CN102390194A - 一种超薄型ttr聚酯薄膜及其制作方法 - Google Patents

一种超薄型ttr聚酯薄膜及其制作方法 Download PDF

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陈铸红
胡爱华
孙善卫
张娜娜
孟琴
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Abstract

本发明公开了一种超薄型TTR聚酯薄膜及其制作方法,薄膜由顶层、芯层和底层构成,所述芯层采用的材料组分为聚对苯二甲酸乙二醇酯;所述顶层由母料和聚对苯二甲酸乙二醇酯切片构成,按重量百分比计,其中:母料为40-50%wt;聚对苯二甲酸乙二醇酯切片为60-50%wt;所述底层由母料和聚对苯二甲酸乙二醇酯切片构成,按重量百分比计,其中:母料为75-85%wt;聚对苯二甲酸乙二醇酯切片25-15%wt;所述母料的载体均为聚对苯二甲酸乙二醇酯。本发明的薄膜具有厚度薄,薄膜表面静电小等特点,应用于包装标签、价格标签、服装吊牌及洗标、车船票等条码打印,其热转印效果优异。

Description

一种超薄型TTR聚酯薄膜及其制作方法
技术领域
    本发明涉及一种TTR聚酯薄膜及其制作方法,更具体地说是涉及一种厚度低于8μm用于热转移印刷的聚酯薄膜及其制作方法。
背景技术
随着热转印技术的发展,热转印的打印速度也在提高,通常解决高速打印与热传导之间矛盾,常见的技术是提高热转印打印头的温度。然而提高温度不仅降低了热敏打印头的使用寿命加大了能耗,更为关键的是现有用于热转印的薄膜厚度为8~12μm,因厚度过厚,导热效果差,在打印较大面积纹路复杂的二位码时会导致局部条码墨层过厚,甚至墨层会从TTR(TTR为英文缩写,意为:热转移碳带)基膜上脱落。
 
发明内容
针对上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供种超薄型       TTR聚酯薄膜,其可解决高速热转移打印热传导和薄膜厚度矛盾及热转移图案的清晰度等问题。
本发明为实现其目的所采取的技术方案为:一种超薄型TTR聚酯薄膜,由顶层、芯层和底层构成,所述芯层采用的材料组分为聚对苯二甲酸乙二醇酯;
所述顶层由母料和聚对苯二甲酸乙二醇酯切片构成,按重量百分比计,其中:母料为40-50%wt,粒径为1.5-1.9μm, SiO2浓度为4900-5100ppm;聚对苯二甲酸乙二醇酯切片为60-50% wt;
所述底层由母料和聚对苯二甲酸乙二醇酯切片构成,按重量百分比计,其中:母料为75-85%wt,粒径为2.2-2.5μm, SiO2浓度为3300-3500ppm;
聚对苯二甲酸乙二醇酯切片25-15% wt;
所述母料的组分为SiO2和聚对苯二甲酸乙二醇酯。
所述顶层、芯层和底层的累计厚度为3~8μm,更为优化的累计厚度为5~6μm。
本发明的另一目的是提供该薄膜的制作方法,其按如下步骤进行:
a、聚对苯二甲酸乙二醇酯切片经过流化床以140~160℃的温度干燥4~5小时得干燥原料;所述干燥原料在主挤出机中加热成熔融状态,经过滤得到作为芯层的主挤熔体;在辅助挤出机中将聚对苯二甲酸乙二醇酯切片和母料经过熔融、抽真空处理后,过滤除去原料中的水份与杂质得到作为顶层和底层的辅挤熔体;主挤熔体过滤后与辅挤熔体在三层模头中汇合挤出,汇合挤出温度为270~290℃;
b、对于所述步骤a中挤出的混合熔体,经过冷辊形静电吸附成铸片,再依次经过纵向拉伸、横向拉伸得到三层构造的TTR聚酯薄膜;
c、对于所述步骤b中所得TTR聚酯薄膜经过分切,包装成成品。
所述静电吸附采用的电压为:9.2-9.5kV,电流为9-12mA,牵引速度为10±1mm/mim。
在纵向拉伸前对铸片预热,温度为50—90℃,在预热至100-115℃时进行纵向拉伸,纵拉拉伸比为3.9-4.1,之后在25-35℃进入纵向定型;然后直接进入横拉,横向拉伸温度为130-140℃,横向拉伸比为4.3-4.4;之后在79-120℃进入横向定型。
本发明可以在现有的布鲁克纳生产线上生产超薄型TTR聚酯薄膜,且生产速度快,生产能力大。 
本发明的有益效果:本发明制作的TTR聚酯薄膜厚度薄,热传导快,可以降低30%的能耗,也降低了薄膜使用量。同时通过配方的改进,提高了薄膜的表面性能,改善薄膜的热转移性,打印的条码对比度高,图案清晰。本发明可应用于包装标签、价格标签、服装吊牌及洗标、车船票等条码打印,其热转印效果优异。
 
具体实施方式
实施例1:
聚酯薄膜芯层组分:聚对苯二甲酸乙二醇酯    100%wt;
顶层按重量百分比添加40%wt有效成分粒径为1.5-1.9μm, SiO2浓度为4900-5100ppm的母料和60%的聚对苯二甲酸乙二醇酯切片;
底层添加75%wt有效成分粒径为2.2-2.5μm,浓度为3300-3500ppm的SiO2的母料和25%聚对苯二甲酸乙二醇酯切片(本例中所述母料的组分为SiO2和聚对苯二甲酸乙二醇酯,粒径为2.2-2.5μm, SiO2浓度为3300-3500ppm;以下实例中的母料组分均与此相同)。
聚酯薄膜的制作方法按如下步骤进行:
a、聚对苯二甲酸乙二醇酯切片经过流化床以120~160℃的温度干燥4~5小时得干燥原料;所述干燥原料在主挤出机中加热成熔融状态,经过滤得到作为芯层的主挤熔体;辅助挤出机中聚对苯二甲酸乙二醇酯切片和母料在经过熔融、抽真空处理后,过滤除去原料中的水份与杂质得到作为顶层和底层的辅挤熔体;主挤熔体过滤后与辅挤熔体在三层模头中汇合挤出,汇合挤出温度为240~260℃;
b、对于所述步骤a中挤出的混合熔体,经过冷辊形静电吸附成铸片,再依次经过纵向拉伸、横向拉伸得到三层构造的TTR聚酯薄膜,顶层、芯层和底层三层的累计厚度为5~6μm;
c、对于所述步骤b中所得TTR聚酯薄膜经过分切,包装成成品。
步骤b 中的静电吸附电压为:9.2-9.5kV,吸附丝电流为9-12mA,吸附丝牵引速度为10±1mm/mim。纵拉前对铸片预热,温度为50—90℃,在预热至100-115℃时进行纵向拉伸,纵拉拉伸比为3.9-4.1,之后在25-35℃进入纵向定型;然后直接进入横拉,横向拉伸温度为130-140℃,横向拉伸比为4.3-4.4;之后在79-120℃进入横向定型。
 
实施例2:
聚酯薄膜芯层组分:聚对苯二甲酸乙二醇酯    100%wt;
顶层按重量百分比添加45%wt有效成分粒径为1.5-1.9μm, SiO2浓度为4900-5100ppm的母料和55%的聚对苯二甲酸乙二醇酯切片;
底层添加80%wt有效成分粒径为2.2-2.5μm, SiO2浓度为3300-3500ppm的SiO2的母料和20%聚对苯二甲酸乙二醇酯切片。
本例制作方法与实施例1相同,不另赘述,顶层、芯层和底层三层的累计厚度为5.3μm。
 
实施例3:
聚酯薄膜芯层组分:聚对苯二甲酸乙二醇酯    100%wt;
顶层按重量百分比添加50%wt有效成分粒径为1.5-1.9μm, SiO2浓度为4900-5100ppm的SiO2的母料和50%的聚对苯二甲酸乙二醇酯切片,
底层添加85%wt有效成分粒径为2.2-2.5μm, SiO2浓度为3300-3500ppm的SiO2的母料和15%聚对苯二甲酸乙二醇酯切片。
本例制作方法与实施例1相同,不另赘述,顶层、芯层和底层三层的累计厚度为5.3μm。
本发明生产工艺成熟,具有很强的可操作性,很好地适应了工业化生产的需求。生产的TTR薄膜厚度,热转移印刷效果优异,特别是印刷复杂二维码时图案清晰,对比高。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明做任何形式的限制。凡是依据本发明的技术和方法实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明的技术和方法方案的范围内。

Claims (5)

1.一种超薄型TTR聚酯薄膜,由顶层、芯层和底层构成,其特征在于:
所述芯层采用的材料组分为聚对苯二甲酸乙二醇酯;
所述顶层由母料和聚对苯二甲酸乙二醇酯切片构成,按重量百分比计,其中:母料为40-50%wt,粒径为1.5-1.9μm, SiO2浓度为4900-5100ppm;聚对苯二甲酸乙二醇酯切片为60-50% wt;
所述底层由母料和聚对苯二甲酸乙二醇酯切片构成,按重量百分比计,其中:母料为75-85%wt,粒径为2.2-2.5μm, SiO2浓度为3300-3500ppm;
聚对苯二甲酸乙二醇酯切片25-15% wt;
所述母料的组分为SiO2和聚对苯二甲酸乙二醇酯。
2.根据权利要求1所述的超薄型TTR聚酯薄膜,其特征在于:所述顶层、芯层和底层的累计厚度为3~8μm,更为优化的累计厚度为5~6μm, 最为优化的累计厚度为5.3μm。
3.根据权利要求1所述的超薄型TTR聚酯薄膜的制作方法,其特征在于按如下步骤进行:
a、聚对苯二甲酸乙二醇酯切片经过流化床以140~160℃的温度干燥4~5小时得干燥原料;所述干燥原料在主挤出机中加热成熔融状态,经过滤得到作为芯层的主挤熔体;在辅助挤出机中将聚对苯二甲酸乙二醇酯切片和母料经过熔融、抽真空处理后,过滤除去原料中的水份与杂质得到作为顶层和底层的辅挤熔体;主挤熔体过滤后与辅挤熔体在三层模头中汇合挤出,汇合挤出温度为270~290℃;
b、对于所述步骤a中挤出的混合熔体,经过冷辊形静电吸附成铸片,再依次经过纵向拉伸、横向拉伸得到三层构造的TTR聚酯薄膜;
c、对于所述步骤b中所得TTR聚酯薄膜经过分切,包装成成品。
4.根据权利要求3所述的超薄型TTR聚酯薄膜的制作方法,其特征在于:所述静电吸附采用的电压为:9.2-9.5kV,电流为9-12mA,牵引速度为10±1mm/mim。
5.根据权利要求3所述的超薄型TTR聚酯薄膜的制作方法,其特征在于:在纵向拉伸前对铸片预热,温度为50—90℃,在预热至100-115℃时进行纵向拉伸,纵拉拉伸比为3.9-4.1,之后在25-35℃进入纵向定型;然后直接进入横拉,横向拉伸温度为130-140℃,横向拉伸比为4.3-4.4;之后在79-120℃进入横向定型。
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