CN102325415A - 减小分布寄生电容反冲引起led光衰的光源板保护方法 - Google Patents

减小分布寄生电容反冲引起led光衰的光源板保护方法 Download PDF

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Inventor
邢先锋
刘义芳
王清平
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Xi'an Tesemi Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法是,按照以下方式实施:对光源板上的每颗LED外加并联的保护二极管;或者在光源板上的每颗LED封装时内部封装并联的保护二极管;或者,对光源板上的每2-10颗LED作为一组,外加并联的保护二极管;或者,对光源板上的每2颗至5颗LED作为一组,外加一个并联双向齐纳管或双向TVS管,钳位电压选择方法为,不小于每组保护的LED个数×4V。本发明的保护方法,能够泄放寄生电容的储能,V+上电时同样也对所有分布电容充电,而V+关断时,分布电容能够通过保护管放电,不会对LED的PN结产生反向冲击,从而避免出现较大光衰的问题。

Description

减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法
技术领域
本发明属于LED固态半导体照明技术领域,涉及一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法。
背景技术
大功率LED光源板,如路灯、隧道灯、工矿灯等普遍采用铝基覆铜板二次绝缘、散热焊接、承载配光透镜等设计。但在一些光源板的LED产品应用中,发现开关试验100次后,大约有10%以上的LED表现为小电流(100mA以内)不发光或者弱发光,测试LED的PN结特性,表现出100K欧到几欧姆的电阻特性,这一特性的LED,工作时部分电流通过电阻流过,只发热不发光,该LED出现较大光衰,这是LED的一种新的光衰现象,直接影响LED光源板的照明效果及灯具寿命。
这一隐含的光衰机理,大大提高了LED故障率,严重制约了大功率LED照明广泛应用的步伐,成为LED照明广泛应用的一大障碍。
发明内容
本发明的目的是提供一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法,解决了现有技术中存在光源板上的部分LED在工作时,由于寄生电容储能反向冲击LED,造成LED PN结软击穿,呈现电阻特性,反向漏电流也大大超标,这样工作时部分电流通过电阻流过,只发热不发光,导致部分LED出现较大光衰的问题。
本发明所采用的技术方案是,
第一种,一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法,该方法按照以下方式实施:
对光源板上的每颗LED外加并联的保护二极管,
或者在光源板上的每颗LED封装时内部封装一个并联的保护二极管。
第二种,一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法,该方法按照以下方式实施:
对光源板上的每2颗至10颗LED作为一组,外加并联的保护二极管,
或者,在光源板上的每2颗至10颗LED集成封装时内部封装一个并联的保护二极管。
第三种,一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法,该方法按照以下方式实施:
对光源板上的每2颗至5颗LED作为一组,外加一个并联双向齐纳管或双向TVS管,
钳位电压选择方法为,不小于每组保护的LED个数×4V。
本发明的有益效果是,通过对光源板上的每颗LED外加或者LED封装时内部封装保护二极管,就可以泄放寄生电容的储能,V+上电时同样也对所有分布电容充电,而V+关断时,分布电容能够通过保护管放电,不会对LED的PN结产生反向冲击,从而避免出现较大光衰的问题。
附图说明
图1是现有的LED光源板寄生分布电容示意图;
图2是本发明方法实施例1在每颗LED内部封装或者外加保护二极管的结构示意图;
图3是本发明方法实施例2对每两颗至10颗LED为一组外加保护二极管组合保护的结构示意图;
图4是本发明方法实施例3对每三颗LED为一组采用双向齐纳管进行保护的结构示意图。
具体实施方式
现有典型的LED光源板(铝基覆铜板)上,整个灯具根据光源功率不同由若干块光源板串并联组成,由于铝基板绝缘层很薄(100um以内),其导线与底板铝板的寄生电容较大,如图1所示,C+与C-的容量大约在500pF-10nF,CL大约在500pF左右,分析以下两种情况:
光源板上电工作时,V-与外壳PE相连通等电位(或者V-与V+一起与PE存在浮动电势差,这里以V-与外壳等电位分析),V+通过LED正向导通对所有分布电容充电,充电位最高电位处为C+,与V+同电位,其次为第一颗LED的CL,为V+减去一个VF压降,或者讲为后面所有LED的VF之和(V-认为0电位)。第二颗LED及后面的CL电位逐次减小,最低的为C-电位,与V-相同。光源板上电工作时,LED处于正向导通状态,可安全稳定工作;
V+断电/掉电时,C+通过电源自身放电,电位降为V-(0位),而第一个CL无处放电,基本保持原有的高电位,它对第一颗LED产生了反向电压!这个反向电压只要大于单颗LED反向耐压值,通过500PF的储能,会把第一颗LED的PN结反向软击穿;这个LED软击穿呈电阻特性后,第一个CL的储电会很快通过这个电阻放电,电位降到0位,这样第二颗LED马上也发生类似情况、很快也软击穿,这一连锁现象,直至后面的某一个CL电位低于LED反向耐压(30V以下)时为止。一般情况下,厂家不给出LED的反向耐压值,也就是说不建议对LED反向冲击。
因此,由于光源板寄生分布电容的存在,光源板掉电时(开关时),该寄生的分布电容储能对其相邻LED产生反向冲击,致使LED反向软击穿,LED的PN结因此呈现不同程度的电阻特性,反向漏电流从原来的uA级急剧增加到mA级以上,这一特性的LED,再次工作时部分电流通过电阻流过,只发热不发光,该LED出现较大光衰,这就是导致光源板LED中的部分LED出现光衰的机理。
对于上述的光衰现象,本发明方法的解决原理是:通过将光源板寄生分布电容的储电,在光源板掉电时同时泄放,就可以避免它对LED反向冲击,具体技术方案是:对LED外加或者LED封装时内部封装保护二极管,就可以泄放寄生电容的储能,V+上电时同样也对所有分布电容充电,而V+关断时,分布电容可以通过保护管放电,不会对LED的PN结产生反向冲击。
综上所述,本发明的减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法是,按照以下方式实施:
对光源板上的每颗LED外加并联的保护二极管;
或者在光源板上的每颗LED封装时内部封装并联保护二极管;
或者,对光源板上的每2颗至10颗LED作为一组,外加并联的保护二极管;
或者,每2颗至10颗LED集成封装时内部封装一个并联的保护二极管
或者,对光源板上的每2颗至5颗LED外加并联的双向齐纳管(双向TVS管),双向钳位电压选择方法为,不小于(每组保护的)LED个数×4V。
所加的保护二极管依次串联。
外加保护管,最好选择快复二极管,正向电流容量在100mA左右,反向耐压大于等于50V,如1N4148(100V/100mA/25nS),同时考虑到不同厂家LED具有6V-30V左右不等的反向耐压能力,根据情况参照图2,选择逐颗LED进行保护;参照图3,或按照2颗至10颗不等的整体保护方式,所加的保护二极管依次串联;参照图4,或3颗(举例)LED选择采用12V-15V双向齐纳管(双向TVS管),所加的双向齐纳管(双向TVS管)依次串联,如SMAJ/SMBJ12CA等进行保护。

Claims (5)

1.一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法,其特征在于,该方法按照以下方式实施:
对光源板上的每颗LED外加并联的保护二极管,
或者在光源板上的每颗LED封装时内部封装一个并联的保护二极管。
2.根据权利要求1所述的光源板保护方法,其特征在于,所述的保护二极管依次串联。
3.一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法,其特征在于,该方法按照以下方式实施:
对光源板上的每2颗至10颗LED作为一组,外加并联的保护二极管,
或者,在光源板上的每2颗至10颗LED集成封装时内部封装一个并联的保护二极管。
4.根据权利要求1所述的光源板保护方法,其特征在于,所述的保护二极管依次串联。
5.一种减小分布寄生电容反冲引起LED光衰的光源板保护方法,其特征在于,该方法按照以下方式实施:
对光源板上的每2颗至5颗LED作为一组,外加一个并联双向齐纳管或双向TVS管,
钳位电压选择方法为,不小于每组保护的LED个数×4V。
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Assignee: Jiangsu Haodi Energy-Saving Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Assignor: Xi'an Tesemi Technology Co., Ltd.

Contract record no.: 2013320010018

Denomination of invention: Light source board protecting method for reducing LED light declination caused by distribution parasitic capacitance recoil

License type: Exclusive License

Record date: 20130305

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EC01 Cancellation of recordation of patent licensing contract

Assignee: Jiangsu Haodi Energy-Saving Photoelectric Technology Co.,Ltd.

Assignor: Xi'an Tesemi Technology Co., Ltd.

Contract record no.: 2013320010018

Date of cancellation: 20140821

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Application publication date: 20120118