CN102315294A - Cigs太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭露一种CIGS太阳能电池及其制造方法，包含玻璃基板、光吸收表面与光电转换结构。该玻璃基板的至少一表面具有多个阵列式凹凸部；该光吸收表面包含该阵列式凹凸部最顶端表面、该阵列式凹凸部最顶端延伸至最底端的表面与该阵列式凹凸部最底端基板除阵列式凹凸部的表面的集合；该光电转换结构由CIGS化合物的n型半导体层、p型半导体层与位于n型半导体层与p型半导体层间的i型半导体层所组成。本发明通过增加光吸收面积而提升光吸收量，并结合n-i-p结构的设计来增加其光电转换效率，故能降低生产成本并提高太阳能的经济价值。

Description

CIGS太阳能电池及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种电池及其制造方法，且特别是有关于一种太阳能电池及其制造方法。

背景技术

太阳能为一种环保的再生性能源，可转换为其它形式的能量如热及电，且太阳能电池应用的范围非常广，大到发电系统，小到消费性电子产品，但以太阳能作为在经济上具有竞争力的再生性能源，仍受到太阳能电池将光能转换为电能时的低效率所阻碍，因此，有效地提高太阳能电池的产电效率，并降低太阳能电池的生产成本，已成为太阳能电池的发展目标。

有关CIGS太阳能电池的先前技术如美国专利号码第7018858所揭露的Light absorbing layer producing method专利，该专利用一种沉积前驱物层的双靶式溅镀法沉积设备，采取一种双靶直立面对面设置进行共溅镀(co-sputter)的镀膜方式，但因该方式将基板设置于靶材下方，沉积过程若有污染颗粒产生，则容易发生该污染颗粒顺势沉降至基板的缺点。

又如中国台湾专利号码第200917508号所揭露的光伏打接收器专利，该技术的缺点在于太阳能接收器及光入射点之间的焦距或点极大，故需大量空间及体积以安装此接收器，又，该制造方法在汇集阳光时所产生的热度，必须另外设置一冷却系统来维持低于一特定温度，否则所产生的热能将不利于太阳能电池的光转电效率。

有鉴于此，得知CIGS太阳能电池仍未臻完善，本发明的目的是提供一高效率的CIGS太阳能电池结构与制作方法。

发明内容

通常太阳能电池是由p型半导体层、本质半导体层(intrinsic semiconductorlayer)以及n型半导体层堆叠而成，且p型半导体层、本质半导体层以及n型半导体层皆为非晶硅(amorphous silicon)材料。而以非晶硅为材料的半导体层往往存在着光吸收效果不佳的缺点，进而导致产电效率不佳，为改善此问题，常利用增加本质半导体层厚度的方式來增加光吸收效果，但同时也增加太阳能电池的整体厚度与生产成本。有鉴于此，本发明在不增加本质半导体层厚度与整体体积的条件之下，利用结构与形成方式上的研发，通过增加光吸收面积而提升光吸收量，也因此增加光电转换效率来提高产电效率，并可大幅降低生产成本而提高太阳光能的经济价值。

缘以达成上述目的之一，本发明在提供一种太阳能电池结构，可使光电转换效率增加，该发明的主要结构包含玻璃基板、光吸收表面与光电转换结构。其中，该玻璃基板的至少一表面具有多个阵列式凹凸部，且该阵列式凹凸部的最顶端延伸至最底端的距离为一预定深度；该光吸收表面包含阵列式凹凸部最顶端所形成的表面、阵列式凹凸部最顶端延伸至最底端所形成的表面、以及阵列式凹凸部最底端基板除阵列式凹凸部所形成表面的集合；该光电转换结构由n型半导体层、p型半导体层与i型半导体层所组成。其中，该n型半导体层为一CIGS类化合物且位于该光吸收表面的上方，该p型半导体层位于该n型半导体层的上方且为一氧化物，且该i型半导体层位于该n型半导体层与该p型半导体层间并为一氧化物，而该光电转换结构所形成的n-i-p结构则可促进各该层表面的接合效果，借以产生良好的界面接触，进一步减少界面孔洞的形成，因此增加量子效率，而能提高光电转换效率。

再者，本发明的另一目的是在提供一种CIGS太阳能电池的制造方法，由在玻璃基板表面产生的阵列式凹凸部，该阵列式凹凸部的外形为几何图形柱体，例如圆柱体或多边形柱体等，借以增加整体光吸收表面面积而增加光吸收量，因此提高太阳能电池的产电效率。

又，本发明为一种CIGS太阳能电池的制造方法，该方法包含下列步骤：提供一玻璃基板，涂布一预定形状的保护膜于该玻璃基板的预定位置处，并浸泡该玻璃基板于一蚀刻剂中，于一预定时间后取出该玻璃基板清洗且去除该保护膜，使该玻璃基板的预定位置处形成多个预定形状的阵列式凹凸部；其中，该些阵列式凹凸部的最顶端所形成表面、该凹凸部的最顶端延伸至最底端所形成表面、以及该凹凸部的最底端基板除阵列式凹凸部所形成表面的集合，即为该光吸收表面；再者，依序于该光吸收表面上沉积覆盖一下电极，于该下电极上沉积覆盖一中间层，于该中间层上沉积覆盖一光电转换结构，其中，该光电转换结构包含有n型半导体层、p型半导体层与i型半导体层；最后，于该光电转换结构上沉积覆盖一上电极，并于该上电极上形成一导线，以及于该导线上沉积覆盖一抗反射层。

综上所述，本发明于结构与形成方式上的改变，可以增加太阳能电池的光吸收量、光电转换效率与其产电效率。

附图说明

为让本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1A是绘示本发明一较佳实施例的一种CIGS太阳能电池的剖面示意图；

图1B是绘示图1A的CIGS太阳能电池中，局部剖面示意图；

图2A是绘示图1A的CIGS太阳能电池中，玻璃基板的俯视图；。

图2B是绘示图2A的玻璃基板的侧视图；

图3为本发明CIGS太阳能电池的另一实施方式，是同于图1A中所标示范围M的剖面结构示意图；

图4为绘示本发明又一实施方式依照的一种CIGS太阳能电池，同于图1A中所标示范围M的剖面结构示意图；

图5为一种CIGS太阳能电池制造方法的流程示意图；

图6是绘示图5的CIGS太阳能电池制造方法中，形成阵列式凹凸部的流程示意图；

图7是绘示上述实施例的电性测量结果图。

【主要组件符号说明】

100：CIGS太阳能电池  110：玻璃基板

112：阵列式凹凸部    120：光吸收表面

122：表面            124：侧面

126：表面            130：光电转换结构

132：n型半导体层     134：p型半导体层

136：i型半导体层     200：CIGS太阳能电池

210：玻璃基板        220：光吸收表面

230：下电极          240：中间层

242：钠化合物层      250：光电转换结构

260：上电极          270：导线

280：抗反射层        300：太阳能电池制造方法

310-380：步骤        400：流程

410：玻璃基板        420：保护膜

430：阵列式凹凸部    432：最顶端表面

434：侧面            436：最底端表面

440：光吸收表面      d：宽度

h：预定深度          M：范围

w：预定间距

具体实施方式

为能更清楚地說明本发明的CIGS太阳能电池结构，兹举较佳实施例并配合附图详细說明如后。

请参照图1A、1B、2A与2B，为本发明的一较佳实施例，其分别绘示本发明CIGS太阳能电池的剖面示意图、局部剖面示意图、本发明的玻璃基板俯视图与图2A玻璃基板的侧视图。其中：

该CIGS太阳能电池100包含玻璃基板110、光吸收表面120与光电转换结构130。该玻璃基板110的至少一表面包含多个阵列式凹凸部112，各该阵列式凹凸部112的最顶端延伸至最底端的距离为一预定深度h，在本实施例中，该预定深度h为1厘米以上，其中又以2厘米为最佳；又各该阵列式凹凸部之间具有相同的预定间w与宽度d，其中间距以0.625厘米为最佳；且各该阵列式凹凸部的外形为圆柱体的相同几何图案柱体，换言之，每一个阵列式凹凸部112的外型与大小皆相同，且均布于该玻璃基板110的表面。

另外，该光吸收表面120包含各该阵列式凹凸部最顶端所形成表面122、各该阵列式凹凸部112最顶端延伸至最底端所形成表面124，以及各该阵列式凹凸部112最底端基板除凹凸部112所形成表面126的集合。综上所述，本发明的太阳能电池可通过该阵列式凹凸部112的形成而增加该玻璃基板的光吸收表面的表面积。

其中：光电转换结构130由n型半导体层132、p型半导体层134与i型半导体层136所组成。该n型半导体层132位于光吸收表面120上方，且该n型半导体层132为一CIGS类化合物，该CIGS类化合物的化学式为Sn:Cu(In_1-xGa_x)Se₂，在本实施例中，该化学式x值为0.18～0.3；又，该CIGS类化合物包含第一前驱化合物与第二前驱化合物；其中该第一前驱化合物包含铜(Cu)、镓(Ga)与硒(Se)等元素，例如铜镓硒合金，且该第二前驱化合物包含铟(In)与硒(Se)等元素，例如铟硒合金。

再者，该光电转换结构130的该p型半导体层134位于该n型半导体层132的上方，且该p型半导体层134为一氧化物，例如含铜与铝的氧化物；又该光电转换结构130的该i型半导体层136则位于n型半导体层132与p型半导体层134间，且为一氧化物。

在本实施例中，该CIGS类化合物的厚度为1500～2500纳米，能阶为1.17eV，该i型半导体层为氧化亚铜(Cu₂O)，其能阶为2.1eV，其厚度为5～50纳米，该p型半导体层134为氧化铜铝(CuAlO₂)，其厚度为30～120纳米，其能阶为3.5eV，使得太阳能所产生的不同波长可依其波长高低各自被n半导体层、i半导体层、p半导体层所吸收。

由于该p型半导体层134与该n型半导体层132的能阶差异大，因此，利用i型半导体层136的氧化物使得p型半导体层134与n型半导体层132具有较好的接合界面，并在界面上有较低的载子复合机率产生，进而提高量子效率。

上述实施方式是通过在玻璃基板上设置阵列式凹凸部，在不增加CIGS太阳能电池的整体体积下，达到增加光吸收表面积的目的。(表一)是列出比较例与多个实施例，与其各自所增加的总表面积比例，在该表列出当玻璃基板尺寸为100平方厘米时，在具有不同的阵列式凹凸部的数目、宽度以及两两阵列式凹凸部间的间距条件下，所产生的总表面积与总表面积增加比例的计算结果；据此得知，在相同尺寸的玻璃基板上，随着阵列式凹凸部的数目增加、宽度减少、以及排列越密集，则所增加的总表面积越多，亦即表示这种实施方式可增加CIGS太阳能电池的光吸收表面积。

(表一)

再请参照图3为本发明CIGS太阳能电池的另一实施方式，是同于图1A中所标示范围M的剖面结构示意图。该CIGS太阳能电池200包含有玻璃基板210、光吸收表面220、下电极230、中间层240、光电转换结构250、上电极260、导线270与抗反射层280等结构。其中，该玻璃基板210、该光吸收表面220与该光电转换结构250的结构皆与前述的实施方式相同，下列叙述仅针对不同之处进行說明。

该下电极230位于该玻璃基板210且为该光吸收表面220之上，且该下电极230可为一金属材质或为一非金属氧化物。若该下电极230为一金属材质，可选自钛(Ti)、钼(Mo)、钽(Ta)或上述任意合金，其中又以钼(Mo)为优选材质；又，该中间层240位于光电转换结构250与下电极230之间，其材质包含锡(Sn)、碲(Te)或铅(Pb)等元素，其中以锡(Sn)为优选材质。

在本实施例中，该中间层240的厚度为5～50纳米。其中，该中间层240位于该下电极230上，且下电极230为金属材质，则该基板中的钠(Na)元素会通过热扩散穿越该下电极，以致于该下电极230与该光电转换结构250间具有较好的接口接触效果，并减少界面孔洞的形成。

另外，图4为本发明CIGS太阳能电池的又一实施方式，是同于图1A中所标示范围M的剖面结构示意图。请参照图4所示，若该下电极230为一非金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)，因氧化物具有阻碍钠(Na)元素扩散的效果，所以必须增设一钠化合物层242于该中间层240与该光电转换结构250之间，例如氟化钠(NaF)，通过钠源的补充以辅助吸收层CIGS的成长，此时的太阳能电池具备吸收层前后皆可透光的特性，可增进吸收层的阳光吸收效益。

且该上电极260位于该光电转换结构250的上方，在本实施例中，该上电极260的厚度为400～1200纳米，材质为铝掺杂氧化锌(AZO，ZnO:Al)；该导线270则位于上电极260的上方；该抗反射层280则位于导线270的上方，在本实施例中，该抗反射层280的厚度为80～150纳米，材质为氮化硅(Si₃N₄:H)。

再者，为了能清楚地说明本发明的CIGS太阳能电池的制造方法，兹举较佳实施例并配合附图详细说明如后。

请参照图5为一种CIGS太阳能电池制造方法的流程示意图。该太阳能电池制造方法300的步骤包含提供玻璃基板(步骤310)、形成阵列式凹凸部(步骤320)、形成下电极(步骤330)、形成中间层(步骤340)、形成光电转换结构(步骤350)、形成上电极(步骤360)、形成导线(步骤370)与形成抗反射层(步骤380)。

另请加参照图6为该CIGS太阳能电池制造方法中，形成阵列式凹凸部(步骤320)的流程400示意图。首先，于一玻璃基板410表面的预定位置处涂布保护膜420为一预定形狀，在本实施例中该保护膜420为石蜡；再将该玻璃基板410浸泡于一蚀刻剂例如氢氟酸水溶液中一预定时间进行酸蚀，借以于该玻璃基板410的表面形成多个阵列式凹凸部430；然而随着浸泡的时间越长，所形成的阵列式凹凸部的最顶端延伸至最底端距离的深度越大；接着取出该玻璃基板410清洗并通过例如甲醇加以去除该保护膜420，即可产生一具有多个阵列式凹凸部430的玻璃基板410，此时该阵列式凹凸部430的最顶端所形成表面432、最顶端延伸至最底端所形成的表面434与最底端基板除阵列式凹凸部430所形成表面436的集合，即为本发明的光吸收表面440。

又于该光吸收表面440的轮廓向外延伸方向沉积覆盖形成一下电极(步骤330)，其中该下电极的材质可选自金属材质或非金属氧化物二者之一；又于该下电极上沉积覆盖一中间层(步骤340)，其中，该中间层可选自锡、碲或铅等元素，在此实施例中，其厚度设定为5～50纳米，若该下电极为一非金属氧化物，则需增设一钠化合物层于该中间层与该光电转换结构之间；接着沉积覆盖一光电转换结构(步骤350)于该中间层之上，其中，该光电转换结构依序形成n型半导体层、i型半导体层与p型半导体层的结合。

该n型半导体层的形成步骤包含于中间层上形成第一前驱物膜与第二前驱物膜，并于VIA族元素的气氛下，通过热处理方式形成一CIGS类化合物，该CIGS类化合物的化学式为Sn:Cu(In_1-xGa_x)Se₂，其中x值为0.18～0.3，此步骤也同时使该中间层扩散掺入该CIGS类化合物；在此实施例中，该第一前驱物膜包含铜、镓与硒元素，该第二前驱物膜包含铟与硒元素，且该n型半导体层的厚度为1500～2500纳米。

又，该第一与第二前驱物膜的形成方法可为电镀、无电电镀、原子层沉积、化学气相沉积、金属-有机化学气相沉积或物理气相沉积，其中以物理气相沉积为优选；而前述热处理步骤是利用活化一激发源将VIA族元素蒸气活性化，而该活化激发源的方式可为电子束、离子束、等离子共振装置或热裂解，其中以热裂解搭配等离子共振装置为优选，此时热处理的实际温度为380℃～600℃。

另外，该i型半导体层的形成方式为以原子层沉积法(Atomic layerdeposition，ALD)于n型半导体层上沉积铜膜，再通入氧气以180℃进行热氧化处理，而形成氧化亚铜层；在本实施例中，所形成的氧化亚铜层厚度为5～50纳米；该p型半导体层则以溅镀法沉积于i型半导体层上，该p型半导体层包含铜与铝的氧化物。

承上依序于该光电转换结构(步骤350)上沉积覆盖该上电极(步骤360)、于该上电极上形成该导线(步骤370)、以及于该导线上沉积覆盖该抗反射层(步骤380)。在本实施例中，该上电极与该抗反射层皆利用溅镀法沉积。

再者，依(表一)的实施例4所示简述如下：将玻璃基板表面涂布饼图样的石蜡，该圆形直径为0.0625厘米，两圆形间的间隔为0.0625厘米；待石蜡硬固，将玻璃基板整个浸入氢氟酸水溶液中进行蚀刻，约30-40分钟后，于玻璃基板表面形成2毫米高的圆柱凸出物，此时玻璃基板的表面积增加约160％。

接着，进行组件制程。于玻璃基板的具有圆柱凸出物表面以溅镀法沉积1μm的背电极。随后分别沉积锡薄膜(中间层)、铜镓硒膜(CuGaSe)与铟硒(InSe)膜于背电极表面，并对玻璃基板进行热处理。该热处理利用两阶段温度来使锡薄膜、铜镓硒膜与铟硒膜交互扩散与化合反应；第一阶段通入高温活化后的硒蒸气以进行硒化，其温度约为400℃。第二阶段则为同时通入高温活化后的硒蒸气与硫蒸气，进行硒化与硫化温度的约为580℃；最后形成表面硫化的铜铟镓硒层，厚度约2000纳米；此时Cu/(In+Ga)值为0.85～0.90，Ga/(In+Ga)则约为0.25。

又利用原子层沉积法于180℃下沉积铜膜；于180℃下通入氧气进行热氧化处理，使铜铟镓硒层上形成厚度约30纳米的氧化亚铜薄膜；此时CuAlO2与AZO薄膜均以溅镀法沉积制作。

待组件制作完成后，以100mW/cm²(AM1.5)的光源进行电性测量。请参照图7所示为上述实施例的电性测量结果图。该实施例的开路电压(Voc)为0.47V，填充因子(Fill Factor，FF)为64.54％，其太阳能电池效率为10.52％。

由上述本发明实施方式可知，应用本发明具有下列优点：

第一，利用蚀刻技术使得太阳能电池表面具有阵列式凹凸部，增大整体太阳能电池的光吸收表面，以增加光吸收量，进而提高太阳能电池的产电效率。

第二，于下电极与光电转换结构间沉积中间层，使得下电极表面湿润，因而使下电极与光电转换结构间具有较好的接合效果，减少下电极与光电转换结构的界面孔洞。

第三，i型半导体层的氧化物使得p型半导体层与n型半导体层具有较好的接合界面，进而提高量子效率。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (36)

1.一种CIGS太阳能电池，其特征在于，包含：

一玻璃基板，该玻璃基板的至少一表面包含多个阵列式凹凸部，该些阵列式凹凸部的最顶端延伸至最底端的距离为一预定深度；

一光吸收表面，包含该些阵列式凹凸部最顶端形成表面、该些阵列式凹凸部由最顶端延伸至最底端所形成表面与该些阵列式凹凸部最底端基板除阵列式凹凸部所形成表面的集合；以及

一光电转换结构，该光电转换结构由下列各层所组成：

一n型半导体层，位于该光吸收表面上方，且n型半导体层为一CIGS类化合物；

一p型半导体层，位于该n型半导体层上方，且该p型半导体层为一氧化物；以及

一i型半导体层，位于该n型半导体层与该p型半导体层间，且该i型半导体层为一氧化物。

2.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一下电极，位于该玻璃基板与该光电转换结构之间，且该下电极为一金属。

3.根据权利要求2所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该金属选自钛、钼、钽或由上述任意合金所组成的组合。

4.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一下电极，位该玻璃基板与该光电转换结构之间，且该下电极为一非金属氧化物；以及

一钠化合物层，位于该下电极与该光电转换结构之间。

5.根据权利要求4所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一上电极，位于该下电极上方。

6.根据权利要求5所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一中间层，位于该光电转换结构与该下电极之间。

7.根据权利要求6所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该中间层材质为锡、碲或铅。

8.根据权利要求5所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一导线，位于该上电极的上方。

9.根据权利要求8所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，还包含：

一抗反射层，位于该导线的上方。

10.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该预定深度为1厘米以上。

11.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该CIGS类化合物包含一第一前驱化合物与一第二前驱化合物。

12.根据权利要求11所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该第一前驱化合物包含铜、镓与硒。

13.根据权利要求11所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该第二前驱化合物包含铟与硒。

14.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该CIGS类化合物的化学式为Sn:Cu(In_1-xGa_x)Se₂，其中x值为0.18-0.3。

15.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该p型半导体层包含铜与铝的氧化物。

16.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该些阵列式凹凸部具有相同的一预定间距。

17.根据权利要求16所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该预定间距为0.625厘米。

18.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该些阵列式凹凸部的外形为几何图形柱体。

19.根据权利要求18所述的CIGS太阳能电池，其特征在于，该些阵列式凹凸部的外形为圆形柱体。

20.一种CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，包含：

提供一玻璃基板；

形成多个阵列式凹凸部于该玻璃基板的至少一表面，其中，该些阵列式凹凸部最顶端形成表面、由最顶端延伸至最底端所形成表面与最底端基板除阵列式凹凸部所形成表面的集合为一光吸收表面；

沉积覆盖一下电极于该光吸收表面上；

沉积覆盖一中间层于该下电极上；

沉积覆盖一光电转换结构于该中间层上，该光电转换结构包含一n型半导体层、一p型半导体层与一i型半导体层；

沉积覆盖一上电极于该光电转换结构上；

形成一导线于该上电极上；以及

沉积覆盖一抗反射层于该导线上。

21.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该些阵列式凹凸部的形成步骤包含：

涂布一保护膜于该玻璃基板的一预定位置处；

浸泡该玻璃基板于一蚀刻剂中，于一预定时间后取出并清洗；以及

去除该保护膜。

22.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该些阵列式凹凸部的最顶端延伸至最底端方向的距离为1厘米以上。

23.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该下电极为一金属。

24.根据权利要求23所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该金属选自钛、钼、钽或其上述任意合金。

25.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该下电极为一非金属氧化物；以及还形成一钠化合物层于该下电极与该光电转换结构之间。

26.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该中间层为锡、碲或铅。

27.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该n型半导体层是在VIA族元素的气氛下，将一第一前驱物膜以及一第二前驱物膜经热处理方式后形成。

28.根据权利要求27所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一前驱物膜包含铜、镓与硒。

29.根据权利要求27所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第二前驱物膜包含铟与硒。

30.根据权利要求27所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该第一与该第二前驱物膜的方法选自电镀、无电电镀、原子层沉积、化学气相沉积、金属-有机化学气相沉积或物理气相沉积。

31.根据权利要求27所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该热处理步骤包含：

活化一激发源以将VIA族元素的蒸气活性化，活化激发源的方式为电子束、离子束、等离子共振装置或热裂解。

32.根据权利要求27所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该热处理的温度为380℃-600℃。

33.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该n型半导体层包含Sn:Cu(In_1-xGa_x)Se₂，x为0.18-0.3。

34.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该p型半导体层包含铜与铝的氧化物。

35.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该些阵列式凹凸部间具有相同的一预定间距。

36.根据权利要求20所述的CIGS太阳能电池的制造方法，其特征在于，该些阵列式凹凸部的外形为几何图形柱体。

Images