CN102439602B - 用于操作一次性用途连接器上的rfid装置的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于操作一次性用途连接器上的RFID标签的系统。该系统包括:配置成收纳第一RFID标签的第一一次性用途连接器和配置成收纳第二RFID标签的第二一次性用途连接器。本发明还包括靠近该第一RFID标签和该第二RFID标签放置的读取器。该读取器配置成:确定该第一RFID标签和该第二RFID标签是否被伽玛射线消毒;确定该第一RFID标签和该第二RFID标签以前是否使用过;确定该第一RFID标签和该第二RFID标签是否是可信的;并且确定该第一RFID标签是否与该第二RFID标签匹配。

Description

用于操作一次性用途连接器上的RFID装置的系统和方法
技术领域
本发明涉及用于操作一次性用途连接器上的射频标识装置的系统和方法。
背景技术
射频标识(RFID)标签广泛地用于例如动物、服装等物体的自动标识和容器的未授权打开的检测。存在用于标识物体的RFID标签的几个示例。
首先,存在使RFID标签贴附到软管和跟踪系统的方法的美国专利号7,195,149。该软管跟踪系统包括具有在制造期间嵌入其中、在其上模塑而永久贴附的贴附RFID标签的软管组件。对该RFID标签编码对特别软管组件特定的标识。该RFID标签读取器包括至少一个可跟踪事件的用户输入,并且至少可连接到计算机网络或可兼容以用于上传该标识和任何用户输入到网络可访问的装置。提供网络可访问的软管数据库,其具有软管相关的信息。该网络可访问的软管数据库提供访问权给用户以基于来自RFID标签的标识获得软管相关的信息,该RFID标签接收和存储与至少一个可跟踪事件相关的数据。还存在与美国专利号7,195,149相似的另一个美国专利号7,328,837,其中美国专利号7,328,837针对使RFID标签贴附到软管和跟踪系统的方法。
接着,存在美国专利号5,892,458,其是用于分析测量仪器中的可交换部件的识别的设备。用于分析测量仪器中或具有几个分析装置的分析测量系统中的可交换部件的识别的设备包含可交换部件,其具有每个贴附到可交换部件的标识模块。另外,该设备具有发射器接收器装置,其可以从标识模块接收信息信号并且发送信息信号到该标识模块。如果从标识模块读出的信息不满足某些条件(例如关于质量),控制装置可以使消息显示在显示装置上。
接着,存在用于跟踪标识装置的方法和系统的另一个美国专利号7,135,977,该方法包括存储关于该标识装置的数据在寄存器中,应该转发包括涉及转发位置(其请求关于该标识装置的信息)的数据的要存储的数据。该标识装置贴附到要监测的项目。该方法包括当已经读取该标识装置并且已经接收信息的请求时访问该寄存器。该转发位置的细节从该寄存器获得。该请求转发到该转发位置并且请求的关于该标识装置的信息从该转发位置发送给该信息的请求者。
尽管前面提到的RFID发明已经能够标识与RFID标签关联的装置,这些发明不能准确地确定一个RFID标签是否与一个或多个RFID标签匹配以便这些RFID标签互相操作,这对于防止利用破坏的RFID标签是必需的。因此,需要有能够确定一个RFID标签是否可以与另一个RFID标签确实匹配来防止一次性生物过程部件、特别是通过伽玛辐射或其他适合方式(其降低一次性或有限再使用的装置的生物负荷)来消毒的那些一次性生物过程部件的非法制造的设备和系统。
发明内容
本发明鉴于上文提到的技术背景完成,并且本发明的目标是提供用于操作一次性用途连接器上的RFID标签的系统和方法。
在本发明的优选实施例中,存在用于操作一次性用途连接器上的RFID标签的系统。该系统包括:配置成收纳第一RFID标签的第一一次性用途连接器和配置成收纳第二RFID标签的第二一次性用途连接器。本发明还包括靠近该第一RFID标签和该第二RFID标签放置的读取器。该读取器配置成:确定该第一RFID标签和该第二RFID标签是否被伽玛消毒;确定该第一RFID标签和该第二RFID标签以前是否使用过;确定该第一RFID标签和该第二RFID标签是否是可信的;并且确定该第一RFID标签是否与该第二RFID标签匹配。
在本发明的另一个优选的实施例中,存在用于操作RFID标签的设备。该设备包括靠近具有第一一次性用途连接器的第一RFID标签和具有第二一次性用途连接器的第二RFID标签放置的读取器。该读取器配置成:确定该第一RFID标签和该第二RFID标签是否被伽玛消毒;确定该第一RFID标签和该第二RFID标签以前是否使用过;确定该第一RFID标签和该第二RFID标签是否是可信的;并且确定该第一RFID标签是否与该第二RFID标签匹配。
附图说明
当结合附图阅读下列说明时,本发明的这些和其他优势将变得更明显,其中
图1图示根据本发明的实施例的系统的框图;
图2是根据本发明的实施例如何利用图1的RFID标签的流程图;
图3示出根据本发明的实施例的典型的一次性用途连接器的示例;
图4A和4B图示根据本发明的实施例的纳入一次性用途连接器的圆形几何结构并且纳入一次性用途连接器的环形几何结构的RFID标签的示意图;
图5A-C示出根据本发明的实施例的具有两个相对法兰的一次性用途连接器设计;
图6A-D示出根据本发明的实施例的包含RFID标签的几个一次性用途连接器设计;
图7示出根据本发明的实施例集成在一次性用途连接器中的RFID标签;
图8示出根据本发明的实施例的RFID标签在一次性用途连接器中的集成;
图9是根据本发明的实施例的集成在一次性用途连接器中的RFID标签的压力响应的图形表示;
图10是在伽玛辐射之前和之后RFID标签的频率响应的主分量分析的结果的图形图示的结果。
具体实施方式
本发明的目前优选的实施例参照图描述,其中类似的部件用相同的数字标识。优选实施例的说明是示范性的并且目的不在于限制本发明的范围。
图1图示用于确定射频标识(RFID)标签是否在一次性用途连接器上正常操作的系统的框图。该系统100包括典型的测量装置(写入器/读取器)101,其包括读取器103、具有第一RFID标签107的第一一次性用途连接器105、具有第二RFID标签111的第二一次性用途连接器109和计算机113。该计算机113连接到该测量装置101。读取器103来回地从计算机113接收信息和发送信息到计算机113。同样,该信息可以无线或当使用电缆时通过电线发送。计算机113包括与计算机关联的典型的部件,例如包括数据库的存储器等。该数据库包括与RFID标签107和111以及任何其他典型的标签相关的信息。该信息包括:例如RFID标签107和111等相关RFID标签的伽玛消毒,例如RFID标签107和111等RFID标签的使用(其包括RFID标签的过去、当前和未来利用),RFID标签107和111是否是可信的RFID标签,例如RFID标签107和111等相关RFID标签是否可以互相匹配以及RFID标签107和111是否应该是互相可操作的。用户可将前面提到的信息中的全部安装进入计算机113的数据库。在本发明的另一个优选实施例中,即使在本发明中仅使用两个RFID标签,可代替这些RFID标签在一次性用途连接器上使用3个、4个、20个、100个或更多RFID标签。一次性用途连接器105和109还可称为一次性用途生物过程部件。一次性用途生物过程部件的其他示例包括存储袋、生物反应器、过滤器、管道和分离柱。
第一RFID标签107通过下文在图6A-6D中公开的方法中的任何方法纳入第一一次性用途连接器105。第二RFID标签111通过下文在图6A-6D中公开的方法中的任何方法纳入第二一次性用途连接器109。读取器/写入器103是来自Wave Logic LLC(加利福尼亚州斯科特谷)、来自SkyeTek(科罗拉多州威斯敏斯特)或来自其他来源的典型的读取器/写入器装置。RFID标签107和111(板载整流电桥和其他RF前端装置)包括非易失性存储器。这些标签107和111通过由该读取器103传送的时变电磁射频(RF)波(称为载波信号)供能。RFID标签可以在120-140kHz上、13.56MHz附近、800-980MHz上、2.45GHz和5.8GHz附近的范围中的频率操作。同样,这些RFID标签107和111可以包括:集成电路存储器芯片、读写存储器、只读存储器和无存储器(无芯片标签)。在RFID标签107和111的操作中,120-140kHz的频率范围被认为是低频(LF),13.56MHz附近的频率范围被认为是高频(HF),800-980MHz的频率范围被认为是超高频(UHF),2.45GHz和5.8GHz附近的频率范围被认为是微波频率(MF)。
读取器103是基于微控制器的单元,其具有输出线圈、峰检测器硬件、比较器和设计成传送能量到标签(RFID标签107和111)并且通过检测背散射调制从它读回信息的固件。当RF场通过天线线圈时,在线圈两端产生AC电压。该电压由存储器芯片的调制电路整流来供应电力给RFID标签107和111。存储在标签107和111中的信息传送回(背散射)到读取器103。读取器103解调从标签107和111的标签天线接收的信号并且将信号解码供进一步处理。
图2示出读取器如何确定RFID标签是否是可操作的流程图。在框201,读取器103贴近如在图1中示出的具有第一RFID标签107的第一一次性用途连接器105和具有第二RFID标签111的第二一次性用途连接器109放置。存在读取器103必须离第一RFID标签107和第二RFID标签111的读取范围。该读取范围取决于几个参数,包括操作频率、读取器的功率、RFID标签的几何形状、读取器天线的几何形状、读取器关于标签的角位、标签和读取器之间的杂波量以及其他参数。该读取范围可以从小于几毫米至几米。例如,读取器103和第一RFID标签107以及第二RFID标签111之间的距离可在从1-100毫米至1-20米的任何地方。
接着,在框203,读取器103确定RFID标签107和RFID标签111是否被伽玛消毒。如上文陈述的,读取器103能够访问计算机113上关于RFID标签107和111的信息。当读取器103接收该信息时,读取器103检查看看RFID标签107和111是否被伽玛消毒。如果RFID标签没有被伽玛消毒,那么该过程结束。然而,如果RFID标签107和111被伽玛消毒,那么该过程继续到框205。同样,RFID标签107和111的伽玛消毒导致标签的IC存储器芯片的供电要求和读取范围的改变。这些改变还可以用于确定标签受否被辐射。例如,读取器103和RFID标签107以及111之间的读取范围从RFID标签107和111的5-70毫米(在伽玛辐射之前)改变到15-55毫米(在伽玛辐射之后)。
在框205,读取器103访问存储在计算机113上的关于RFID标签107和111的信息来确定RFID标签107和111以前是否使用过。如果读取器103发现RFID标签107和111已经使用过,那么该过程结束。然而,如果读取器103确定RFID标签107和111以前没有使用过,那么该过程继续到框207。
接着在框207,读取器103访问计算机上关于RFID标签107和111存储的信息来确定RFID标签107和111是否是可信的。读取器103访问计算机113上关于RFID标签107和111的信息。如果读取器103检查到RFID标签107和111不是可信的,那么该过程结束。然而,如果读取器103确定RFID标签107和111是可信的,那么该过程继续到框209。
在框209,读取器103访问计算机上关于RFID标签107和111存储的信息来确定RFID标签107和111是否互相匹配以及是互相可操作的。RFID标签107和111当它们安置在连接器105和109中或上的这些连接器计划连接在一起的地方时是可匹配的。如果按照制造系统的设计,连接器105和109不计划连接在一起,该信息将在计算机113的数据库中。当这些连接器偶然错误地或另外不正确地连接时,它们关联的RFID标签107和111用读取器103扫描并且读取器(或计算机或其他装置)发送连接是不正确的消息到计算机113。读取器103访问计算机113上关于RFID标签107和111的信息。如果读取器103检查出RFID标签107和111是互相不可操作的,那么该过程结束。然而,如果读取器103确定RFID标签107和111是互相可操作的,那么在框211,RFID标签107和111是互相完全可操作的。对于与单个RFID读取器一起操作的两个或多个RFID标签,应用已知的防冲突算法。当RFID标签读取器103同时对多个标签供能并且将它们相应的信号同时反射回读取器时,在RFID系统中发生标签冲突。当大量标签必须在相同RF场中一起被读取时,该问题是典型的。读取器不能够区分这些信号;标签冲突使读取器103混乱。几个已知的防冲突算法存储在计算机113上并且由测量装置101和读取器103访问和利用来使来自一个标签的射频波不与来自另一个标签的射频波干扰。可在本发明中利用的防冲突算法的示例包括基于位的算法、二叉树算法(binary tree algorithm)、动态时隙分配(DSA)算法和基于ALOHA的算法(例如ALOHA、时隙ALOHA、帧时隙ALOHA和动态帧时隙ALOHA等)。在RFID标签107和111互相操作之后,然后该过程结束。尽管图2示出步骤203、205、207和209的顺序操作,在另一个实施例中,这些步骤可以采用另一个顺序进行或这些步骤可以并行进行。
图3示出典型的一次性用途连接器。一次性用途连接器300包括:法兰301、排气口303、延长器305和流动连接器盖307。该一次性用途连接器300具有不同的类型和大小的延长器305并且有时包括排气口303。同样,该一次性用途连接器300可具有位于法兰、延长器和该连接器300上的任何其他位置的典型的RFID标签。这些RFID标签的优选几何形状是圆形或环形,但其他几何形状可以用于相似的目的。
铁电存储器(FRAM)的伽玛辐射耐受性的最初观察回到几十年前。Scott,J.F.;Paz De Araujo,C.A.,“Ferroelectric memories(铁电存储器)”,Science 1989,246,1400-1405,和Benedetto,J.M.;DeLancey,W.M.;Oldham,T.R.;McGarrity,J.M.;Tipton,C.W.;Brassington,M.;Fisch,D.E.,“Radiation evaluation of commercial ferroelectric nonvolatilememories(商用铁电非易失性存储器的辐射评价)”,IEEE Trans.Nucl.Sci.1991,38(6pt 1),1410-1414。现在,FRAM是最广泛研究的类型的耐辐射非基于电荷的存储存储器。Scott,J.F.;Paz De Araujo,C.A.,“Ferroelectric memories(铁电存储器)”,Science 1989,246,1400-1405;Messenger,G.C.;Coppage,F.N,“Ferroelectric memories:A possibleanswer to the hardened nonvolatile question(铁电存储器:硬化的非易失性问题的可能答案)”,IEEE Trans.Nucl.Sci.1988,35(6 pt 1),1461-1466;和Scott,J.F.;Araujo,C.A.;Meadows,H.B.;McMillan,L.D.;Shawabkeh,A.,“Radiation effects on ferroelectric thin-film memories:Retention failure mechanisms(对铁电薄膜存储器的辐射影响:保留故障机制)”J.Appl.Phys.1989,66,1444-1453.
可以耐伽玛辐射的RFID存储器芯片包括FRAM存储器材料和互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。为了获得使用RFID标签的存储器芯片装置用于与伽玛消毒的部件一起操作的能力,关键要解决:(1)基于非电荷的非易失性存储存储器材料的材料限制和(2)当暴露于伽玛辐射时作为整个装置的IC存储器芯片的CMOS电路的装置限制。
在材料层面,尽管铁电材料比EEPROM更耐伽玛辐射,它仍然经历来自普通的60Co和137Cs伽玛辐射源(其发射1.17和1.33MeV(60Co)和0.6614MeV(137Cs)的伽玛射线)的伽玛辐射影响。Scott,J.F.;Paz De Araujo,C.A.,“Ferroelectric memories(铁电存储器)”,Science 1989,246,1400-1405;Derbenwick,G.F.;Isaacson,A.F.,“Ferroelectric memory:on the brink of breaking through(铁电存储器:濒于突破)”,IEEE Circuits & Devices 2001,January,20-30;和Scott,J.F.;Araujo,C.A.;Meadows,H.B.;McMillan,L.D.;Shawabkeh,A.,“Radiation effects on ferroelectric thin-film memories:Retention failuremechanisms(对铁电薄膜存储器的辐射影响:保留故障机制)”J.Appl.Phys.1989,66,1444-1453.
伽玛辐射的该能量足够高而可能引起铁电材料中的位移损伤。Schwank,J.R.;Nasby,R.D.;Miller,S.L.;Rodgers,M.S.;Dressendorfer,P.V.,“Total-dose radiation-induced degradation of thin film ferroelectriccapacitors(薄膜铁电电容器的总剂量辐射引致的退化)”,IEEE Trans.Nucl.Sci.1990,37(6pt 1),1703-1712。
实际上,在暴露于伽玛辐射之后,由于内场中变化引起铁电的开关特性的改变,从而铁电材料经历保留的极化电荷中的减少。该铁电的开关特性的辐射引致的退化是由于在铁电材料中辐射引致的电荷的电极附近的传输和俘获所引起的。一旦被俘获,电荷可以改变偶极子附近的局部场,从而作为施加电压的函数而改变开关特性。陷阱点的两个已知场景是在铁电材料中的晶界处或在分布缺陷中,这取决于FRAM的制造方法(例如,溅射、溶胶-凝胶沉积、旋涂沉积、有机金属化学气相沉积、液态源雾化化学沉积)。除电荷俘获之外,伽玛辐射还可以直接改变个体偶极子或畴(domain)的极化率。
在装置层面上,RFID标签的FRAM存储器芯片由标准电CMOS电路和铁电电容器阵列构成,在该电容器阵列中极化偶极子在RFAM的存储器写入操作期间被定向。在这些电容器中,铁电材料用作电容器的介电膜来存储数据。FRAM装置具有两个模式的存储器退化,其包括功能故障和存储的数据扰乱。从而,存储器芯片中的辐射响应效应是存储器芯片中的非易失性存储器和CMOS部件的组合。CMOS中的辐射损伤包括但不限于阈值电压漂移、增加的漏电流和短路闭锁。
在常规的CMOS/FRAM存储器装置中,伽玛辐射引致的装置性能(从存储器芯片写入和读取数据的能力)的损耗由存储器芯片的未硬化的商用CMOS部件支配。Benedetto,J.M.;DeLancey,W.M.;Oldham,T.R.;McGarrity,J.M.;Tipton,C.W.;Brassington,M.;Fisch,D.E.,“Radiation evaluation of commercial ferroelectric nonvolatile memories(商用铁电非易失性存储器的辐射评价)”,IEEE Trans.Nucl.Sci.1991,38(6 pt 1),1410-1414;以及Coiec,Y.M.;Musseau,O.;Leray,J.L.,Astudy of radiation vulnerability of ferroelectric material and devices(铁电材料和装置的辐射易损性的研究),IEEE Trans.Nucl.Sci.1994,41,495-502。
按设计硬化的技术可以用于制造半导体存储器的辐射硬化CMOS部件。按设计硬化的CMOS部件的示例包括在存储器阵列中的p沟道晶体管、环形n沟道栅极结构、p型保护环、鲁棒的/冗余的逻辑门保护闩锁和对单事件(single event)效应免疫的闩锁。Kamp,D.A.;DeVilbiss,A.D.;Philpy,S.C.;Derbenwick,G.F.,“Adaptableferroelectric memories for space applications(空间应用的可适应铁电存储器)”,Non-Volatile Memory Technology Symposium,NVMTS04 2004,149-152;和Kamp,D.A.;DeVilbiss,A.D.;Haag,G.R.;Russell,K.E.;Derbenwick,G.F.,“High density radiation hardened FeRAMs on a 130nm CMOS/FRAM process(130nmCMOS/FRAM工艺上的高密度辐射硬化FeRAM)”,Non-Volatile Memory technology Symposium,NVMTS05 2005,48-50。
按设计硬化的技术防止辐射硬化闩锁被传播通过装置的逻辑的单事件瞬态(SET)设定。FRAM存储器在RFID标签中的应用较早在美国专利号6,808,952和6,201,731中描述。
当伽玛辐射照射时FRAM存储器在RFID标签中的应用还在美国专利号6,806,808中描述。
我们对基于FRAM的RFID标签的性能的铁电材料和CMOS装置方面的详细理解与我们对可用的和我们定制的标签的实验进一步联系起来。我们观察到存在伽玛辐射RFID标签的显著故障率,其中不可以读取来自辐射的标签的数据并且没有新的数据可以写入辐射的标签。先前对基于FRAM的存储器芯片的工作表明装置性能的伽玛辐射引致的损耗源于两个独立源,例如(1)对非基于电荷的存储存储器材料的辐射影响和(2)对IC存储器芯片的模拟和数字CMOS电路部件的性能的辐射影响。
从而,为了显著提高基于FRAM的RFID标签的性能的可靠性,我们批判地分析了剩下的挑战并且引入可伽玛消毒的RFID标签技术来提供消毒的生物过程部件的可靠的标识、跟踪和鉴别。我们发现为了提升耐伽玛RFID标签的性能可靠性,应该利用两个方式。
第一个方式是对顺利通过伽玛辐射步骤关键的写入数据的临时冗余的实现。在伽玛辐射之后,数据冗余可以放宽以使存储器腾出用于FRAM存储器芯片上的用户限定数据的空间。该方式主要目标在于IC芯片的存储器中的铁电电容器可能的故障。
第二个方式是以可变RF功率询问RFID标签以呈现具有几个允许的功率水平的标签。由于伽玛辐射照射,IC芯片的CMOS部件改变它们的电特性。结果,在标签的伽玛辐射之前采用的读取/写入功率水平在伽玛辐射之后被修改。该方式主要目标在于IC芯片的CMOS电路的可能的故障。
这两个方式提供不仅显著提高标签性能的可靠性还提供伽玛辐射标签的标记的能力。这样的标记可以与标签的伽玛照射剂量相关,因此RFID标签将充当伽玛消毒的指示器或作为可靠的剂量计。
图4A和4B图示纳入一次性用途连接器的RFID标签。一次性用途连接器401包括圆形RFID标签403。一次性用途连接器405包括环形RFID标签407。RFID标签403和407等同于上文描述的RFID标签107和111。即使RFID标签403和407具有圆形或环形几何形状,这些RFID标签可具有任何形状。RFID标签403和407能够耐受制药加工要求的典型水平(25至50kGy)的伽玛辐射。伽玛辐射耐受性(对伽玛辐射的效应的免疫力)采用几个方式提供:1.从允许它的错误校正的需要的数字信息的存储;2.从在RFID标签上的辐射硬化CMOS电路的使用或从伽玛辐射之后标准CMOS的恢复的控制;3.从FRAM存储器的使用;和4.从伽玛辐射之后RFID标签用读取器的不同功率水平或在读取器和RFID标签的不同距离处的读取。
图5A是具有两个相对的法兰的典型的一次性用途连接器设计。一次性用途连接器501具有两个相对的法兰503和505,其中延长器507在法兰之间。RFID标签将纳入或位于法兰503和505之间的延长器507中。
图5B是具有两个无性别类型的相对法兰的典型的一次性用途连接器设计。一次性用途连接器509具有两个无性别类型的相对法兰511和513。RFID标签515将纳入或位于法兰511和513内。
图5C是具有两个公/母类型的相对法兰的典型的一次性用途连接器设计。一次性用途连接器517具有两个相对的法兰519和521。母适配器523位于法兰519的外表面上,并且公适配器525位于法兰521的外表面上。RFID标签527将纳入或位于法兰519和521内。
图6A、6B、6C和6D示出采用各种方式包含RFID标签的几个一次性用途连接器。对于图6A,一次性用途连接器601包括具有延长器605的法兰603。在延长器605的顶部上存在RFID插入点607,RFID标签608将位于此处。在图6B中,一次性用途连接器609包括法兰611和延长器613。RFID标签612被模塑(或永久贴附)在延长器613的插入点615中以用于RFID传感器612轻松地放置在延长器613中。
在图6C中,一次性用途连接器617包括法兰619和延长器621。RFID传感器624和拾取器被模塑在该一次性用途连接器617的插入点623中。对于图6D,一次性用途连接器625包括法兰627和延长器629。这时,中间商(factor)将RFID传感器632组件插入延长器629的预模塑位置或插入点631。
图7示出集成进入一次性用途连接器的RFID标签。该一次性用途连接器是具有设置RFID标签703的预模塑位置的典型的一次性用途连接器701。本发明的RFID标签用FRAM存储器芯片MB89R118A(日本,富士通公司)制造。这些芯片使用与铁电存储器耦合的标准0.35μm CMOS电路制成。该MB89R118A芯片的总存储器是2000字节。这些FRAM存储器芯片集成进入具有10mm直径的天线几何形状的RFID标签。数字数据的写入和读取使用来自Wave Logic LLC(加利福尼亚州斯科特谷)的读取器/写入器进行。从该集成RFID标签测量数字ID为E008 011 1ACO D948。
图8示出RFID压力传感器进入一次性用途连接器的集成。一次性用途连接器801包括法兰803和延长器805。延长器805包括预模塑位置,RFID标签807、压力传感器809和拾取线圈811置于其中。拾取线圈811通过位于延长器805上的配准点贴附,该延长器805提供拾取线圈811和具有压力传感器809的RFID标签807之间的设定距离。该贴附可以通过多个方法进行:拾取线圈811到与延长器805的预定接触点的人工配准或自动放置,接着声或热焊接或溶剂结合或物理捕捉来实现与拾取线圈811和延长器805的一体式密封。压力RFID传感器813通过连接预先制造的RFID标签807与压力传感器809而制造。所得的传感器具有共振结构。RFID压力传感器813使用预模塑位置的方法集成进入连接器801。在一次性用途连接器和部件中的其他RFID传感器的一些示例包括温度传感器、pH传感器、电导率传感器、溶解氧传感器、二氧化碳传感器和葡萄糖传感器。
图9是集成进入一次性用途连接器的RFID标签的压力响应的图形表示。RFID传感器的复数阻抗的测量使用在使用Lab VIEW的计算机控制下的网络分析器进行。该分析器用于在感兴趣范围上扫描频率(典型地以13MHz为中心的具有~10MHz的扫描范围)并且收集来自RFID传感器的复数阻抗响应。该收集的复数阻抗数据使用Excel(华盛顿州西雅图的Microsoft Inc.)或KaleidaGraph(宾夕法尼亚州雷丁的Synergy Software)和用Matlab(马萨诸塞州内蒂克的The MathworksInc.)操作的PLS Toolbox(华盛顿州曼森的Eigenvector Research,Inc.)分析。数字数据的写入和读取使用来自Wave Logic LLC(加利福尼亚州斯科特谷)的读取器/写入器进行。从集成RFID压力传感器测量数字ID为E008 011 1ACO D9CA。在该压力RFID传感器的操作中,传感器的最初读数是~536欧姆。当施加压力(例如,3psi和7.5psi)时,传感器信号分别改变到~534和~528欧姆。
图10是具有基于FRAM的存储器芯片MB89R118A(日本,富士通公司)的HF RFID标签在处于35kGy伽玛辐射之前和之后的操作特性中的差异的图形表示。众所周知为了操作(或激活)存储器芯片,施加正确量的RF能量给标签是重要的。用网络分析器宣告对于存储器芯片的激活的当激励标签时RFID标签的频率响应的变化。RFID标签的激活的测量在从-5dBm至+10dBm的范围中的网络分析器的不同功率水平进行。这样的测量对RFID标签(在它们的伽玛辐射之前和之后)进行。测量的频率响应谱使用主分量分析(PCA)方法进一步处理以便定量比较频谱的复杂形状。图10图示使用PCA方法的谱分析的结果。在该图表中,每个原始谱表示为单个数据点并且用数字标记,该数字是网络分析器的功率水平(采用dBm)。在该PCA图上这样的数据点越接近,原始谱越相似。该PCA图表示出,如预期的那样,因为RFID标签上的FRAM存储器芯片的激活,频谱作为从网络分析器施加的功率的函数变化。同样,如从文献知晓的关于伽玛辐射对FRAM存储器芯片的CMOS和FRAM部件的影响,存储器芯片的电力激活条件在它的伽玛辐射之后变化。该变化作为结论示为FRAM存储器芯片在它们的伽玛辐射之前和之后的频率响应中的差异。
本发明提供能够鉴别和确定至少两个RFID标签是否将是互相可操作的系统和装置。用户能够确定一次性用途连接器上的至少一个RFID标签是否与一次性用途连接器上的另一个RFID标签是可操作的,这通过:确定出第一RFID标签和第二RFID标签是否被伽玛消毒,确定第一RFID标签和第二RFID标签以前是否使用过,确定第一RFID标签和第二RFID标签是否是可信的,和确定第一RFID标签是否与第二RFID标签匹配。本发明包括用于鉴别RFID标签的方法,其减小其中不在生物过程中使用伪造劣质的一次性用途连接器和/或不在一次性用途连接器上使用伪造劣质的RFID标签的责任。
规定本发明的前面详细说明认为是说明性的而非限制性的,并且理解规定下面的权利要求(包括所有等同物)限定本发明的范围。

Claims (23)

1.一种用于操作射频识别(RFID)标签的系统,所述系统包括:
读取器,配置成设置在耦合至第一连接器的第一射频标识RFID标签和耦合至第二连接器的第二RFID标签的读取范围内,
其中所述读取器配置成采用可变射频(RF)能量或在所述读取范围内的不同距离处与所述第一和第二RFID标签协商,以及基于从所述第一和第二RFID标签接收的信号来确定所述第一RFID标签和所述第二RFID标签是否被伽玛消毒,
其中如果所述读取器确定从相应RFID标签接收的信号被伽玛辐射所改变,则所述读取器确定所述第一连接器和/或第二连接器被伽玛消毒,并且
其中所述读取器还基于从所述第一和第二RFID标签接收的信号而配置成执行以下至少其中之一:
确定所述第一连接器和所述第二连接器以前是否使用过;
确定所述第一连接器和所述第二连接器是否是可信的;或
确定所述第一RFID标签是否与所述第二RFID标签匹配。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述读取器通过分析所述信号而确定相应RFID标签的操作特性是否已经被更改来确定所述第一连接器和/或所述第二连接器已经被伽玛消毒。
3.如权利要求1所述的系统,其中所述读取器配置成同时地读取各个信号。
4.如权利要求1所述的系统,其中如果:所述第一RFID标签和所述第二RFID标签被伽玛消毒;所述第一连接器和所述第二连接器以前没有使用过;所述第一连接器和所述第二连接器是可信的;并且所述第一RFID标签与所述第二RFID标签匹配,则所述第一RFID标签与所述第二RFID标签是能一起操作的。
5.如权利要求1所述的系统,其中所述读取范围在0.5mm和20m之间。
6.如权利要求1所述的系统,进一步包括计算机,所述计算机能操作上连接至所述读取器,所述计算机包括存储器,其具有数据库,所述数据库具有与所述第一和第二RFID标签相关的信息。
7.如权利要求1所述的系统,其中所述读取器配置成读取具有高频HF 的信号。
8.如权利要求1所述的系统,其中所述读取器配置成读取具有微波频率(MF)的信号。
9.如权利要求1所述的系统,其中所述读取器配置成读取具有超高频UHF的信号。
10.一种用于操作射频识别(RFID)标签的系统,所述系统包括:
读取器,配置成设置在耦合至第一生物过程部件的第一RFID标签和耦合至第二生物过程部件的第二RFID标签的读取范围内,其中所述读取器配置成与所述第一和第二RFID标签协商以及基于检测到的相应RFID标签的操作特性的变化而确定所述第一RFID标签和所述第二RFID标签是否已经被伽玛消毒,
其中如果所述读取器确定从相应RFID标签接收的信号已经被伽玛辐射所改变则所述读取器确定所述第一生物过程部件和/或所述第二生物过程部件被伽玛消毒;
其中所述读取器还基于从所述第一和第二RFID标签接收的信号配置成执行以下至少其中之一:
确定所述第一生物过程部件和所述第二生物过程部件以前是否使用过;
确定所述第一生物过程部件和所述第二生物过程部件是否是可信的;或
确定所述第一RFID标签是否与所述第二RFID标签匹配。
11.如权利要求10所述的系统,进一步包括计算机,所述计算机能操作上连接至所述读取器,所述计算机包括存储器,其具有数据库,所述数据库具有与所述第一和第二RFID标签相关的信息。
12.如权利要求10所述的系统,其中所述读取器配置成采用可变射频RF能量或在用于接收相应信号的读取范围内的不同距离处与所述第一和第二RFID标签协商。
13.如权利要求10所述的系统,其中所述读取器配置成同时地读取各个信号。
14.一种用于操作射频识别(RFID)标签的系统,所述系统包括:
具有第一RFID标签的第一生物过程部件;
具有第二RFID标签的第二生物过程部件;以及
配置成设置在第一RFID标签和第二RFID标签的读取范围内的读取器,
其中所述读取器配置成与所述第一和第二RFID标签协商,以及确定所述第一RFID标签和所述第二RFID标签是否已经被伽玛消毒,所述伽玛消毒导致所述RFID标签的可检测破坏,
所述读取器配置成如果所述读取器确定从相应RFID标签接收的信号已经被伽玛辐射改变则确定所述第一生物过程部件和/或第二生物过程部件被伽玛消毒,并且
其中所述读取器还基于从所述第一和第二RFID标签接收的信号配置成执行以下至少其中之一:
确定所述第一生物过程部件和所述第二生物过程部件以前是否使用过;
确定所述第一生物过程部件和所述第二生物过程部件是否是可信的;或
确定所述第一RFID标签是否与所述第二RFID标签匹配。
15.如权利要求14所述的系统,其中在所述伽玛消毒时所述第一RFID标签的能检测到的破坏不导致所述第一和第二RFID标签不可读取。
16.如权利要求14所述的系统,进一步包括计算机,所述计算机能操作上连接至所述读取器,所述计算机包括存储器,其具有数据库,所述数据库具有与所述第一和第二RFID标签相关的信息。
17.如权利要求15所述的系统,其中所述第一和第二RFID标签中的至少一个包括辐射硬化CMOS电路。
18.如权利要求15所述的系统,其中所述第一和第二RFID标签中的至少一个包括FRAM存储器。
19.如权利要求17所述的系统,其中所述读取器使用算法来校正对所述CMOS电路的操作参数的辐射影响。
20.如权利要求18所述的系统,其中所述读取器使用算法来校正对所述FRAM存储器的操作参数的辐射影响。
21. 如权利要求14所述的系统,其中所述第一RFID标签还作为RFID传感器操作。
22.如权利要求14所述的系统,其中所述第一RFID标签具有至少一个传感器输入。
23.如权利要求14所述的系统,其中所述第一RFID标签还作为RFID传感器操作,其用于压力、温度、pH、电导率、溶解氧、二氧化碳、或葡萄糖的至少其中之一的感测。
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