CN102456701A - 发光装置 - Google Patents

Abstract

一种发光装置，包括有发光单元及次载体，其中发光单元具有多个发光二极管，次载体的侧面上具有多个导电接点。发光二极管与导电接点以各种电性连接方式相互耦接，以使发光二极管相互串联或是/以及并联。本发明发光装置的发光单元的多个发光二极管先不进行串接的电性连接，通过次载体的多个导电接点的不同布线设计，当发光单元以覆晶方式结合于次载体上，多个发光二极管可对应的构成相互串联或是/以及并联的电性连接关系，藉以提高发光装置的设计弹性，并且降低其制造成本，可适用于构成高电压的发光装置。

Description

发光装置

技术领域

本发明涉及一种发光装置，特别涉及一种覆晶封装的发光装置，且发光装置内的发光二极管可选择性的串联或是/以及并联。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，LED)由于其耗电量低、效率高且寿命长的优点，因此可广泛用于各种应用领域，例如笔记型计算机、监视器、移动电话、电视和液晶显示器所用背光模块的光源。再者，随着越来越多研发人员投入发光二极管(LED)的研究发展，使得目前的发光二极管的发光强度已达到照明的程度。

目前现有的发光二极管结构是于半导体基板上置放单芯片型态的发光二极管，并令发光二极管芯片的正负极朝上设置，再以打线方式(wire bonding)将芯片的正负极与接脚相互电性连接，最后再加以封装而形成完整的发光二极管封装装置。由于现有发光二极管结构仅以单一芯片构成其封装装置，因此其所产生的光源并不强烈，故现有发光二极管并无法满足现今的高亮度需求。

因此，遂发展出发光二极管芯片(light emitting diode die)内设有多个发光二极管，且发光二极管芯片以覆晶接合方式(flip-chip bonding)结合于次载体(submount)的技术。

现有的发光二极管的驱动电压范围大致为3伏特(voltage)至4伏特左右，并且发光二极管芯片内的各个发光二极管是相互串接，因此制造厂商可依据实际的使用需求，而于发光二极管芯片内设计不同数量的发光二极管，以串接得到高驱动电压的发光装置(high voltage light emitting device)，使得单一发光装置可发出较强的光源，藉以提供更高功率的发光效能。

然而，上述现有发光二极管芯片内的各个发光二极管于制造过程中，已预先完成串接的电性连接关系，因此所制造的发光装置皆为固定的驱动电压值。若是欲得到不同驱动电压的发光装置，必须因应不同规格的发光二极管芯片而各别制造生产，在设计弹性上并不理想，同时也导致制造成本的增加。

发明内容

鉴于以上的问题，本发明所要解决的技术问题在于提供一种发光装置，藉以改进现有发光装置的发光二极管已预先具备有串接的电性连接关系，导致现有发光装置的设计弹性不佳，以及制造成本随的增加等问题。

本发明所揭露一实施例的发光装置包括有一发光单元以及一次载体，其发光单元具有多个第一发光二极管，次载体的侧面上具有多个第一导电接点。第一导电接点与第一发光二极管相互耦接，以使各个第一发光二极管相互串联。

本发明所揭露另一实施例的发光装置包括有一发光单元以及一次载体，其发光单元具有多个第一发光二极管，次载体的侧面上具有多个第一导电接点。各个第一导电接点分别与相对应的各个第一发光二极管相互耦接，以使各个第一发光二极管相互并联。

本发明所揭露又一实施例的发光装置包括有一发光单元以及一次载体，其发光单元具有多个第一发光二极管及多个第二发光二极管，次载体的侧面上具有多个第一导电接点及多个第二导电接点。

第一导电接点与第一发光二极管相互耦接，以使第一发光二极管相互串联；各个第二导电接点分别与相对应的各个第二发光二极管相互耦接，以使各个第二发光二极管相互并联。

本发明的功效在于，发光单元的多个发光二极管先不进行串接的电性连接，通过次载体的多个导电接点的不同布线设计，当发光单元以覆晶方式结合于次载体上，多个发光二极管可对应的构成相互串联或是/以及并联的电性连接关系，藉以提高发光装置的设计弹性，并且降低其制造成本，可适用于构成高电压的发光装置。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明的发光单元的结构示意图；

图2为本发明第一实施例的分解示意图；

图3为本发明第一实施例的立体示意图；

图4为本发明第一实施例的电路示意图；

图5为本发明第二实施例的分解示意图；

图6为本发明第三实施例的分解示意图；

图7为本发明第三实施例的立体示意图；

图8为本发明第三实施例的电路示意图；

图9为本发明第四实施例的分解示意图；

图10为本发明第五实施例的分解示意图；

图11为本发明第五实施例的立体示意图；

图12为本发明第五实施例的电路示意图；

图13为本发明第六实施例的立体示意图；

图14为本发明第六实施例的电路示意图；

图15为本发明第七实施例的分解示意图。

其中，附图标记

100  发光装置

110  发光单元

111  第一发光二极管

112  第二发光二极管

113  透明基板

114  发光叠层

1141 第一电性半导体层

1142 活性层

1143 第二电性半导体层

115  第一接触层

116  第二接触层

117  第一电极

118  第二电极

119  电极垫层

120  次载体

121  第一导电接点

122  第二导电接点

130、131  电极

200  发光装置

210  发光单元

211  第一发光二极管

212  第二发光二极管

220  次载体

221  第一导电接点

222  第二导电接点

230、231  电极

300  发光装置

310  发光单元

311  第一发光二极管

312  第二发光二极管

313  第三发光二极管

320  次载体

321  第一导电接点

322  第二导电接点

323  第三导电接点

330、331  第一电极

332、333  第二电极

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

图2至图4为本发明第一实施例的立体示意图及电路示意图。如图所示，本发明第一实施例的发光装置100包括有一发光单元110及一次载体120(submount)。其中，发光单元110是以覆晶接合(flip-chip bonding)的方式结合于次载体120的一侧面(即顶表面)上。

相较于现有以打线接合(wire bonding)的方式而言，以覆晶接合方式将发光单元110与次载体120相互结合，可大幅提高发光装置100的对位精度与可靠性，藉此降低其组装上的误差，同时改善因导线所造成过大封装体积的限制。

如图2至图4所示，本发明第一实施例的发光单元110具有多个第一发光二极管(light emitting diode，LED)111，各个第一发光二极管111以等间隔排列而构成矩阵(matrix)型态，并且第一发光二极管111电性连接至电极130、131，第一发光二极管111通过电压的驱动而发出照明光线。本实施例的第一发光二极管111的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量，并不以本实施例所揭露的数量为限。

举例而言，如图1所示，发光单元110的结构可包含一透明基板113，其材料选自于氧化铝(Al₂O₃)、氮化镓(GaN)、玻璃(glass)、磷化镓(GaP)、碳化硅(SiC)、及化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)钻石所构成的材料群组、一发光叠层114，形成于透明基板113上，发光叠层114受电压驱动时会发出光线，此一光线的颜色是取决于发光叠层114的材质、一第一接触层115、一第二接触层116、一第一电极117、及一第二电极118。

其中，发光叠层114包含一第一电性半导体层1141、一活性层(activelayer)1142、及一第二电性半导体层1143，第一电性半导体层1141可为n型或P型半导体层，第二电性半导体层1143的电性与第一电性相反，其中部分的第二电性半导体层1143及活性层1142被蚀刻移除以裸露部分的第一电性半导体层1141。第一接触层115形成于裸露的第一电性半导体层1141上，第二接触层116形成于第二电性半导体层1143上，第一接触层115及第二接触层116是用以分别与第一电性半导体层1141及第二电性半导体层1143形成奥姆接触(ohmic contact)。第一电极117形成于第一接触层115上，第二电极118则形成于第二接触层116上。发光单元110还可包含一电极垫层119，形成于第一接触层115与第一电极117之间。当直接接合于次载体时，用以提供电流通道，使电流传导至次载体上。

次载体120的材质可为蓝宝石(sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)或是氮化铝(AlN)，而本领域技术人员，可选用其它适合的半导体材质做为本实施例的次载体120，并不以此为限。次载体120的顶表面上电性设置有多个第一导电接点(conductive contact)121，当发光单元110结合于次载体120上时，次载体120的第一导电接点121与发光单元110的第一发光二极管111相互耦接，使得多个第一发光二极管111构成相互串联的电性连接关系(如图4所示)。其中，第一导电接点121的材质可为任何具导电特性的金属材料、非金属材料或是半导体材料，并不限定其特定材质。

详细而言，本实施例的次载体120上的多个第一导电接点121于其表面上为排列设置，使得各个第一导电接点121得以分别电性连接于相邻近的其中一第一发光二极管111的N极与另一第一发光二极管111的P极，并且各个第一导电接点121依序的电性连接第一发光二极管111，进而将多个第一发光二极管111相互电性串联。

举例而言，如图2所示，本实施例的多个第一导电接点121是以回路连接的排列型态依序设置于次载体120上，藉以对应于矩阵排列的第一发光二极管111形式。然而，本领域技术人员，可依据实际使用需求改变第一发光二极管111的设置型态，并且第一导电接点121也须对应调整其设置形式，以符合第一导电接点121与第一发光二极管111相互电性串联的电性连接关系。

本发明的发光单元110与次载体120的电性结合关系，于本实施例中是简化为以六排第一发光二极管111与对应数量的第一导电接点121进行说明，并不因此而局限本发明的第一发光二极管111及第一导电接点121之间的电性关系。

请参照图5所示的本发明第二实施例的立体示意图，由于第二实施例与前述第一实施例的结构大致相同，因此只针对差异处加以说明。第二实施例的发光装置100的发光单元110除了具有多个第一发光二极管111之外，还具有多个第二发光二极管112，次载体120除了具有多个第一导电接点121之外，还具有多个第二导电接点122。本实施例的第二发光二极管112通过电压的驱动而发出照明光线，且第二发光二极管112的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量，并不以本实施例所揭露的数量为限。其中，第二导电接点122的材质可为任何具导电特性的金属材料、非金属材料或是半导体材料，并不限定其特定材质。

举例而言，如图1所示，发光单元110的结构可包含一透明基板113，其材料选自于氧化铝(Al₂O₃)、氮化镓(GaN)、玻璃(glass)、磷化镓(GaP)、碳化硅(SiC)、及化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)钻石所构成的材料群组、一发光叠层114，形成于透明基板113上，发光叠层114受电压驱动时会发出光线，此一光线的颜色系取决于发光叠层114的材质、一第一接触层115、一第二接触层116、一第一电极117、及一第二电极118。

其中，发光叠层114包含一第一电性半导体层1141、一活性层(activelayer)1142、及一第二电性半导体层1143，第一电性半导体层1141可为n型或P型半导体层，第二电性半导体层1143的电性与第一电性相反，其中部分的第二电性半导体层1143及活性层1142被蚀刻移除以裸露部分的第一电性半导体层1141。第一接触层115形成于裸露的第一电性半导体层1141上，第二接触层116形成于第二电性半导体层1143上，第一接触层115及第二接触层116是用以分别与第一电性半导体层1141及第二电性半导体层1143形成奥姆接触(ohmic contact)。第一电极117形成于第一接触层115上，第二电极118则形成于第二接触层116上。发光单元110还可包含一电极垫层119，形成于第一接触层115与第一电极117之间。当直接接合于次载体时，用以提供电流通道，使电流传导至次载体上。

如图5所示，第二发光二极管112与第一发光二极管111相邻近，并与第一发光二极管111一并排列成矩阵型态，而第二导电接点122与第一导电接点121邻近设置。第二导电接点122以成对的形式电性设置于次载体120上，且二第二导电接点122为交错设置，进而与各个第二发光二极管112的N极与P极相互对应。因此，当发光单元110结合于次载体120上时，二第二导电接点122分别电性连接于其中一第二发光二极管112的N极与P极，进而构成电性导通关系，使得各个第二发光二极管112依据其初始的驱动电压而发出照明光线。

本发明的发光单元110与次载体120的电性结合关系，于本实施例中系简化为以三排第一发光二极管111与对应数量的第一导电接点121，以及三排第二发光二极管112与对应数量的第二导电接点122进行说明，并不因此而局限本发明的第一发光二极管111与第一导电接点121，以及第二发光二极管112与第二导电接点122之间的电性关系。

6图至8图为本发明第三实施例的立体示意图及电路示意图。如图所示，本发明第三实施例的发光装置200包括有一发光单元210及一次载体220(submount)。其中，发光单元210是以覆晶接合(flip-chip bonding)的方式结合于次载体220的一侧面(即顶表面)上。

相较于现有以打线接合(wire bonding)的方式而言，以覆晶接合方式将发光单元210与次载体220相互结合，可大幅提高发光装置200的对位精度与可靠性，藉此降低其组装上的误差，同时改善因导线所造成过大封装体积的限制。本实施例的发光单元210的结构与第一实施例的发光单元结构相同，故不在此赘述。

如图6至图8所示，本发明第三实施例的发光单元210具有多个第一发光二极管(light emitting diode，LED)211，各个第一发光二极管211以等间隔排列而构成矩阵(matrix)型态，并且第一发光二极管211电性连接至电极230、231，第一发光二极管211通过电压的驱动而发出照明光线。本实施例的第一发光二极管211的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量，并不以本实施例所揭露的数量为限。

次载体220的材质可为蓝宝石(sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)或是氮化铝(AlN)，而本领域技术人员，可选用其它适合的半导体材质做为本实施例的次载体220，并不以此为限。次载体220的顶表面上电性设置有多个第一导电接点(conductive contact)221，当发光单元210结合于次载体220上时，次载体220的各个第一导电接点221分别与相对应的发光单元210的第一发光二极管211相互耦接，使得多个第一发光二极管211构成相互并联的电性连接关系(如图8所示)。

详细而言，本实施例的次载体220上的各个第一导电接点221是以间隔一距离且相互并排的形式设置于次载体220的表面，使得成对的二第一导电接点221得以分别电性连接于相邻近的其中一第一发光二极管211的N极与另一第一发光二极管211的P极，令相邻近的第一发光二极管211相互电性并联。

本发明的发光单元210与次载体220的电性结合关系，于本实施例中是简化为以六排第一发光二极管211与对应数量的第一导电接点221进行说明，并不因此而局限本发明的第一发光二极管211及第一导电接点221之间的电性关系。

请参照图9所示的本发明第四实施例的立体示意图，由于第四实施例与前述第三实施例的结构大致相同，因此只针对差异处加以说明。第四实施例的发光装置200的发光单元210除了具有多个第一发光二极管211之外，还具有多个第二发光二极管212，次载体220除了具有多个第一导电接点221之外，还具有多个第二导电接点222。本实施例的第二发光二极管212通过电压的驱动而发出照明光线，且第二发光二极管212的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量，并不以本实施例所揭露的数量为限。

其中，第二发光二极管212与第一发光二极管211相邻近，并与第一发光二极管211一并排列成矩阵型态，而第二导电接点222与第一导电接点221是邻近设置。第二导电接点222是以成对的形式电性设置于次载体220上，且二第二导电接点222为交错设置，进而与各个第二发光二极管212的N极与P极相互对应。因此，当发光单元210结合于次载体220上时，二第二导电接点222分别电性连接于其中一第二发光二极管212的N极与P极，进而构成电性导通关系，使得各个第二发光二极管212依据其初始的驱动电压而发出照明光线。

本发明的发光单元210与次载体220的电性结合关系，于本实施例中是简化为以三排第一发光二极管211与对应数量的第一导电接点221，以及三排第二发光二极管212与对应数量的第二导电接点222进行说明，并不因此而局限本发明的第一发光二极管211与第一导电接点221，以及第二发光二极管212与第二导电接点222之间的电性关系。

图10至图12为本发明第五实施例的立体示意图及电路示意图。如图所示，本发明第五实施例的发光装置300包括有一发光单元310及一次载体320(submount)。其中，发光单元310是以覆晶接合(flip-chip bonding)的方式结合于次载体320的一侧面(即顶表面)上。

相较于现有以打线接合(wire bonding)的方式而言，以覆晶接合方式将发光单元310与次载体320相互结合，可大幅提高发光装置300的对位精度与可靠性，藉此降低其组装上的误差，同时改善因导线所造成过大封装体积的限制。本实施例的发光单元310的结构与第一实施例的发光单元结构相同，故不在此赘述。

如图10至图12所示，本发明第五实施例的发光单元310具有多个第一发光二极管(light emitting diode，LED)311及多个第二发光二极管312，各个第一发光二极管311与第二发光二极管312分别以等间隔排列而构成矩阵(matrix)型态，并且第一发光二极管311电性连接至第一电极330、331，第二发光二极管312电性连接至第二电极332、333，第一发光二极管311与第二发光二极管312通过电压的驱动而发出照明光线。本实施例的第一发光二极管311及第二发光二极管312的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量，并不以本实施例所揭露的数量为限。

次载体320的材质可为蓝宝石(sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)或是氮化铝(AlN)，而本领域技术人员，可选用其它适合的半导体材质做为本实施例的次载体320，并不以此为限。次载体320的顶表面上电性设置有多个第一导电接点(conductive contact)321及多个第二导电接点322，当发光单元310结合于次载体320上时，次载体320的第一导电接点321与发光单元310的第一发光二极管311相互耦接，使得多个第一发光二极管311构成相互串联的电性连接关系，以及次载体320的各个第二导电接点322分别与相对应的发光单元310的第二发光二极管312相互耦接，使得多个第二发光二极管312构成相互并联的电性连接关系(如图12所示)。

详细而言，本实施例的次载体320上的多个第一导电接点321于其表面上为排列设置，使得成对的二第一导电接点321得以分别电性连接于相邻近的其中一第一发光二极管311的N极与另一第一发光二极管311的P极，并且各个第一导电接点321依序的电性连接第一发光二极管311，进而将多个第一发光二极管311相互电性串联。

举例而言，如图10所示，本实施例的多个第一导电接点321是以回路连接的排列型态依序设置于次载体320上，并且对应于矩阵排列的第一发光二极管311形式。然而，本领域技术人员，可依据实际使用需求改变第一发光二极管311的设置型态，并且第一导电接点321也须对应调整其设置形式，以符合第一导电接点321与第一发光二极管311相互电性串联的电性连接关系。

本实施例的次载体320上的各个第二导电接点322是以间隔一距离且相互并排的形式设置于次载体320的表面，使得成对的二第二导电接点322得以分别电性连接于相邻近的其中一第二发光二极管312的N极与另一第二发光二极管312的P极，令相邻近的第二发光二极管312相互电性并联。

本发明的发光单元310与次载体320的电性结合关系，于本实施例中是简化为以三排第一发光二极管311与对应数量的第一导电接点321，以及三排第二发光二极管312与对应数量的第二导电接点322进行说明，并不因此而局限本发明的第一发光二极管311与第一导电接点321，以及第二发光二极管312与第二导电接点322之间的电性关系。

请参照图13及图14所示的本发明第六实施例的立体示意图，由于第六实施例与前述第五实施例的结构大致相同，因此只针对差异处加以说明。第六实施例的发光装置300的发光单元310包括有多个第一发光二极管311及第二发光二极管312，次载体320具有多个第一导电接点321及第二导电接点322。本实施例的第一发光二极管311及第二发光二极管312的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量，并不以本实施例所揭露的数量为限。

如图13及图14所示，本实施例的多个第一导电接点321与第一发光二极管311呈相互电性串联的电性连接关系，成对的二第二导电接点322分别电性连接于相邻近的其中一第二发光二极管312的N极与另一第二发光二极管312的P极，令相邻近的第二发光二极管312呈相互电性并联的电性连接关系。

本发明的发光单元310与次载体320的电性结合关系，于本实施例中是简化为以三排第一发光二极管311与对应数量的第一导电接点321，以及三排第二发光二极管312与对应数量的第二导电接点322进行说明，并不因此而局限本发明的第一发光二极管311与第一导电接点321，以及第二发光二极管312与第二导电接点322之间的电性关系。

如图13及图14所示，本发明的第一发光二极管311及第二发光二极管312除了分别提供上述第五实施例所载的功效之外，于本实施例中，还可将多个呈电性串联关系的第一发光二极管311及呈电性并联的第二发光二极管312以并联的电性关系相互结合。

详细而言，第一发光二极管311电性连接至第一电极330、331，第二发光二极管312电性连接至第二电极332、333，第一发光二极管311与第二发光二极管312通过电压的驱动而发出照明光线。本实施例的第一发光二极管311的P极还与第二发光二极管312的N极相互电性连结，令呈电性串联关系的第一发光二极管311及呈电性并联的第二发光二极管312相互并联设置。

请参照图15所示的本发明第七实施例的立体示意图，由于第七实施例与前述第五实施例的结构大致相同，因此只针对差异处加以说明。第七实施例的发光装置300的发光单元310除了具有多个第一发光二极管311及第二发光二极管312之外，还具有多个第三发光二极管313，次载体320除了具有多个第一导电接点321及第二导电接点322之外，还具有多个第三导电接点323。本实施例的第三发光二极管313通过电压的驱动而发出照明光线，且第三发光二极管313的配置数量可依据实际使用需求而对应增减其数量，并不以本实施例所揭露的数量为限。其中，第三导电接点323的材质可为任何具导电特性的金属材料、非金属材料或是半导体材料，并不限定其特定材质。

如图15所示，第三发光二极管313与第二发光二极管312相邻近，并且第三发光二极管313与第一发光二极管311、第二发光二极管312一并排列成矩阵型态，而第三导电接点323与第二导电接点322邻近设置。第三导电接点323是以成对的形式电性设置于次载体320上，且二第三导电接点323为交错设置，进而与第三发光二极管313的N极与P极相互对应。因此，当发光单元310结合于次载体320上时，二第三导电接点323分别电性连接于其中一第三发光二极管313的N极与P极，进而构成电性导通关系，使得各个第三发光二极管313依据其初始的驱动电压而发出照明光线。

本领域技术人员，可对应改变本实施例的第一发光二极管311、第二发光二极管312、第三发光二极管313，以及第一导电接点321、第二导电接点322、第三导电接点323的相对位置，以更为符合实际需求，只要是电性连接关系与本实施例所揭示相同即可，并不以本实施例所揭露的型态为限。

本发明的发光单元310与次载体320的电性结合关系，于本实施例中是简化为以三排第一发光二极管311与对应数量的第一导电接点321、三排第二发光二极管312与对应数量的第二导电接点322、以及三排第三发光二极管313与对应数量的第三导电接点323进行说明，并不因此而局限本发明的第一发光二极管311与第一导电接点321、第二发光二极管312与第二导电接点322、及第三发光二极管313与第三导电接点323之间的电性关系。

通过本发明的次载体的不同导电接点布线(layout)设计，使得本发明的发光单元的多个发光二极管可不必预先进行串接，仅需通过发光单元以覆晶方式与次载体的相互结合，即可令耦接于导电接点的多个发光二极管对应构成串联的电性连接关系或是/以及并联的电性连接关系。

本发明可大幅提高发光装置的设计弹性，并且降低制造成本，同时适用于制造生产15伏特至400伏特高电压范围的发光装置。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (19)

1.一种发光装置，其特征在于，包括有：

一发光单元，具有多个第一发光二极管；以及

一次载体，该次载体上具有多个第一导电接点，且该多个第一导电接点与该多个第一发光二极管相互耦接，以使该多个第一发光二极管相互串联。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光单元还具有多个第二发光二极管，该次载体还具有多个第二导电接点，该多个第二导电接点分别与该多个第二发光二极管相互耦接。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该多个第二导电接点以成对方式设置，并分别对应于各该第二发光二极管，且各对该第二导电接点的该二第二导电接点为交错设置。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括有一对电极，电性连接于该多个第一发光二极管。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光单元以覆晶接合方式与该次载体相互结合。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该次载体的材质为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓或是氮化铝。

7.一种发光装置，其特征在于，包括有：

一发光单元，具有多个第一发光二极管；以及

一次载体，该次载体上具有多个第一导电接点，且各该第一导电接点分别与相对应的各该第一发光二极管相耦接，以使该多个第一发光二极管相互并联。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，该发光单元还具有多个第二发光二极管，该次载体还具有多个第二导电接点，该多个第二导电接点分别与该多个第二发光二极管相互耦接。

9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该多个第二导电接点以成对方式设置，并分别对应于各该第二发光二极管，且各对该第二导电接点的该二第二导电接点为交错设置。

10.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，还包括有一对电极，电性连接于该多个第一发光二极管。

11.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，该发光单元以覆晶接合方式与该次载体相互结合。

12.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，该次载体的材质为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓或是氮化铝。

13.一种发光装置，其特征在于，包括有：

一发光单元，具有多个第一发光二极管及多个第二发光二极管；以及

一次载体，该次载体上具有多个第一导电接点及多个第二导电接点；

其中，该多个第一导电接点与该多个第一发光二极管相互耦接，以使该多个第一发光二极管相互串联；

其中，各该第二导电接点分别与相对应的各该第二发光二极管相耦接，以使该多个第二发光二极管相互并联。

14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，该发光单元还具有多个第三发光二极管，该次载体还具有多个第三导电接点，该多个第三导电接点分别与该多个第三发光二极管相互耦接。

15.根据权利要求14所述的发光装置，其特征在于，该多个第三导电接点以成对方式设置，并分别对应于各该第三发光二极管，且各对该第三导电接点的该二第三导电接点为交错设置。

16.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，还包括有一对第一电极及一对第二电极，该对第一电极电性连接于该多个第一发光二极管，该对第二电极电性连接于该多个第二发光二极管。

17.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，一该第一发光二极管的P极与其中一该第二发光二极管的P极电性连接，其中一该第一发光二极管的N极与其中一该第二发光二极管的N极电性连接，以使该多个第一发光二极管与该多个第二发光二极管相互并联。

18.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，该发光单元以覆晶接合方式与该次载体相互结合。

19.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，该次载体的材质为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓或是氮化铝。

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