CN102290795A - 一种保护完善的igbt驱动器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种保护完善的IGBT驱动器,包括IGBT、与IGBT栅极连接的IGBT驱动电路,还包括与IGBT驱动电路输入端连接的电平转换电路,与电平转换电路连接的的光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路、故障报警输出电路,与IGBT发射极连接的负电压产生电路。通过调节电阻R61、R62来调节IGBT栅极的充电和放电速度;IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路在IGBT过流时对IGBT进行过流保护,并通过故障报警输出电路进行故障报警;负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠,防止干扰源对IGBT所造成的误导通,对延长IGBT工作寿命起到积极作用。
Description
技术领域
本发明涉及一种IGBT功率器件,更具体地说,是涉及一种保护完善的IGBT驱动器。
背景技术
IGBT(绝缘栅双极型功率管)具有驱动功率小、开关速度高、饱和压降低、耐高电压、大电流等一系列优点,成为大功率开关电源等电力装置的首选功率器件。但IGBT运行性能的好坏受驱动电路的影响很大,如开关时间、开关损耗、短路电流保护能力等,因此,对IGBT的驱动电路进行合理设计,充分发挥IGBT的性能非常重要。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中上述缺陷:提供一种能对IGBT过流保护,还能降低关断时对IGBT所造成的冲击,提高IGBT工作的可靠性;且IGBT栅极充电和放电的速度分别可调的一种保护完善的IGBT驱动器。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:提供一种保护完善的IGBT驱动器,包括IGBT、与IGBT栅极连接的IGBT驱动电路,还包括与IGBT驱动电路输入端连接的电平转换电路,与电平转换电路连接的光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路。
还包括与所述电平转换电路连接的故障报警输出电路,与IGBT发射极连接的负电压产生电路。
本发明所述一种保护完善的IGBT驱动器的有益效果是:通过将IGBT栅极与IGBT驱动电路连接,IGBT驱动电路输入端与电平转换电路连接,电平转换电路与光耦隔离电路、IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路连接,还包括与所述电平转换电路连接的故障报警输出电路,与IGBT发射极连接的负电压产生电路。通过调节电阻R61、R62来调节IGBT栅极的充电和放电速度;IGBT过流检测电路、降栅压电路、延时电路、软关断电路在IGBT过流时对IGBT进行过流保护,并通过故障报警输出电路进行故障报警;负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠,防止干扰源对IGBT所造成的误导通,提高IGBT工作的可靠性,对延长IGBT工作寿命起到积极作用。
下面结合附图和实施例对本发明所述的一种保护完善的IGBT驱动器作进一步说明:
附图说明
图1是本发明所述一种保护完善的IGBT驱动器的结构方框图;
图2是本发明所述一种保护完善的IGBT驱动器的电路原理图。
具体实施方式
以下本发明所述一种保护完善的IGBT驱动器的最佳实施例,并不因此限定本发明的保护范围。
参照图1、图2,提供一种保护完善的IGBT驱动器,包括IGBT1、与IGBT1栅极连接的IGBT驱动电路2,还包括与IGBT驱动电路2输入端连接的电平转换电路3,与电平转换电路3连接的光耦隔离电路10、IGBT过流检测电路4、降栅压电路5、延时电路6、软关断电路7。
所述IGBT驱动电路2是由电阻R15、R61、R62、R60,稳压二极管ZD3、ZD4,电容C10和三极管Q3、Q4、Q6、Q7组成,电阻R61的一端与三极管Q6的发射极连接,其另一端与IGBT1栅极连接,电阻R62的一端与三极管Q4的发射极连接,其另一端与IGBT1栅极连接,通过调节电阻R61、R62来调节IGBT1栅极的充电和放电速度。
所述IGBT过流检测电路4是由电阻R3、R4、R5、R21、R60,二极管D7、D27,电容C1、C56和比较器IC2组成。
所述降栅压电路5是由电阻R19、R13,二极管D1、D2和稳压二极管ZD1,以及比较器IC2组成。
所述延时电路6是由电阻R9,二极管D6,C57和比较器IC2组成。
所述软关断电路7是由电阻R17、R10,电容C58、C5,二极管D4、D8和三极管Q1,Q2组成。
还包括与所述电平转换电路3连接的故障报警输出电路8,该故障报警输出电路8是由电阻R67,R66、R66-1,电容C67,二极管D9和光耦IC3组成,通过故障报警输出电路8进行故障报警。
还包括与IGBT1发射极连接的负电压产生电路9,该负电压产生电路9是由电阻R16、R63,电容C6、C9、C60、C61、C62、C63、C64和稳压二极管ZD2组成,IGBT1关断时,负电压产生电路能使IGBT关断时更加可靠,防止干扰源对IGBT所造成的误导通。
PWM输入信号经过光电耦合器进行隔离后,通过电平转换电路3送到IGBT驱动电路2,放大后输出+15V和-9V的PWM信号到IGBT栅极,并且可通过调节R61和R62来调节IGBT栅极的充电和放电速度,当过流检测电路4检测到IGBT过流时(Vce的电压上升),降栅压电路5动作,同时延时电路6开始计时,PWM信号由15V降到10V左右,可提高IGBT的过流承受能力,在延时一个时间t后,软关断电路7动作,对IGBT驱动信号进行软关断,同时关闭PWM输入信号(过流保护自锁)和输出报警信号,告知主控MCU,IGBT发生了短路或过载情况,MUC随即关断PWM信号。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种保护完善的IGBT驱动器,包括IGBT(1)、与IGBT(1)栅极连接的IGBT驱动电路(2),其特征在于,还包括与IGBT驱动电路(2)输入端连接的电平转换电路(3),与电平转换电路(3)连接的的光耦隔离电路(10)、IGBT过流检测电路(4)、降栅压电路(5)、延时电路(6)、软关断电路(7)。
2.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器,其特征在于,所述IGBT驱动电路(2)是由电阻R15、R61、R62、R60,稳压二极管ZD3、ZD4,电容C10和三极管Q3、Q4、Q6、Q7组成,电阻R61的一端与三极管Q6的发射极连接,其另一端与IGBT(1)栅极连接,电阻R62的一端与三极管Q4的发射极连接,其另一端与IGBT(1)栅极连接,通过电阻R61、R62来调节IGBT(1)栅极的充电和放电速度。
3.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器,其特征在于,所述IGBT过流检测电路(4)是由电阻R3、R4、R5、R21、R60,二极管D7、D27,电容C1、C56和比较器IC2组成。
4.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器,其特征在于,所述降栅压电路(5)是由电阻R19、R13,二极管D1、D2和稳压二极管ZD1,以及比较器IC2组成。
5.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器,其特征在于,所述延时电路(6)是由电阻R9,二极管D6,C57和比较器IC2组成。
6.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器,其特征在于,所述软关断电路(7)是由电阻R17、R10,电容C58、C5,二极管D4、D8和三极管Q1,Q2组成。
7.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器,其特征在于,还包括与所述电平转换电路(3)连接的故障报警输出电路(8),该故障报警输出电路(8)是由电阻R67,R66、R66-1,电容C67,二极管D9和光耦IC3组成。
8.根据权利要求1所述的一种保护完善的IGBT驱动器,其特征在于,还包括与IGBT(1)发射极连接的负电压产生电路(9),该负电压产生电路(9)是由电阻R16、R63,电容C6、C9、C60、C61、C62、C63、C64和稳压二极管ZD2组成。
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