CN102455595A - 延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置 - Google Patents

延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102455595A
CN102455595A CN2010105189242A CN201010518924A CN102455595A CN 102455595 A CN102455595 A CN 102455595A CN 2010105189242 A CN2010105189242 A CN 2010105189242A CN 201010518924 A CN201010518924 A CN 201010518924A CN 102455595 A CN102455595 A CN 102455595A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
storage tank
electromagnetic field
field generator
photoresist storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010105189242A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102455595B (zh
Inventor
乔辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN 201010518924 priority Critical patent/CN102455595B/zh
Publication of CN102455595A publication Critical patent/CN102455595A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102455595B publication Critical patent/CN102455595B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Mixers With Rotating Receptacles And Mixers With Vibration Mechanisms (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明提供了一种延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置,其中,所述方法包括:在光刻胶存储罐内预先放置一磁性棒,并在所述光刻胶存储罐之外设置一电磁场发生器;控制所述电磁场发生器在所述光刻胶存储罐内产生的电磁场,驱动所述磁性棒在所述光刻胶存储罐内按照预设的轨迹移动,以搅动存储在所述光刻胶存储罐内的光刻胶。所述装置包括:光刻胶存储罐、预先放置于所述光刻胶存储罐中的磁性棒以及设置于所述光刻胶存储罐之外、可通过所产生的电磁场驱动所述磁性棒在所述光刻胶存储罐中按照预设的轨迹移动的电磁场发生器。通过使用上述的方法和装置,可延长光刻胶的存储期限,降低光刻胶的损耗,降低生产成本,节约生产时间。

Description

延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置
技术领域
本发明涉及半导体元器件的制造技术,尤其是指一种延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和一种延长光刻胶溶剂的存储期限的装置。
背景技术
在半导体器件的制造过程中,光刻工艺已经成为整个半导体制造工艺中十分重要的技术之一。通过光刻工艺可以实现掩膜图形向实际器件图形的转移,从而在晶圆衬底上制作出极细微尺寸的电路结构图案,因此,光刻工艺的质量将直接左右最终形成的半导体器件的产品质量。
在上述的光刻工艺中,一般需要将光刻胶旋涂在晶圆衬底上,然后通过曝光、显影(Development)、去除已曝光的光刻胶层等工序,最终形成所需的电路结构图案。在现有技术中,业内所使用的各种光刻胶大都是有机光刻胶溶剂,而有机光刻胶溶剂只有在较低温度(例如,5℃左右)时才具有光刻工艺中所需要的最佳粘性,且有机光刻胶溶剂在高温时容易挥发,化学特性也不稳定;所以,在存储光刻胶时,一般都将光刻胶储存在密闭、低温、不透光的光刻胶存储罐(PR Bottle)中,同时还必须规定光刻胶的存储期限(Resist Lifetime)和存贮温度环境。一旦超过存储期限或处于较高的温度环境中,光刻胶中的单个高分子链(single polymer chain)将逐步生长成高分子聚团(polymer aggregation),使得光刻胶中出现凝胶(gel)或微沫(micro-scum),从而降低光刻工艺的质量,对所形成的半导体器件的电学参数(例如,Vt)的均匀性和稳定性造成不良影响;而且,上述的高分子聚团也是半导体器件中产生跨接缺陷(bridging defect)的根本原因。因此,在低温环境中,光刻胶的存储期限一般为3个月;而在非低温环境中(例如,将光刻胶存储于光刻胶涂敷装置中),光刻胶的存储期限则仅为1周。在现有技术中,为了避免光刻胶中出现的凝胶或微沫对后续工艺造成不良影响,在使用光刻胶之前将需要对光刻胶进行过滤(filter),以滤除光刻胶中可能存在的凝胶或微沫,从而延长了生产时间,增加了生产成本。
综上可知,在现有技术中,由于光刻胶在存储期间容易出现凝胶或微沫,所以使得光刻胶的存储期限较短,而且在使用光刻胶之前还需要对光刻胶进行过滤,增加了生产成本,造成了生产时间的浪费。
发明内容
本发明提供了一种延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置,从而可延长光刻胶的存储期限,降低生产成本。
为达到上述目的,本发明中的技术方案是这样实现的:
一种延长光刻胶溶剂的存储期限的方法,该方法包括:
在光刻胶存储罐内预先放置一磁性棒,并在所述光刻胶存储罐之外设置一电磁场发生器;
控制所述电磁场发生器所产生的电磁场,驱动所述磁性棒在所述光刻胶存储罐内按照预设的轨迹移动,以搅动存储在所述光刻胶存储罐内的光刻胶。
所述磁性棒的长度为2~4cm,其直径为0.5~1cm。
所述磁性棒的密度大于光刻胶溶剂的密度。
所述磁性棒的外表面还覆盖有一层防止光刻胶溶剂与所述磁性棒发生化学反应的保护层。
所述保护层的材料为陶瓷或塑料。
所述在所述光刻胶存储罐之外设置一电磁场发生器包括:
所述电磁场发生器设置于所述光刻胶存储罐顶部的外侧、底部的外侧和/或环绕于该光刻胶存储罐侧壁的外侧。
所述电磁场发生器为预设形状的电磁线圈;其中,所述的预设形状为是环形、矩形或S形。
所述控制所述电磁场发生器所产生的电磁场包括:
通过改变通过所述电磁场发生器中的电流的大小、方向和/或频率来调节所述电磁场发生器所产生的电磁场的强度和/或方向,产生所需的电磁场。
所述电磁场发生器所产生的电磁场为绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的环形磁场。
所述预设的轨迹为:
绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹;
或者,在所述光刻胶存储罐内进行上下往复运动的轨迹;
或者,绕垂直于所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹。
当所述磁性棒沿着绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹移动时,所述磁性棒的移动速度为:1~2圈/秒。
本发明的实施例中还提出了一种延长光刻胶溶剂的存储期限的装置,该装置包括:
用于存储光刻胶溶剂的光刻胶存储罐;
预先放置于所述光刻胶存储罐中的磁性棒;
设置于所述光刻胶存储罐之外、可通过所产生的电磁场驱动所述磁性棒在所述光刻胶存储罐中按照预设的轨迹移动的电磁场发生器。
所述存储装置还进一步包括:托盘;
所述托盘,用于支承所述光刻胶存储罐;
所述电磁场发生器设置于所述托盘之中。
综上可知,本发明中提供了一种延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置。在所述延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置中,由于在光刻胶存储罐之外设置了电磁场发生器,并在光刻胶存储罐内设置了磁性棒,因此可通过控制电磁场发生器所产生的电磁场,驱动上述磁性棒在光刻胶存储罐内移动,以搅动光刻胶存储罐内的光刻胶,使得光刻胶在存储期间不会出现凝胶或微沫,从而延长了光刻胶的存储期限,降低了光刻胶的损耗,降低了生产成本,节约了生产时间。
附图说明
图1为本发明中的延长光刻胶溶剂的存储期限的方法的流程图。
图2为本发明中的延长光刻胶溶剂的存储期限的装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点表达得更加清楚明白,下面结合附图及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明。
本发明提供了一种延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置,在该方法和装置中,将在光刻胶存储罐之外设置一电磁场发生器,并在光刻胶存储罐内设置一磁性棒,通过控制电磁场发生器所产生的电磁场,驱动上述磁性棒在光刻胶存储罐内移动,以搅动光刻胶存储罐内的光刻胶,使得光刻胶在存储期间不会出现凝胶或微沫,从而延长了光刻胶的存储期限,降低了光刻胶的损耗,降低了生产成本,节约了生产时间。
图1为本发明中的延长光刻胶溶剂的存储期限的方法的流程图。如图1所示,在本发明中的延长光刻胶溶剂的存储期限的方法中,主要包括如下所述的步骤:
步骤101,在光刻胶存储罐内预先放置一磁性棒,并在该光刻胶存储罐之外设置一电磁场发生器。
在本步骤中,将预先在光刻胶存储罐内放置一磁性棒,该磁性棒具有北(N)极和南(S)极。另外,该磁性棒外表面还可包裹一保护层,该保护层用于防止光刻胶溶剂与该磁性棒发生化学反应。较佳的,该保护层的材料可以是陶瓷或塑料。进一步的,该磁性棒的密度大于光刻胶溶剂的密度,因此,该磁性棒在静止状态时可静止于上述光刻胶存储罐底部的任意位置上,从而在取用该光刻胶存储罐内的光刻胶时,该磁性棒不会被很容易地直接倒出或取出该光刻胶存储罐。在本发明的具体实施例中,还可以根据光刻胶存储罐的实际大小预先设置上述磁性棒的尺寸。例如,由于常用的光刻胶存储罐的直径一般为5~10厘米(cm),因此,可以将上述磁性棒的长度设置为2~4cm,而该磁性棒的直径则可以设置为0.5~1cm。
另外,在本步骤中还将在所述光刻胶存储罐外设置一电磁场发生器,用于根据实际情况的需求在所述光刻胶存储罐内产生相应的电磁场。较佳的,在本发明的具体实施例中,上述电磁场发生器可以是预设形状的电磁线圈,其中所述的预设形状可以是环形、矩形、S形或其它各种可能的形状。
此外,在本发明的具体实施例中,所述在光刻胶存储罐外设置一电磁场发生器可以是:在所述光刻胶存储罐顶部的外侧、底部的外侧和/或环绕于该光刻胶存储罐侧壁的外侧设置一电磁场发生器。例如,可在该光刻胶存储罐底部的外侧设置一电磁场发生器,此时,则还可以进一步设置一托盘,并将上述电磁场发生器设置于上述托盘之中,从而在后续的步骤102中,当需要对光刻胶存储罐内的光刻胶进行搅动时,可将上述光刻胶存储罐放置于上述托盘之上后,再控制所述电磁场发生器在所述光刻胶存储罐内产生的电磁场,驱动所述光刻胶存储罐内的磁性棒对光刻胶存储罐内的光刻胶进行搅动。
步骤102,控制电磁场发生器所产生的电磁场,驱动磁性棒在该光刻胶存储罐内按照预设的轨迹移动,以搅动存储在该光刻胶存储罐内的光刻胶。
在本步骤中,当需要对光刻胶存储罐内的光刻胶进行搅动时,可先将上述电磁场发生器和放置有磁性棒的光刻胶存储罐放置在一起,然后通过多种控制方法来控制上述电磁场发生器,从而使得上述电磁场发生器可根据实际情况的需求在上述光刻胶存储罐内产生相应的电磁场(例如,可通过改变通过该电磁场发生器中的电流的大小、方向和/或频率等参数的方式来调节该电磁场发生器所产生的电磁场的强度和/或方向,从而产生所需的电磁场),以驱动上述放置于光刻胶存储罐中的磁性棒在上述光刻胶存储罐内按照预设的轨迹移动(例如,平动和/或转动),从而搅动光刻胶存储罐内的光刻胶,破坏光刻胶中的单个高分子链逐步生长成高分子聚团的进程,使得上述光刻胶在存储期间即使是处于较高的温度环境下,也不会出现凝胶或微沫。
例如,在本发明的具体实施例中,上述预设的轨迹可以是绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹,如图2所示。此时,上述电磁场发生器可设置于上述光刻胶存储罐底部的外侧,或者是上述电磁场发生器环绕于上述光刻胶存储罐侧壁的外侧。其中,该电磁场发生器可以是电磁线圈。因此,可通过调整该电磁场发生器所产生的电磁场的强度和/或方向(例如,改变该电磁场发生器中的电流的大小、方向和/或频率),在所述光刻胶存储罐内产生如图2所示的绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的环形磁场。此时,放置于所述光刻胶存储罐内的磁性棒将在该环形磁场的作用下,沿着绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹运动,从而可对所述光刻胶存储罐内的光刻胶进行搅动。
在本发明的具体实施例中,上述预设的轨迹也可以其它的在光刻胶存储罐内进行移动的轨迹,例如,在所述光刻胶存储罐内进行上下往复运动的轨迹、或者绕垂直于所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹、或沿绕任意轴旋转的圆形轨迹、或以其它移动方式(例如,无规则运动)移动的运动轨迹等。因此,可以根据上述预设的轨迹对上述该电磁场发生器进行调节,使得该电磁场发生器在所述光刻胶存储罐内产生相应的电磁场,驱动上述磁性棒沿所述预设的轨迹移动。
另外,由于只要驱动磁性棒对光刻胶存储罐内的光刻胶进行适当地搅动,即可破坏光刻胶中的单个高分子链逐步生长成高分子聚团的进程,使得上述光刻胶在存储期间不会出现凝胶或微沫,因此,在本发明的具体实施例中,可以根据预设的周期将上述电磁场发生器和放置有磁性棒的光刻胶存储罐放置在一起,并对光刻胶存储罐内的光刻胶进行预设时间的搅动即可,而不必一直对光刻胶存储罐内的光刻胶进行搅动。例如,可以每隔n小时对放置有磁性棒的光刻胶存储罐搅动m分钟,其中,n和m的数值可根据实际情况预先设定。而且,在本发明的具体实施例中,上述磁性棒的还可以按预设的移动速度在光刻胶存储罐内移动。例如,当上述磁性棒沿着绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹移动时,该磁性棒的移动速度可以是:1~2圈/秒。
此外,根据上述的延长光刻胶溶剂的存储期限的方法,在本发明的实施例中,还提供了一种延长光刻胶溶剂的存储期限的装置。图2为本发明中的延长光刻胶溶剂的存储期限的装置的结构示意图。如图2所示,该装置包括:
用于存储光刻胶溶剂的光刻胶存储罐1;
预先放置于所述光刻胶存储罐1中的磁性棒2;
设置于所述光刻胶存储罐1之外、可通过所产生的电磁场驱动所述磁性棒2在所述光刻胶存储罐1中按照预设的轨迹移动的电磁场发生器3。
其中,所述磁性棒2的密度大于光刻胶溶剂的密度;所述磁性棒的长度可以为2~4cm,其直径则可以为0.5~1cm。
进一步的,在本发明的具体实施例中,所述磁性棒2的外表面还覆盖有一层防止光刻胶溶剂与所述磁性棒发生化学反应的保护层。所述保护层的材料可以是防止光刻胶溶剂与该磁性棒发生化学反应的材料,例如,陶瓷或塑料等材料。另外,所述电磁场发生器可设置于上述光刻胶存储罐顶部的外侧、底部的外侧和/或环绕于该光刻胶存储罐侧壁的外侧。另外,上述存储装置还可进一步包括:托盘(图2中未示出),用于支承所述光刻胶存储罐;上述电磁场发生器可设置于上述托盘之中。此外,上述电磁场发生器可以是预设形状的电磁线圈,其中所述的预设形状可以是环形、矩形、S形或其它各种可能的形状。
综上可知,在本发明的实施例中提出了上述的延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置和存储装置。在上述延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置和存储装置中,由于将在光刻胶存储罐外设置一电磁场发生器,并在光刻胶存储罐内设置一磁性棒,因此可通过控制电磁场发生器所产生的电磁场,驱动上述磁性棒在光刻胶存储罐内移动,以搅动光刻胶存储罐内的光刻胶,使得光刻胶在存储期间不会出现凝胶或微沫,从而延长了光刻胶的存储期限,降低了光刻胶的损耗,降低了生产成本,节约了生产时间。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (13)

1.一种延长光刻胶溶剂的存储期限的方法,其特征在于,该方法包括:
在光刻胶存储罐内预先放置一磁性棒,并在所述光刻胶存储罐之外设置一电磁场发生器;
控制所述电磁场发生器所产生的电磁场,驱动所述磁性棒在所述光刻胶存储罐内按照预设的轨迹移动,以搅动存储在所述光刻胶存储罐内的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述磁性棒的长度为2~4cm,其直径为0.5~1cm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述磁性棒的密度大于光刻胶溶剂的密度。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述磁性棒的外表面还覆盖有一层防止光刻胶溶剂与所述磁性棒发生化学反应的保护层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:
所述保护层的材料为陶瓷或塑料。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述光刻胶存储罐之外设置一电磁场发生器包括:
所述电磁场发生器设置于所述光刻胶存储罐顶部的外侧、底部的外侧和/或环绕于该光刻胶存储罐侧壁的外侧。
7.根据权利要求1或6所述的方法,其特征在于:
所述电磁场发生器为预设形状的电磁线圈;其中,所述的预设形状为是环形、矩形或S形。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制所述电磁场发生器所产生的电磁场包括:
通过改变通过所述电磁场发生器中的电流的大小、方向和/或频率来调节所述电磁场发生器所产生的电磁场的强度和/或方向,产生所需的电磁场。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述电磁场发生器所产生的电磁场为绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的环形磁场。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设的轨迹为:
绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹;
或者,在所述光刻胶存储罐内进行上下往复运动的轨迹;
或者,绕垂直于所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:
当所述磁性棒沿着绕所述光刻胶存储罐的轴向旋转的圆形轨迹移动时,所述磁性棒的移动速度为:1~2圈/秒。
12.一种延长光刻胶溶剂的存储期限的装置,其特征在于,该装置包括:
用于存储光刻胶溶剂的光刻胶存储罐;
预先放置于所述光刻胶存储罐中的磁性棒;
设置于所述光刻胶存储罐之外、可通过所产生的电磁场驱动所述磁性棒在所述光刻胶存储罐中按照预设的轨迹移动的电磁场发生器。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述存储装置还进一步包括:托盘;
所述托盘,用于支承所述光刻胶存储罐;
所述电磁场发生器设置于所述托盘之中。
CN 201010518924 2010-10-25 2010-10-25 延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置 Active CN102455595B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010518924 CN102455595B (zh) 2010-10-25 2010-10-25 延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201010518924 CN102455595B (zh) 2010-10-25 2010-10-25 延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102455595A true CN102455595A (zh) 2012-05-16
CN102455595B CN102455595B (zh) 2013-06-26

Family

ID=46038930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010518924 Active CN102455595B (zh) 2010-10-25 2010-10-25 延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102455595B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109533689A (zh) * 2018-10-29 2019-03-29 惠州市豪鹏科技有限公司 一种电池浆料储存装置和储存方法
CN115196202A (zh) * 2022-07-08 2022-10-18 万华化学集团股份有限公司 纯mdi存储装置及应用其延长纯mdi存储期限的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1675110A (zh) * 2002-08-14 2005-09-28 Az电子材料(日本)株式会社 用于存储和运输液体化学品的容器
JP2005263264A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd フォトレジスト組成物用容器
WO2006055132A2 (en) * 2004-11-15 2006-05-26 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid dispensing system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1675110A (zh) * 2002-08-14 2005-09-28 Az电子材料(日本)株式会社 用于存储和运输液体化学品的容器
JP2005263264A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd フォトレジスト組成物用容器
WO2006055132A2 (en) * 2004-11-15 2006-05-26 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid dispensing system
WO2006055132A3 (en) * 2004-11-15 2007-01-04 Advanced Tech Materials Liquid dispensing system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109533689A (zh) * 2018-10-29 2019-03-29 惠州市豪鹏科技有限公司 一种电池浆料储存装置和储存方法
CN115196202A (zh) * 2022-07-08 2022-10-18 万华化学集团股份有限公司 纯mdi存储装置及应用其延长纯mdi存储期限的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102455595B (zh) 2013-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Feng et al. Liquid knife” to fabricate patterning single-crystalline perovskite microplates toward high-performance laser arrays
Chen et al. Simple and fast patterning process by laser direct writing for perovskite quantum dots
CN102455595B (zh) 延长光刻胶溶剂的存储期限的方法和装置
WO2018045968A1 (zh) 一种液态金属三维宏观结构的悬浮打印成形方法
CN105033256B (zh) 一种低熔点金属冷冻打印系统及方法
CN106585061B (zh) 一种高质量量子点荧光薄膜材料及其制备方法
CN105098002A (zh) 一种光刻胶、量子点层图案化的方法及qled、量子点彩膜和显示装置
CN103926789A (zh) 纳米压印模板、系统以及压印方法
CN103293777A (zh) 显示面板、应用其的显示装置及显示面板的制造方法
CN104051259A (zh) 旋涂工艺的增厚阶段
US10937572B2 (en) Apparatus and method for forming an article
US20220126509A1 (en) Apparatus for continuous high-speed 3d printing
CN106565242B (zh) 一种提高镧钙锰氧陶瓷材料电学性能的方法
JP2020047856A (ja) 膜形成方法および膜形成装置
US20190295879A1 (en) Wafer holding mechanism for rotary table and method and wafer rotating and holding device
CN103777340B (zh) 一种磁性高分子材料载玻片及盖玻片的制作方法
CN107399713A (zh) 基于功能材料微纳三维复杂结构的原位反应直写制造方法
JP2013214689A (ja) 半導体装置の製造方法および塗布装置
CN109742263B (zh) 一种电致发光器件的制备方法和制作设备
CN207502910U (zh) 涂胶装置
CN113707405B (zh) 一种适用于真空镀膜设备的磁场发生装置
CN102001856A (zh) 软磁铁氧体磁芯废料的回收再生的方法
CN205429170U (zh) 一种调整螺旋天线直径的装置及螺旋天线
CN203381197U (zh) 数字光信号处理立体成型机
CN113025124B (zh) 一种有机半导体墨水及全喷墨打印有机电化学晶体管器件的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING

Effective date: 20121116

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121116

Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

Applicant after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation

Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Applicant before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant