CN102456409B - 改善sonos存储器中擦除深度的方法 - Google Patents

改善sonos存储器中擦除深度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102456409B
CN102456409B CN201010521494.XA CN201010521494A CN102456409B CN 102456409 B CN102456409 B CN 102456409B CN 201010521494 A CN201010521494 A CN 201010521494A CN 102456409 B CN102456409 B CN 102456409B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sonos
monomer
wls
depth
storer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010521494.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102456409A (zh
Inventor
陈华伦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp filed Critical Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority to CN201010521494.XA priority Critical patent/CN102456409B/zh
Publication of CN102456409A publication Critical patent/CN102456409A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102456409B publication Critical patent/CN102456409B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明公开了一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其为：在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(-M-X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V；而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X)V，BL端的操作电压设为(-M-X)V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为由所要求的擦除深度决定的电位偏差值。本发明的方法，通过操作电压的调整，提高了SONOS存储器的擦除深度。

Description

改善SONOS存储器中擦除深度的方法
技术领域
本发明涉及一种SONOS存储器的操作方法。
背景技术
在SONOS存储器工艺中，读写与擦除动作来确定1和0的区别，从而进行存储，读写与擦除必须有足够的阈值电压来区分，现在，人们为了减低操作电压尽量压缩阈值电压，尤其是擦除阈值电压，这就带来了性能和可靠性的问题。
在器件和工艺不变时，擦写操作电压(如WLS端与BL端电压差为10.7V)的差值已决定了，不可改变。擦除操作时，WLS(字总线)端接负电位，BL(位线)端接正电位；而写入操作时，WLS端与BL端反接。其中擦除和写入的深度决定于操作电压。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其能提高SONOS单体的擦除深度。
为解决上述技术问题，本发明的改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其为：在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的WLS端的操作电压设为(-M-X)V，BL端的操作电压设为(N-X)V；而对其中一个SONOS单体进行写入操作时，该SONOS单体的WLS端的操作电压设为(N-X)V，BL端的操作电压设为(-M-X)V，其中M为现有操作条件下，擦除操作时WLS端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时BL端所接电位的绝对值；X为电位偏差值，通过试验得到。
本发明的改善SONOS存储器中擦除深度的方法，创造性地运用SONOS存储器中的寄身干扰(parasitic disturb)。在现有器件工艺不变的条件下，通过操作电压的微调来提高擦除(erase)深度，从而提高擦除阈值电压，达到改善SONOS存储器的器件性能和可靠性的目的。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为一个SONOS存储器中多体结构的连接图。
具体实施方式
一个具体的实例中，由4个SONOS单体(分别编号为T、A、B和C)组成的SONOS多体为例(见图1)，其中WL为字线端。现有的SONOS存储器的操作方法为：在现有操作电压条件下，WLS端的电压为-3.5V，BL端的电压为7.2V，进行所有SONOS单体的擦除，得到SONOS单体的擦除阈值电压Vte1；WLS端的电压为7.2V，BL端的电压为-3.5V，对SONOS单体T进行写入操作，得到SONOS单体T的写入阈值电压Vtp1。
本发明的改善存储器中擦除深度的方法，改变了操作电压：WLS端的电压设为-(3.5+X)V，BL端的电压设为(7.2-X)V，对所有SONOS单体进行擦除进行归零；WLS端的电压设为(7.2-X)V，BL端的电压设为-(3.5+X)V，对SONOS单体T进行写入，得到SONOS单体T的写入阈值电压Vtp2，因为操作电压差没变，Vtp2与Vtp1相同，所以即使改变操作电压，也没有改变SONOS单体的写入深度。在对SONOS单体T的写入操作完成后，对SONOS单体B测量得到Vte2，SONOS单体B在BL端的电压增大时而对SONOS单体T进行写入操作时，因为发生了比较强的擦除干扰(erase disturbing)，所以擦除深度在原有基础上进一步加深了，擦除阈值电压更大了，即Vte2大于Vte1。而SONOS单体A和SONOS单体C的擦除阈值电压基本保持不变。X值为通过试验得到，具体为能保证SONOS存储器的其他性能的情况下最大程度的提高擦除阈值电压的数值。在具体实施中，X可为0.2-0.8之间，最佳数值可通过试验得到。
本发明的方法，提高了SONOS存储器的擦除深度，和擦写窗口，可以有效地提高SONOS的可靠性。

Claims (2)

1.一种改善SONOS存储器中擦除深度的方法，其特征在于：
SONOS存储器为由存储单元排列形成的矩阵结构，每一存储单元包括一SONOS单体和一晶体管，对于SONOS存储器的一个所述存储单元有：该存储单元的所述晶体管的栅极接地字线(WL)，所述SONOS单体的栅极接总字线(WLS)，所述SONOS单体的源极接所述晶体管的漏极，所述SONOS单体的漏极接位线(BL)；
所述存储单元排列成所述SONOS存储器的方式为：所述存储单元按行列方式对齐排列，同一行上的各所述存储单元的所述晶体管的栅极都连接到同一根所述字线(WL)、同一行上的各所述存储单元的所述SONOS单体的栅极都连接到同一根所述总字线(WLS)，同一列上的各所述存储单元的所述SONOS单体的漏极都连接到同一根所述位线(BL)；
在对所有的SONOS单体进行擦除归零操作时，将所有的SONOS单体的所述总字线(WLS)端的操作电压设为(-M-X)V、所述位线(BL)端的操作电压设为(N-X)V；上述M为现有操作条件下，擦除操作时各所述SONOS单体的总字线(WLS)端所接电位的绝对值；N为现有操作条件下，擦除操作时各所述SONOS单体的位线(BL)端所接电位的绝对值；X为电位偏差值，其通过试验得到；因为擦除操作电压差没有变，也没有改变SONOS单体的写入深度；
而对其中一个SONOS单体T进行写入操作时，该SONOS单体T的总字线(WLS)端的操作电压设为(N-X)V、所述位线(BL)端的操作电压设为(-M-X)V；SONOS单体B在位线(BL)端的电压增大时对所述SONOS单体T进行写入操作时，因为发生了比较强的擦除干扰，所以擦除深度在原有基础上进一步加深了，擦除阈值电压更大了；而SONOS单体A和SONOS单体C的擦除阈值电压基本保持不变。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述M为3.5，所述N为7.2，所述X为：0.2-0.8。
CN201010521494.XA 2010-10-27 2010-10-27 改善sonos存储器中擦除深度的方法 Active CN102456409B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010521494.XA CN102456409B (zh) 2010-10-27 2010-10-27 改善sonos存储器中擦除深度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010521494.XA CN102456409B (zh) 2010-10-27 2010-10-27 改善sonos存储器中擦除深度的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102456409A CN102456409A (zh) 2012-05-16
CN102456409B true CN102456409B (zh) 2015-10-14

Family

ID=46039498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010521494.XA Active CN102456409B (zh) 2010-10-27 2010-10-27 改善sonos存储器中擦除深度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102456409B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101692350A (zh) * 2007-10-18 2010-04-07 旺宏电子股份有限公司 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅型与非门闪存的擦除法
CN101763893A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 上海华虹Nec电子有限公司 单管sonos nor型存储器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475119B1 (ko) * 2002-11-26 2005-03-10 삼성전자주식회사 Ｓｏｎｏｓ 셀이 채용된 ｎｏｒ 형 플래시 메모리 소자의동작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101692350A (zh) * 2007-10-18 2010-04-07 旺宏电子股份有限公司 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅型与非门闪存的擦除法
CN101763893A (zh) * 2008-12-24 2010-06-30 上海华虹Nec电子有限公司 单管sonos nor型存储器

Also Published As

Publication number Publication date
CN102456409A (zh) 2012-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102568594B (zh) 一种非易失存储器的过擦除处理方法和处理系统
US20070189078A1 (en) Semiconductor flash memory
CN103680629A (zh) 存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路
CN102937935A (zh) 一种固态存储系统及控制器、提高闪存芯片寿命的方法
CN101430935A (zh) 闪存中过擦除存储单元的检测方法
CN104321822A (zh) 延长的选择栅寿命
CN102426852B (zh) 一种存储阵列单元信息读取方法及系统
CN104751888A (zh) 一种非易失性存储器的掉电保护方法和装置
CN104934064A (zh) 一种nand型闪存存储器的块擦除方法
CN103426477A (zh) 一种NOR Flash 存储器的读方法及装置
CN103811070B (zh) 一种高可靠性NAND Flash的读取方法及其系统
CN102456409B (zh) 改善sonos存储器中擦除深度的方法
CN104538398A (zh) 闪存及其操作方法
CN101866691B (zh) 获得快闪存储单元电容耦合率的方法
CN108074615B (zh) 一种提高nor型flash稳定性的方法及装置
US9129711B2 (en) Semiconductor memory device
CN109215716B (zh) 提高nand型浮栅存储器可靠性的方法及装置
CN102592672A (zh) Flash EEPROM动态参考源电路结构
US11587639B2 (en) Voltage calibration scans to reduce memory device overhead
CN104599705A (zh) 存储器件
CN104751893B (zh) 增强nor型flash可靠性的方法
CN108074614A (zh) 一种提高nor型flash稳定性的方法及装置
CN102142283B (zh) 非易失性存储器的测试方法
CN103839587A (zh) 电可擦可编程只读存储器以及操作方法
CN104882165A (zh) Flash芯片及flash芯片的擦除方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140110

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20140110

Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Applicant before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant