CN102437232A - 一种n型晶体硅太阳能电池用pn结制备方法 - Google Patents

一种n型晶体硅太阳能电池用pn结制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102437232A
CN102437232A CN2011100716569A CN201110071656A CN102437232A CN 102437232 A CN102437232 A CN 102437232A CN 2011100716569 A CN2011100716569 A CN 2011100716569A CN 201110071656 A CN201110071656 A CN 201110071656A CN 102437232 A CN102437232 A CN 102437232A
Authority
CN
China
Prior art keywords
boron source
crystalline silicon
type crystalline
temperature conditions
gained
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100716569A
Other languages
English (en)
Inventor
王立建
李潘剑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI JIACHENG SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
WUXI JIACHENG SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI JIACHENG SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical WUXI JIACHENG SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2011100716569A priority Critical patent/CN102437232A/zh
Publication of CN102437232A publication Critical patent/CN102437232A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，包括：对制绒清洗后的N型硅片进行旋涂硼源处理；在150-300℃的温度条件下，对前述所得硼源片进行烘干处理；在1000-1050℃的温度条件下，在氮氧混合气氛中对前述所得硼源片进行推进处理10-50min；将前述所得硼源片降温处理至850-900℃的温度条件时，进行氧化处理15-30min；继续将前述所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，进行保温处理10-20min。本发明所述N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，可以克服现有技术中方块电阻均匀性差与安全性差等缺陷，以实现方块电阻均匀性好、安全性好与操作方式简便的优点。

Description

一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法
 
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制造工艺，具体地，涉及一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法。
 
背景技术
目前，能源紧缺以及环境恶化已引起一系列经济和社会问题，发展可再生能源变得尤为紧迫。太阳能电池是解决该问题的途经之一，高转换效率与低成本则是太阳能电池发展的主要趋势。
晶体硅太阳能电池具有转换效率较高与生产技术成熟的优点，占据绝大部分的光伏电池市场份额。在晶体硅太阳能电池的生产中，PN结（PN junction）的制备是主要的核心技术。在现有技术中，太阳能电池工业化生产中通常采用掺硼的P型硅材料进行生产，然而，硼掺杂P型单晶硅中普遍存在光致衰减现象，这是因为P型单晶硅的硼氧复合缺陷和碳氧复合缺陷的存在。
针对上述问题，一般采用掺镓的P型硅片或者掺磷的N型硅片进行生产；掺镓硅片和N型硅片不存在硼氧复合缺陷，因此硅片不存在少子寿命衰减现象。中国专利CN200910024890.9对掺镓单晶扩散方法进行了阐述，中国专利CN200510039002.2对BBr3的扩散方法也进行了阐述。现有的N型硅片的PN结制备工艺主要是：在1000度左右通BBr3硼源，进行扩散。
然而，上述现有的工艺的方块电阻均匀性较差，不均匀度一般在10%以上，这是因为在扩散时会产生富硼层，一方面富硼层会增加体内的复合降低少子寿命，另一方面富硼层的存在也大大降低了方块电阻的均匀性，给金属化烧结带来很大的困难，同时BBr3在工艺过程中会产生Br2剧毒的化学废气，对操作人的安全性具有一定的威胁，因此，开发一种高均匀性、高安全性的N型硅片的硼扩散工艺尤为重要。
综上所述，在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在以下缺陷：
⑴方块电阻均匀性差：现有技术的N型硅片的PN结制备工艺，在1000℃左右通BBr3硼源进行扩散，扩散时会产生富硼层，富硼层的存在也大大降低了方块电阻的均匀性；
⑵安全性差：在1000℃左右通BBr3硼源进行扩散，BBr3在工艺过程中会产生Br2剧毒的化学废气，对操作人的安全性具有一定的威胁。 
 
发明内容
本发明的目的在于，针对上述问题，提出一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，以实现方块电阻均匀性好、安全性好与操作方式简便的优点。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，包括以下步骤：a、对制绒清洗后的N型硅片进行旋涂硼源处理，得到硼源片；b、在150-300℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理；c、在1000-1050℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理10-50min，其中，氮气流量为1-5 L/min，氧气流量为1-5 L/min；d、将步骤c所得硼源片降温处理至850-900℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理15-30min；其中，氧气流量为1-5 L/min；e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，进行保温处理10-20min。
进一步地，在步骤e之后，还包括以下步骤：f、将步骤e保温处理后的硼源片，自然冷却至常温。
进一步地，在步骤a中，所述硼源是纯度大于99.9995%、且质量浓度为1.1-3%的硼酸溶液。
进一步地，在步骤b中，所述烘干处理的时间为2-5min。
进一步地，所述步骤e具体包括：继续将步骤d所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，在流量为1-6 L/min的氮气气氛中进行保温处理10-20min。
在上述N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法中，由于采用的硼源是高纯度的硼酸溶液，在工艺过程中不会产生有害的化学废气，具体的化学反应方程式如下：
2H3BO3→B2O3+ 2H2O
2B2O3+3Si→4B+3SiO2
而常规扩散工艺中采用BBr3作为硼源，在工艺过程中会产生Br2有毒气体，具体的化学反应方程式如下：
2BBr3+3O2→2B2O3+3Br2
 2B2O3+3Si→4B+3SiO2
本发明各实施例的N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，由于包括步骤：a、对制绒清洗后的N型硅片进行旋涂硼源处理，得到硼源片；b、在150-300℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理；c、在1000-1050℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理10-50min；d、将步骤c所得硼源片降温处理至850-900℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理15-30min；e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，进行保温处理10-20min；由于采用的硼源是高纯度的硼酸溶液，与现有技术中的常规扩散工艺相比，在工艺过程中不会产生有害的化学废气；从而可以克服现有技术中方块电阻均匀性差与安全性差的缺陷，以实现方块电阻均匀性好、安全性好与操作方式简便的优点，有利于N型晶体硅太阳能电池的制备，适于推广应用。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书与权利要求书所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
 
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
根据本发明实施例，提供了一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，包括以下步骤：
a、在制绒清洗后的一组N型单晶硅片（以25片为例）的表面，旋涂质量浓度为3%的硼酸溶液，得到硼源片；在步骤a中，硼酸溶液的纯度大于99.9995%；
b、在150℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理5min；
c、在1000℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理30min，其中，氮气流量为5 L/min，氧气流量为2L/min；
d、将步骤c所得硼源片降温处理至900℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理15min；其中，氧气流量为5 L/min；
e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至700℃的温度条件时，在氮气气氛中进行保温处理15min，完成工艺过程；其中，氮气流量为3 L/min。
在上述实施例中，在步骤e之后还可以包括步骤f，即将步骤e保温处理后的硼源片，自然冷却至常温。
对比实施例一
为了与上述实施例一进行对比，将制绒清洗后的另外一组25片N型单晶硅片进行常规扩散处理，包括以下步骤：
a、在975℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对上述N型单晶硅片进行通BBr3硼源处理，得到BBr3硼源片；其中，氮气流量8L/min，氧气流量为0.8L/min，BBr3的流量为0.3 L/min；
b、将步骤a所得BBr3硼源片降温处理至860℃后，在流量为8L/min的氧气气氛中进行保温处理40min；
c、继续将步骤b所得BBr3硼源片降温处理至820℃后，通流量为8L/min的氮气，完成扩散过程。
工艺结束后，从上述实施例一与对比实施例一得到的两组硅片中，在每组的均匀位置各抽取3片硅片进行方块电阻均匀性测试，得到如下数据：
表一：由实施例一所得硅片的方块电阻均匀性测试数据
位置 中心 角1 角2 角3 角4 不均匀度
2 47.5 46.2 49.2 45.8 46.6 3.61%
12 46.8 47.2 48.3 45.5 46.7 2.99%
22 47.3 48.4 49.3 46.1 45.6 3.91%
表二：由对比实施例一所得硅片的方块电阻均匀性测试数据
位置 中心 角1 角2 角3 角4 不均匀度
2 53.5 59.2 48.2 51.8 57.6 10.17%
12 56.8 47.2 53.3 49.5 51.7 9.28%
22 49.3 58.4 51.3 47.1 54.6 10.84%
由上述表一和表二可知，采用现有常规扩散工艺所得硅片的方块电阻均匀性较差，单片硅片中方块电阻的不均匀度在9.28-10.84%；而采用本发明实施例一的N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，所得硅片的方块电阻均匀性较好，单片硅片中方块电阻的不均匀度在2.99-3.91%。
实施例二
与上述实施例一不同的是，在本实施例中，提供了一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，包括以下步骤：
a、在制绒清洗后的一组N型单晶硅片（以25片为例）的表面，旋涂质量浓度为1.5%的硼酸溶液，得到硼源片； 
b、在300℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理2min；
c、在1030℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理15min，其中，氮气流量为3 L/min，氧气流量为4L/min；
d、将步骤c所得硼源片降温处理至850℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理25min；其中，氧气流量为3 L/min；
e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至650℃的温度条件时，在氮气气氛中进行保温处理10min，完成工艺过程；其中，氮气流量为3 L/min。
工艺结束后，从上述实施例二得到的硅片中，在均匀位置抽取3片硅片进行方块电阻均匀性测试，得到如下数据：
表三：由实施例二所得硅片的方块电阻均匀性测试数据
位置 中心 角1 角2 角3 角4 不均匀度
2 55.6 57.2 58.2 54.8 57.6 3.00%
12 56.7 53.2 53.9 57.5 56.7 3.87%
22 56.3 57.9 52.8 55.1 54.6 4.61%
从上述实施例一与实施例二可见，采用本发明N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法所得硅片中单片硅片的不均匀度大致为2.99-4.61%，可见该硅片的方块电阻的均匀性较好。
实施例三
与上述实施例一不同的是，在本实施例中，提供了一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，包括以下步骤：
a、在制绒清洗后的一组N型单晶硅片（以25片为例）的表面，旋涂质量浓度为1.1%的硼酸溶液，得到硼源片；
b、在225℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理3.5min；
c、在1050℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理50min，其中，氮气流量为1 L/min，氧气流量为5L/min；
d、将步骤c所得硼源片降温处理至875℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理30min；其中，氧气流量为1 L/min；
e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至600℃的温度条件时，在氮气气氛中进行保温处理20min，完成工艺过程；其中，氮气流量为1 L/min。
实施例四
与上述实施例三不同的是，在本实施例中，在步骤c中，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理10min；在步骤e中，氮气流量为6 L/min。
综上所述，本发明各实施例的N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，由于包括步骤：a、对制绒清洗后的N型硅片进行旋涂硼源处理，得到硼源片；b、在150-300℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理；c、在1000-1050℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理10-50min；d、将步骤c所得硼源片降温处理至850-900℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理15-30min；e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，进行保温处理10-20min；由于采用的硼源是高纯度的硼酸溶液，在工艺过程中不会产生有害的化学废气；从而可以克服现有技术中方块电阻均匀性差与安全性差的缺陷，以实现方块电阻均匀性好、安全性好与操作方式简便的优点。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、对制绒清洗后的N型硅片进行旋涂硼源处理，得到硼源片；
b、在150-300℃的温度条件下，对步骤a所得硼源片进行烘干处理；
c、在1000-1050℃的温度条件下，在氮气和氧气的混合气氛中对步骤b所得硼源片进行推进处理10-50min，其中，氮气流量为1-5 L/min，氧气流量为1-5 L/min；
d、将步骤c所得硼源片降温处理至850-900℃的温度条件时，在氧气气氛中进行氧化处理15-30min；其中，氧气流量为1-5 L/min；
e、继续将步骤d所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，进行保温处理10-20min。
2.根据权利要求1所述的N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，其特征在于，在步骤e之后，还包括以下步骤：
f、将步骤e保温处理后的硼源片，自然冷却至常温。
3.根据权利要求1或2所述的N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，其特征在于，在步骤a中，所述硼源是纯度大于99.9995%、且质量浓度为1.1-3%的硼酸溶液。
4.根据权利要求1或2所述的N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，其特征在于，在步骤b中，所述烘干处理的时间为2-5min。
5.根据权利要求1或2所述的N型晶体硅太阳能电池用PN结制备方法，其特征在于，所述步骤e具体包括：
继续将步骤d所得硼源片降温处理至600-700℃的温度条件时，在流量为1-6 L/min的氮气气氛中进行保温处理10-20min。
CN2011100716569A 2011-03-24 2011-03-24 一种n型晶体硅太阳能电池用pn结制备方法 Pending CN102437232A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100716569A CN102437232A (zh) 2011-03-24 2011-03-24 一种n型晶体硅太阳能电池用pn结制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100716569A CN102437232A (zh) 2011-03-24 2011-03-24 一种n型晶体硅太阳能电池用pn结制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102437232A true CN102437232A (zh) 2012-05-02

Family

ID=45985206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100716569A Pending CN102437232A (zh) 2011-03-24 2011-03-24 一种n型晶体硅太阳能电池用pn结制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102437232A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104022187A (zh) * 2014-06-19 2014-09-03 常州天合光能有限公司 N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法
US9640450B1 (en) 2015-10-23 2017-05-02 Motech Industries Inc. Method for reducing light-induced-degradation in manufacturing solar cell
CN109742172A (zh) * 2019-01-08 2019-05-10 华东理工大学 旋涂硼源激光掺杂制作n型选择性发射极双面电池的方法
CN113066894A (zh) * 2021-02-02 2021-07-02 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种适用于hbc电池的硼扩散方法
CN113410134A (zh) * 2021-06-08 2021-09-17 河南大学 一种实现低温扩散的硼源

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5378796A (en) * 1976-12-23 1978-07-12 Seiko Epson Corp Solar battery
US5763320A (en) * 1995-12-11 1998-06-09 Stevens; Gary Don Boron doping a semiconductor particle
CN1719621A (zh) * 2005-04-21 2006-01-11 南京中电光伏科技有限公司 一种硅太阳电池的结构与制作方法
US20060183307A1 (en) * 2004-12-20 2006-08-17 Ajeet Rohatgi Boron diffusion in silicon devices
CN101499501A (zh) * 2009-03-02 2009-08-05 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法
CN101944555A (zh) * 2010-09-16 2011-01-12 浙江大学 铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5378796A (en) * 1976-12-23 1978-07-12 Seiko Epson Corp Solar battery
US5763320A (en) * 1995-12-11 1998-06-09 Stevens; Gary Don Boron doping a semiconductor particle
US20060183307A1 (en) * 2004-12-20 2006-08-17 Ajeet Rohatgi Boron diffusion in silicon devices
CN1719621A (zh) * 2005-04-21 2006-01-11 南京中电光伏科技有限公司 一种硅太阳电池的结构与制作方法
CN101499501A (zh) * 2009-03-02 2009-08-05 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法
CN101944555A (zh) * 2010-09-16 2011-01-12 浙江大学 铝硼共掺的硅太阳电池背场及其制作方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104022187A (zh) * 2014-06-19 2014-09-03 常州天合光能有限公司 N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法
CN104022187B (zh) * 2014-06-19 2016-08-17 常州天合光能有限公司 N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法
US9640450B1 (en) 2015-10-23 2017-05-02 Motech Industries Inc. Method for reducing light-induced-degradation in manufacturing solar cell
CN109742172A (zh) * 2019-01-08 2019-05-10 华东理工大学 旋涂硼源激光掺杂制作n型选择性发射极双面电池的方法
CN113066894A (zh) * 2021-02-02 2021-07-02 普乐新能源科技(徐州)有限公司 一种适用于hbc电池的硼扩散方法
AU2021426616B2 (en) * 2021-02-02 2024-03-28 Popsolar Technology (Taixing) Co., Ltd Boron diffusion method suitable for hbc battery
CN113410134A (zh) * 2021-06-08 2021-09-17 河南大学 一种实现低温扩散的硼源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106057980B (zh) 一种晶体硅太阳能电池的磷扩散方法
CN102437232A (zh) 一种n型晶体硅太阳能电池用pn结制备方法
CN101494251B (zh) 一种制造精炼冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法
CN106856215B (zh) 太阳能电池片扩散方法
CN106784153A (zh) 太阳能电池片低压扩散工艺
CN102522449B (zh) 一种制备硅太阳能电池的磷扩散方法
CN102315310A (zh) 一种太阳能电池片制备中的扩散工艺
CN101447529A (zh) 一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺
CN111384210B (zh) 一种perc叠加se的高开压扩散高方阻工艺
CN104404626B (zh) 物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法
CN103050581A (zh) 一种激光掺杂选择性发射结的扩散工艺
CN102191562A (zh) 一种n型晶体硅太阳电池的硼扩散方法
CN103227245A (zh) 一种p型准单晶硅太能阳电池pn结的制造方法
CN115881853B (zh) 一种太阳电池及其制备方法
CN103117328B (zh) 冶金多晶硅片磷吸杂方法及该法制成的硅片和太阳能电池
CN107331731A (zh) 一种太阳能电池晶体硅片磷扩散方法
CN108110090B (zh) 一种n型双面电池制备方法
CN102881767B (zh) 一种用于太阳能电池的链式扩散工艺
CN110544730A (zh) 选择性发射极及其制备方法、选择性发射极电池
CN109585606A (zh) 一种降低p型太阳能电池光致衰减的烧结方法和应用
CN102969402A (zh) 一种浅结太阳能电池的制备工艺
CN104269466B (zh) 一种硅片的硼掺杂方法
CN102315309A (zh) 一种太阳能电池片的制备方法
CN102169924A (zh) 晶体硅太阳能电池及其钝化方法
CN106653954A (zh) 一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 214200 Jiangsu city of Wuxi province Yixing Qingyuan Road Economic Development Zone No. 27 (East)

Applicant after: Zhejiang Yuhui Solar Energy Jiangsu Co., Ltd.

Address before: 214200 Jiangsu city of Wuxi province Yixing Qingyuan Road Economic Development Zone No. 27 (East)

Applicant before: Wuxi Jiacheng Solar Energy Technology Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: WUXI JIACHENG SOLAR ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD. TO: ZHEJIANG RENESOLA JIANGSU LTD.

C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120502