CN102468414B - 脉冲led白光发光装置 - Google Patents
脉冲led白光发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102468414B CN102468414B CN201010538949.9A CN201010538949A CN102468414B CN 102468414 B CN102468414 B CN 102468414B CN 201010538949 A CN201010538949 A CN 201010538949A CN 102468414 B CN102468414 B CN 102468414B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- light emitting
- pulse
- led
- luminescent material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000005132 Calcium sulfide based phosphorescent agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 231100000040 eye damage Toxicity 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 3
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000000306 recurrent effect Effects 0.000 description 2
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017625 MgSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/20—Controlling the colour of the light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种脉冲LED白光发光装置，属于白光LED制造技术领域。本发明LED白光发光装置，包括LED芯片和能够在此LED芯片激发下发光的发光材料，其特征在于：所述发光材料的发光寿命是1-100ms(优选5-20ms)，所述LED芯片发出的光与发光材料发出的光的混合色为白色；其中所述LED白光发光单元采用的驱动频率优选为50-150赫兹。本发明由于使用特定寿命的发光材料，当电流周期变化时，发光并不随着激发光源的消失而消失，而会持续到下个周期开始，从而弥补了由于脉冲电流关断时导致的LED芯片的发光频闪的影响，使白光发光装置在脉冲周期的光输出保持稳定，从而消除了脉冲频闪发光对人眼的伤害。
Description
技术领域
本发明涉及一种脉冲LED白光发光装置，属于白光LED制造技术领域。更具体的说，涉及一种使用特定寿命的发光材料制备的脉冲LED白光发光装置。
背景技术
目前，LED用于照明、显示和背光源等领域，并以其节能、耐用、无污染等优点而引起广泛的重视。实现白光LED有多种方案，其中采用蓝光LED芯片和黄色荧光粉组合来实现白光发射，是当前制备白光LED最为成熟的技术方案。1967年《Appl.Phys.Lett.》第11卷第53页报道了发光材料Y3Al5O12:Ce3+，该材料具有黄色发光，最强发光波长在550纳米，寿命小于100纳秒。1997年《Appl.Phys.A》第64期417页报道了利用Y3Al5O12:Ce3+的黄色发光和蓝光氮化镓实现了LED白光发射，此技术是当前制备白光LED最为成熟的技术方案。目前LED发光器件都采用恒流电流驱动，在这种模式下，LED芯片一直处在工作状态下，会产生大量的热量，会导致整个装置的光衰和封装材料老化等一系列问题。实际上，LED发光装置，特别是大功率装置的发光的散热问题是目前LED应用中的一个瓶颈。
美国专利US 7,489,086B2“AC LIGHT EITTING DIODE AND AC LED DRIVEMETHODS AND APPARATUS”提供了一种非恒流驱动的交流LED器件，该发明主要是使集成封装的LED器件在高于100赫兹的频率下工作，利用人肉眼的视觉暂留效应来弥补交流工作下LED器件发光的频闪。由于LED芯片并非一直工作，所以产生的热量较少，有利于散热。然而，虽然人眼无法区别100赫兹以上的发光频闪，但是发光的波动是现实存在的，会使眼睛疲劳，造成伤害。同时，集成封装的LED芯片在狭小的基片空间上集成还存在工艺复杂、难度大的问题。
交流电流是大小和方向随时间做周期性变化的电流。脉冲电流是方向不变，大小随时间周期性改变的电流。即按照一定的时间规律，通电一段时间，然后又断电一段时间，又通电一段时间，然后又断电一段时间，如此反复。
由于通、断电造成的发光频闪问题对眼睛的伤害，目前为止，未见实用性的脉冲电流驱动的LED白光发光装置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种脉冲电流驱动的LED白光发光装置。该LED白光发光装置具有光衰小和发光波动小的优点。
本发明的技术方案：本发明脉冲电流驱动芯片的LED白光发光装置使用特定寿命的发光材料。
具体地，LED白光发光单元，包括LED芯片和能够在此LED芯片激发下发光的发光材料，其特征在于：所述发光材料的发光寿命是1-100ms(优选5-20ms)，所述LED芯片发出的光与发光材料发出的光的混合色为白色；其中所述LED白光发光单元采用的驱动频率优选为50-150赫兹，当频率过高时，会对半导体芯片产生一定的损害。根据发光学定义，发光材料的发光寿命为材料发光强度降到激发时最大强度的1/e所需的时间。
其中，LED芯片发出的光是紫外或可见光。紫外光的范围为200nm-380nm，可见光的范围为380nm-780nm。
本发明中，发光材料在LED芯片的激发下发光，且发出的光的整体视觉效果为白光，或发光材料发出的光和芯片发出的光的整体视觉效果为白光。
发光材料所述发光材料为无机发光材料、有机发光材料或它们的混合。可以是下述材料中的至少一种：CaS:Eu2+；CaS:Bi2+，Tm3+；ZnS:Tb3+；CaSrS2:Eu2+，Dy3+；SrGa2S4:Dy3+；Ga2O3:Eu3+；(Y，Gd)BO3:Eu3+；Zn2SiO4:Mn2+；YBO3:Tb3+；Y(V，P)O4:Eu3+；SrAl2O4:Eu2+；SrAl2O4:Eu2+，Dy3+，B3+；Sr4Al14O25:Eu2+；Sr4Al14O25:Eu2+，Dy3+，B3+；BaAl2O4:Eu2+；CaAl2O4:Eu2+；Sr3SiO5:Eu2+，Dy3+；BaMgAl10O17:Eu2+，Mn2+；Tb(acac)2(AA)phen；Y2O2S:Eu3+；Y2SiO5:Tb3+；SrGa2S4:Ce3+；Y3(Al，Ga)5O12:Tb3+；Ca2Zn4Ti15O36:Pr3+；CaTiO3:Pr3+；Zn2P2O7:Tm3+；Ca2P2O7:Eu2+，Y3+；Sr2P2O7:Eu2+，Y3+；Lu2O3:Tb3+；Sr2Al6O11:Eu2+；Mg2SnO4:Mn2+；CaAl2O4:Ce3+，Tb3+；Sr4Al14O25:Tb3+；Ca10(PO4)6(F，Cl):Sb，Mn；Sr2MgSi2O7:Eu2+；Sr2CaSi2O7:Eu2+；Zn3(PO4)2:Mn2+，Ga3+；CaO:Eu3+；Y2O2S:Mg2+，Ti3+；Y2O2S:Sm3+；SrMg2(PO4)2:Eu2+，Gd3+；BaMg2(PO4)2:Eu2+，Gd3+；Zn2SiO4:Mn2+，As5+；CdSiO3:Dy3+，MgSiO3:Eu2+，Mn2+。
优选材料为Ca2P2O7:Eu2+，Y3+；Sr2P2O7:Eu2+，Y3+；Sr4Al14O25:Eu2+，Dy3+，B3+；SrAl2O4:Eu2+，Dy3+，B3+；Zn2SiO4:Mn2+，As5+；Zn2P2O7:Tm3+；Y2O2S:Eu3+；Sr4Al14O25:Tb3+；Zn3(PO4)2:Mn2+，Ga3+；CaS:Eu2+中的至少一种。
另外，本发明LED白光发光装置还包含导光覆盖层，为非平面型导光结构。通过导光覆盖层将LED芯片和发光材料的发光进行反射、折射、散射并匀光最终混合导出均匀一致的光。其中，所述导光覆盖层为透镜或其它透明覆盖层，其中可以掺有粒径小于5微米的非发光材料颗粒，从而使得芯片输出的更加光均匀散射。
本发明的有益效果：
现有LED白光发光装置以发光寿命极短的YAG:Ce作为发光材料，在脉冲周期变化会导致发光频闪现象，虽然人眼无法辨别在大于100赫兹的发光的频闪，但实际上这种频闪会造成视觉疲劳，对眼睛产生伤害。本发明由于采用具有特定发光时间的发光材料，在激发光源消失时能维持发光，这样，在基于本发明方案的脉冲LED白光发光装置中，当电流周期变化时，发光并不随着激发光源的消失而消失，而会持续到下个周期开始，从而弥补了由于脉冲电流关断时导致的LED芯片的发光频闪的影响，使白光发光装置在脉冲周期的光输出保持稳定，从而消除了脉冲频闪发光对人眼的伤害。而且，本发明脉冲LED白光发光装置可使用普通的单一PN结的LED芯片，不需要由于脉冲电流驱动而制备特殊芯片。另外，本发明由于在脉冲周期内LED芯片有一段时间不工作，使得其热效应下降，这样有助于克服现有恒流驱动LED白光发光装置中芯片发热带来的系列难题。
说明书附图
图1为LED白光发光单元组成示意图，1为发光材料，或由发光材料和透明介质组成的发光层；2为LED芯片。
图2为实施例1-8在CIE 1931色度图中的色点。数字1-8分别对应于实施例1-8。
图3为交流电经过整流后得到的周期性脉冲波形。
图4为方波构成的周期性脉冲波形。
以下通过实施例形式的具体实施方式，对本发明的上述内容再作进一步的详细说明。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实例。凡基于本发明上述内容所实现的技术均属于本发明的范围。
具体实施方式
实施例1-8采用表1的发光材料和市售单一PN结LED芯片，采用通用封装技术得到的方波脉冲LED白光发光装置，脉冲频率为50赫兹，也就是脉冲周期为20ms。脉冲周期内电流接通时间为12.5ms，关断时间为7.5ms。以下实施例采用图3所述的脉冲驱动电流驱动。
本发明驱动电流不限于图3或图4所述的脉冲驱动电流。本发明适用于方向不变，大小随时间周期性改变的电流。即按照一定的时间规律，通电一段时间，然后又断电一段时间，又通电一段时间，然后又断电一段时间，如此反复。
实施例1-8
表1
试验例1本发明脉冲LED白光发光装置发光特性
表2给出了实施例1-8所给出的脉冲LED白光发光装置用每秒拍300张照片的Sarnoff公司CAM512型高速科学级照相机拍摄的20毫秒内的发光亮度。参比样1为市售460纳米蓝光芯片封装上黄色发光材料YAG:Ce(发光寿命为100ns)按实施例1-8的同一方式组成的脉冲驱动LED白光发光装置，参比样2为市售460纳米蓝光芯片封装上长寿命材料SrAl2O4:Eu2+，Dy3+和Y2O2S:Eu，Mg，Ti(发光寿命大于1秒)按实施例1-8的同一方式组成的脉冲电流驱动LED白光发光装置。表2中亮度数据为相对亮度，无量纲。
表2
从表2可以看出，本发明在脉冲电流周期中的发光较为稳定，电流关断时间内发光仍较好。而参比样1亦即使用现有市售蓝光芯片封装上发光寿命较短的传统的黄色YAG:Ce发光材料的脉冲LED白光发光装置获得的发光不稳定，电流关断时间内发光为零。
虽然如参比样2所示的、使用发光寿命过长的发光材料时该脉冲LED白光发光装置的发光亮度在脉冲周期内波动也较小，但由于材料在激发光存在时获得的能量不能迅速释放，导致其发光较弱(见表1)，不利于作为发光材料使用。
表3是表1实施例的色坐标和色温(采用美能达CS-100A色度计测量)
表3CIE色坐标和色温
| 色坐标 | CIEx | CIEy | 相关色温 |
| 实施例1 | 0.3076 | 0.3907 | 4348K |
| 实施例2 | 0.3310 | 0.3214 | 5548K |
| 实施例3 | 0.3154 | 0.4024 | 6111K |
| 实施例4 | 0.3095 | 0.3332 | 6654K |
| 实施例5 | 0.3280 | 0.3566 | 5694K |
| 实施例6 | 0.3367 | 0.4002 | 5402K |
| 实施例7 | 0.3100 | 0.3096 | 6828K |
| 实施例8 | 0.3544 | 0.3323 | 4519K |
从表4可以看出，上述实施例得到了LED白光发光装置的发光颜色为白光。各实施例发光在CIE 1931色度图中的色点位置见图3。
试验例2本发明脉冲LED白光发光装置的光衰
表4给出了实施例1-8和参比样的光衰数据。参比样为将市售460纳米蓝光芯片封装上YAG:Ce的白光LED芯片按目前通用的直流供电方式安装的LED白光发光装置。测试方法如下：将实施例所述脉冲LED白光发光装置和参比装置通电后在一定间隔时间内测其发光亮度，结果如表4所示。表4中数据为美能达CS-100亮度计测试的相对亮度，以最初数据归一化。
表4
从表4的数据可以看出本发明的脉冲LED白光发光装置的亮度衰减要小于采用现有方式的LED白光发光装置。
Claims (4)
1.脉冲LED白光发光单元，包括采用脉冲电流驱动的LED芯片和能够在此LED芯片激发下发光的发光材料，其特征在于：LED芯片发出的光与发光材料发出的光的混合色为白色；所述脉冲电流为通断式脉冲电流，所述脉冲电流的频率为50赫兹，所述LED芯片是只包含一个发光PN结的LED芯片，所述LED芯片发出的光是紫外或可见光，
并且其中，
所述LED芯片是254纳米的紫外LED芯片，并且所述发光材料为发光寿命为30ms的40wt％Sr2P2O7:Eu2+,Y3++60wt％Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+、发光寿命为20ms的CdSiO3:Dy3+；或者
所述LED芯片是310纳米的紫外LED芯片，并且所述发光材料为发光寿命为55ms的15wt％Zn2P2O7:Tm3++25wt％Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3++40wt％CaS:Eu2++20wt％Ca4O(PO4)2:Eu2+；或者
所述LED芯片是365纳米的紫外LED芯片，并且所述发光材料为发光寿命为16ms的15wt％Ca2P2O7:Eu2+,Y3++25wt％Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3++60wt％Y2O2S:Eu3+；或者
所述LED芯片是400纳米的紫外LED芯片，并且所述发光材料为发光寿命为5ms的50wt％SrMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3++50wt％CaTiO3:Pr3+；或者
所述LED芯片是450纳米的蓝光LED芯片，并且所述发光材料为发光寿命为100ms的40wt％SrAl2O4:Eu2+,B3++60wt％Y2O2S:Sm3+；或者
所述LED芯片是460纳米的蓝光LED芯片，并且所述发光材料为发光寿命为48ms的40wt％SrAl2O4:Eu2++60wt％Y2O2S:Mg2+,Ti3+。
2.脉冲LED白光发光装置，其特征在于：包括脉冲驱动电路和至少一个权利要求1所述的脉冲LED白光发光单元。
3.根据权利要求2所述的脉冲LED白光发光装置，其特征在于：LED发光装置还包括导光覆盖层。
4.根据权利要求3所述的脉冲LED白光发光装置，其特征在于：所述导光覆盖层中掺有粒径小于5微米的非发光材料颗粒。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010538949.9A CN102468414B (zh) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 脉冲led白光发光装置 |
| PCT/CN2010/080415 WO2012062014A1 (zh) | 2010-11-09 | 2011-01-24 | 脉冲电流驱动led白光发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010538949.9A CN102468414B (zh) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 脉冲led白光发光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102468414A CN102468414A (zh) | 2012-05-23 |
| CN102468414B true CN102468414B (zh) | 2014-08-13 |
Family
ID=46050332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010538949.9A Expired - Fee Related CN102468414B (zh) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 脉冲led白光发光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102468414B (zh) |
| WO (1) | WO2012062014A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE202012103514U1 (de) * | 2012-09-14 | 2013-12-17 | Zumtobel Lighting Gmbh | TV-taugliche dimmbare LED-Leuchte |
| CN107490899A (zh) * | 2017-09-21 | 2017-12-19 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种背光模组以及液晶显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1541502A (zh) * | 2001-08-09 | 2004-10-27 | ������������ʽ���� | 有机电致发光显示装置及其驱动方法 |
| CN101208813A (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-25 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 用于交流电力操作的发光装置 |
| EP2015611A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-14 | Yu-Nung Shen | Method for driving a LED |
| CN101809355A (zh) * | 2007-09-24 | 2010-08-18 | 奥斯兰姆有限公司 | 带有光缓冲器的照明装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197979A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
| JP3802911B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-08-02 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP2010103522A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール |
-
2010
- 2010-11-09 CN CN201010538949.9A patent/CN102468414B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-01-24 WO PCT/CN2010/080415 patent/WO2012062014A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1541502A (zh) * | 2001-08-09 | 2004-10-27 | ������������ʽ���� | 有机电致发光显示装置及其驱动方法 |
| CN101208813A (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-25 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 用于交流电力操作的发光装置 |
| EP2015611A1 (en) * | 2007-07-12 | 2009-01-14 | Yu-Nung Shen | Method for driving a LED |
| CN101809355A (zh) * | 2007-09-24 | 2010-08-18 | 奥斯兰姆有限公司 | 带有光缓冲器的照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102468414A (zh) | 2012-05-23 |
| WO2012062014A1 (zh) | 2012-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7704410B2 (en) | Light-emitting device and phosphor | |
| US20160029454A1 (en) | Ac white led device | |
| CN113178514A (zh) | 白色光源 | |
| CN102468413B (zh) | 一种交流led发光装置 | |
| JP2017527114A (ja) | 白熱様減光発光ダイオード | |
| CN102468414B (zh) | 脉冲led白光发光装置 | |
| CN102466146B (zh) | 一种脉冲led发光装置 | |
| KR20120123552A (ko) | 백색 ｌｅｄ 조명 장치 | |
| KR101387555B1 (ko) | 펄스 전류로 구동되는 백색 ｌｅｄ 조명 장치 | |
| US20220399482A1 (en) | Lighting systems and associated methods combining visible and non-visible light converting phosphor | |
| CN104300077B (zh) | 一种具有余辉特性的发光材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 611731 Sichuan city of Chengdu province high tech Zone (West) New Road No. 2 Applicant after: Sichuan Sunfor Light Co., Ltd. Address before: 611731 Sichuan city of Chengdu province high tech Zone (West) New Road No. 2 Applicant before: Sichuan Sunfor Lighting Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140813 Termination date: 20171109 |