CN102353819B - 大电流测试爪 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半导体器件用大电流测试爪,是在传统测试爪的基础上,将爪端改用钨铜合金制作,钨铜合金爪端用激光焊接的方法连接在测试爪簧片上。钨铜合金中含铜质量百分比为45%-65%,爪端与器件接触面的宽度较传统的爪端大,为1.2mm-1.7mm;爪端接触面与爪端外侧面的夹角为45°-75°,爪端接触面与爪端内侧面的夹角为120°-150°;测试爪座为陶瓷材料制成。本测试爪可供大电流半导体封装片分选机进行测试使用,可以测试电流大于10A、小于75A的电路中产品。该测试爪的接触电阻低,发热量小,能显著降低测试爪爪端的电腐蚀速度,使用寿命比传统测试爪提高5倍以上。

Description

大电流测试爪
技术领域
本发明涉及半导体测试用测试爪,尤指适用于大电流测试电路中使用的测试爪。
背景技术
测试爪(又称金手指)是半导体器件自动测试、分选设备上使用的部件,含有测试爪座、簧片和爪端等组成零件。测试爪的任务是和半导体器件引线腿进行测试接触,完成被测半导体器件和测试机的信号连接。常用的测试爪为处理好弹性/导电性、使用寿命之间的矛盾,采用厚0.4mm的铜/钢/铜复合材料,小电流(10A)以下测试时爪端电腐蚀、发热的问题不大。但是,测试大于20A以后(如大电流二极管、大功率MOSFET、大功率IGBT),由于爪端和器件引线腿接触面积小、材料不耐电腐蚀,形成较大接触电阻所致,爪端发热严重,导致电腐蚀/发热恶性循环,最后导致塑料测试爪座烧熔,测试爪损毁。
专利申请号为200920299666.6的说明书中公开了一种“QFN集成电路测试分选机测试爪模块互换单元”,所述单元包括测试爪、调整块、测试爪固定座和测试固定座,所述测试部分可以同时皆备几种测试爪互换。该测试爪有多个调整块,虽可减少其他部件更换成本,但更换调试比较麻烦,且未能改变爪端发热严重,导致电腐蚀的根本问题。
发明内容
发明目的:本发明克服常规测试爪在大电流电路测试中爪端发热严重、易致电腐蚀的缺点,提供一种爪端电阻小、耐热性高的大电流测试爪。
技术方案:本发明提供的一种大电流测试爪,包含测试爪座、簧片和爪端这些组成零件,在传统测试爪的基础上,将爪端采用钨铜合金制作,钨铜合金爪端用激光焊接的方法连接在测试爪簧片上,焊接处留有激光焊点。
本发明中,所述的钨铜合金中含铜质量百分比为45%-65%,其余大部分成分为钨,钨铜合金中含铜质量百分比优选为55%;金属钨具有耐热性高,铜导电率低,钨铜合金爪端既耐热又导电性能良好。
所述的钨铜合金中可以含有5%以下的钼、钽、铌或镍这些高熔点金属代替部分金属钨;钨铜合金制作的爪端或还可以有金或银作为镀层。
所述的爪端与器件接触面的宽度由原来的0.4mm增加到1.2mm-1.7mm.,优选为1.5mm。爪端与测试器件的接触电阻减小,耐腐蚀性提高。
所述的爪端接触面与爪端外侧面(远离测试爪座的一侧)的夹角为45°-75°,所述的爪端接触面与爪端内侧面(靠近测试爪座的一侧)的夹角为120°-150°。
所述的测试爪座优选为聚酰亚胺树脂或者陶瓷材料制成,具有良好的耐热性和电绝缘性能。
有益效果:本发明的本测试爪可供大电流半导体封装片分选机进行测试使用,可以测试电流大于10A、小于75A的产品;该测试爪的接触电阻低,发热量小,能显著降低测试爪爪端的电腐蚀速度,使用寿命比传统测试爪提高5倍以上,尤其是提高了测试爪在大电流测试时的使用寿命。
附图说明
图1是本发明的一个正视结构示意图;
图2是本发明的一个侧视结构示意图;
图3是本发明的一个爪端放大的结构示意图。
图中:1、爪端;2、簧片;3、测试爪座;4、接触面的宽度;5、接触面与外侧面的夹角;6、接触面与内侧面的夹角;7、激光焊点。
具体实施方式
选取合适成分和规格的钨铜合金,制作成3只爪端1。该爪端1具有如附图3所示的的接触面的宽度4为1.2mm-1.7mm;接触面与外侧面的夹角5为45°-75°、接触面与内侧面的夹角6为120°-150°。选取3根簧片2,一套测试爪座3。
将上述3只爪端1采用激光焊接方法分别连接在3根簧片2上,焊接处留有激光焊点7。将3根簧片2固定连接测试爪座3,制成如附图1、附图2所示的测试爪。
实施例1
所述的钨铜合金中含铜质量百分比为55%,其余成分为金属钨。所述的爪端1与器件接触面的宽度4为1.2mm;所述的爪端1接触面与外侧面的夹角5为45°;所述的爪端1接触面与内侧面的夹角6为120°。
实施例2
所述的钨铜合金中含铜质量百分比为45%,含有5%以下的钼,其余成分为金属钨。所述的爪端1与器件接触面的宽度4为1.5mm;所述的爪端1接触面与外侧面的夹角5为60°;所述的爪端1接触面与内侧面的夹角6为135°。所述的测试爪座3为陶瓷材料制成。
实施例3
所述的钨铜合金中含铜质量百分比为60%,其余成分为金属钨。.所述的爪端1与器件接触面的宽度4为1.7mm,另有黄金作为钨铜合金爪端1的镀层。所述的爪端1接触面与外侧面的夹角5为75°;所述的爪端1接触面与内侧面的夹角6为150°。所述的测试爪座3为聚酰亚胺树脂材料制成。
上述实施例1-3中的测试爪可供大于10A、小于75A的大电流半导体封装片分选机进行测试使用,且使用寿命比传统测试爪提高5倍以上。

Claims (3)

1.一种大电流测试爪,包含测试爪座(3)、簧片(2)和爪端(1)这些组成零件,其特征在于:爪端(1)采用钨铜合金制作,钨铜合金爪端(1)用激光焊接的方法连接在测试爪簧片(2)上,焊接处留有激光焊点(7);
所述的测试爪座(3)为聚酰亚胺树脂或者陶瓷材料制成;
所述的钨铜合金中含铜质量百分比为45%-65%;
所述的爪端(1)与器件接触面的宽度(4)为1.2mm-1.7mm;所述的接触面与外侧面的夹角(5)为45°-75°,外侧面是指远离测试爪座的一侧;所述的接触面与内侧面的夹角(6)为120°-150°,内侧面是指靠近测试爪座的一侧。
2.根据权利要求1所述的大电流测试爪,其特征在于:所述的钨铜合金中含铜质量百分比为55%。
3.根据权利要求1所述的大电流测试爪,其特征在于:所述的钨铜合金中含有5%以下的钼、钽、铌或镍这些高熔点金属代替部分金属钨,钨铜合金制作的爪端(1)有金或银作为镀层。
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DE19617488C2 (de) * 1996-05-02 2002-03-07 Gustav Krueger Kontaktelement für lösbare elektrische Verbindungen
US7063541B2 (en) * 1997-03-17 2006-06-20 Formfactor, Inc. Composite microelectronic spring structure and method for making same
US6535003B2 (en) * 1999-01-29 2003-03-18 Advantest, Corp. Contact structure having silicon finger contactor
CN100588483C (zh) * 2008-05-16 2010-02-10 西安理工大学 一种高抗电弧烧蚀的钨铜电触头材料的制备方法
CN101826418B (zh) * 2009-03-05 2012-07-11 贵州天义电器有限责任公司 重叠软连接薄片与接触块的焊接方法
CN201440146U (zh) * 2009-08-11 2010-04-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 探针卡
CN102034626B (zh) * 2010-12-17 2012-11-07 段沛林 一种片状弧触指的制造方法

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