镀上一层避免该反射层72因接触空气而被破坏的保护层73。
于该步骤二中,将具有多个发光元件421的晶圆42放置于该反射件7后,再将该反射件7放置于一机座41。
于该步骤三中,利用点测方式操作所述探针44朝其中一个发光元件421延伸并电连接于该发光元件421,以驱使该发光元件421通电发光后而成为发光源。
接着进行该步骤四,此时,光学感测器45接收到该发光源朝上方所发射的光,同时,该发光源朝下方发射的光会通过透光膜片43及该硬质透明层71,并于该反射层72反射,并在穿过该硬质透明层71与该透光膜片43后,由该光学感测器45所接收,这样一来,该发光源于上、下两个方向的光皆能够受到该光学感测器45所接收。最后计算该光学感测器45所量测到的光,并计算该发光源的光参数,进而能够得出准确的光学特性,而使检测后的光学特性接近产品实际封装后的数值,而减少品质管控的困难度。
要说明的是,由于该硬质透明层71的硬度较高,因此多次量测不同的晶圆42后,该硬质透明层71并不会受到刮伤,因此也不会因刮伤的产生而降低该硬质透明层71的透射率,且也能够保护该反射层72不被破坏,而保持正常的反射效果。
参阅图6,本发明承载盘的一个第二较佳实施例类似于该第一较佳实施例,其差异处在于:
该本体6相对于会成为该发光源的所述发光元件421的上表面具有一个凹槽61及多个气孔62,该反射件7容置于该凹槽61中,所述多个气孔62相反于上表面的开口用于供一个真空装置(图未示)安装,如此,该反射件7及该晶圆42受到该真空装置的吸引而固定于该本体6上。
如此,该第二较佳实施例也能够达到与上述第一较佳实施例相同的目的与有益效果,并能够进一步固定该反射件7及该晶圆42。
综上所述,该反射件7能够将该发光源朝该反射件7发射的光反射,以提高后续量测该发光源的发光量时的准确性,同时还能够避免该反射件7的硬质透明层71受到刮伤而影响透射率,所以确实能达成本发明的目的。

Claims (11)

1.一种承载盘,用于承载至少一个发光源,其特征在于:该承载盘包含一个本体及一个反射件,该反射件安装于该本体与该发光源间以反射该发光源所产生的光线,该反射件具有一个相邻所述发光源的硬质透明层、一个相邻该本体的反射层以及一个位于该反射层与该本体间的保护层,
该本体相对该发光源的表面具有一个凹槽,该反射件是容置于该凹槽中,该本体相对该发光源的表面还具有多个气孔,以与一真空装置相连通。
2.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于:该硬质透明层为高硬度且高透射率的材质制成。
3.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于:该硬质透明层为硬度5.5以上的材质制成。
4.根据权利要求3所述的承载盘,其特征在于:该硬质透明层的材质为一般玻璃、光学玻璃、石英玻璃、青板玻璃、白板玻璃、强化玻璃或蓝宝石。
5.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于:该反射层是由高反射率的材质制成。
6.根据权利要求5所述的承载盘,其特征在于:该反射层是由反射率90%以上的材质制成。
7.根据权利要求6所述的承载盘,其特征在于:该反射层的材质是择自于铝、金、银、铬、铑,或所述的材料的组合。
8.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于:该反射件的材质为多层介电膜。
9.一种利用上述权利要求1所述承载盘的光参数量测方法,用于量测一个发光源,其特征在于:该量测方法包含下列步骤:
步骤一、制备一个承载盘,该承载盘包括一个本体,及一个安装于该本体与该发光源间以反射该发光源所产生的光线的反射件;
步骤二、将多个发光元件放置于该反射件上;
步骤三、利用点测方式使其中一个发光元件发光而成为该发光源;及
步骤四、以一个光学感测器接收分别来自该发光源朝该光学感测器发射的光,及该发光源朝相反该光学感测器发射后经过该反射件反射后的光,并进行量测计算,以得到该发光源的光参数。
10.根据权利要求9所述的光参数量测方法,其特征在于:该反射件是在一个硬质透明层的一个表面镀上一层具有光反射功能的反射层,并于该反射层再镀上一层保护层。
11.根据权利要求10所述的光参数量测方法,其特征在于:该硬质透明层的材质为玻璃,该反射层的材质为银,该保护层的材质为金。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103884974A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 新世纪光电股份有限公司 Led检测装置
CN104458209A (zh) * 2013-09-24 2015-03-25 惠特科技股份有限公司 量测装置及量测方法
TWI702379B (zh) * 2015-10-02 2020-08-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置之測試設備
CN108957274B (zh) * 2018-05-30 2020-09-29 华灿光电(浙江)有限公司 一种发光二极管芯片的点测设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734959B2 (en) * 2001-07-12 2004-05-11 Labsphere, Inc. Prober for testing light-emitting devices on a wafer
CN201107110Y (zh) * 2007-09-06 2008-08-27 复旦大学 一种led辐射通量测量装置
CN201207395Y (zh) * 2008-02-29 2009-03-11 晶吉光电科技(上海)有限公司 具有高反射光学薄膜结构的发光二极管
CN201348180Y (zh) * 2009-01-14 2009-11-18 东莞市宝利节能有限公司 一种节能射灯

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5352217B2 (ja) * 2008-12-12 2013-11-27 日置電機株式会社 積分球及び測光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734959B2 (en) * 2001-07-12 2004-05-11 Labsphere, Inc. Prober for testing light-emitting devices on a wafer
CN201107110Y (zh) * 2007-09-06 2008-08-27 复旦大学 一种led辐射通量测量装置
CN201207395Y (zh) * 2008-02-29 2009-03-11 晶吉光电科技(上海)有限公司 具有高反射光学薄膜结构的发光二极管
CN201348180Y (zh) * 2009-01-14 2009-11-18 东莞市宝利节能有限公司 一种节能射灯

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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