CN102283037B - 作物根际沉积炭模拟培养装置及培养方法 - Google Patents

作物根际沉积炭模拟培养装置及培养方法 Download PDF

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Abstract

作物根际沉积炭模拟培养装置及培养方法，它涉及一种作物根际沉积炭培养装置及培养方法。针对目前作物根际沉积炭模拟培养装置中土壤粒径过小，无法获得准确实验结果及传统的培养方法误差大、精度低的问题。装置方案：网袋装在PVC培养钵内，且每个供试土柱载体开口位置处与网袋的外侧位置处紧密接触；方法方案：将土壤装入培养钵中；将每个供试土柱载体通过支架镶嵌入PVC培养钵内相对应的镶嵌槽中；作物在网袋内进行播种；将培养装置放入培养场；在特定时间取样，取出供试土柱载体，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体的土柱，获得不同根距的根际土壤。本发明用于作物根际沉积炭模拟培养。

Description

作物根际沉积炭模拟培养装置及培养方法
技术领域
本发明涉及一种作物根际沉积炭培养装置及培养方法。
背景技术
目前，人们采用的作物根际沉积碳培养装置较为落后，对作物根际沉积碳培养只能采用普通分格式根箱培养方法、这种培养方法要求土壤粒径小于1mm，该方法虽然能很好的区分根际和非根际环境土壤，但是细小的土壤颗粒使土壤发生粘重，改变了土壤的部分物理性状，根际沉积碳在土壤中迁移受到影响，不能很好的为研究根际沉积碳服务。
传统的培养方法一般采用把作物种植在分隔式根箱生长隔土壤中，如果区分根际不同区域土壤，就采用尼龙网作为隔层，格间距一般为1mm，而隔层的土壤为非根际土壤，该培养方法使用的土壤细小，很难准确满足试验的要求，增大工作量，培养过程中植物根际土壤很难准确获得，更难区分不同根系部分的根际土，干扰因素较多，误差较大，使一些较小的差异检测不到，部分重要的结果被忽视，检测的数据不准确。
发明内容
本发明的目的是提供一种根际沉积炭模拟培养装置及培养方法，以解决目前作物根际沉积炭模拟培养装置中土壤粒径过小，无法获得准确实验结果及传统的培养方法培养过程中干扰因素较多、误差大、精度低，对较小的差异不易检测到，不同部位的根际土壤差异被忽视的问题。
本发明为解决上述技术问题采取的技术方案是：装置方案：所述装置包括PVC培养钵、网袋和多个供试土柱载体和多个支架，PVC培养钵底部设有多个镶嵌槽，每个供试土柱载体通过相对应的支架固装在镶嵌槽内，网袋装在PVC培养钵内，且每个供试土柱载体开口位置处与网袋的外侧位置处紧密接触，PVC培养钵、网袋和供试土柱载体内均装有原状土；
方法方案：步骤一、按试验要求准备好满足试验条件的土壤，将土壤装入PVC培养钵中；步骤二、将每个供试土壤装入供试土柱载体中，并将每个供试土柱载体通过支架镶嵌入PVC培养钵内相对应的镶嵌槽中；步骤三、按试验要求作物在网袋内进行播种；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、按试验要求进行培养；步骤六、按试验要求在特定时间取样，取出供试土柱载体，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体的土柱，获得不同根距的根际土壤。
本发明具有以下有益效果：由于采用了将作物根系生长在网袋中，网袋与供试土柱载体接触，通过网袋内植物根部向供试土柱载体的渗透，可以获得距离接触面不同距离的根际土壤，故能够准确的区分根际不同距离的土壤，研究过程中干扰因素少，可以研究作物根际沉积碳的不同部位的根际，因而将能准确测出的作物根际环境参数的数据准确、精度高和减少了工作量。本发明与采用常规培养方法相比效率提高1.5倍，研究结果更具有科学意义。
附图说明
图1是本发明的整体结构主视图，图2是图1的俯视图。
具体实施方式
具体实施方式一：结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式的装置包括PVC培养钵1、网袋2和多个供试土柱载体3和多个支架5，其特征在于PVC培养钵1底部设有多个镶嵌槽4，每个供试土柱载体3通过相对应的支架固装在镶嵌槽4内，网袋2装在PVC培养钵1内，且每个供试土柱载体3开口位置处与网袋2的外侧位置处紧密接触，PVC培养钵1、网袋2和供试土柱载体3内均装有原状土。
具体实施方式二：结合图1说明本实施方式，本实施方式的供试土柱载体3的数量为1-4个，同一作物不同土壤减少试验误差，相当于同一样品增加取样点数。其他组成及连接关系与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤一、按试验要求准备好满足试验条件的土壤，将土壤装入PVC培养钵1中；步骤二、将每个供试土壤装入供试土柱载体3中，并将每个供试土柱载体3通过支架5镶嵌入PVC培养钵1内相对应的镶嵌槽4中；步骤三、按试验要求作物在网袋2内进行播种；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、按试验要求进行培养；步骤六、按试验要求在特定时间取样，取出供试土柱载体3，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体3的土柱，获得不同根距的根际土壤。
具体实施方式四：结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤六中供试土柱载体3放入冰箱进行速冻的时间为24小时。其他组成及连接关系与具体实施方式一相同。
具体实施方式五：结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤五中培养期间对植物的拔期期间用13CO2进行脉冲式标记。其他组成及连接关系与具体实施方式一相同。
具体实施例：结合图1说明本实施方式，本实施方式的步骤一、将过5mm筛的土壤装入培养钵1中；步骤二、用供试土柱载体到田间取原位原状黑土，使其充满供试土柱载体3中，并将每个供试土柱载体3通过支架5镶嵌入PVC培养钵1内相对应的镶嵌槽4中；步骤三、在网袋2内进行播种玉米海玉6号4粒；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、进行田间培养；步骤六、在玉米的拔期期间用13CO2进行脉冲式标记；步骤七、在秋季成熟期取样，取出供试土柱载体3，放入冰箱进行速冻24小时，然后在冰状态下用切刀进行每1mm长度切割供试土柱载体3的土柱，获得不同根距的根际土壤，然后进行13C丰度测定，通过计算获得根际沉积碳迁移能力。

Claims (4)

1.一种作物根际沉积炭模拟培养装置，所述装置包括PVC培养钵(1)、网袋(2)和多个供试土柱载体(3)和多个支架(5)，其特征在于PVC培养钵(1)底部设有多个镶嵌槽(4)，每个供试土柱载体(3)通过相对应的支架固装在镶嵌槽(4)内，网袋(2)装在PVC培养钵(1)内，且每个供试土柱载体(3)开口位置处与网袋(2)的外侧位置处紧密接触，PVC培养钵(1)、网袋(2)和供试土柱载体(3)内均装有原状土。
2.根据权利要求1所述作物根际沉积炭模拟培养装置，其特征在于供试土柱载体(3)的数量为4个。
3.一种采用权利要求1或2所述作物根际沉积炭模拟培养装置的培养方法，其特征在于步骤一、按试验要求准备好满足试验条件的土壤，将土壤装入PVC培养钵(1)中；步骤二、将每个供试土壤装入供试土柱载体(3)中，并将每个供试土柱载体(3)通过支架(5)镶嵌入PVC培养钵(1)内相对应的镶嵌槽(4)中；步骤三、按试验要求作物在网袋(2)内进行播种；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、按试验要求进行培养；步骤六、按试验要求在特定时间取样，取出供试土柱载体(3)，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体(3)的土柱，获得不同根距的根际土壤。
4.根据权利要求3所述作物根际沉积炭模拟培养方法，其特征在于步骤六中供试土柱载体(3)放入冰箱进行速冻的时间为24小时。
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