CN102437277A - 一种led晶片 - Google Patents

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钱玉明
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Abstract

本发明公开了一种LED晶片,包括P型半导体、N型半导体,两者相互对置,且在所述P型半导体、N型半导体之间设置有透明体,该透明体由两块通过平整斜面拼合的透明块构成;所述P型半导体和N型半导体的对置面由导体连接;所述P型半导体、N型半导体的端部均设有导电引脚。该LED晶片可以使PN结上产生的光能绝大部分向外泄露,在较大程度上提高了同等功率LED晶片的发光亮度。

Description

一种LED晶片
技术领域
 本发明涉及LED照明领域,尤其涉及一种包括P型半导体和N型半导体的LED晶片。
背景技术
LED发光照明目前已经成为十分普及的照明设施,其依靠LED晶片作为光源,该晶片主体由发光PN结构成,包括P型半导体和N型半导体,当两种半导体之间发生电子或空穴的迁移时,将发生电致发光效应,产生明亮的光芒,与其它照明灯相比,在等同功率下,LED晶片发光亮度高,颜色纯,因此,为节能照明的首选部件。
由于受到材料的限制,对于普通的LED晶片,构成PN结的两种半导体为非透明体,而电致发光效应则产生与两种半导体的接触面上,因此,只有接触面外周的光能可以外泄照明,而接触面中央的光芒却无法导出照明,因此,其光能的浪费仍然较大,LED晶片发光亮度仍然有所局限。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于提供一种LED晶片,该LED晶片可以使PN结上产生的光能绝大部分向外泄露,在较大程度上提高了同等功率LED晶片的发光亮度。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:该LED晶片包括P型半导体、N型半导体,两者相互对置,且在所述P型半导体、N型半导体之间设置有透明体,该透明体由两块通过平整斜面拼合的透明块构成;所述P型半导体和N型半导体的对置面由导体连接;所述P型半导体、N型半导体的端部均设有导电引脚。
作为优选,连接所述P型半导体、N型半导体之间的所述导体为导电铜线。
作为优选,所述P型半导体、N型半导体的对置面上分别镀有一层透明导电层,从而使由所述导体传递的电子或空穴可通过该透明导电层均匀地进入所述对置面。
作为优选,所述透明体由玻璃块或导热树脂块构成,既具有良好的透光性,又具有良好的散热性。
作为优选,拼合成所述透明体的所述两块透明块所形成的平整斜面与所述P型半导体、N型半导体的连线呈45°,从而可对所述对置面之间的平行光进行垂直反射,以达到最大的反射性能。
本发明的有益效果在于:该LED晶片通电后,所述P型半导体和N型半导体的对置面通过所述导体交换空穴和电子,并在所述对置面上发生电致发光效应,所产生的光射向所述透明体中央的所述平整斜面上,经由该平整斜面向外反射,从而使PN结中产生的大部分光能均提供有效照明,大大提高了LED晶片照明亮度。
 
附图说明
图1是本发明一种LED晶片发光部位的结构图;
图2是由本发明一种LED晶片所构成的发光二极管的结构示意图。
    图中:1、P型半导体; 12、导电铜线;  2、N型半导体; 3、透明体; 30、平整斜面; 4、环氧树脂; 5、导电引脚; 51、金线;  6、电极。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
在图1所示的实施例中,该LED晶片包括P型半导体1、N型半导体2,两者相互对置,且在所述P型半导体1、N型半导体2之间设置有透明体3,该透明体3由两块通过平整斜面30拼合的透明块构成;所述P型半导体1和N型半导体2的对置面由导电铜线12连接;所述P型半导体1、N型半导体2的端部均设有导电引脚5。
上述的LED晶片,所述P型半导体1、N型半导体2的对置面上分别镀有一层透明导电层,如氧化铟锡,从而使由所述导电铜线12传递的电子或空穴可通过该透明导电层均匀地进入所述对置面,使PN结中产生面光源。
上述的LED晶片,所述透明体3由玻璃块或导热树脂块构成,既具有良好的透光性,又具有良好的散热性。
上述的LED晶片,拼合成所述透明体3的所述两块透明块所形成的平整斜面30与所述P型半导体1、N型半导体2的连线呈45°,从而可对所述对置面之间的平行光进行垂直反射,以达到最大的反射性能。
上述LED晶片通电后,所述P型半导体1和N型半导体2的对置面通过导电铜线12交换空穴和电子,并在所述对置面上发生电致发光效应,所产生的光射向所述透明体3中央的所述平整斜面30上,经由该平整斜面30向外反射,从而使PN结中产生的大部分光能均提供有效照明,大大提高了LED晶片照明亮度。
由图1实施例所构成的一个发光二极管的结构如图2所示,PN结周围包裹环氧树脂4,该环氧树脂内可掺入荧光粉,以改善光照的柔和度,设置于P型半导体1和N型半导体2端部的所述导电引脚5分别通过金线51与设置于环氧树脂4外部的电极6相接。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种LED晶片,包括P型半导体(1)、N型半导体(2),两者相互对置,其特征在于:在所述P型半导体(1)、N型半导体(2)之间设置有透明体(3),该透明体(3)由两块通过平整斜面(30)拼合的透明块构成;所述P型半导体(1)和N型半导体(2)的对置面由导体连接;所述P型半导体(1)、N型半导体(2)的端部均设有导电引脚(5)。
2.根据权利要求1所述的LED晶片,其特征在于:连接所述P型半导体(1)、N型半导体(2)之间的所述导体为导电铜线(12)。
3.根据权利要求1所述的LED晶片,其特征在于:所述P型半导体(1)、N型半导体(2)的对置面上分别镀有一层透明导电层。
4.根据权利要求1所述的LED晶片,其特征在于:所述透明体(3)由玻璃块或导热树脂块构成。
5.根据权利要求1或权利要求4所述的LED晶片,其特征在于:拼合成所述透明体(3)的所述两块透明块所形成的平整斜面(30)与所述P型半导体(1)、N型半导体(2)的连线呈45°。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0406506A1 (en) * 1989-07-07 1991-01-09 International Business Machines Corporation Opto-electronic light emitting semiconductor device
US5324965A (en) * 1993-03-26 1994-06-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Light emitting diode with electro-chemically etched porous silicon
US20080061310A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Light emitting diode device, and manufacture and use thereof
CN201780985U (zh) * 2010-08-04 2011-03-30 姜跃忠 高亮发光二极管
CN202405305U (zh) * 2011-12-08 2012-08-29 苏州市世纪晶源电力科技有限公司 Led晶片

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0406506A1 (en) * 1989-07-07 1991-01-09 International Business Machines Corporation Opto-electronic light emitting semiconductor device
US5324965A (en) * 1993-03-26 1994-06-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Light emitting diode with electro-chemically etched porous silicon
US20080061310A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Light emitting diode device, and manufacture and use thereof
CN201780985U (zh) * 2010-08-04 2011-03-30 姜跃忠 高亮发光二极管
CN202405305U (zh) * 2011-12-08 2012-08-29 苏州市世纪晶源电力科技有限公司 Led晶片

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