CN102447003B - 制造太阳能电池的方法以及用该方法制造的太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
公开了一种通过处理太阳能电池的硅基片表面而制造太阳能电池的方法，由该方法制造的太阳能电池以及用于实施该方法的基片处理系统。制造太阳能电池的方法包括突起形成步骤，其包括湿蚀刻处理而且用于在晶体硅基片的光接收表面上形成多个微小突起，以及平面化步骤，在突起形成步骤之中或之后对底面即与基片的光接收表面相对的表面进行平面化。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池，特别是一种通过处理太阳能电池的硅基片的表面制造太阳能电池的方法，以及由该方法制造的太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是指一种能够通过使用光电效应之一的光电动效应产生电动势的电池。
根据基片的材料，太阳能电池可以分类为硅基太阳能电池、化合物半导体太阳能电池、化合物或层压式太阳能电池。这里，硅基太阳能电池可以分类为比如单晶硅和多晶硅的晶体硅太阳能电池，以及无定形硅太阳能电池。
太阳能电池的效率由比如基片反射率的多个因素决定，并通过最小化光接收表面上的反射率而最大化。
在具有相对低制造成本的晶体硅太阳能电池领域，为了提高太阳能电池的效率，提出了各种用于最小化反射率的方法。
由晶体硅制造的太阳能电池(装置)，特别是多晶硅经历下面的步骤。
首先，通过对晶体硅锭切片而制造基片。
被切下的基片经历突起形成步骤以降低光接收表面上的反射率以及移除在切片处理期间发生在基片表面上的损伤。结果是，在基片的光接收表面上形成了多个突起。
已经过突起形成步骤的基片经历杂质掺杂和扩散过程，由此具有半导体结构。在光接收表面上形成防反射膜之后，在光接收表面和底面上形成电极。结果，制造出太阳能电池。
在通过湿蚀刻处理实施突起形成步骤的情况下，不仅基片的光接收表面而且其底面都被蚀刻。这可能引起基片的底面具有不希望的突起。
为了解决所述问题，在通过湿蚀刻处理实施突起形成步骤的情况下，在基片的底部形成防止突起形成的掩膜。
但是在基片的底面上形成掩膜后，必须移除掩膜。这可能引起整个处理变得复杂，并使得制造成本增加。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种制造太阳能电池的方法，以及用该方法制造的太阳能电池，该方法通过额外地实施用于移除湿蚀刻处理期间在基片底面上形成的耸起或微小突起的平面化处理，在基片的光接收表面上形成微小突起的步骤包括湿蚀刻处理的情况下，不需要为避免基片底面上微小突起的形成而形成掩膜，能够简化整个过程并降低制造成本。
为了获得这些和其它的优势，且根据本发明的目的，如这里所具体表现和宽泛描述的，提供了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：包含湿蚀刻处理、并用于在晶体硅基片的光接收表面上形成多个微小突起的突起形成步骤；对突起形成步骤之中或之后，对底面即与基片的光接收表面相对的表面进行平面化的平面化步骤。
突起形成步骤可以只通过湿蚀刻处理进行。
突起形成步骤可以包括通过使用酸性水溶液蚀刻基片而在基片的外表面上形成多个第一突起的第一突起形成步骤；以及对通过第一突起形成步骤使其上具有第一突起的外表面的光接收表面进行干蚀刻，形成多个小于第一突起的第二突起的第二突起形成步骤，所述光接收表面待形成防反射膜。可以在第二突起形成步骤之前或之后，进行平面化步骤。
突起形成步骤可以包括通过湿蚀刻处理移除基片表面的表面损伤的表面损伤移除步骤；和通过干蚀刻基片的光接收表面而形成微小突起的微小突起形成步骤。平面化步骤可以在突起形成步骤之前或之后进行。
平面化步骤可以通过湿蚀刻处理或者通过使蚀刻气体进入等离子体状态的干蚀刻处理进行。
蚀刻气体可以包括氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)，和氧(O2)中的至少一种。
平面化步骤可以通过用形成有多个开口的盖元件覆盖装载有多个基片的托盘进行。
盖元件可以形成为使得在基片和开口之间形成的空间朝着盖元件的侧表面敞开。
该方法可以进一步包括在突起形成步骤之前，或平面化步骤之后将基片的光接收表面和底面倒置的基片倒置步骤。
该方法可以进一步包括在突起形成步骤之前或之后形成p-n结结构的半导体层形成步骤。
为了获得这些和其它优势，且根据本发明的目的，如这里所具体表现和宽泛描述的，还提供了一种通过制造太阳能电池的方法所制造的太阳能电池。
本发明可具有如下优点。
第一，通过额外地实施平面化处理来移除在湿蚀刻处理期间基片底面上形成的突起和/或微小突起，在基片的光接收表面上形成微小突起的步骤包含湿蚀刻处理的情况下，不需要为了避免在基片的底面上形成突起而形成掩膜，可以简化整个过程并降低制造成本。
第二，在传统技术中，在通过湿蚀刻处理实施突起形成步骤的情况下，用于避免突起形成的掩膜形成在基片的底部。然后，在基片的底面上形成掩膜之后，所述掩膜必须被移除。这可能引起整个过程变得复杂。
相反，在本发明中，在不在基片的底面上形成掩膜的情况下，可以进一步包括移除在湿法蚀刻处理期间基片底面上形成的耸起(或微小突起)的平面化步骤。这可以比传统技术更加简化整个过程。
第三，在传统技术中，由于用来避免蚀刻的掩膜形成在基片的底面上，表面损伤可能留在基片的底面上。这可能影响到后面的处理。
但是，在本发明中，对于基片的底面可以附加地实施平面化步骤而不进行掩膜形成处理和掩膜移除处理。这可以容许留在基片底面上的表面损伤被完全移除。
本发明的前述和其它目的、特点、方面和优点将从下面结合附图对本发明的详细说明中变得更加显而易见。
附图说明
附图被列入以对本发明提供进一步的理解且合并进来构成本说明书的一部分，其图示了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在图中：
图1是示出了太阳能电池结构的一个举例的截面图；
图2是示出了依据本发明制造太阳能电池的工序的流程图；
图3是示出了用于制造图1中太阳能电池的方法的突起形成步骤的第二个实施例的流程图；
图4是示出了通过图3的突起形成步骤的第一突起形成步骤进行表面处理的基片的部分截面图；
图5是示出了已通过图3的突起形成步骤形成第一和第二突起的状态的示意图；
图6是示出了已通过制造图1的太阳能电池的方法中的突起形成步骤的第一突起形成步骤形成微小突起的状态的示意图；
图7是示出了制造图1的太阳能电池的方法的突起形成步骤的第三实施例的流程图；和
图8是示出了在图2的太阳能电池制造方法中已经过突起形成步骤的第一突起形成步骤和平面化步骤的基片的部分截面图。
具体实施例
现在将参照附图详细地给出本发明的说明。
以下，参考所附附图更加详细地阐述制造太阳能电池的方法、由该方法制造的太阳能电池以及用于实施该方法的基片处理系统。
图1是示出了太阳能电池结构的一个举例的截面图，以及图2是示出了依据本发明用于制造太阳能电池的工序的流程图。
如图1所示，由根据本发明的制造太阳能电池的方法所制造的太阳能电池的一个举例包括具有‘p-n’结结构的基片1，分别形成在所述基片的光接收表面(上表面)和底面上的第一电极2和第二电极3，以及形成在基片1的光接收表面上的防反射膜4。
基片1可以由单晶或多晶硅形成，更优选地，为多晶硅。
根据太阳能电池的类型，基片的半导体结构、电极等可以具有各种变型。例如，电极可以只在基片1的底面而不在光接收表面上形成。
如图2所示，制造太阳能电池的方法包括含有湿蚀刻处理并用于在晶体硅基片1的光接收表面上形成多个微小突起20的突起形成步骤S10，以及在突起形成步骤S10之中或之后对底面、即与基片1的光接收表面相对的表面进行平面化处理的平面化步骤S20。
1.突起形成步骤
这一步骤用于在基片1的光接收表面上形成多个微小突起20以降低反射率，并包括湿蚀刻处理。这一步骤通过湿蚀刻处理，或通过湿蚀刻处理和干蚀刻处理的组合而实施。
突起形成步骤的第一实施例(只由湿蚀刻处理实施)
在只由湿蚀刻处理实施突起形成步骤S10的情况下，可以使用碱性水溶液或酸性水溶液。
当硅基片由单晶硅形成时，通过使用碱性水溶液实施突起形成步骤。另一方面，当硅基片由多晶硅形成时，通过使用酸性水溶液，比如HF和HNO3的酸性水溶液，实施突起形成步骤。
突起形成步骤的第二实施例(通过湿蚀刻处理和干蚀刻处理的第一组
合实施)
图3是示出了制造图1中太阳能电池的方法的突起形成步骤的第二实施例的流程图，图4是示出了通过图3的突起形成步骤的第一突起形成步骤进行表面处理的基片的部分截面图，图5是示出了已通过图3的突起形成步骤形成第一和第二突起的状态的示意图，并且图6是示出了已通过制造图1的太阳能电池的方法中的突起形成步骤的第一突起形成步骤形成微小突起的状态的示意图。
为了方便，图4至6是示意性地示出。蚀刻深度、基片最上端的高度、和基片的尺寸可以具有偏差，而且截面形状或实际形状是不规则和多样的。
如图3所示，通过湿蚀刻处理和干蚀刻处理的组合实施的突起形成步骤S10包括使用酸性水溶液蚀刻基片1而在基片1的外表面上形成多个第一突起10的第一突起形成步骤S210，以及对通过第一突起形成步骤S210形成有第一突起10的外表面的光接收表面进行干蚀刻而形成多个第二突起20的第二突起形成步骤S220，所述光接收表面待形成防反射膜4。
第一突起形成步骤S210是通过使用酸性水溶液蚀刻晶体硅基片1的外表面而形成第一突起10。尤其是，第一突起形成步骤S210是在如图4所示的基片1的外表面上形成第一突起10。
在第一突起形成步骤S210中使用酸性水溶液的情况下，基片1待形成防反射膜4处的光接收表面上的反射率比在第一突起形成步骤S210中使用碱性水溶液的情况低得多。这可以增加光接收量以提高太阳能电池的性能。
在第一突起形成步骤S210中使用碱性水溶液的情况下，所述步骤受基片1的材料影响很大。相反，在使用酸性水溶液的情况下，对基片1材料的依赖性可以降低。
在第一突起形成步骤S210中所使用的酸性水溶液可以是包含HNO3和HF的水溶液，而且可以考虑蚀刻温度、蚀刻深度等来确定重量比、浓度等。
优选地，在第一突起形成步骤S210中所使用的酸性水溶液是包含具有1∶1～5.5∶1的重量比的HNO3和HF的水溶液。这里，所述水溶液可以进一步包括表面活性剂和催化剂等。
可以使用包括HNO3、HF和CH3COOH(或去离子水)的水溶液作为酸性水溶液。
优选地，在第一突起形成步骤S210中的蚀刻深度在1μm～10μm的范围。
在第一突起形成步骤S210中的第一突起10可以通过形成蚀刻深度为1μm～10μm且直径为2μm～20μm的半球形凹槽(假设形成了理想形状的凹槽)而合意地形成。
第一突起形成步骤S210可以通过内联(inline)法或浸渍法实施。这里，内联法是通过在含有碱性水溶液或酸性水溶液(优选为酸性水溶液)的沾湿台中用滚轴传输基片1实施蚀刻处理。而浸渍法是通过在含有碱性水溶液或酸性水溶液(优选为酸性水溶液)的沾湿台中浸渍基片1来实施蚀刻处理。
在通过内联法实施第一突起形成步骤S210的情况下，蚀刻处理可以在6～10℃的温度下进行1～10分钟。
在通过浸渍法实施第一突起形成步骤S210的情况下，蚀刻处理可以在6～10℃的温度下进行15～25分钟。
通过使用酸性水溶液的湿蚀刻处理实施的第一突起形成步骤S210可以进一步包括用于干燥和清洗已经过蚀刻处理的基片1的表面的后续处理。
如图6所示，假设在通过第一突起形成步骤S210形成有第一突起10的外表面之中，待形成防反射膜4的表面的面积是实际表面积(Sr)，而在完全平坦状态下的表面的面积是理想表面积(Si)。在这些假定之下，已经过第一突起形成步骤S210的晶体硅基片1的实际表面积(Sr)和理想表面积之间的比率优选地在1.2～3.2的范围。
如果所述比率小于1.2，存在一个问题，即由于形成的第一突起10的数量小，由第一突起形成步骤S210导致的反射率的降低程度不显著。
如果所述比率大于3.2，存在一个问题，即由于在后续步骤，即第二突起形成步骤S220中的等离子体的反应不强，表面处理效果下降。另外，如果所述比率大于3.2，存在一个问题，即由于在后续步骤(电极形成步骤S50)中用于形成电极的金属材料的扩散被干扰而形成了间隙。
在第一突起形成步骤S210之前，本发明的方法可以进一步包括使用线锯对硅锭切片来处理硅基片1的基片处理步骤。
在基片处理步骤之后和第一突起形成步骤S210之前，本发明的方法可以进一步包括用于移除在基片处理步骤中基片1表面上的损伤的表面损伤移除步骤。
表面损伤移除步骤是通过使用碱性水溶液或酸性水溶液而移除基片1的表面损伤。表面损伤移除步骤可以与第一突起形成步骤S210一起实施。
第二突起形成步骤S220是通过对在第一突起形成步骤S210中进行表面处理的外表面的光接收表面进行干蚀刻而形成多个第二突起20，所述光接收表面待形成防反射膜4。第二突起形成步骤S220是在如图5所示的基片1的光接收表面上形成多个第二突起20。这里，第二突起20小于第一突起10。第一突起10具有2μm～20μm的宽度和1μm～10μm的高度，而第二突起20具有100nm～800nm的尺寸，比如1μm～10μm的高度。
在第二突起形成步骤S220中实施的干蚀刻是用于通过对蚀刻气体进行等离子化而蚀刻基片1，并且可以通过反应离子蚀刻(RIE)方法或通过使用ICP(电感耦合等离子体)实施。
用于干蚀刻的蚀刻气体可以包括Cl2/CF4/O2、SF6/O2、CHF3/SF6/O2、NF3和F2，以及其混合物。这里，干蚀刻进行大约几秒～几分。
当干蚀刻由RIE方法实施，形成有多个开口的盖元件(未示出)可以安装在基片1上方以加快第二突起20的形成。
这里，干蚀刻可以通过传输装载有多个基片1的托盘，以及通过将基片装载到干蚀刻设备内的基片支撑盘上而实施。
已在第二突起形成步骤S220中经过表面处理的基片1如图5所示。
在第一突起形成步骤S210中形成的比第一突起10小的多个第二突起20形成在基片1的表面上。
如图5所示，每一个第二突起20具有三角形截面表面，并且一侧朝着第一突起10的顶部，并且短于另一侧。
突起形成步骤的第三实施例(通过湿蚀刻处理和干蚀刻处理的第二组
合实施)
图7是示出了制造图1的太阳能电池的方法的突起形成步骤的第三实施例的流程图。
突起形成步骤S10通过湿蚀刻处理和干蚀刻处理的另一种组合实施。并且，突起形成步骤S10包括通过湿蚀刻处理移除在基片1表面上产生的表面损伤的表面损伤移除步骤S310，以及通过对基片1待形成防反射膜4处的光接收表面(上表面)干蚀刻而形成多个第二突起20的微小突起形成步骤S320。
表面损伤移除步骤S310是通过使用酸性水溶液或碱性水溶液，在制造晶体硅基片1的切片处理期间移除形成于基片1表面的表面损伤。
可以使用HNO3和HF，HNO3、HF和CH3COOH(或去离子水)的混合物作为酸性水溶液。这里，混合物中H2O的比例可以由本领域的技术人员确定。
在使用碱性水溶液的情况下，表面损伤移除步骤S310可以在80℃～90℃的温度下进行大约15～25分钟。可以使用NaOH或KOH作为碱性水溶液。可替代地，IPA(2-异丙醇)可以添加到碱性水溶液中。
当硅基片是单晶体时，表面损伤移除步骤S310优选通过使用碱性水溶液实施。另一方面，当硅基片是多晶体时，表面损伤移除步骤S310优选通过使用酸性水溶液实施。
微小突起形成步骤S320以与第二实施例的第二突起形成步骤S220类似的方式实施，并且因此将省略其详细的解释。
2.平面化步骤
图8是在图2的太阳能电池制造方法中，已经过突起形成步骤的第一突起形成步骤和平面化步骤的基片的部分截面图。
平面化步骤S20是用于对基片1的底面，即与待形成防反射膜4的光接收表面相对的表面进行平面化。即，平面化步骤S20用于移除不期望的微小突起，比如在突起形成步骤S10中通过湿蚀刻处理在基片1的底面上形成的突起。这一平面化步骤S20可以通过湿蚀刻处理或干蚀刻处理实施。
平面化步骤S20可以在突起形成步骤S10期间实施，更具体地，在突起形成步骤S10中的湿蚀刻处理之后，或突起形成步骤S10之后实施。
在突起形成步骤S10的第一实施例的情况下，平面化步骤S20可以在突起形成步骤S10之后实施。
并且，在突起形成步骤S10的第二实施例的情况下，平面化步骤S20可以在第一突起形成步骤S210之后、但是在第二突起形成步骤S220之前，或者在第二突起形成步骤S220之后实施。
如图8所示，在平面化步骤S20中，在第一突起形成步骤S210中形成有第一突起10的外表面中，从基片1的底面移除第一突起10。这里，底面是与待形成防反射膜4的光接收表面相对的表面。
在突起形成步骤S10的第三实施例的情况下，平面化步骤S20可以在表面损伤移除步骤S310之后但是在微小突起形成步骤S320之前，或者在微小突起形成步骤S320之后实施。
以下将更详细地说明平面化步骤S20。
平面化步骤S20用于移除在突起形成步骤S10中形成于基片1底面上的突起。用类似于第二实施例的第二突起形成步骤S220的方式，平面化步骤S20可以通过使用碱性水溶液或酸性水溶液的湿蚀刻处理，或者通过比如RIE和ICP方法的干蚀刻处理实施。
在通过湿蚀刻处理实施平面化步骤S20的情况下，只有基片1的底面必须被蚀刻。因此，优选采用内联法用于通过在含有碱性水溶液或酸性水溶液(优选为酸性水溶液)的沾湿台中用滚轴传输基片1而实施蚀刻处理。
在通过干蚀刻处理实施平面化步骤S20的情况下，将基片1装载到处理模块(未示出)，即干蚀刻设备之中，以使得基片1的底面可以朝向上侧。然后，使用RIE或ICP，将基片1蚀刻至大约3～10μm的深度。
用于实施平面化步骤S20的处理模块可以具有任意的构造以使蚀刻气体进入等离子体态，即实施RIE和ICP。
为了均匀蚀刻，平面化步骤S20可以在用形成有多个开口的盖元件(未示出)覆盖装载有多个基片1的托盘之后实施。
根据处理方法，盖元件可以由不同的材料制成。优选地，盖元件由对于等离子体具有高耐受性的材料制成。盖元件可以由铝或者其合金制成。
优选地，盖元件形成为使得在基片1和开口之间形成的空间能够朝着盖元件的侧表面敞开。
如果盖元件形成为使得在基片1和开口之间形成的空间能够朝着侧表面敞开，当硅基片1被蚀刻时，蚀刻材料沿着盖元件的敞开的侧表面移动。这样可容许基片1更加顺利地经历平面化步骤S20。
用盖元件覆盖托盘的处理以及从托盘揭开盖元件的处理可以在处理模块的外部或者内部进行。但是考虑到处理模块的构造，所述处理优选在处理模块的外部进行。
用于平面化步骤S20的蚀刻气体可包括氯(Cl)、氟(F)、溴(Br)和氧(O2)中的至少一种，而且可以包括SF6/O2、SF6/N2和NF3、CF4、NF3、ClF3、F2和其混合物。这里，蚀刻进行大约几秒～几分钟。
通过省略在基片的底面上形成掩膜以及然后移开掩膜以防止在基片1的底面上由湿蚀刻处理形成突起的传统处理，平面化步骤S20对于基片1来讲可以缩短表面处理的时间。
更加具体地，在制造用于基片1底面上不具有突起的太阳能电池的多晶硅基片的情况下，在第一突起形成步骤S210之前，在基片1的底面上形成用于防止突起形成的掩膜(未示出)。接着，蚀刻基片1，然后移除形成在基片1底面上的掩膜。
平面化步骤S20不需要应用于传统的湿蚀刻处理的掩膜形成过程和掩膜移除过程。因此，制造成本和制造时间可以减少，而且基片1可以具有平坦的底面。
用于实施平面化步骤S20的处理模块可以构成基片处理系统的一部分。这里，基片处理系统包括用于在托盘上装载基片1的基片交换模块，用于从基片交换模块接收托盘、然后在真空压力下传输托盘至处理模块的装载锁定模块，以及用于接收已从处理模块完成处理的托盘的卸载锁定模块。
这里，基片处理系统可以构造为内联型，其中多个模块顺序设置，或者为群聚(cluster)型，其中多个处理模块安装在一个传输模块上，该传输模块具有连接到其上的基片交换模块并具有安装在其上的传输机器人。
当平面化步骤S20通过干蚀刻处理实施，并且突起形成步骤S10包括干蚀刻处理(突起形成步骤S10的第二和第三实施例)，整个处理通过用于进行平面化步骤S20的第一处理模块和用于进行突起形成步骤S10(第二突起形成步骤S220或微小突起形成步骤S320)的干蚀刻处理的第二处理模块实施。这里，第一和第二处理模块可以构成一个基片处理系统。
当基片处理系统构造为内联型，第一和第二处理模块可以顺序设置。但是，当基片处理系统构造为群聚型，第一和第二处理模块可以连接到传输模块。
在第一和第二处理模块构成一个基片处理系统的情况下，可以进一步地实施基片倒置步骤，其在平面化步骤S20之前或之后倒置基片1的光接收表面和底部表面，以便依次实施平面化步骤S20和突起形成步骤S10的干蚀刻处理。
这里，基片处理系统可以进一步包括用于倒置装载在托盘上的基片1的基片倒置模块，以便当托盘从第一处理模块传输到第二处理模块时，或者当托盘从第二处理模块传输到第一处理模块时，基片1的光接收表面能够朝向上侧。
通过基片倒置模块，在平面化步骤S20之前实施第二突起形成步骤的情况下，可以实施基片倒置步骤以使得在突起形成步骤S10的干蚀刻处理之后和平面化步骤S20之前，装载在托盘上的基片1的底面能够朝向上侧。
如图2所示，已经过突起形成步骤S10和平面化步骤S20的硅基片1经历S30、S40和S50，由此被制造成太阳能装置。这里，S30是形成‘p-n’结结构的半导体层形成步骤，而S40是在基片1的表面上形成防反射膜4的防反射膜形成步骤。并且，S50是在基片1的光接收表面和底面上，或者只在基片的底面上形成一个或多个电极2和3的电极形成步骤。
制造太阳能电池的方法的每一个步骤都包括各种处理，为方便起见，将省略对其详细的说明。
根据形成在基片1上的半导体的结构，平面化步骤S20甚至可以在半导体层形成步骤S30之后实施。
上述实施例及优点仅是示例性的，并不应解释为对本发明公开内容的限制。本发明的教导可容易地适用于其他类型的装置。本说明书仅用于例示的目的，并不用于限制权利要求的保护范围。各种替代、修改和变型对于本领域技术人员来说是显而易见的。可以用多种方式对此处描述的典型实施例的特征、结构、方法和其他特性进行组合来获得附加的和/或可替换的示例性实施例。
由于可以在不脱离其特点的情况下以若干种形式具现表现本发明的特征，还应当理解的是，除非另作说明，上述实施例并不局限于前述说明书的任何细节，而是应该在如所附权利要求书限定的范围内做宽泛的解释，因此，落入权利要求书边界和范围或这些边界和范围的等同物内的所有变化和修改都将由所附权利要求书包含在内。
Claims (9)
1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：
包含湿蚀刻处理的突起形成步骤，用于在晶体硅基片的光接收表面上形成多个微小突起，其中所述突起形成步骤包括：
第一突起形成步骤，通过使用酸性水溶液蚀刻基片而在所述基片的外表面上形成多个第一突起；和
第二突起形成步骤，对通过所述第一突起形成步骤使其上具有所述第一突起的所述外表面的光接收表面进行干蚀刻而形成多个小于所述第一突起的第二突起，所述光接收表面待形成防反射膜；以及
平面化步骤，在所述第二突起形成步骤之前或之后，对所述基片的底面、即与基片的所述光接收表面相对的表面进行平面化。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述平面化步骤通过湿蚀刻处理来实施。
3.如权利要求1所述的方法，其中，通过使蚀刻气体进入等离子体态的干蚀刻处理而实施所述平面化步骤。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述蚀刻气体包括氯、氟、溴中的至少一种。
5.如权利要求3所述的方法，其中，通过用形成有多个开口的盖元件覆盖装载有多个基片的托盘而实施所述平面化步骤。
6.如权利要求5所述的方法，其中，形成所述盖元件以使得在所述基片和所述开口之间形成的空间朝着所述盖元件的侧表面敞开。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括所述平面化步骤之前或之后，将所述基片的光接收表面和底面倒置的基片倒置步骤。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述突起形成步骤之前、或在所述平面化步骤之后形成p-n结结构的半导体层形成步骤。
9.一种根据权利要求1所述的制造太阳能电池的方法所制造的太阳能电池。
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