CN102288901B - 一种仿真数据的处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种仿真数据的处理方法，包括如下步骤：将典型N管典型P管情况下的输出设置为参考信号，将其他情况下的输出设置为待比较信号；按门限电压对该参考信号进行采样，将该参考信号数字化；按与该参考信号相同的方法对该待比较信号进行量化；以及将量化后的该参考信号与该待比较信号进行比较，本发明通过对仿真数据中的参考信号与待比较信号进行量化后再进行比较，节省了人力和时间，便于大范围推广，同时由于本发明在比较结果正确时可以删除大量的仿真数据，节约了存储空间。

Description

一种仿真数据的处理方法
技术领域
本发明涉及一种仿真数据的处理方法，特别是涉及一种SHMOO仿真数据的处理方法。
背景技术
SHMOO一般是每一种测试台上一定会有的工具，可以针对时序图、电平、功耗...做1D/2D/3D的工程分析，例如你想知道设备在执行某特定模式时工作电压的范围，可用SHMO工具扫描从2Vto5V的范围，步长100mV，SHMOO工具会告诉你pass/fail的状况
SHMOO测试是芯片测试中一种常用的技术手段，其方法是选取两个与芯片性能相关的指标，如最大工作频率与电源电压，分别在两个维度上对这两个指标进行扫描，并在X-Y的二维坐标系中对扫描的结果进行显示，从而可以比较直观地显现这两个被选取变量之间的相互关系。可以说SHMOO分析已经成为在芯片的工程测试阶段必需的技术手段，目前，绝大多数的ATE机台也都支持这种方法。
然而，现在对SHMOO仿真数据的一般处理方法是：将tt(tNtP：典型N管典型P管)情况下输出设置为参考信号REF，将其他情况如ff(快速N管快速P管)、ss(慢速N管慢速P管)、sf(慢速N管快速P管)、fs(快速N管慢速P管)下的输出设置为待比较信号SIGNAL，通过人工对模拟的参考信号REF与待比较信号SIGNAL进行比较分析，判断两个信号在设计定义的ΔT时间内是否存在差异，以此来确定仿真的结果，然而上述处理方法的缺点是：浪费人力与时间，不适于大范围推广；由于人工比较的每个结果都需要进行存储，浪费存储空间。
综上所述，可知先前技术中对SHMOO仿真数据的处理方法存在浪费人力、时间与存储空间的问题，因此，实有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
发明内容
为克服上述现有技术对SHMOO仿真数据的处理方法存在浪费人力、时间与存储空间的问题，本发明的主要目的在于提供一种仿真数据的处理方法，其不仅可以节约人力和时间，而且由于在比较结果正确时可以删除大量的仿真数据，节约存储空间。
为达上述及其它目的，本发明一种仿真数据的处理方法，至少包括如下步骤：
将典型N管典型P管情况下的输出或母产品设置为参考信号，将其他情况下的输出或子产品设置为待比较信号；
按门限电压对该参考信号进行采样，将该参考信号数字化；
按与该参考信号相同的方法对该待比较信号进行量化；以及
将量化后的该参考信号与该待比较信号进行比较。
进一步地，在将量化后的该参考信号与该待比较信号进行比较时，若两个信号在设计定义的时间内存在差异，则标记为错误。
进一步地，该按门限电压对该参考信号进行采样，将该参考信号数字化的步骤进一步包括：若采样时钟到来时该参考信号高于该门限电压，则定义该参考信号为“1”，否则定义该参考信号为“0”。
进一步地，在将量化后的该参考信号与该待比较信号进行比较时，判断参考信号与待比较信号的0到1和1到0的沿的个数是否匹配，如果不匹配，则立刻报错且退出。
进一步地，通过对每段沿的宽度进行比较，判断得出该参考信号与该待比较信号差异的信息。
进一步地，该其他情况包括快速N管快速P管、慢速N管慢速P管、慢速N管快速P管及快速N管慢速P管的情况。
进一步地，该仿真数据为SHMOO仿真数据。
与现有技术相比，本发明一种仿真数据的处理方法通过对仿真数据中的参考信号与待比较信号进行量化后再进行比较，节省了人力和时间，便于大范围推广；同时由于本发明在比较结果正确时可以删除大量的仿真数据，节约了存储空间。
附图说明
图1为本发明一种仿真数据的处理方法较佳实施例的方法步骤图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
图1为本发明一种仿真数据的处理方法较佳实施例的方法步骤图。于本发明较佳实施例中，主要是对SHMOO仿真数据的进行处理，但不以此为限，本发明之仿真数据的处理方法包括如下步骤：
步骤101：首先将tt(tNtP：典型N管典型P管)情况下的输出或母产品设置为参考信号REF，将其他情况如ff(fNfP：快速N管快速P管)、ss(sNsP：慢速N管慢速P管)、sf(sNfP：慢速N管快速P管)、fs(fNsP：快速N管慢速P管)下的输出或子产品设置为待比较信号SIGNAL；
步骤102：将参考信号REF数字化，按门限电压VT对参考信号进行采样，具体地说，如采样时钟到来时参考信号REF高于门限电压VT，则定义参考信号为“1”，否则定义参考信号为“0”；
步骤103：按相同方法对待比较信号SIGNAL进行量化，具体地说，如采样时钟到来时待比较信号SIGNAL高于门限电压VT，则定义待比较信号SIGNAL为“1”，否则定义待比较信号SIGNAL为“0”；
步骤104：将量化后的参考信号REF和待比较信号SIGNAL进行比较，具体来说，比较时先判断参考信号REF与待比较信号SIGNAL的0到1(和1到0)的沿的个数是否匹配，如果不匹配，则立刻报错且退出，然后通过对每段沿的宽度进行比较(可通过减法等数学方法)，最后实现判断，得出参考信号REF与待比较信号SIGNAL差异的信息。若两个信号在设计定义的ΔT时间内存在差异，则标记为错误。
通过上述步骤对SHMOO仿真数据进行处理，在比较不同边角的结果时可以节约人力和时间；由于在比较结果正确时可以删除大量的仿真数据，可以节约存储空间；另外，本发明使用简单，便于大范围推广。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。

Claims (3)

1.一种仿真数据的处理方法，至少包括：
将典型N管典型P管情况下的输出或母产品设置为参考信号，将其他情况下的输出或子产品设置为待比较信号；
按门限电压对该参考信号进行采样，将该参考信号数字化；
按与该参考信号相同的方法对该待比较信号进行量化；以及
将量化后的该参考信号与该待比较信号进行比较；
在将量化后的该参考信号与该待比较信号进行比较时，若两个信号在设计定义的时间内存在差异，则标记为错误；
该按门限电压对该参考信号进行采样，将该参考信号数字化的步骤进一步包括：若采样时钟到来时该参考信号高于该门限电压，则定义该参考信号为“1”，否则定义该参考信号为“0”；
在将量化后的该参考信号与该待比较信号进行比较时，判断该参考信号与该待比较信号的0到1和1到0的沿的个数是否匹配，如果不匹配，则立刻报错且退出；通过对每段沿的宽度进行比较，判断得出该参考信号与该待比较信号差异的信息。
2.如权利要求1所述的仿真数据的处理方法，其特征在于：该其他情况包括快速N管快速P管、慢速N管慢速P管、慢速N管快速P管及快速N管慢速P管的情况。
3.如权利要求1所述的仿真数据的处理方法，其特征在于：该仿真数据为SHMOO仿真数据。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104678289A (zh) * 2015-02-13 2015-06-03 上海华岭集成电路技术股份有限公司 shmoo测试中标定设定值和测量值的方法
US20200007200A1 (en) 2017-05-05 2020-01-02 Intel Corporation Management of mimo communication systems

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6079038A (en) * 1998-04-24 2000-06-20 Credence Systems Corporation Method for generating a Shmoo plot contour for integrated circuit tester
US20030093737A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Michael Purtell Event based test system having improved semiconductor characterization map
CN1475811A (zh) * 2002-07-11 2004-02-18 夏普株式会社 半导体测试装置和半导体测试方法
CN1820206A (zh) * 2004-06-17 2006-08-16 爱德万测试株式会社 测试装置以及测试方法
CN101393234A (zh) * 2007-09-17 2009-03-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 波形自动量测系统及方法
CN101770967A (zh) * 2009-01-03 2010-07-07 上海芯豪微电子有限公司 一种共用基底集成电路测试方法、装置和系统
CN101846729A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 上海松下微波炉有限公司 电源过电压检测方法和装置
CN102057287A (zh) * 2008-06-09 2011-05-11 株式会社爱德万测试 测试装置
CN102169161A (zh) * 2010-11-19 2011-08-31 苏州瀚瑞微电子有限公司 电容式触控芯片的测试方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106295A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Ando Electric Co Ltd シュムデータ比較方法及び装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6079038A (en) * 1998-04-24 2000-06-20 Credence Systems Corporation Method for generating a Shmoo plot contour for integrated circuit tester
US20030093737A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Michael Purtell Event based test system having improved semiconductor characterization map
CN1475811A (zh) * 2002-07-11 2004-02-18 夏普株式会社 半导体测试装置和半导体测试方法
CN1820206A (zh) * 2004-06-17 2006-08-16 爱德万测试株式会社 测试装置以及测试方法
CN101393234A (zh) * 2007-09-17 2009-03-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 波形自动量测系统及方法
CN102057287A (zh) * 2008-06-09 2011-05-11 株式会社爱德万测试 测试装置
CN101770967A (zh) * 2009-01-03 2010-07-07 上海芯豪微电子有限公司 一种共用基底集成电路测试方法、装置和系统
CN101846729A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 上海松下微波炉有限公司 电源过电压检测方法和装置
CN102169161A (zh) * 2010-11-19 2011-08-31 苏州瀚瑞微电子有限公司 电容式触控芯片的测试方法

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