CN102422528B - 用于极性发射器的带有数字滤波器的rf放大器 - Google Patents

用于极性发射器的带有数字滤波器的rf放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN102422528B
CN102422528B CN201080020919.7A CN201080020919A CN102422528B CN 102422528 B CN102422528 B CN 102422528B CN 201080020919 A CN201080020919 A CN 201080020919A CN 102422528 B CN102422528 B CN 102422528B
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal
power amplifier
tap
digital
filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080020919.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102422528A (zh
Inventor
约翰尼斯·彼得勒斯·安东尼厄斯·弗兰巴赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ST Ericsson SA
Original Assignee
ST Ericsson SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ST Ericsson SA filed Critical ST Ericsson SA
Publication of CN102422528A publication Critical patent/CN102422528A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102422528B publication Critical patent/CN102422528B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2178Class D power amplifiers; Switching amplifiers using more than one switch or switching amplifier in parallel or in series
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems
    • H04L27/32Carrier systems characterised by combinations of two or more of the types covered by groups H04L27/02, H04L27/10, H04L27/18 or H04L27/26
    • H04L27/34Amplitude- and phase-modulated carrier systems, e.g. quadrature-amplitude modulated carrier systems
    • H04L27/36Modulator circuits; Transmitter circuits
    • H04L27/361Modulation using a single or unspecified number of carriers, e.g. with separate stages of phase and amplitude modulation
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21112A filter circuit being added at the input of a power amplifier stage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21145Output signals are combined by switching a plurality of paralleled power amplifiers to a common output
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21157A filter circuit being added at the output of a power amplifier stage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Abstract

一种用于极性发射器的射频功率放大器,转换器(60,180)将振幅分量信号转换成1比特数字振幅信号,所述1比特数字振幅信号被提供给数字有限冲击响应滤波器(20)。所述滤波器的各连续的抽头包括一个RF放大级(40,120,130,140,150,160,165,170),所述RF放大级(40,120,130,140,150,160,165,170)布置成放大1比特数字振幅信号的相继延时的样值,所述放大是根据各自的抽头系数以及根据由所述相位分量调制的RF载波进行的。所述滤波器被布置成将所述抽头的输出合并,以提供所述放大的RF信号。所述功率放大器使用一个1比特流,因此仅具有两个状态(2个值),因此原理上实现线性。抽头间的装置不匹配不会导致非线性或变形。

Description

用于极性发射器的带有数字滤波器的RF放大器
技术领域
本发明涉及一种功率放大器,尤其是射频(RF)功率放大器,以及对应的发射器、收发器、集成电路以及其操作方法。
背景技术
自US2007275676中已知,应用于诸如蜂窝、个人和卫星通信的现代无线RF发射器,使用通常与码分多址(CDMA)通信结合的诸如频移键控(FSK)、相移键控(PSK)和其变型的数字调制方式。RF发射器输出信号将具有这样的包络:该包络在某些上述提到通信方式中,是恒包络,且在其它通信方式中,将随时间变化。可变-包络调制方式的一示例就是所谓的极性发射器。在极性发射器中,数字基带数据进入对某些中频(IF)载波fIF进行必要的脉冲整形和调制的数字处理器,以产生数字包络(已调幅)以及数字已调相信号。数字已调幅信号沿振幅路径输入数模转换器(DAC),接着是低通滤波器(LPF)。数字已调相信号沿相位路径输入另一DAC,接着是另一LPF。振幅路径上的LPF的输出是模拟振幅信号,而相位路径上的LPF的输出是模拟基准信号。模拟基准信号被输入锁相环路以使RF输出信号的相位能够跟踪模拟基准信号的相位。在非线性功率放大器(PA)内通过模拟已调幅信号调制RF输出信号。
因此,在极性发射器结构中,RF信号的相位分量通过非线性功率放大器放大,而调幅是在功率放大器的输出端进行。然而,此结构需要相位校准以及振幅校准,以确保在正确的时刻应用已调幅数据和已调相数据。此外,极性发射器还具有关于振幅调制和功率控制的若干难题。传统的振幅调制技术通常是基于供电的调制。然而,RF信号的振幅分量占用的带宽是相位数据和振幅数据组合的几倍。因此,传统的供电调制技术被限于多个宽带应用。此外,在多个无线系统中,必须控制输出功率以便防止接收的信号以相同的功率级到达所有的用户。然而,在开关功率放大器中,使用与用于振幅调制的方法相同的方法而进行功率控制。结果,在开关功率放大器中,在功率控制动态范围和振幅调制的分辨率之间存在平衡。此外,AM(调幅)信号路径需要极为线性。任意变形导致相邻的发射信道内的不能接受的频谱功率发射(频谱泄露或频谱再生)。
在上述提到的US2007275676中提供多级功率放大器,以解决本机振荡器泄露的问题。由于电容的电压和电流间的90°的相位差,泄露电流与开关晶体管的漏电流是正交的。因此,当应用振幅调制时,由于作为载波的包络(振幅)的函数的泄露,载波的相位有变化。这种效应被称为AM到PM(调相)转换,且当功率放大器工作在高输出功率电平时,这种效应是很严重的。为补偿极性发射器内的AM到PM转换,能够使用预失真滤波器或相位反馈回路。除了预失真滤波器和/或相位反馈回路之外或在其中之一,能够在开关晶体管的上方使用共源共栅晶体管,这同时减少了开关晶体管的电压变化,且因此减少了AM到PM转换。
在低功率运行中,通过CGD(栅-漏)电容的本机振荡器泄露能够与输出RF信号相当,或高于输出RF信号。结果,在输出端泄露覆盖RF信号,且因此限制功率控制动态范围。泄露信号还会限制低功率工作的振幅调制的线性。为克服在低功率的泄露问题,通过在功率放大器中提供多级来减少用于低功率电平的开关尺寸。例如,能够分为开关尺寸比为*1,*8和*64的3级。各级包括开关对和对应的尾电流源。各电流源可操作地连接以接收已调幅信号以及功率控制比特,来控制通过其各自的开关对的电流,且各级与不同的功率电平相关,以使低功率电平的泄露最小。连接到各开关对的开关选择一级或多级以产生合适的用于功率放大器的输出功率,或能够使用功率控制字的最高有效位(MSBs)来选择级,以导通合适的级。能够使用剩余的最低有效位(LSBs)以控制尾电流。使较大级截止改善了低功率工作中的功率放大器的线性。
另外,使用所谓的“射频模数转换器”或“包络模数转换器”也是已知的,“射频模数转换器”或“包络模数转换器”本质上是结合多位奈奎斯特(Nyquist)DAC的开关RF功率放大器。例如参见2007年10月的固态电路的IEEE杂志的P.T.M van Zeijl、M.Collados的“用于90nm的WLAN OFDM极性发射器的数字包络调制器”。“射频模数转换器”(=PA)能够通过直接将数字化的振幅数据输入PA来及时提供校准AM和PM重组所必需的可预测性和精确性。因此,能获知传播延时在100ps内。然而,振幅的精确度依赖于组成PA的二进制加权单位单元的装置匹配。由于这些装置需要工作在通常是几GHz的RF,它们的尺寸必须是小的。因此,匹配将是差的(将尺寸与面积匹配)。为缓解此问题,“射频模数转换器”能够根据温度计编码单位单元构造,而非二进制加权单位单元。能够将损伤设计到可接受的较低水平,但原则上,装置不匹配将破坏AM信号的精确重构。
发明内容
本发明的目的是提供功率放大器,尤其是RF功率放大器,以及对应的发射器、收发器、集成电路以及其操作方法。
根据第一方面,本发明提供:诸如RF功率放大器的功率放大器,具有转换器,该转换器将振幅分量信号转换成1比特数字振幅信号,该1比特数字振幅信号被提供给数字有限冲击响应滤波器。例如,所述滤波器的各连续的抽头具有诸如RF放大级的一放大级,所述放大级布置成放大所述1比特数字振幅信号的相继延时的样值,所述放大是根据各自的抽头系数以及根据由所述相位分量调制的RF载波进行的。所述滤波器被布置成将所述抽头的输出合并,以提供放大的RF信号。
根据本发明的实施方式,能够以诸如25kHz或更大的频率使用相应的放大器,例如用于自长波无线直到超宽带(UWB)无线传输的无线通信,或高达150GHz或300GHz级的诸如ADSL的线缆传输。
所提出的被称为“FIR-PA”或“比特流PA”的功率放大器,使用一个比特流,该一个比特流因此仅具有两个状态(2个值),从而在原理上实现了线性。由于1比特的比特流,在放大的输出中能够精确且如实地再现数字化编码的振幅分量。
本发明的实施方式可能具有其它附加的特征,类似的附加特征在从属权利要求中列出,且在下文被详细地描述。
本发明的其它方面包括对应的方法。任何附加的特征能够组合到一起,且与任意方面组合。其它优点对本领域技术人员来说是明显的,尤其对于其它的现有技术。能够作出大量的变型和改变而不脱离本发明的权利要求。因此,应清楚理解,本发明的构成仅用作说明,且并不意味着限制本发明的范围。
附图说明
通过结合附图的示例将描述本发明如何实现,其中:
图1示出根据第一实施方式的装置;
图2示出根据第二实施方式的装置;
图3示出根据第三实施方式的装置。
具体实施方式
将结合具体实施方式以及附图描述本发明,但本发明并不限于此,而仅由权利要求限制。描述的附图仅用于示意而非限制。在附图中,为了便于说明,某些部件的尺寸可能被增大且并未按比例绘制。当在本说明书和权利要求中使用术语“包括”时,不排除其它部件或步骤。当涉及例如“一”的单数名词时使用定冠词或不定冠词,这包括名词的复数,除非有其他特别说明。
在权利要求中使用的术语“包括”不应该解释为限制于其后所列的装置,它不排除其它部件或方法。因此,“包括装置A和B的装置”的表达范围不应限制于仅由部件A和B组成的装置。它意味着,仅A和B是与本发明装置相关的部件。
此外,说明书和权利要求中的术语第一、第二、第三等是用于区分类似的部件,且不一定用于描述先后顺序或时间顺序。应理解,在合适的环境下这样使用的术语是可互换的,且本文描述的本发明的实施方式能够按非本文中描述的或示出的其它顺序工作。
此外,说明书和权利要求中的术语上、下、在...之上、在...之下等是用于说明,且不一定用于描述相关位置。应理解,在合适的环境下这样使用的术语是可互换的,且本文描述的本发明的实施方式能够以非本文中描述的或示出的其它方向操作。
此说明书中参照“一个实施方式”或“实施方式”意味着结合实施方式描述的具体特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方式中。因此,在此说明书中的不同地方出现的措辞“在一个实施方式中”或“在实施方式中”不一定都涉及相同的实施方式,而是有可能涉及相同的实施方式。而且,具体特征、结构或特性可以以任何合适的方式组合在一个或更多的实施方式中,对本领域技术人员来说,根据本申请的记载这将是显而易见的。
类似地,应理解,本发明的示例实施方式的描述中,为使记载简洁以及有助于理解一个或更多的不同的发明方面,本发明的各种特征有时在其单个的实施方式、图或描述中组合到一起。然而,本申请的此方法,不可被解释为反映这样的意图:要求保护的发明要求的特征多于各权利要求中明确地列举的。如以下权利要求反映的,发明方面在于比单个的前述公开的实施方式中的所有特征少的特征。因此,在基于详细说明的权利要求以这样的方式明确地并入此详细说明:各权利要求就其本身表示此发明的单独的实施方式。
此外,虽然这里描述的一些实施方式包括某些特征,并不包括在其它实施方式中包括的其它特征,但不同实施方式的特征的组合应在发明的范围内,且形成不同的实施方式,如本领域技术人员能理解的。例如,在随附的权利要求中,能够以任意组合使用任意要求保护的实施方式。
此外,这里一些实施方式被描述为能够通过计算机系统的处理程序或实现所述功能的其它装置来实施的方法或方法的部件的组合。因此,具有所需指令的处理程序形成用于实现方法或方法的部件的装置,该所需指令用于实现这样的方法或方法的部件。此外,装置实施方式的这里描述的部件是用于实现所述功能的装置的示例,该功能由用于实现本发明的目的部件所进行的。提及的信号能够包含以任意媒介内的任何一种信号,且因此能够包含例如电信号或光信号或无线信号或其它信号。提及的分析能够包含以各种方式处理信号以获得或增强关于材料的信息。提及的处理器能够包含用于处理任何形式的信号或数据的装置,且因此能够包含例如个人计算机、微处理器、模拟电路、专用集成电路、同样的软件等。
术语射频(RF)是频率或振荡速率,根据本发明,该频率或振荡速率能够位于约3Hz到300GHz范围内,且特别是涉及25kHz到300GHz,且更特别是25kHz到150GHz。此范围对应于用于产生且检测无线电波的AC电信号的频率。RF指的是空气中或电路中的振荡。因此,提及的RF包含任何用于通过空气或空间广播或用于诸如非对称数字用户线(ADSL)、甚高速数字用户环路(VDSL)、对称数字用户线路(SDSL)等电缆传输的频率。
射频可以按如下分类:极低频,例如3Hz-30Hz;超低频,例如30Hz-300Hz;特低频,例如300Hz-3000Hz;甚低频,例如3kHz-25kHz;低频,例如25kHz-300kHz;例如使用于AM广播的中频,例如300kHz-3000kHz,波长为100m-1000m;高频,例如3MHz-30MHz;甚高频,例如30MHz-300MHz;特高频,例如300MHz-3000MHz;和超高频,例如3GHz-30GHz;极高频,例如30GHz-300Ghz。
根据本发明的实施方式,能够以诸如25kHz或更大的频率来使用相应的放大器,例如用于高达150GHz或300GHz的诸如ADSL的电缆传输。
这里提供的实施方式中,列举了多个具体细节。然而,应理解,本发明的实施方式可以被实施而没有这些具体细节。在其它示例中,已知的方法、结构和技术未被详细地示出,以便清楚理解此说明书。
介绍一些实施方式解决的一些问题
通过介绍实施方式,将讨论需要以深亚微米CMOS工艺集成的现代无线收发器的问题。它们应使用架构概念和电路概念以在这些数字化驱动工艺中产生有力的实施。这些概念之一是极性发射器。极性发射器将任意RF矢量分解为振幅(AM)和相位(PM),而非同相位以及正交相位(I/Q)分量。PM分量通过锁相环(PLL)自基带传输到RF。在深亚微米工艺中通常是所谓的数字锁相环(DPLL)。能够以若干方法处理AM分量,但两个信号AM和PM在天线之前需要重组。通常这发生在功率放大器中,该功率放大器因此被称为“极性功率放大器”。为成功的重组,AM和PM信号应该在时间上校准。由于AM路径和PM路径具有完全不同的性质,对结构来说,时间校准不是其固有的,但需要仔细地设计。
此外,AM信号路径需要非常线性。任何变形会导致邻近的发射信道内的不可接受的频谱功率发射(频谱泄露或频谱再生)。为此,在描述的实施方式中,将以“数字”方式处理AM信号,以通过设计使它线性且使传播延时既精确又可预测。
介绍实施方式的特征
在根据本发明的功率放大器的实施方式中,尤其是RF功率放大器的实施方式中,转换器将振幅分量信号转换成1比特数字振幅信号,该1比特数字振幅信号被供应给数字有限冲击响应滤波器。滤波器的各连续的抽头具有放大级,该放大级布置成放大1比特数字振幅信号的相继延时的样值,该放大级例如RF放大级。优选地根据各自的抽头系数且根据由相位分量调制的RF载波进行放大。滤波器被布置成将抽头的输出合并,以提供放大的RF信号。
称为“有限冲击响应-功率放大器(FIR-PA)”或“比特流功率放大器”的功率放大器PA,使用一个比特流,该一个比特流因此仅具有两个状态(2个值),这样原则上实现线性(由于两点总能以直线连接)。振幅分量(AM)信号通过任何类型的转换器以1比特的比特流来编码。一个示例是使用脉宽调制的转换器,技术人员能够想到其它示例,且其它示例包含在本发明的范围内。转换器的一个示例是∑-Δ调制器(SDM)。这是能够通过过采样以及噪声整形将m比特AM输入信号转换成1比特信号的已知装置。该产生的比特流在振幅和时间上是精确地,满足上述在天线上成功重组信号的要求。
SDM的噪声整形产生较低的带内本底噪声,但具有较高的带外噪声。在无线系统中,在相邻的信道中应该产生低电平或无频谱发射。带外噪声需要通过锐截止滤波器抑制(在有用的带宽之外急剧衰减)。这样的滤波器的模拟实施将具有显著的群延时(且在通带上具有群延时变型),违背了时间校准要求。数字FIR滤波器通常提供具有恒定群延时的通带外的锐衰减。还能够以“半数字”方式实施FIR滤波器,即延时是精确的(数字),且抽头系数是模拟的,例如开关的电流源。这样的滤波器例如在音频应用中常见。描述的实施方式可以看作基于具有极性PA的“半数字”FIR的具体组合。
在一些实施方式中,各抽头的放大级包括模拟部件,该模拟部件根据各自的抽头系数确定尺寸。这可包含,例如根据各自的抽头系数设计晶体管的尺寸。各抽头的放大级能够包括开关电流源,该开关电流源布置成提供表示各自抽头系数的电流。这可与模拟部件的尺寸设计组合,或替换。这样就会包含更多的部件,但如果不需要对所有的抽头提供不同的尺寸,就能够简化设计。
开关电流源是可编程的。这样使得能够动态地改变滤波,以例如实现多重标准操作,或实现软件可编程滤波。
各抽头的放大级能够包括开关和晶体管的共源共栅布置。各抽头的放大级能够包括电流镜。各抽头能够具有门,该门用于根据由相位分量调制的RF载波分别选通该1比特数字振幅信号的相继延时的样值。这是根据由相位分量调制的RF载波进行放大的一种方法。在数字领域中这样做,可以更好地保护线性度及同步,且由于某些放大级是无效的,减少了在低信号电平的串音。
抽头能够对所有放大级具有可控的共同基准电流,以能够实现总体的RF输出功率控制。
功率放大器,尤其是RF功率放大器能够以具有其它部分的亚微米CMOS集成电路实施。这对更大集成度的数字电路是有用的。功率放大器可以是具有极性发射器的收发器的一部分。在用于传输RF信号时,振幅分量信号被转换成1比特数字振幅信号,该1比特数字振幅信号被提供给数字有限冲击响应滤波器,使得该滤波器的各连续的抽头放大1比特数字振幅信号的相继延时的样值。该放大是根据各自的抽头系数以及根据由相位分量调制的RF载波来完成的。通过组合抽头的输出,提供用于传输的放大的RF信号。描述了适用于极性发射器的RF功率放大器(PA)。它能够通过数字比特流(1-比特)直接进行AM调制。由于1-比特流仅具有2个状态,因此该PA本身就是设计成线性的。比特流能够由∑Δ调制器进行噪声整形。为抑制由噪声整形引入的带外噪声,PA起到具有急剧衰减的有限冲击响应滤波器(FIR-滤波器)的作用。与其它数字化调制的PA相比,装置不匹配不会导致振幅变形。振幅以比特流方式编码,而不以PA的单位部件的权重方式编码,因此,即使出现装置不匹配,能够如实地重现振幅而不变形。否则装置不匹配会导致带外噪声以及PA的群延时内的变化。能够通过DC电流控制PA的输出功率,且PA的输出功率相对工艺、温度以及供电电压变化(PVT)是非常稳定的。该PA非常适用于应以深亚微米CMOS工艺集成的无线收发器。
图1,第一实施方式
在图1的实施方式中,RF功率放大器10被示出具有转换器60和数字有限冲击响应FIR滤波器20。转换器将振幅分量信号转换成1比特数字振幅信号,该1比特数字振幅信号被供给数字有限冲击响应滤波器。该滤波器具有多个延时部件50,该延时部件50将振幅信号的相继延时的样值提供给滤波器的连续的抽头30。示出了3个抽头,但可以具有更多的抽头。各抽头具有RF放大级40,该RF放大级40布置成将1比特数字振幅信号的延时样值放大,该放大是根据各自的抽头系数所进行的。各放大级还具有RF载波的输入,RF载波由相位分量调制。滤波器布置成将抽头的输出合并,以提供放大的RF信号。这样才能被供给天线、或波导、或任意传输介质。能够使用如上所述的PLL或其它方式进行通过相位分量的RF载波的调制。
实施图1的各部分有多种方法。以下将结合图2和图3更详细地描述一些。能够以分立部件或集成电路形式使用诸如晶体管或逻辑门的传统电路部件,以适合应用。
图2,第二实施方式
此图示出RF功率放大器,该RF功率放大器具有N单位单元的数字FIR,N阶FIR滤波器的抽头。各单位单元由延时部件Z-1110(例如采用触发器实施)、诸如与门100的门和放大级组成,该放大级为RF开关NMOS晶体管(下NMOS120)和共源共栅NMOS(上NMOS130)的形式。N单位单元的共源共栅的漏极合并且连接到天线190。数字AM信号通过∑Δ调制器180形式的转换器被转换成1比特数字信号。与门将AM比特流和RF载波合并。RF开关晶体管120具有根据所需的抽头系数权重的权重W0、...Wn,以形成期望的滤波器响应。通过对不同抽头的开关晶体管使用不同尺寸,实现权重。左边的等效二极管NMOS 140以及虚拟RF晶体管150,提供相对简单的DC装置以控制PA的输出功率。DAC 160提供功率控制信号给电流源170,电流源170连接到等效二极管NMOS 140。DAC用作实现对功率的软件或数字控制的接口。同时,电感连接器200被示出为合并后的输出提供直流耦合。
大电容125提供共源共栅的栅级的RF去耦,使这些晶体管变为熟知的“共栅”放大器。共源共栅的栅级通常是厚氧化层的类型,以确保在基本实现输出功率所需的高压(比技术的核心电压高得多)下的可靠工作。
图3,第三实施方式
在图3的实施方式中,某些部分类似于图2,且酌情使用对应的附图标记。各单位PA单元由延时部件、与门、RF开关晶体管和电流镜组成,该电流镜兼作共源共栅晶体管。不同于图2,所有的单位单元对晶体管具有相同的尺寸W。FIR滤波器抽头系数的权重不再由尺寸确定,而是由DC电流确定,该DC电流是由分立电流源165提供给各单位镜。在此实施方式中,由于所有的RF晶体管具有相同的尺寸,因此RF特性匹配良好且版图设计简单。由DC晶体管(电流源I0...In,165)确定抽头系数的匹配,能够具有大的尺寸(由于没有RF限制,仅DC限制)。通过控制共同的基准电流来实现功率控制,以同时改变所有电流源的满电流。电流源包括电流镜,因此功率控制是改变基准电流的问题。各电流源输出表示权重W乘以功率电平PWR的电流A。可选地,电流源能够是分立的可编程电流源。当不同抽头的电流源各自能够具有任选的值时,能够合成任何可能的FIR滤波器频率特性。这样,功率放大器的带外噪声能够被整形,以适应目前的应用,即“按需滤波”。这对产品“补偿配置”或多模式系统是有用的,在产品“补偿配置”或多模式系统中,不同的要求应用于不同的标准。这样实现了对带外噪声的软件可编程滤波,对软件定义无线电SDR来说是有益的特性。
应用及其它相关
至少一些实施方式的显著特性是它们通过设计的线性。由于1比特的比特流,能够精确且如实地在天线上再生极性调制器的数字化编码的AM信号。事实上,仅由共源共栅晶体管的厄利效应引起非线性。如果使用共源共栅晶体管此效应是不可避免的,而与模拟或数字的操作原理无关。
某些实施方式的某些特征的进一步有利的特性是:
●AM和PM信号以数字方式通过与门重组;
●单位单元之间的装置不匹配不会导致非线性或变形。
否则装置不匹配会导致群延时以及带外噪声变化。
●自下晶体管的栅极到漏极的RF载波的串音以振幅估量。
与门内逻辑“0”阻止RF载波,因此RF晶体管的栅上没有信号。仅由逻辑“1”驱动的单元是有效的,且导致串音。振幅越小,越多的单位是“0”,串音越小。因此,小信号也能够被如实地重现(这通常是问题)。
●直到RF晶体管,信号传输延时始终精确且可预先知道。
●PA的输出功率仅取决于DC基准电流(I_PWR_CTRL)
同时允许>>30dB(线性的)功率控制。
●消除大多数工艺、温度和供电电压的变化(PVT)。
对于制造公差稳定
●对于RF,共源共栅晶体管能够被合适地去耦,实现“共栅”特性。
●厚氧化层的共源共栅晶体管在高供电电压下能够提供良好的可靠性。
它能够保护灵敏的RF晶体管免受高压及ESD损害。
描述的功率放大器能够应用于无线发射器和收发器,该无线发射器和收发器意欲集成到深亚微米CMOS SoC(片上系统)中(但也能够单独使用)。该功率放大器对能够使用极性发射器的无线标准尤其有用,该极性发射器需要能够由数字控制既能对AM也能对PM直接调制的PA。
典型的应用包括使用蓝牙和蜂窝无线电的无线SoC。不限制应用,此FIR-PA尤其适用于结合数字锁相环的数字极性发射器。实施方式之一对软件定义无线电有用,能够实现多标准多模式的RF发射器。能够在用于蓝牙/FM-无线电的、45nm CMOS“CLN45”或45nm CMOS“CLN45”的PNX6730(具有蓝牙/GPS/FM-无线电的蜂窝基带)的发射器内应用。
在权利要求范围内能够设想其它变型。

Claims (15)

1.一种射频RF功率放大器,该RF功率放大器用于基于振幅分量信号和由相位分量调制的RF载波提供放大的RF信号,所述RF功率放大器具有转换器(60,180)且具有数字有限冲击响应滤波器(20),所述转换器(60,180)用于将所述振幅分量信号转换成1比特数字振幅信号,所述数字有限冲击响应滤波器(20)被提供所述1比特数字振幅信号,所述滤波器的各连续的抽头包括RF放大级(40,120,130,140,150,160,165,170),所述RF放大级(40,120,130,140,150,160,165,170)布置成放大1比特数字振幅信号的相继延时的样值,所述放大是根据各自的抽头系数以及根据由所述相位分量调制的RF载波,所述滤波器被布置成将所述抽头的输出合并,以提供所述放大的RF信号。 
2.如权利要求1所述的RF功率放大器,其中,各抽头的所述放大级包括模拟部件(120),所述模拟部件(120)根据各自的抽头系数确定尺寸。 
3.如权利要求1或2所述的RF功率放大器,其中,各抽头的所述放大级包括开关电流源(165),所述开关电流源(165)布置成提供表示各自的抽头系数的电流。 
4.如权利要求3所述的RF功率放大器,其中,所述开关电流源是可编程的。 
5.如权利要求1或2所述的RF功率放大器,其中,各抽头的所述放大级包括开关和共源共栅布置的晶体管。 
6.如权利要求1或2所述的RF功率放大器,其中,各抽头的所述放大级包括电流镜。 
7.如权利要求1或2所述的RF功率放大器,其中,各抽头包括门(100),所述门(100)用于根据由所述相位分量调制的RF载波分别选通所述1比特数字振幅信号的相继延时的样值,以根据由所述相位分量调制的RF载波进行放大。 
8.如权利要求1或2所述的RF功率放大器,其中,所述RF功率放大器被布置成,对所有放大级具有可控的共同基准电流,以实现总体的RF输出功率控制。 
9.如权利要求1或2所述的RF功率放大器,其中,所述转换器包括∑△调制器(180)。 
10.一种包括前述任一权利要求所述的射频RF功率放大器的亚微米互补金属氧化物半导体CMOS集成电路。 
11.一种具有极性发射器的收发器,其中,所述极性发射器具有权利要求1至9中任一项所述的射频RF功率放大器。 
12.一种放大射频RF信号的方法,具有步骤: 
将振幅分量信号转换成1比特数字振幅信号,将所述1比特数字振幅信号提供给数字有限冲击响应滤波器,使得所述滤波器的各连续的抽头放大所述1比特数字振幅信号的相继延时的样值,所述放大是根据各自的抽头系数以及根据由相位分量调制的RF载波进行, 
将所述抽头的输出合并,以提供放大的RF信号。 
13.如权利要求12所述的方法,其中,还包括所述放大的信号的无线传输。 
14.如权利要求12或13所述的方法,其中,各抽头包括门(100),所述方法还包括:根据由所述相位分量调制的RF载波分别选通所述1比特数字振幅信号的相继延时的样值,以根据由所述相位分量调制的RF载波对所述样值进行放大。 
15.如权利要求12或13所述的方法,其中,各抽头的放大步骤包括:提供表示各自的抽头系数的电流。 
CN201080020919.7A 2009-05-12 2010-05-10 用于极性发射器的带有数字滤波器的rf放大器 Active CN102422528B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09160027A EP2251976B1 (en) 2009-05-12 2009-05-12 RF amplifier with digital filter for polar transmitter
EP09160027.0 2009-05-12
PCT/EP2010/056363 WO2010130688A1 (en) 2009-05-12 2010-05-10 Rf amplifier with digital filter for polar transmitter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102422528A CN102422528A (zh) 2012-04-18
CN102422528B true CN102422528B (zh) 2014-09-17

Family

ID=41120051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080020919.7A Active CN102422528B (zh) 2009-05-12 2010-05-10 用于极性发射器的带有数字滤波器的rf放大器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8712350B2 (zh)
EP (1) EP2251976B1 (zh)
KR (1) KR101717311B1 (zh)
CN (1) CN102422528B (zh)
AT (1) ATE544232T1 (zh)
ES (1) ES2381533T3 (zh)
WO (1) WO2010130688A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012017580A1 (ja) * 2010-08-03 2012-02-09 日本電気株式会社 送信装置及びその制御方法
DE102011121139B4 (de) * 2011-12-15 2016-11-24 IAD Gesellschaft für Informatik, Automatisierung und Datenverarbeitung mbH Vorrichtung mit einem Delta-Sigma-Modulator und einer mit diesem verbundenen MOSFET-Endstufe
US8766713B2 (en) * 2012-05-31 2014-07-01 Qualcomm Incorporated Switching amplifier with embedded harmonic rejection filter
US20140112414A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Mediatek Singapore Pte. Ltd. Power amplifier and the related power amplifying method
JP6496550B2 (ja) * 2012-12-25 2019-04-03 パナソニック株式会社 電力増幅器
EP2750287B1 (en) * 2012-12-27 2017-10-04 OCT Circuit Technologies International Limited Cascode bias of power MOS transistors
US9281788B2 (en) 2013-03-15 2016-03-08 Analog Devices, Inc. All digital zero-voltage switching
EP2779443B1 (en) * 2013-03-15 2017-07-19 Analog Devices, Inc. All digital zero-voltage switching
WO2014195739A1 (en) * 2013-06-06 2014-12-11 Elektrotehnicki Fakultet Sveucilista U Energy-efficient system for distant measurement of analogue signals
US8970418B1 (en) 2013-08-19 2015-03-03 Analog Devices, Inc. High output power digital-to-analog converter system
US10056924B2 (en) 2013-08-19 2018-08-21 Analog Devices, Inc. High output power digital-to-analog converter system
JP6340191B2 (ja) * 2013-11-29 2018-06-06 株式会社メガチップス 電力増幅器
EP3145080B1 (en) * 2014-06-17 2018-08-08 Huawei Technologies Co., Ltd. Radio frequency power amplification system, radio frequency power amplification method, transmitter, and base station
JP6249029B2 (ja) * 2016-03-08 2017-12-20 Nttエレクトロニクス株式会社 データ位相追従装置、データ位相追従方法及び通信装置
US9985811B2 (en) * 2016-09-23 2018-05-29 Intel IP Corporation PAPR reduction for IQ RFDAC
US10116341B1 (en) * 2017-06-30 2018-10-30 Intel IP Corporation Polar transmitter with joined modulator
KR102616755B1 (ko) * 2018-09-19 2023-12-20 인텔 코포레이션 에너지 효율적인 스펙트럼 필터링을 갖는 초고속 데이터 레이트의 디지털 밀리미터파 송신기
US10763805B2 (en) * 2018-09-27 2020-09-01 Em Microelectronic-Marin S.A. Programmable power amplifier
EP3667913A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-17 Stichting IMEC Nederland Amplitude sweep generator and method
CN110324009A (zh) * 2019-06-20 2019-10-11 电子科技大学 一种具有滤波功能的分布式电源调制放大器
EP3823162B1 (en) 2019-11-14 2022-07-27 Imec VZW Digital rf circuitry
EP3996340B1 (en) 2020-11-05 2024-04-10 Stichting IMEC Nederland Asynchronous polar transmitter and operation method thereof
US11336293B1 (en) 2021-03-23 2022-05-17 Apple Inc. Digital to analog converter local oscillator tracking systems and methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7151913B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-19 M/A-Com, Inc. Electromagnetic wave transmitter, receiver and transceiver systems, methods and articles of manufacture
CN1957575A (zh) * 2004-05-28 2007-05-02 德州仪器公司 包括数字带通∑-△调制器的全数字式发射器
CN101542909A (zh) * 2006-05-21 2009-09-23 株式会社特瑞君思半导体 数字模拟变换装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6124815A (en) * 1998-06-02 2000-09-26 Cirrus Logic, Inc. Digital to analog converter for correcting for non-linearities in analog devices
US6697436B1 (en) * 1999-07-13 2004-02-24 Pmc-Sierra, Inc. Transmission antenna array system with predistortion
US6865235B2 (en) * 2001-03-06 2005-03-08 Agere Systems Inc. Multi-protocol modulator
US7254186B2 (en) * 2003-07-22 2007-08-07 M/A-Com, Inc. Electromagnetic wave transmitter, receiver and transceiver systems, methods and articles of manufacture
US6791399B2 (en) * 2002-10-09 2004-09-14 Intel Corporation Discrete-time analog filter
US6975140B2 (en) * 2003-11-26 2005-12-13 International Business Machines Corporation Adaptive data transmitter having rewriteable non-volatile storage
US7386581B2 (en) * 2003-12-31 2008-06-10 Stmicroelectronics, Inc. Performance FIR filter
US7469491B2 (en) * 2004-01-27 2008-12-30 Crestcom, Inc. Transmitter predistortion circuit and method therefor
US7463869B2 (en) * 2004-06-29 2008-12-09 Texas Instruments Incorporated Low noise high isolation transmit buffer gain control mechanism
US7236112B2 (en) * 2005-01-21 2007-06-26 Technoconcepts, Inc. Self-tuning output digital filter for direct conversion delta-sigma transmitter
US7596174B2 (en) * 2005-09-28 2009-09-29 Intel Corporation Equalizing a transmitter
US8411788B2 (en) * 2005-11-18 2013-04-02 Qualcomm, Incorporated Digital transmitters for wireless communication
US7693494B2 (en) * 2005-12-06 2010-04-06 Texas Instruments Incorporated High dynamic range pre-power amplifier incorporating digital attenuator
US7509102B2 (en) 2006-04-07 2009-03-24 Broadcom Corporation DAC based switching power amplifier
US7881399B2 (en) * 2006-09-19 2011-02-01 Panasonic Corporation Transmission circuit and communication device
US7504976B1 (en) * 2007-01-31 2009-03-17 Lockheed Martin Corporation Direct radio frequency generation using power digital-to-analog conversion
JP4882773B2 (ja) * 2007-02-05 2012-02-22 ソニー株式会社 信号処理装置、信号処理方法
US20090004981A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Texas Instruments Incorporated High efficiency digital transmitter incorporating switching power supply and linear power amplifier
US7840193B2 (en) * 2007-10-11 2010-11-23 Panasonic Corporation Transmitter and communication apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7151913B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-19 M/A-Com, Inc. Electromagnetic wave transmitter, receiver and transceiver systems, methods and articles of manufacture
CN1957575A (zh) * 2004-05-28 2007-05-02 德州仪器公司 包括数字带通∑-△调制器的全数字式发射器
CN101542909A (zh) * 2006-05-21 2009-09-23 株式会社特瑞君思半导体 数字模拟变换装置

Also Published As

Publication number Publication date
ATE544232T1 (de) 2012-02-15
EP2251976B1 (en) 2012-02-01
KR20120027230A (ko) 2012-03-21
US8712350B2 (en) 2014-04-29
ES2381533T3 (es) 2012-05-29
US20120056676A1 (en) 2012-03-08
EP2251976A1 (en) 2010-11-17
CN102422528A (zh) 2012-04-18
KR101717311B1 (ko) 2017-03-16
WO2010130688A1 (en) 2010-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102422528B (zh) 用于极性发射器的带有数字滤波器的rf放大器
US7924937B2 (en) Resonant power converter for radio frequency transmission and method
US9088319B2 (en) RF transmitter architecture, integrated circuit device, wireless communication unit and method therefor
EP3061190B1 (en) Digital transmitter comprising pulse width modulator
EP3219063B1 (en) System and method for generating a multi-band signal
EP2515444B1 (en) RF transmitter and method therefor
TWI596891B (zh) 混合數位/類比功率放大器
US9647866B2 (en) RF transmitter, integrated circuit device, wireless communication unit and method therefor
US8233563B2 (en) Outphasing amplification of digital modulated signals in a radiofrequency transmission system
US9559879B2 (en) PA cell, PA module, wireless communication unit, RF transmitter architecture and method therefor
US9166617B1 (en) Communication unit, digital band-pass sigma-delta modulator and method therefor
US10129055B2 (en) PA cell, PA module, wireless communication unit, RF transmitter architecture and method therefor
EP1488587B1 (en) Resonant power converter for radio frequency transmission and method
US20170302228A1 (en) Digital-to-rf power converter
US8217818B2 (en) Digital RF converter and RF converting method thereof
Cho et al. Wideband and multiband long-term evolution transmitter using envelope delta-sigma modulation technique
Ghannouchi Software-defined radio transmitters for advanced wireless and satellite communications systems
Dooley et al. A practical class S power amplifier for high frequency transmitters
Nuyts et al. Digital Transmitter Architectures: Overview
Frappé et al. Multimode transmitters with ΔΣ-based all-digital RF signal generation
Nuyts et al. A 65-nm CMOS Fully Digital Reconfigurable Transmitter Front-End for Class-E PA Based on Baseband PWM
Frappé et al. Multimode Transmitters with†-Based All-Digital RF Signal Generation

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant