CN102290170A - 薄型电阻及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明为一种薄型电阻及其制造方法。该薄型电阻包括金属薄片、陶瓷基体以及至少两金属导线。该金属薄片包括多个导电通路。该陶瓷基体具有凹槽，金属薄片嵌入于凹槽，并利用硅树脂进行绝缘封装。该至少两金属导线分别与金属薄片焊接连接。

Description

薄型电阻及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种薄型电阻及其制造方法，特别涉及一种利用金属薄片制造的薄型电阻及其制造方法。

背景技术

随着科技的进步，现在的电子产品都以轻薄为设计的目标。因此市场上已经出现一种薄型化电视，例如LED电视。以一般LED电视的规格而言，其厚度约为20毫米。但其面板占去约10毫米，壳体厚度为2毫米，因此其余内部电路元件的厚度势必要减少。如此一来，薄型化的无源元件将为设计的趋势。

在现有技术中已经揭露一种薄型电阻，其利用转印图形(Print pattern)及应用激光雕刻的方式制成。但利用此方式制造的薄型电阻必须在转印后，逐一的修整或刻划所需的阻抗值及误差值，因此在量产速度及制造成本上是一大问题。且利用激光蚀刻的方式可制造出的阻抗值选择将因转印的图形而受限制，导电层的厚度比本设计薄，在利用上会有许多限制。若要制成较薄的无源元件，也会有脉冲强度不足的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种薄型电阻，其利用精密冲压金属薄片的技术制造。

本发明的另一主要目的在于提供一种薄型电阻的制造方法。

为达到上述目的，本发明薄型电阻，包括金属薄片、陶瓷基体以及至少两金属导线。该金属薄片包括多个导电通路。该陶瓷基体具有凹槽，金属薄片嵌合于凹槽。该至少两金属导线分别与金属薄片焊接连接。金属薄片通过多个导电通路以提供一电阻值。

本发明所述的薄型电阻，其中，该金属薄片利用一冲压工艺形成。

本发明所述的薄型电阻，其中，还包括一硅树脂，用以绝缘密封该陶瓷基体及该金属薄片。

本发明所述的薄型电阻，其中，该金属薄片的厚度为0.025毫米至0.1毫米之间。

本发明所述的薄型电阻，其中，该薄型电阻的厚度为1.9毫米至2.1毫米之间。

本发明薄型电阻的制造方法，包括以下步骤：根据所需的电阻值，利用冲压工艺形成金属薄片，金属薄片包括多个导电通路；提供至少两金属导线以分别连接金属薄片；提供一陶瓷基体，陶瓷基体包括一凹槽；以及嵌合该金属薄片于该陶瓷基体的凹槽。

本发明所述的薄型电阻的制造方法，其中，还包括以下步骤：根据所需的该电阻值，以选取该金属薄片的材料或厚度。

本发明所述的薄型电阻的制造方法，其中，还包括以下步骤：提供一硅树脂，以绝缘密封该陶瓷基体及该金属薄片；以及执行一烘干流程，以形成该薄型电阻。

本发明具有以下有益效果为：可提供同时满足电阻值和厚度要求的薄型电阻，也可克服现有技术中强度不足的问题，明显优于现有技术的电阻。

附图说明

图1A-1B为本发明的金属薄片嵌合于陶瓷基体的一实施方式的示意图。

图1C为本发明薄型电阻的外观示意图。

图2为本发明的金属薄片的正面视图。

图3为本发明的金属薄片的侧视图。

图4为本发明薄型电阻的制造方法的步骤流程图。

【主要元件符号说明】

薄型电阻10

金属薄片20

导电通路21

压痕22

陶瓷基体30

凹槽31

金属导线40

硅树脂50

间距d

厚度t

宽度W

长度L

具体实施方式

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本发明的具体实施例，并配合所示附图，作详细说明如下。

请先同时参考图1A到1C关于本发明薄型电阻的相关示意图，其中图1A-1B为本发明的金属薄片嵌合于陶瓷基体的一实施方式的示意图，图1C为本发明薄型电阻的外观示意图。其中金属薄片20通过图1A-1B所示的方式以嵌合于陶瓷基体30，最后再形成图1C中所示的薄型电阻10。

本发明薄型电阻10用于电子装置(图未示)内，用以提供一电阻值。薄型电阻10的厚度优选介于1.9毫米至2.1毫米之间。当超薄型电子装置(例如超薄型电视或显示器)的厚度仅有2厘米时，其内部所需的零件，相对应地也必须非常薄，因此本发明薄型电阻10可满足此需求。

薄型电阻10包括金属薄片20、陶瓷基体30及金属导线40。薄型电阻10主要通过金属薄片20的材料及形状等特征以提供不同电阻值。关于金属薄片20的制造方式在之后会有详细描述，故在此先不赘述。陶瓷基体30由一陶瓷材料制成，并具有凹槽31，金属薄片20可嵌合于陶瓷基体30的凹槽31内。陶瓷材料制成的陶瓷基体30可提供薄型电阻10的支撑作用，以解决现有技术中薄型无源元件容易变形的缺点。

金属导线40较佳为一铜线或一铜包钢线(但本发明不限于此)所制成。金属导线40焊接于金属薄片20上，以使得薄型电阻10可与电子装置的其它零件(图未显示)电性连接。金属导线40与金属薄片20的焊接方式可为点焊的方式，但本发明并不以此为限。金属导线40可为2条或是4条，本发明并不以图中所示的数量为限。

薄型电阻10还可包括硅树脂(Silicon Resin)50。硅树脂50用以绝缘密封金属薄片20及陶瓷基体30，用以保护薄型电阻10的结构。金属薄片20与金属导线40焊接后，再嵌合于陶瓷基体30的凹槽31内。嵌合后的薄型电阻10即如图1B所示。最后再利用硅树脂50将金属薄片20与陶瓷基体30密封，经过烘干固化处理后以保护薄型电阻10的结构。

接着请参考图2及图3关于本发明的金属薄片的相关示意图，其中图2为本发明的金属薄片的正面视图，图3为本发明的金属薄片的侧视图。

本发明的金属薄片20可用机器精密冲压制造而成，并为自动带状(Auto-tape)形式，以利于与其它构件进行自动组装。金属薄片20的材料可为铜，但本发明并不以此为限，也可由其它金属制成，以调整薄型电阻10所需的阻值。金属薄片20包括多个导电通路21及压痕22。金属薄片20可通过其形状，即导电通路21的数量及/或间距调整薄型电阻10所需的阻值。在本实施例中，任意两相邻的导电通路21的间距d约为0.2毫米，但本发明并不以此为限。

在本发明的一实施例中，金属导线40利用点焊的方式固定在压痕22，因此压痕22的数量配合金属导线40的数量。

另一方面，薄型电阻10的阻抗值也可由金属薄片20的厚度t决定。在本实施例中，金属薄片20的厚度t为0.025毫米至0.1毫米之间。

详细地说，薄型电阻10的阻抗值可由以下公式求得：

$t=\frac{L}{R\×W}\×\mathrm{\ρ}$

其中t为金属薄片20的厚度，L为金属薄片20的导电通路21的长度，W为金属薄片20的导电通路21的宽度，ρ为金属薄片20的材料的电阻率，最后R即为薄型电阻10的阻抗值。

由上述的说明可知，金属薄片20可以利用其厚度t、其导电通路21的长度L与宽度W以及其材料(ρ)来得到所需的阻抗值。因此，在本发明中，金属薄片20可以利用不同的搭配方式，以得到0.025欧姆到47欧姆的电阻值。

接着请参考图4为本发明薄型电阻的制造方法的步骤流程图。此处需注意的是，以下虽以上述薄型电阻10为例说明本发明薄型电阻的制造方法，但本发明薄型电阻的制造方法并不以使用在上述薄型电阻10为限。

首先进行步骤401：根据所需的一电阻值，利用一冲压工艺形成一金属薄片，该金属片包括多个导电通路。

首先根据所需电阻值选取金属薄片20，并设计金属薄片20的形状。金属薄片利用机器精密冲压的工艺制造，并生产成为自动带状形式，如此一来即可以增加生产速度及产量。在本实施例中，金属薄片20的形状如图2所示，金属薄片20形成多个导电通路21与至少两压痕22。并且金属薄片20可根据所需电阻值以决定其形状，即导电通路21的数量与其长度L与宽度W。本发明并不以图2所示的形状为限。除了利用上述的形状外，也可利用利用机器冲压的工艺制造出不同材料及厚度的金属薄片20，以决定所得到的电阻值。

接着进行步骤402：提供至少两金属导线以分别连接该金属薄片。

接着提供至少两金属导线40，以分别连接至金属薄片20。在本发明的一实施例中，金属导线40分别利用点焊的方式焊接于金属薄片20的压痕22。

再进行步骤403：提供一陶瓷基体，该陶瓷基体包括一凹槽，以嵌合该金属薄片于该陶瓷基体的凹槽。

接着再提供陶瓷基体30，此陶瓷基体30包括凹槽31。金属薄片20嵌合于陶瓷基体30的凹槽31内，即如图1A-1B所示。

步骤404：提供一硅树脂，以绝缘密封该陶瓷基体及该金属薄片，并执行烘干流程。

将陶瓷基体30及金属薄片20利用硅树脂50密封，再执行烘干流程将硅树脂50烘干固化以完成全部的工艺过程。最后会得到如图1C所示的薄型电阻10。

最后进行步骤405：测量该薄型电阻的电阻值。

在上述步骤401到步骤404完成后，即可得到薄型电阻10。最后可测量薄型电阻10的电阻值，以确定是否符合需求。

此处需注意的是，本发明薄型电阻的制造方法并不以上述步骤的次序为限，只要能达到本发明的目的，上述步骤的次序也可加以改变。

通过上述步骤，即可制造出电阻范围在0.025欧姆到47欧姆的薄型电阻10，且薄型电阻10的厚度约为1.9毫米至2.1毫米之间，也可克服现有技术中强度不足的问题，明显优于现有技术的电阻。

综上所述，本发明无论就目的、手段及功效，均显示其不同于现有技术的特征。但应注意的是，上述实施例仅为了便于说明而举例而已，本发明所主张的保护范围应以本发明公开的范围为准，而非仅限于上述实施例。

Claims (8)

1.一种薄型电阻，其特征在于，包括：

一金属薄片，包括多个导电通路；

一陶瓷基体，具有一凹槽，该金属薄片嵌合于该凹槽；以及

至少两金属导线，这些金属导线分别与该金属薄片焊接连接。

2.如权利要求1所述的薄型电阻，其特征在于，该金属薄片利用一冲压工艺形成。

3.如权利要求1所述的薄型电阻，其特征在于，还包括一硅树脂，用以绝缘密封该陶瓷基体及该金属薄片。

4.如权利要求1所述的薄型电阻，其特征在于，该金属薄片的厚度为0.025毫米至0.1毫米之间。

5.如权利要求1所述的薄型电阻，其特征在于，该薄型电阻的厚度为1.9毫米至2.1毫米之间。

6.一种薄型电阻的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据所需的一电阻值，利用一冲压工艺形成一金属薄片，该金属片包括多个导电通路；

提供至少两金属导线以分别连接该金属薄片；

提供一陶瓷基体，该陶瓷基体包括一凹槽；以及

嵌合该金属薄片于该陶瓷基体的该凹槽。

7.如权利要求6所述的薄型电阻的制造方法，其特征在于，还包括以下步

骤：根据所需的该电阻值，以选取该金属薄片的材料或厚度。

8.如权利要求6所述的薄型电阻的制造方法，其特征在于，还包括以下步骤：

提供一硅树脂，以绝缘密封该陶瓷基体及该金属薄片；以及

执行一烘干流程，以形成该薄型电阻。

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