CN102273036A - 与电压无关的电源负载分配的方法和系统 - Google Patents

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Abstract

一种用于在N个电流源之间进行负载分配的设备和方法，这里N＞1。N个电流源通路分别被联接到相应的N个独立电源。系统负载被联接到N个电流源通路的输出以接收N个电流源。共用的电流分配汇流线被构造成连接到该N个电流源通路以提供共用的电流分配信号，用以标识需要N个电流源通路中的每一个承担的电流分担额。在该构造中，N个电流源通路中的每一个根据所述共用的电流分配信号调节其电源和其提供给系统负载的电流源之间的电压降，从而从每个电流源通路供给的电流与所述共用电流分配信号一致。

Description

与电压无关的电源负载分配的方法和系统
相关申请
本发明要求2008年12月31日提交的临时专利申请No.61/141 766的优先权，该申请的全部内容包含于此。
技术领域
本教示涉及用于模拟电路的方法和系统。更具体地，本教示涉及用于电源负载分配的方法和系统及整合有该方法和系统的系统。
背景技术
将两个或更多个电源的输出连接在一起允许它们分配共同的负载电流。负载分配具有各种优点。负载分配对于每一个单独的电源的组件施加更少的热应力，由此提高了整个电源系统的可靠性和寿命。这允许使用并联的更小的电源以提供更大的负载。在具有由动态管理的并行电源供给的时变负载电流的系统中，负载分配使得每个电源在其峰值功率转换效率点处运行。高可用性的电子系统通常采用电源的N+n构造，这里N是要求用以供给负载电流的电源的数目，而n是额外或冗余的电源的数目。负载分配通常是这样的系统的基本特性。
负载电流在电源之间的划分或分配依赖于它们各自的输出电压及共用负载的连接电阻。这称为垂下均流(droop sharing)。为防止反转电流进入电源，这称为电流反馈，可以为每个电源输出以串联方式增加二极管。在本情况中，二极管电压降也影响到电源之间的电流分配。
一种起作用的负载分配的方法在凌力尔特有限公司(LinearTechnology Corporation)推出的负载分配控制器(load sharing controller)中得以实现。在该负载分配控制器中，来自每个电源的电流通过感测串联的电流感测电阻器两端的电压降而被监测。该负载分配控制器将该电流感测信号与共用的汇流线信号比较。该共用的汇流线信号表示维持负载电压的稳定而需要每个电源承担的负载电流。该负载分配控制器然后经由电源反馈网络或者修整输入调节电源的输出电压以使其电流与共用的汇流线匹配，由此实现负载分配。
德州仪器提供了器件UCC39002，该器件设计用以通过调节电源电压来实现负载分配。该共用汇流线信号表示全部电源电流中的最高电流。美国国家半导体公司提供了使用汇流线即全部电源电流的平均值的器件。
传统的用于负载分配的措施具有一些缺点。尽管垂下均流(droopsharing)是简单的，分配精度能够是难以控制的。虽然通过串联联接的一个或多个二极管解决了电流反馈问题，但二极管本身是耗能的。尽管凌力尔特有限公司提供的负载分配控制器和其它已有的控制器器件解决了这些问题，但基于该传统技术的设计可能是复杂的，因为必须将电源回路动态容纳在负载分配回路动态中，其中每个电源需要自循环稳定性补偿。另外，这些控制器仅能够通过修整/调节引脚或者可访问反馈网络来操纵电源。这可能不是现有的，或者担心关于将该信号在电路板上布线方面会引入噪声。另外，将该共用汇流线信号布线连接到全部的电源的需要也会引入潜在的单个失效点。
附图简述
这里声明和/或说明的本发明就示例性实施方式而言得到了进一步的说明。参考附图详细地说明本示例性实施方式。这些实施方式是非限定性的示例性实施方式，其中在全部的若干个附图中，相同的附图标记表示类似的结构，其中：
图1示出了根据本发明实施方式的的用以控制负载分配的示例性电路；
图2示出了根据本发明的实施方式的用以控制负载分配的更为详细的电路；
图3(a)示出了根据本发明的实施方式的在控制负载分配中的不同指令电压源的电平的曲线图；
图3(b)示出了根据本发明的实施方式的使提供给负载电流的归一化电源电流的曲线图；
图4示出了根据本发明的实施方式的用于控制负载分配的电路的示例性实现；
图5(a)和图5(b)示出了根据本发明的实施方式的使用功率MOSFET的可控串联电压降的替代实现；
图6示出了根据本发明的实施方式的用以控制负载分配的另一个示例性电路；
图7示出了根据本发明的实施方式的用以控制负载分配的再一个示例性电路；
图8示出了根据本发明的实施方式的用于N个电源的负载分配的示例性电路。
具体实施方式
本发明涉及用以使两个或两个以上的电源分担单个负载电流的负载分配控制方案及其实现。如这里所述地该负载分配控制方案就电源电压的共模不影响负载分配而言是与电压无关的。另外，如这里所公开的，该负载分配控制方案并不需要电源上的修整/调节引脚。本发明的该负载分配控制方案并不需要物理上接近电源并且电源环动态特性并不需要考虑在设计中，使得其适用于宽范围内的各种输入电源。如这里所公开地该负载分配方法和系统也阻挡反转电流以防止由于电流反馈造成的潜在损伤。通过本发明实现的全部这些特性带来了负载分配电源系统的更简单和更快速的设计。
图1示出了根据本发明的实施方式的被设计用以控制负载分配的示例性电路100。为说明的目的，电路100用以基于双电源系统示出本发明的构思。如本领域技术人员随后(图8)能看到和理解的，本发明并不局限于双电源系统并且能够应用于用于负载分配的N电源系统。
在图1中，电路100包括与电源负载107并联联接的电源110和电源104。如所示的，电源110提供VIN1，VIN1经过包括产生中间电平VOUT1的可调节电压降101、和电流感测电阻器102的通路。类似地，电源104提供VIN2，VIN2经过包括产生中间电平VOUT2的可调节电压降105、和电流感测电阻器106的并联通路。注意到，如这里所述的电压降能够是正值或者能够是负值。两个可调节电压降(101和105)及电流感测电阻器(102和106)插入在在每个电源和共用的整合有电压VLOAD的负载107之间并联的电源通路中。可调节电压降101和105中的每一个的电压降能够被动态控制。电流感测电阻器102和106可能是明确的感测电阻器或者可能是电路板布线中固有的阻抗。
沿着电源通路中的每一个通路，从其电源提供的初始电压可以是不同的。这可以随后造成中间电压变化，即VOUT1不等于VOUT2。这将进一步导致通过电流感测电阻器102和106的不相等电流，并且因此造成从每个电源通路到共用负载的不相等的电流。为动态产生从每个电源通路到共用负载的相等的电流分担额，所感测的在VOUT1与VOUT2之间的差被输送到电流平衡控制元件。在一些实施方式中，这样的电流平衡控制元件能够基于图1中所示的误差放大器器件(103)实现，该误差放大器器件被配备用以基于所感测的通过电流感测电阻器的电流的差来调节101和/或105上的电压降。
误差放大器器件103控制串联的电压降101和105以强制VOUT1等于VOUT2。例如，当电源110的输出电压上升时，其临时地使VOUT1上升超过VOUT2。当误差放大器器件103接收表示该情况的输入(经由电流感测电阻器102和106所感测到的电流变化)时，作为校正措施，误差放大器器件103将101的电压降升高使VOUT1等于VOUT2。在一些实施方式中，电压降的调节能够在两个通路中进行，即其升高101的电压降，同时降低105的电压降以使VOUT1再次等于VOUT2。通过调节电压降以在不同的电源通路中确保VOUT1＝VOUT2，来自电源110的电流与电流感测电阻器102中的电流相同，即等于(VOUT1-VLOAD)/R102。相似的，来自电源110的电流是相同的，即等于(VOUT2-VLOAD)/R106，假设R102＝R106。以此，两个电源电流相等。每个电源通路提供负载电流的一半，即I110＝I104＝I107/2.由于来自两个电源通路的电流相加等于负载电流I107，则两个电源均等地分担负载电流。在一些应用中，可能需要比例电流分配。在一些情况中，两个电流感测电阻器102和106的电阻能够根据比率适当地设定，使得I110/I104＝R106/R102。
在运行中，在电源通路中可以发生反转电流。例如，反转电流可以在电源处于比共用负载汇流线低的电势时发生。如所公知的，大的反转电流能够损坏电源。另外，反转电流消耗能量。因此，通常需要阻挡反转电流。图2示出了根据本发明的实施方式的实施用以控制负载分配的更为详细的电路200。如所示的，电路200能够防止反转电流并保护电源不受反转电流造成的任何损害。
根据本发明的一些实施方式，电路200的构成类似于电路100，不同之处在于以特定的方式实现电压降。具体地，电路200包括两个电源通路，每个电源通路具有电源(201和209)、可调节电压降、和电流感测电阻器(203和211)。来自两个电源通路的电流流到共用负载212。可调节电压降中的每一个基于N沟道MOSFET(202和210)、指令电压源(205和207)、和伺服放大器(204和208)实现。在运行中，误差放大器器件206通过控制电压源205和207使VOUT1＝VOUT2。在上部电源通路中，N沟道MOSFET 202、指令电压源205、和伺服放大器204以如下方式实现可调节电压降的功能。伺服放大器204基于中间电压VOUT1和指令电压源205(通过误差放大器206控制)控制N沟道MOSFET 202的栅极电压。具体地，伺服放大器204用以将N沟道MOSFET两端的前向电压降(源极到漏极之间的电压)保持成等于电压源205。另外的电源通路类似地经由伺服放大器208、N沟道MOSFET 210、和电压源207控制，其中电压源207通过误差放大器206控制。
就限制MOSFET电压降的范围而言，有一些实践方面的考虑。为防止反转电流流过MOSFET，应该不允许电压降低于零。总体上，优选地将电压降限制为小的正值(VF(MIN))，比如30mV。单个MOSFET两端的最大电压降(VF(MAX))也可以被限制，例如，限制到通过MOSFET的源极与漏极之间的本征体二极管两端的压降。为允许更大的电压降，可用串联的MOSFET替代单个MOSFET。这在图5(a)中示出，其中两个或更多个MOSFET(如所示的，510、520和530)能够串联联接以替代每个单个的MOSFET 202和210。替代地，两个MOSFET也能够反向(back-to-back)连接以实现相同的功能，如图5(b)(540和550)所示。尽管图5(b)的反向连接示出为源极到源极的连接，另外也可以是漏极到漏极的连接也能实现相同的功能(未示出)。
最大电压降也由MOSFET的功率处理能力限制，即，VF(MAX)≤PD (MAX)/I212，其中VF(MAX)是最大前向电压降，I212是图2中的负载电流，并且PD(MAX)是MOSFET中的最大安全功耗。图3(a)示出了电压源205和207如何随两个输入电源电压之间的差在放大器206的作用下在这两个极限之间变化。当两个输入电源电压相等(VIN1-VIN2＝0)时，两个MOSFET具有最小的电压降VF(MMIN)。当VIN1上升超过VIN2时，MOSFET 202两端的电压降通过放大器206而增加，以与VIN1中的上升匹配。MOSFET 210两端的电压降保持在VF(MIN)。由此，VOUT1保持等于VOUT2。因此，如果R203等于R211，则两个电源电流相等。当两个电源输入之间的差是VF(MAX)-VF(MIN)时，MOSFET 202两端的前向压降达到VF(MAX)。如果VIN1继续上升超过VIN2，VOUT1也上升超过VOUT2。因此，电源201的电流增加，而电源209中的电流减小。随着输入差进一步增加，达到整个负载电流转换到更高的电源的点。这在图3(b)中示出。当VIN2上升超过VIN1时，该电流分配行为是对称的。
在一些实施方式中，一旦两个电源电压足够地偏离使得仅一个电源电压供给整个负载电流，则如这里所述地该负载分配方案能够通过使MOSFET的前向压降减小至最小而进一步增强。在该情形中，不另外需要特别地保持MOSFET两端的最大压降，因为它是耗能的。在一些实施方式中，这能够通过检测处于较低电源通路中的MOSFET被关断的时间而实现。该MOSFET的栅极信号能够用以将导通的MOSFET的电压降切换回到VF(MIN)。
然而，在一些情形中，电压降的这样的快速或急剧的下降可以导致负载电压跃升，这可能是不期望的。一些实施方式中的替代措施是采用较缓和的方法，该方法能够使用在VIN1与VIN2之间的低增益差分放大器(未示出)以在所述差超过VF(MAX)-VF(MIN)时使电压平缓地降回到VF(MIN)。在一些实施方式中，另一个替代措施是降低前向压降使得MOSFET中的功耗将不会超过VF(MAX)·I212/2。
图4提供了根据本发明的实施方式的、用于控制负载分配的电路400的示例性实现。沿两个电源通路的MOSFET前向压降是基于如这里所说明的伺服放大器功能来设计，并且使用器件433和423实现。器件433包括具有内建的30mV基准电压413的伺服放大器404和N沟道MOSFET402。相同地，器件423包括具有内建的30mV基准电压422的伺服放大器408和N沟道MOSFET 410。如这里所讨论的，N沟道MOSFET能够由串联的MOSFET替代，用于改进的前向压降范围，如图5(a)和图5(b)所示。另外，内建的30mV仅是说明性的，并且该内建的值可以根据应用的需要而改变。该内建的值能够根据前向压降指令而动态地改变，该指令接着由伺服放大器用以调节MOSFET前向压降以使每个通路中的电流相等。
在两个电源通路中，前向压降指令能够通过使电流流过电阻器405或者407(两者被示出为具有200Ω的值)而增大到高于30mV。该增加能够达到1mA的最大值，这提供了230mV(1mA·200Ω+30mV)的VF(MAX)。这里，示例性的VF(MIN)是30mV。误差放大器406可以对应于将误差放大器406与电容器420和电阻器421整合的器件。误差放大器406的输出控制流过电阻器405和407的电流，这样与413和422组合建立了前向压降指令，而所述前向压降指令接着由两个伺服放大器404和408用以控制MOSFET 402和MOSFET 410上的前向电压降。
电路400另外包括四个PNP晶体管416、417、418和419，和两个基准电压19V和20V。电路400中的这些其它组件被配备用以确定一个前向压降指令被上升而另一个保持在最小值30mV的时刻，如图3(a)所示。在运行中，当VOUT1上升超过VOUT2时，误差放大器406的输出的电压相应地上升。这拉高了两个PNP器件417和418的基极。当放大器406的输出达到20V时，电流源414的电流从PNP 417转向PNP 416。这样的电流流过电阻器405，使伺服放大器404的前向压降指令电压升高。放大器404接着拉低MOSFET 402的栅极以增加其接通电阻。这使得VOUT1下降，且该环使得VOUT1最终等于VOUT2。当PNP 418的基极达到约20V时，电流源415的全部电流流过PNP 419，并且因此不再流过418。由此，用于伺服放大器408的指令电压保持为最小值30mV。
在一些实施方式中，能够添加电路以实现MOSFET 402和MOSFET410的快速接通和关断。这样的电路可以包括监测MOSFET两端的压降的前向比较器和反向比较器。如果前向压降(源极到漏极电压)超过阈值，则前向比较器将反转(trip)以激发MOSFET的快速接通。这限制了负载电压降(voltage droop)。反向比较器监测反向电压(漏极到源极电压)，并且当反向电压超过阈值时，反向比较器则快速关断MOSFET。这限制了能够流过电源的反向电流的量。
在上面所示的实施方式(电路200和电路400，在图5(a)和图5(b)中所示的电路)中，提供了具体实现。例如，MOSFET被用以实现可调节电压降，和用以感测电流的电流感测电阻器。如本领域技术人员能够理解的，这些功能可以使用其它的实现方案来实现。例如，串联的电压降也可以基于其它的器件比如JFET来实现。另外，为推断电源的电流分担额，可以使用其它的方法比如电流感测放大器、霍耳效应传感器、磁通量闸门、变压器、来自电源的电流监测输出。此外，如图4所示，通过PNP器件416-419实现的功能也能够使用其它的器件实现，比如P沟道MOSFET。
图6示出了根据本发明的实施方式的、作为用于控制负载分配的电路100的替代实现的另一个示例性电路600。在所示的实施方式中，全部元件的构造类似于图1中所示的元件的构造，不同之处在于电路的电流感测部分。在图1中，电流感测电阻器102和106被用以感测分别从VOUT1和VOUT2流向VLOAD的电流。在图6中，为感测从VOUT1流到VLOAD的电流，在上部电源通路中，采用电流感测放大器608和电阻器610与电流感测电阻器602。类似地，为感测从VOUT2流到VLOAD的电流，在底部电源通路中，采用电流感测放大器609和电阻器611与电流感测电阻器606。在该电路600中，放大器(608或609)能够将来自电流感测电阻器的高共模差分电流感测信号转换成单端接地基准信号。该电压降调节误差放大器603能够从两个电源通路取得这些接地基准信号作为其输入。通过这些感测方案，电路600不受感测电阻器602和606及负载607之间的寄生布线阻抗的影响。注意到，如这里所述地电流感测元件，能够位于沿着电源通路的任何位置。
图7示出了根据本发明的实施方式的、用以控制负载分配的电路100的再一个替代实现。在运行中，当上部电源电压701(VIN1)高于711(VIN2)时，VOUT1与VOUT2相比暂时地高。这导致了流过电流感测电阻器703的电流比流过电流感测电阻器713的电流高的情形。这进一步使得PNP器件704比PNP器件714取得100μA电流源709的更大份额。这样的额外电流接着在PNP器件705和PNP器件707中被镜像(mirrored)。该额外的电流由此将N沟道MOSFET 702的栅极拉低，降低其栅极电压并使得其具有更大的阻抗。结果，这使得VOUT1下降而更接近VOUT2并且由此恢复平衡的电流分配。
在所示的方案中，当调节上部电源通路中的MOSFET的阻抗时，另一个MOSFET(下部电源通路上的MOSFET)被完全接通至低阻抗状态。与该实现相关联的一个潜在问题在于反转电流可以发生并且当两个电源偏离(diverge)时可以发生下部电源的反馈电流。为解决该问题，如图4中所示的方案，阻挡反转电流的示例性解决方案可以与图7中所示电路结合采用。
尽管迄今所公开的内容涉及双电源系统，如这里所讨论的，本发明能够延伸至N电源系统。图8示出了根据本发明的实施方式的、用于N电源的负载分配的示例性电路。在本实施方式中，存在N个电源800，…，807，该N个电源向共用的具有电压VLOAD的负载814提供VIN1，…，VINN。存在N个电源通路，每个电源通路包括电流感测子电路、误差放大器、和可调节电压降。例如，如这里所公开的，在第一电源通路中，电流感测子电路包括绕电流感测电阻器802的感测元件，其中该电流感测元件包括取得电流感测电阻器802的两端的输入并将该两个信号转换成为一个信号的放大器803，如这里公开的。该电流感测子电路另外包括两个电阻器804和805。由放大器803转换的单个信号作为输入被发送到调节元件801两端的电压降的误差放大器-1 806。误差放大器-1 806的另一输入是期望由第一电源通路分担的确定的电流水平。用于其它电源通路中的每一个的电路能够类似地被构造，如图8中所示。
通过N电源系统的该实现，需要共用的电流分配信号来标示需要每个电源承担的电流份额。如图8中所示，每个电源通路包括误差放大器(806，…，813)，该误差放大器以该共用的电流分配信号作为输入并且与来自电流感测电路的信号比较。基于该两个输入信号的差，每个电源中的该误差放大器试图通过调节MOSFET的前向压降使其电源电流等于该共用电流分配信号。有不同的方法来确定该共用电流分配信号和用以实现这些方法的不同电路。例如，该共用电流分配信号能够通过对全部电源电流求平均而产生。还可以将共用负载电流或ILOAD除以N而产生该共用电流分配信号。该共用电流分配信号还可以被确定作为全部的电源电流的最高值。还可以添加电压分配汇流线以使全部电压降的共模最小化。
如果需要利用误差信号来标识负载分配的不连续，则能够经由不同的措施来实现。在一些实施方式中，能够通过监测每个单独的电源通路中的每个误差放大器的输出来实现。这样的监测能够基于误差放大器的行为高速地动态进行。在双电源系统中，当误差放大器中的一个被隔开时，负载不再被分配而是现在仅从一个电源流过。在N电源系统中，隔开的误差放大器暗指该通路的电源不再分担要求其分担的电流份额。
虽然已经参考特定的示出的实施方式说明了本发明，这里所使用的词语是说明性的词语，而不是限定性的词语。在不偏离本发明的方面的范围和精神的前提下，可以在所附权利要求的范围内做出改变。尽管已经参考特别的结构、作用和材料说明了本发明，本发明并不局限于所特定公开的内容，而是能够以宽范围内的不同形式实现，其中一些实现可以与所公开的实施方式的形式完全不同，并且本发明延伸到全部等效的结构、作用和材料，比如在所附权利要求的范围内的全部等效的结构、作用和材料。

Claims (45)

1.一种用于双电源的负载分配的系统，所述系统包括：
第一电流源通路，所述第一电流源通路联接到第一电源；
第二电流源通路，所述第二电流源通路联接到第二电源；
系统负载，所述系统负载联接到所述第一电流源通路和所述第二电流源通路两者的输出以接收第一电流源和第二电流源；和
电流平衡控制元件，所述电流平衡控制元件被构造用以基于流过所述第一电流源通路的第一电流产生第一控制信号和基于流过所述第二电流源通路的第二电流产生第二控制信号，其中
所述第一控制信号用以控制沿所述第一电流源通路的第一电压降，
所述第二控制信号用以控制沿所述第二电流源通路的第二电压降使得相应的第一电流源和第二电流源得以平衡。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述电流平衡控制元件具有同相输入和反相输入；
所述电流平衡控制元件的所述同相输入对应于标识流过所述第一电流源通路的所述第一电流的信号；和
所述电流平衡控制元件的所述反相输入对应于标识流过所述第二电流源通路的所述第二电流的信号。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述第一电流源通路包括：
第一可调节电压降元件，所述第一可调节电压降元件的电压降由所述第一控制信号控制；和
第一电流感测元件，所述第一电流感测元件被构造用以检测所述第一电流并将关于所述第一电流的信息提供到所述电流平衡控制元件。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，
所述第一电流感测元件连接在所述第一可调节电压降元件与所述第一电流源之间；或者连接在所述第一电源与所述第一可调节电压降元件之间。
5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，
所述第一可调节电压降元件包括：
第一器件，所述第一器件构造用以提供第一可调节电压降；
第一伺服放大器，所述第一伺服放大器的反相输入联接到所述电流平衡控制元件的同相输入和系统负载并且其输出连接到所述用于调节所述第一可调节电压降第一器件的控制端子；和
第一指令电压源，所述第一指令电压源以所述第一控制信号作为其输入，并联接到所述第一电源和所述第一伺服放大器的同相输入，其中
所述第一指令电压源由来自所述电流平衡控制元件的第一控制信号控制，和
所述伺服放大器用于根据所述第一指令电压源的值调节所述第一可调节电压降。
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述第一器件是N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且所述第一器件的栅极连接到所述伺服放大器的输出。
7.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述第一器件包括多个串联联接的N沟道MOSFET，其中
所述多个N沟道MOSFET中的第一个的源极联接到所述第一电源，
所述多个N沟道MOSFET中的最后一个的漏极联接到所述第一电流感测元件，和
全部中间的N沟道MOSFET的源极分别连接到上一个N沟道MOSFET的漏极并且它们的漏极分别连接到下一个N沟道MOSFET的源极，和
所述多个N沟道MOSFET的栅极端子连接到所述伺服放大器的输出。
8.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述第一器件包括两个反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET，其中所述反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET是
源极到源极连接的；或者
漏极到漏极连接的。
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，
第一反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET和第二反向(back-to-back)连接的N沟道MOSFET的栅极被连接在一起并连接到所述伺服放大器的输出。
10.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述第一器件基于一个或多个结型场效应晶体管(JFET)实现。
11.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述第一指令电压源是最有最小电压基准的内建的电压基准。
12.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
所述第一指令电压源具有上限。
13.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，
当所述第二电流源通路不再向所述系统负载提供电流时，所述第一指令电压源降低至最小基准电压。
14.根据权利要求13所述的系统，其特征在于，
所述第一指令电压源以作为所述第一电源与所述第二电源之间的电压差的函数的方式降低。
15.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，
所述第一电流感测元件是第一电流感测电阻器。
16.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，
所述第一电流感测元件包括：
第一电流感测电阻器；和
第一放大器，所述第一放大器构造用以接收来自所述第一电流感测电阻器的两侧的输入并且将所述两个信号转换成为一个信号作为其输出，所述第一放大器的输出联接到所述电流平衡控制元件的同相输入。
17.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，
所述第二电流源通路包括：
第二可调节电压降元件，所述第二可调节电压降元件联接到第二电源和所述第二控制信号，并且所述第二可调节电压降元件的电压降由所述第二控制信号控制；和
第二电流感测元件，所述第二电流感测元件被构造用以检测流过所述第二电流源通路的所述第二电流并将关于所述第二电流的信息提供到所述电流平衡控制元件。
18.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，
所述第二电流感测元件连接在
所述第二可调节电压降元件与所述第二电流源之间；或者
所述第二电源与所述第二可调节电压降元件之间。
19.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，
所述第二电流感测元件基于第二电流感测电阻器实现。
20.根据权利要求17所述的系统，其特征在于，
所述第二电流感测元件包括：
第二电流感测电阻器；和
第二放大器，所述第二放大器构造用以接收来自所述第二电流感测电阻器的两侧的输入并且将所述两个信号转换成为一个信号作为其输出，所述第二放大器的输出联接到所述电流平衡控制元件的反相输入。
21.根据权利要求16所述的系统，其特征在于，
所述电流平衡控制元件的同相输入联接到所述第一放大器的输出和第一电阻器，其中所述第一电阻器被接地。
22.根据权利要求20所述的系统，其特征在于，所述电流平衡控制元件的反相输入被联接到所述第二放大器的输出和第二电阻器，其中所述第二电阻器被接地。
23.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，所述第二电流源通路的所述第二可调节电压降元件以与所述第一电流源通路的所述第一可调节电压降元件相同的方式构造成。
24.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
所述电流平衡控制元件包括：
误差放大器，所述误差放大器具有分别联接到所述第一电流感测元件的同相输入和联接到所述第二电流感测元件的反相输入，并且被构造用以产生输出信号；和
子电路，所述子电路接收来自所述误差放大器的输出信号作为输入并且构造用以产生所述第一控制信号和所述第二控制信号。
25.根据权利要求24所述的系统，其特征在于，
所述误差放大器与所述第一电容器和第三电阻器整合在一起，其中
所述第一电容器连接在所述误差放大器的输出信号与所述误差放大器的反相输入之间，和
所述第三电阻器连接在所述误差放大器的反相输入与所述第二电流源通路中的所述电流感测元件之间。
26.根据权利要求24所述的系统，其特征在于，
所述子电路包括：
第一对晶体管，所述第一对晶体管联接到所述误差放大器的输出信号并且构造用以产生所述第一控制信号；
第四电阻器，所述第四电阻器联接在所述第一控制信号与所述第一电流源通路之间；
第二对晶体管，所述第二对晶体管联接到所述误差放大器的输出信号并且构造用以产生所述第二控制信号；和
第五电阻器，所述第五电阻器联接在所述第二控制信号与所述第二电流源通路之间。
27.根据权利要求26所述的系统，其特征在于，
所述第四电阻器的一端联接到所述第一电流源通路中的第一可调节电压降元件的输出。
28.根据权利要求26所述的系统，其特征在于，
所述第五电阻器的一端联接到所述第二电流源通路中的第二可调节电压降元件的输出
29.根据权利要求26所述的系统，其特征在于，
所述第一对晶体管包括：
第一PNP晶体管，所述第一PNP晶体管的基极连接到第一正电压、它的集电极连接到所述第一控制信号、并且其射极连接到第一上拉电流源；
第二PNP晶体管，所述第二PNP晶体管的基极连接到所述误差放大器的输出、它的集电极接地、并且射极连接到第一上拉电流源。
30.根据权利要求29所述的系统，其特征在于，
所述第二对晶体管包括：
第三PNP晶体管，所述第三PNP晶体管的基极连接到第二正电压、它的集电极接地、并且其射极连接到第二上拉电流源；
第四PNP晶体管，所述第四PNP晶体管的基极连接到所述误差放大器的输出信号、它的射极连接到第二上拉电流源、并且它的集电极连接到所述第二控制信号。
31.根据权利要求30所述的系统，其特征在于，
所述第一正电压比所述第二正电压高。
32.根据权利要求30所述的系统，其特征在于，
所述第一正电压是20V并且所述第二正电压是19V。
33.根据权利要求26所述的系统，其特征在于，
所述第一对晶体管对应于一对P沟道MOSFET；和
所述第二对晶体管对应于一对P沟道MOSFET。
34.根据权利要求3或14所述的系统，其特征在于，
所述可调节电压降元件能够防止反转电流。
35.一种用于双电源的负载分配的系统，所述系统包括：
第一电流源通路，所述第一电流源通路联接到第一电源；
第二电流源通路，所述第二电流源通路联接到第二电源；
系统负载，所述系统负载联接到所述第一电流源通路和所述第二电流源通路两者的输出以接收第一电流源和第二电流源；和
电流平衡控制元件，所述电流平衡控制元件被构造用以基于流过所述第一电流源通路的第一电流产生第一控制信号和基于流过所述第二电流源通路的第二电流产生第二控制信号，其中
所述第一控制信号用以控制沿所述第一电流源通路的第一电压降使得相应的第一电流源和第二电流源得以平衡。
36.根据权利要求35所述的系统，其特征在于，
所述电流平衡控制元件还构造用以基于流过所述第一电流源通路的第一电流和基于流过所述第二电流源通路的第二电流产生第二控制信号，并且所述第二控制信号被用以控制沿所述第二电流源电路的第二电压降使得相应的第一电流源和第二电流源得以平衡。
37.根据权利要求36所述的系统，其特征在于，
所述电流平衡控制元件还构造用以在发现所述第一电流源通路与所述第二电流源通路之间的不一致满足预定的标准时，将所述第一电流源通路与所述第二电流源通路中的一个中的电压降改变至预定的电压降水平。
38.根据权利要求37所述的系统，其特征在于，
所述不一致对应于来自所述第一电流源通路和所述第二电流源通路的电流源之间的差。
39.根据权利要求37所述的系统，其特征在于，
所述不一致对应于来自所述第一电源和所述第二电源线的相应的输入电压之间的差。
40.根据权利要求37所述的系统，其特征在于，
所述预定的电压降水平对应于最小前向压降。
41.根据权利要求37所述的系统，其特征在于，
所述电流平衡控制元件基于所述第一控制信号和所述第二控制信号中的相应的一个将所述电压降改变到预定的电压降。
42.根据权利要求37所述的系统，其特征在于，
所述电压降到预定的电压降水平经由被联接到所述第一电源的电压和所述第二电源的电压的低增益差分放大器实现。
43.根据权利要求37所述的系统，其特征在于，
所述电压降到预定的电压降水平通过调节所述电压降使得在所述调节期间的功耗不超过预定的水平而实现。
44.一种用于N个电源的负载分配的系统，所述系统包括：
N个电流源通路，其中N＞1，所述N个电流源通路分别联接到相应的N个独立电源；
系统负载，所述系统负载联接到所述N个电流源通路的输出以接收N个电流源；和
共用电流分配汇流线，所述共用电流分配汇流线构造用以连接到所述N个电流源通路、并提供标识需要N个电流源通路中的每一个承担的电流分担额的共用电流分配信号，其中
N个电流源通路中的每一个根据所述共用电流分配信号调节其电源和其相应的电流源之间的电压降，使得所供给的电流与所述共用电流分配信号一致。
45.根据权利要求44所述的系统，其特征在于，
所述N个电流源通路中的每一个包括：
电流感测元件，所述电流感测元件被构造成用于感测流经电流源通路的电流；
可调节电压降元件，所述可调节电压降元件构造用于提供沿所述电流源通路的可调节电压降，所述可调节电压降影响提供到所述系统负载的电流；和
电流平衡控制元件，所述电流平衡控制元件被构造用以基于由所述电流源通路中的电流感测元件感测的电流和所述共用电流分配信号产生控制信号，其中
所述可调节电压降元件基于所述控制信号调节所述电压降以确保供给到所述系统负载的电流与所述共用电流分配信号一致。
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