CN102217416A - 光电子装置 - Google Patents

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Abstract

一种用于发射具有在第一波长范围和第二波长范围中的光的混合光的光电子装置尤其是包括：带有第一发光二极管(11)的第一半导体光源(1)，其在工作中发射具有第一强度的在第一波长范围中的光；带有第二发光二极管(21)的第二半导体光源(2)，其在工作中发射具有第二强度的在第二波长范围中的光，其中第一波长范围和第二波长范围彼此不同；以及带有与温度相关的电阻的电阻元件(3)，其中第一半导体光源(1)发射的光的第一波长范围和/或第一强度具有第一温度相关性，以及第二半导体光源(2)发射的光的第二波长范围和/或第二强度具有第二温度相关性，所述第二温度相关性不同于第一温度相关性，电阻元件(3)和第一半导体光源(1)形成串联电路(4)，以及串联电路(4)和第二半导体光源(2)形成并联电路(5)。

Description

光电子装置
本专利申请要求德国专利申请10 2008 057 347.7的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
提出了一种用于发射混合光的光电子装置。
为了产生混合光，即非单色光并且在此例如是白色光，在使用发光二极管(LED)的情况下通常使用发射不同颜色的LED和/或多种发光材料。例如为了产生白色光，由不同LED发射的在黄绿和红色波长范围中的光谱成分可以叠加。然而在此除了满足光学要求譬如不同的LED芯片发射的光的混合之外，还有要求色度坐标(譬如在光谱白色点的白色光情况下)相对于温度的稳定性。原因例如在于所涉及的芯片技术的不同的温度相关性。对单个色度坐标的控制通常仅仅通过使用至少三个不同的LED才可能，譬如通过发射黄绿光、红光和附加的发射蓝光的LED来产生白色混合光。
确定的实施形式的至少一个任务是，提出一种用于借助第一半导体光源和第二半导体光源来发射光的光电子装置。
该任务通过具有独立权利要求所述的特征的主题来解决。该主题的有利的实施形式和改进方案在从属权利要求中表明并且此外从下面的描述和附图中得到。
根据至少一个实施形式的用于发射具有在第一波长范围和第二波长范围中的光的混合光的光电子装置，尤其是包括：
-带有第一发光二极管(LED)的第一半导体光源，其在工作中发射具有第一强度的在第一波长范围中的光，
-带有第二LED的第二半导体光源，其在工作中发射具有第二强度的在第二波长范围中的光，其中第一波长范围和第二波长范围彼此不同，以及
-带有与温度相关的电阻的电阻单元，
其中
-第一半导体光源发射的光的第一波长范围和/或第一强度具有第一温度相关性，以及
-第二半导体光源发射的光的第二波长范围和/或第二强度具有第二温度相关性，其不同于第一温度相关性，
-电阻元件和第一半导体光源形成串联电路，以及
-串联电路和第二半导体光源形成并联电路。
在此并且在下文中，“光”尤其可以表示带有从紫外至红外光谱范围中的一个或者多个波长或者波长范围的电磁辐射。尤其是，光可以是可见光，并且包括来自大约350nm到大约800nm之间的可见光谱范围的波长或者波长范围。可见光在此以及在下文中例如可以通过其具有根据本领域技术人员已知的所谓CIE-1931色度表或者CIE标准色度表的x色度坐标和y色度坐标的色度坐标来表征。
作为白色光或者具有白色发光印象或者色彩印象的光，在此以及在下文中可以表示具有如下色度坐标的光：该色度坐标对应于普朗克黑体辐射器的色度坐标或者在x色度坐标和/或y色度坐标中与普朗克黑体辐射器的色度坐标偏差小于0.1并且优选小于0.05。此外，在此以及在下文中称为白色发光印象的发光印象可以通过如下光来引起：该光具有本领域技术人员所熟知的、大于或等于60、优选大于或等于70并且特别优选大于或等于80的显色指数(“color rendering index”，CRI)。
此外，在此以及在下文中可以将具有小于或等于5500K的色温的发光印象称为“暖白”。在此以及在下文中可以将具有大于5500K的色温的白色发光印象称为“冷白”。在此以及在下文中，术语“色温”可以表示普朗克黑体辐射器的色温，或者本领域技术人员所熟知的、在上面描述的意义中的白色发光印象情况中的所谓相关色温(“correlated color temperature”，CCT)，其可以通过与普朗克黑体辐射器的色度坐标偏差的色度坐标来表征。
当第一发光印象通过具有第一色度坐标的光来引起，并且第二发光印象通过具有第二色度坐标的光来引起，并且第一色度坐标能够感知为不同于第二色度坐标时，第一发光印象和第二发光印象在此以及在下文中可以称为“不同”。不同的发光印象尤其可以通过彼此不同的第一波长范围和第二波长范围来引起。在此以及在下文中，当譬如第一波长范围具有至少一个并未包含在第二波长范围中的光谱成分时，第一波长范围和第二波长范围可以相应地称为不同。在此要强调的是，彼此不同的第一波长范围和第二波长范围完全也可以具有相同的光谱成分，只要两个波长范围的至少之一具有并不包含在另外的波长范围中或者并不以相同的相对强度包含在另外的波长范围中的光谱成分，使得第一波长范围和第二波长范围分别引起具有在CIE标准色度表中的不同的x坐标和/或不同的y坐标的相应发光印象和色彩印象。
在此以及在下文中，当第一色度坐标和第二色度坐标或者发光印象能够被一般人类观察者感知为彼此不同时，它们称为可以彼此不同地感知。尤其是当第一色度坐标和第二色度坐标处于相同的MacAdams椭圆中时，具有第一色度坐标和第二色度坐标的第一发光印象和第二发光印象并不是本申请意义上的不同。关于色彩不同的可感知性的MacAdams椭圆的术语是本领域技术人员已知的，并且在此不进一步介绍。
特别优选的是，电阻元件可以与第一半导体光源和/或第二半导体光源并且由此与至少一个第一LED和/或第二LED热接触。由此，可以在电阻元件和至少第一半导体光源和/或第二半导体光源之间进行热能交换，使得在光电子装置(即例如半导体光源和/或电阻元件)的部件至少之一的环境温度或者工作温度变化的情况下，电阻元件和至少第一半导体光源和/或第二半导体光源具有相同或者类似的温度，或者至少类似的温度变化。这尤其是也可以表示，在第一半导体光源和/或第二半导体光源温度改变时，电阻元件的温度以与第一半导体光源和/或第二半导体光源的温度相同的程度改变，反之亦然。
通过第一强度和第二强度的不同的第一温度相关性和第二温度相关性和/或第一波长范围和第二波长范围，第一半导体光源和第二半导体光源的发光印象可以根据环境温度和工作温度彼此不同地改变。在第一半导体光源和第二半导体光源的光的不规则叠加情况下，由此可以同样改变叠加的发光印象，即混合光的发光印象。通过电阻元件，在当前的光电子装置的情况下可能产生混合光，该混合光关于其色度坐标方面具有尽可能低的温度相关性。
与当前的光电子装置相比，为了稳定色度坐标，通常将传感器与调节回路一同用于控制多个LED。传感器在此可以是光学性质或者也可以反映LED的温度。传感器信号随后在调节回路中例如借助微控制器来分析，并且例如也借助表格式数据或者其他芯片模块来处理，以便相应地控制LED。LED为此通常连接在不同的调节回路或者调节线路(Regelstraengen)中。然而，在这种已知的技术中可能也在复杂的并且成本高昂的电路中使用对于外部干扰敏感的电子部件。此外，与传感器相关的调节回路典型地在全负荷情况下是最有效的，而在调光的LED情况下的调节(调节会伴随有这种情况)通常并未达到完全的效率。
在这里所描述的光电子装置中，电阻元件设置在主电流回路中，即设置在借助其驱动第一半导体光源和第二半导体光源的电流回路中。通过在这里所描述的光电子装置中电阻元件至少与第一半导体光源热接触并且与其串联，在第一半导体光源上降落的电压以及流过第一半导体光源的电流可以直接通过电阻元件来影响。由此，直接连接在主电流回路中的电阻元件同时也是进行调节的元件。通过带有电阻元件和第一半导体光源的串联电路与第二半导体光源的并联电路，此外也可以影响流过第二半导体光源的电流。换言之，形成光电子装置的核心元件的并联电路中的电流平衡由第一半导体光源和第二半导体光源的温度特性曲线结合电阻元件的温度特性曲线而被影响，该电阻元件具有限定的温度相关性。由此，可以引起第一强度和第二强度的与温度相关的改变，其例如可以对抗第一波长范围或第二波长范围和/或第一强度或第二强度的第一温度相关性和第二温度相关性。特别会可能的是，由光电子装置发射的混合光的色度坐标的与温度相关的变化具有比通过第一温度相关性和第二温度相关性预先给定的更小的温度相关性。在当前的光电子装置中，可以省去如通常使用的复杂并且容易故障的调节回路。
半导体光源的LED，即譬如第一LED和/或第二LED尤其可以具有外延层序列，即外延生长的半导体层序列。在此，LED例如可以基于InGaAIN来实施。基于InGaAlN的LED和半导体层序列尤其是包括如下的LED和半导体层序列：其中外延制造的半导体层序列通常具有不同的单层构成的层序列，其包含至少一个具有来自III-V化合物半导体材料系InxAlyGa1-x-yN的材料的单层，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。具有基于InGaAlN的至少一个有源层的半导体层序列例如可以优选发射在紫外到绿色波长范围中的电磁辐射。
可替选地或者附加地，LED也可以基于InGaAlP，也就是说，LED可以具有不同的单层，其中至少一个单层具有来自III-V化合物半导体材料系InxAlyGa1-x-yP的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1。具有基于InGaAlP的至少一个有源层的半导体层序列或者LED例如可以优选发射具有在绿色至红色波长范围中的一个或多个光谱成分的电磁辐射。
可替选地或者附加地，半导体层序列或者LED也可以具有其他的III-V化合物半导体材料系，譬如基于AlGaAs的材料或者II-VI化合物半导体材料系。尤其是具有基于AlGaAs的材料的LED可以适于发射具有在红色至红外波长范围中的一个或多个光谱成分的电磁辐射。II-VI化合物半导体材料可以具有来自第二主族或者第二副族的至少一种元素，例如Be、Mg、Ca、Sr、Cd、Zn、Sn，以及来自第六主族的元素，例如O、S、Se、Te。尤其是，II-VI化合物半导体材料包括二元、三元或者四元的化合物，其包括来自第二主族或者第二副族的至少一种元素以及来自第六主族的至少一种元素。此外，这种二元、三元或者四元化合物例如可以具有一种或者多种掺杂材料以及附加的组成部分。例如，属于II-VI化合物半导体材料的为：ZnO、ZnMgO、CdS、ZnCdS、MgBeO。
此外，第一LED和/或第二LED的半导体层序列可以具有衬底，在该衬底上沉积有上述的III-V化合物半导体材料或者II-VI化合物半导体材料。衬底在此可以包括半导体材料，例如上述化合物半导体材料系。尤其是，衬底可以包括蓝宝石、GaAs、GaP、GaN、InP、SiC、Si和/或Ge，或者由这种材料构成。半导体层序列可以具有例如传统的pn结、双异质结、单量子阱结构(SQW结构)或者多量子阱结构(MQW结构)作为有源区。在本申请的范围中，术语量子阱结构尤其是包括其中载流子通过限制(“confinement”)而经历其能量状态的量子化的任意结构。尤其是，术语量子阱结构并不包括关于量子化的维度的说明。由此，其尤其是包括量子槽、量子线和量子点以及这些结构的任意组合。半导体层序列可以除了有源区之外还包括其他的功能层和功能区，譬如p掺杂或者n掺杂的载流子传输层，即电子或空穴传输层，未被掺杂的或者p或n掺杂的限制层、覆盖层或者波导层、势垒层、平面化层、缓冲层、保护层和/或电极，以及其组合。涉及有源区或者其他功能层和区域的这些结构对于本领域技术人员而言尤其是关于结构、功能和构造方面是已知的，并且因此在此不再进一步阐述。
第一LED和/或第二LED例如也可以实施为薄膜发光二极管芯片。薄膜发光二极管芯片的特征尤其是在于以下典型特征中的一个或者多个：
-在产生辐射的外延层序列的朝向支承元件的第一主面上施加或者构建有反射层，其将在外延层序列中产生的电磁辐射的至少一部分向回反射到外延层序列中；
-外延层序列具有在20μm或者更小的范围、尤其是10μm的范围中的厚度；和/或
-外延层序列包含至少一个如下半导体层：该半导体层带有至少一个面，该面具有混匀结构，其在理想情况下导致光在外延的外延层序列中的近似各态历经的分布，即其具有尽可能各态历经的随机散射特性。薄膜发光二极管芯片的外延层序列可以在生长在生长衬底上之后通过转接合来转移到构建为支承元件的支承衬底上。
此外，第一半导体光源和/或第二半导体光源并且由此至少一个第一LED和/或第二LED可以引起混色的并且尤其是例如白色的发光印象。为此，第一LED和/或第二LED可以具有波长转换材料，其能够以浇注材料或者表面涂层的形式施加到或者施加在第一LED和/或第二LED的外延层序列上。波长转换材料可以适于将LED发射的光的至少一部分(其譬如可以在紫外至蓝色光谱范围中)转换为更长波长的光，即譬如转换为具有在绿色和/或黄色和/或红色波长范围中的一个或多个光谱成分的光。通过所发射的光与转换后的光的叠加，可以产生混色的、例如白色的发光印象。
波长转换材料可以具有以下材料中的一种或者多种：稀土和碱土金属的石榴石(例如YAG:Ce3+)、氮化物、氮基硅酸盐(Nitridosilikate)、Sione、Sialone、铝酸盐、氧化物、卤化磷酸盐、正硅酸盐、硫化物、钒酸盐、二萘嵌苯、香豆素和氯硅酸盐。此外，波长转换材料也可以包括其合适的混合物和/或组合物。此外，波长转换材料可以嵌入在透明的基质材料中，该基质材料包围或者包含波长转换材料。透明的基质材料例如可以具有单体、作为混合物、共聚物或者与其的化合物的低聚体或者聚合体形式的硅酮、环氧化物、丙烯酸酯、酰亚胺、碳酸盐、烯烃或者其衍生物。例如，基质材料可以是环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或者硅树脂。
此外，由第一半导体光源和/或第二半导体光源或者第一LED和/或第二LED产生的光可以仅仅通过选择外延层序列的材料而并不使用波长转换材料来确定。例如，第一半导体光源可以结合波长转换材料来引起白色的发光印象，而第二半导体光源可以引起彩色的发光印象。于是，第一半导体光源例如可以具有基于InGaN的第一LED，其发射在蓝色波长范围中的光。此外，第一LED可以具有波长转换材料，其将蓝色初级光的一部分转换为绿色、黄色或者黄绿色的次级光，使得第一波长范围包括蓝色和绿色、黄色或者黄绿色的光谱成分，并且引起绿白色至冷白色的色彩印象。第二半导体光源可以具有基于InGaAlP的第二LED，其发射在红色的第二波长范围中的光。通过带有第一波长范围和第二波长范围的光的叠加，可以根据所希望的权重来通过光电子装置的混合光引起暖白色的发光印象。对此可替选地，第二半导体光源也可以具有基于InGaAlP的第二LED，其产生在黄色的第二波长范围中的光，使得光电子装置可以发射具有冷白色的发光印象的混合光。在这种光电子装置中，在预先给定的环境温度和工作温度情况下，通过第一半导体光源对所希望的色度坐标的粗略预先选择会是可能的，而通过第二半导体光源，对色度坐标的精细调节或者“精细调整”是可能的。可替选地，第一半导体光源和第二半导体光源可以关于前面描述的波长范围和色彩印象相反地实施。
此外，第一半导体光源和/或第二半导体光源可以分别具有多个第一LED或第二LED，它们分别相同地实施。
发光二极管通常在-40℃至125℃的范围中的典型环境温度和工作温度中具有强度的负温度相关性。这意味着，所发射的光的强度在保持相同的电学条件下随着升高的环境温度和工作温度而降低。根据LED的实施形式和材料选择，在此，在0℃的温度情况下LED发射的光的100％的强度可以下降到在100℃的温度情况下的小于或等于90％直到大于或等于10％的强度。
根据实施形式和材料选择，第一温度相关性可以小于第二温度相关性，这意味着，随着升高的温度，例如第一半导体光源的第一强度比第二半导体光源的第二强度改变得更少。在该情况中，电阻元件是具有正温度系数的电阻元件，这意味着，电阻元件的电阻随着升高的温度而增大，并且电阻元件实施为所谓的冷导体或者PTC(“positive temperature coefficient，正温度系数”)元件。如果第一半导体光源和第二半导体光源的温度例如由于环境温度的升高而升高，则在前述情况中第二强度比第一强度更强烈地减小。这意味着，混合光的色度坐标会朝着第一半导体光源的色度坐标推移。而通过实施为PTC元件的电阻元件，同时温度升高并且由此电阻也增大，使得流过串联电路并且由此流过第一半导体光源的电流相比于流过第二半导体光源的电流减小，使得可以对抗纯粹由于温度引起的第一强度和第二强度的变化。
对此可替选地，第一温度相关性可以大于第二温度相关性。在该情况中，电阻元件是具有负温度系数的电阻元件，也就是说，电阻元件的电阻随着升高的温度而降低，并且该电阻元件实施为所谓的热导体或者NTC(“negative temperature coefficient，负温度系数”)元件。由此，可以如在前面的情况中那样，同样可以对抗纯粹温度引起的第一强度和第二强度的变化，其方式是在温度升高时流过串联电路并且由此流过第一半导体光源的电流相比于流过第二半导体光源的电流被增大。
特别地，电阻元件可以具有与温度相关的电阻，其与第一半导体光源或者第二半导体光源的第一温度相关性和第二温度相关性匹配。这尤其可以表示，电阻元件并不具有开关特性并且电阻并不跳跃式地在-40℃至125℃的温度范围中改变。优选的是，电阻元件的电阻在大于或等于-40℃并且小于或等于125℃的温度范围中连续地改变，这意味着，电阻根据电阻元件的实施作为冷导体或者热导体地以基本上保持相同的温度相关性而增大或者减小。优选的是，电阻元件具有线性的或者近似线性的电阻-温度相关性。
例如，实施为冷导体的电阻元件可以具有铂或者合适地掺杂的硅。实施为热导体的电阻元件例如可以具有一种或者多种氧化物，譬如氧化陶瓷形式的氧化物，其具有锰、镍、钴、铁、铜和/或钛。
此外，光电子装置可以具有第三半导体光源，其与所述并联电路串联并且具有至少一个另外的LED。优选的是，所述至少一个另外的LED是至少一个第一LED。第三半导体光源可以适于在预先选择的工作和环境温度情况下将光电子装置的混合光的色度坐标调节到所希望的值。为此，第三半导体光源也可以附加地或者可替选地具有至少一个第三LED，其适于在工作中发射在第三波长范围中的光，该第三波长范围不同于第一波长范围和第二波长范围。通过所述并联电路与第三半导体光源的串联连接，后者基本上不受通过串联电路中的电阻元件的调节的影响。由此，在当前的光电子装置中，对第一半导体光源和第二半导体光源的有针对性的与温度相关的调节会是可能的，而第三半导体光源并不主动地被调节，而是“空转地”工作。
此外，光电子装置可以具有至少一个电子器件，其适于在光电子装置的预先选择的环境温度和工作温度情况下调节混合光。该电子器件为此可以集成到并联电路中，即与并联电路串联或者并联，或者也是第三半导体光源的元件。电子器件在此可以具有一个或多个元件，其适于针对预先选择的工作温度和环境温度来调节馈送给第一第三半导体光源、第二第三半导体光源和/或必要时第三半导体光源的电流。电子器件可以选自一个或多个固定电阻、一个或多个可调节的电阻譬如电位计、一个或多个晶体管譬如MOSFET以及其组合和电路连接。
通过所述至少一个电子器件和/或第三半导体光源，可以针对确定的环境温度和工作温度来调节混合光，而该电子器件或者第三半导体光源并不参与通过电阻元件的实际的与温度相关的调节。所述至少一个电子器件尤其也可以适于在预先选择的温度情况下调节并联电路发射的光和第三半导体光源发射的光的相对强度关系。可替选地或者附加地，通过在第三半导体光源中的电子器件，必要时在预先确定的温度情况下调节第三半导体光源中的第三发光二极管和第一发光二极管的相对强度关系会是可能的。
光电子装置可以具有壳体或者电路板，在其中或者其上设置有第一半导体光源和电阻元件。壳体可以具有塑料，尤其是热塑性塑料或者热固性塑料。例如，壳体可以通过成型工艺譬如压力塑造成型、注射成型、挤压成型、切割、锯割、铣削或者其组合来制造。塑料在此可以具有硅氧烷和/或环氧化物族，并且譬如构建为硅酮、环氧树脂，或者硅酮和环氧化物构成的混合物或者共聚物构成的混合材料。可替选地或者附加地，塑料也可以具有聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯和/或亚胺族(Imidgruppen)。
壳体可以具有凹处，至少第一半导体光源设置在凹处中并且第一波长范围中的光可以通过该凹处发射。电阻元件同样可以设置在凹处中或者对此替选地也可以由壳体材料环绕。
此外，壳体可以具有引线框架，用于电接触第一半导体光源和电阻元件。引线框架在此可以集成到壳体中，其中引线框架由壳体本体成型、围绕和/或由其围绕浇注(umgossen)。引线框架具有一个或多个安装区域，第一半导体光源和电阻元件可以施加在其上。引线框架在此可以具有多个电连接可能性用于电接触第一半导体光源和电阻元件，这些连接可能性譬如构建为接合垫或者安装面。借助安装区域，在此尤其是第一半导体光源和电阻元件至外部电流供给和电压供给的串联连接以及电连接会是可能的。安装区域例如可以构建为引线框架上的安装面。
此外，第二半导体光源也可以与第一半导体光源以及电阻元件一同设置在相同的壳体中。对此可替选地，光电子装置可以具有带有第一半导体光源和电阻元件的第一壳体以及附加地具有第二壳体，其中设置有第二半导体光源。尤其是，第一壳体和第二壳体于是可以彼此热接触，使得在第一LED和第二LED以及电阻元件之间可以存在热耦合。如果光电子装置具有第三半导体光源和/或至少一个电子器件，则它们同样可以设置在与第一半导体光源和电阻元件相同的壳体中，对此可替选地，可以设置在该壳体之外或者也设置在另一壳体中。
第一半导体光源可以与电阻元件通过热导体而热接触。例如，热导体可以具有良好导热的材料譬如铜。热导体例如也可以通过壳体的引线框架来形成。通过热导体，此外也可以在第一半导体光源和电阻元件之间实现电连接。电阻元件在此可以实施为离散的电子部件。通过热导体，可以将电阻元件中的自热效应最小化，并且电阻元件可以优选具有与第一半导体光源相同的温度。此外，第二半导体光源也可以通过相同的热导体或者另外的热导体来热耦合到第一半导体光源和电阻元件上，使得特别优选的是，第一半导体光源、第二半导体光源和电阻元件具有相同的温度。
第一半导体光源也可以直接施加在电阻元件上。为此，电阻元件例如可以构建为支承元件，譬如构建为所谓的“底座(Submount)。针对串联电路的电接触由此可以直接通过电阻元件和第一半导体光源之间的连接面来构建。
此外，电阻元件也可以构建为用于第一半导体光源的一个或多个第一LED的支承衬底。由此，电阻元件可以直接集成到第一半导体光源中，使得能够实现在第一LED和电阻元件之间的最优的热接触。对此特别合适的可以是关于温度相关的导电性方面合适地掺杂的硅支承衬底，其同时实施为PTC电阻元件。
这里所描述的光电子装置尤其是可以实施为使得可以发射混合光，该混合光在大于或等于0℃并且小于或等于100℃的温度范围中，并且优选大于或等于-40℃并且小于或等于125℃的温度范围中具有围绕平均的色度坐标的与温度相关的色度坐标推移，该色度坐标推移沿着MacAdams椭圆的主轴围绕平均的色度坐标走向。在此，色度坐标推移和平均的色度坐标可以通过在光电子装置的例如0℃的温度情况下发射的混合光的第一色度坐标以及通过在例如100℃的温度情况下发射的混合光的第二色度坐标来表征。与温度相关的色度坐标推移于是可以在第一近似中通过第一色度坐标和第二色度坐标之间的连接线来表征。在这种情况中，“沿着主轴”表示该连接线至MacAdams椭圆的主轴上的几何投影长于连接线至同一MacAdams椭圆的副轴的投影。特别优选地，连接线并且由此混合光的色度坐标推移与关联的MacAdams椭圆的主轴平行或者至少近似平行地走向。沿着MacAdams椭圆的主轴走向的色度坐标推移与沿着MacAdams椭圆的副轴具有数值上相同的色度坐标差的推移相比更难被感知。
本发明的其他优点和有利的实施形式以及改进方案从下面结合图1至17所描述的实施形式中得出。
其中：
图1A至2示出了CIE标准色度表的示意图，
图3A和3B示出根据一个实施例的第一LED和第二LED的温度相关性的曲线图，
图4至11示出了根据其他实施例的光电子装置的示意图，
图12至14示出了对根据其他实施例的光电子装置的调节特性的仿真的曲线图，以及
图15至17示出了根据其他实施例的光电子装置的示意图。
在这些实施例和附图中，相同的或者作用相同的组成部分可以分别设置有相同的附图标记。所示出的元件及其彼此间的大小关系基本上不应被视为合乎比例的，更确切地说，各个元件、譬如层、构件、器件和区域为了更好的可视性和/或为了更好的理解而在尺寸方面被过度厚或者大地示出。
在下列实施例中描述了具有至少一个第一LED 11的半导体光源1，第一半导体光源1引起冷白色至黄绿色的发光印象。至少一个第一LED 11为此如在背景技术部分纯粹示例性描述的那样具有基于InGaN的发射蓝光的外延层序列，在其上施加发射黄绿光的波长转换材料。在背景技术部分所介绍的CCT大致处于4000开尔文至5500开尔文的范围中。为了产生由光电子装置发射的暖白色的混合光，构建下文描述的具有至少一个第二LED 21的第二半导体光源2，至少一个第二LED 21在红色的第二波长范围中发射光。但是，由于发射红光的波长转换材料的通常宽的发射带，许多功率处于眼睛灵敏度非常小的波长范围中，亦即处于大于或等于约640纳米的范围中。优选地，对于下文描述的光电子装置的实施例，因此不使用附加的、例如发射红光的波长转换材料。
尤其是，具有第二波长范围的光通过基于InGaAlP的至少一个第二LED 21的外延层序列的材料在没有使用附加的发射红光的波长转换材料的情况下被产生。
通过使用第二半导体光源2和可直接产生红色光的第二LED 21，第二波长范围更好地在640纳米以下的可良好察觉的红色波长范围中被选择。由此，对于在下文描述的光电子装置，通过组合所示出的发射白光的第一半导体光源1和发射红光的第二半导体光源2可以实现在同时高的显色值的情况下的高效率。
对此处纯粹示例性描述的发射白光的第一半导体光源1和直接发射红光的第二半导体光源2的组合可替选地，但在期望混合光的其他色彩印象和发光印象时，也可以使用发射光谱在其他第一波长范围和第二波长范围中的第一半导体光源和第二半导体光源的任意其他组合。
在图1A中示出了本领域技术人员已知的具有在水平轴上的色度坐标x和在垂直轴上的色度坐标y的CIE标准色度表。在此，线900表示本领域技术人员已知的普朗克黑体辐射器在不同温度情况下的所谓的白色曲线。这些温度也称为色温。十字形E标明色度坐标为x＝y＝1/3的(数学)光谱白色点，该光谱白色点大致对应于5500开尔文的色温。
此外，在图1A中，色度坐标901表示针对从0℃至50℃的不同环境温度的发射光谱在绿白色的第一波长范围中的上述第一LED 11。通过箭头表示针对在0℃到50℃之间的升高的环境温度的色度坐标变化。对于发射光谱在红色的第二波长范围中的上述第二LED 21，在0℃至50℃的同样温度范围中绘出色度坐标902，其中此处也通过相关的箭头表示在升高的环境温度的情况下的色度坐标变化。
除了图1A以外，此外在图3A中还借助曲线931示出了与以摄氏度为单位的环境温度T的变化伴随而来的第一LED 11的第一强度的变化，并且借助曲线932以相对单位示出了第二LED 21的第二强度的变化，其中此处分别针对LED采用保持相同的工作电流。第一波长范围和第二波长范围的分别占主导的波长λ(以纳米为单位)的变化此外也在图3B中针对第一LED 11通过曲线941并且针对第二LED 21通过曲线942根据以摄氏度为单位的环境温度T来示出。
从图3A和3B可看到的是，发射红光的第二LED 21的第二波长范围针对升高的环境温度朝向更大的波长范围推移，并且所发射的光同时损失约40％的强度。与此相比，第一LED 11的第一波长范围朝向大致更短的波长推移，这原因在于：第一LED 11的波长转换材料在更高的温度情况下变得更为缺乏效率。由此，第一LED可以发射更多未转换的蓝光。同时，第一LED 11的所发射的第一强度降低了小于20％。在所示的实施例中，第一LED 11与第二LED 21相比因此被证明为温度更稳定，并且与第二波长范围和第二强度的第二温度相关性相比具有更小的第一波长范围和第一强度的第一温度相关性。
在分别保持相同的工作电流和不规律地叠加具有所示出的第一温度相关性和第二温度相关性的由第一LED 11和第二LED 21发射的光的情况下，得到色度坐标903在图1A中在借助线901和902表示的区域中的得到的混合光的温度相关性。在此可以看到的是，混合光的发光印象从环境温度为0℃的情况下的暖白色推移到环境温度为50℃的情况下的冷白色。
在图2中示出了图1A中的色度坐标x在0.40到0.48之间的范围中以及色度坐标y在0.37到0.43之间的范围中的CIE标准色度表的片段，其中可以更为清楚地看到未调节的混合光的色度坐标903的温度相关性。由此出发，下列实施例基于以下考虑：通过调节第一LED 11的第一强度与第二LED 21的第二强度的比例(其中此处以及在下文假设对于所有LED温度相同)，由于第一波长范围和第二波长区域的相应的温度相关性，所以也可以实现不调节到唯一的色度坐标903上。但是，在下文描述的光电子装置中，当调节例如引起色度坐标沿着环境温度为0℃的情况下的色度坐标921与环境温度为50℃的情况下的色度坐标922之间的连接线920推移时，色度坐标903的温度相关性被最小化。在此，连接线920被选择为使得该连接线沿着MacAdams椭圆的主轴而围绕连接线920的中点923。数个被增大大约十倍的MacAdams椭圆为了进行说明而在图1B中的CIE标准色度表中绘出。通过沿着MacAdams椭圆的主轴进行调节，如在背景技术部分中被介绍的那样，混合光的色度坐标903的色度坐标变化的可察觉性进一步被最小化。图2中示出的连接线902在此纯粹示例性地示出。对此可替选地，也可考虑在线911上的第一点与线912上的第二点之间的其他连接线，以便通过相对应地调节和补偿第一强度和第二强度的与温度相关的变化来实现混合光的期望的色度坐标相关性。
在图4中示出了根据一个实施例的光电子装置100。光电子装置100根据在前的描述具有带有第一LED 11的第一半导体光源1和带有第二LED 21的第二半导体光源2。第一半导体光源1与具有与温度有关的电阻的电阻元件3一起形成串联电路4。串联电路4与第二半导体光源2一起形成并联电路5，该并联电路5通过电端子6和7可以被连接到外部电流供给和电压供给。根据前面的描述，第一半导体光源1具有第一强度的第一温度相关性，其小于第二强度的第二温度相关性。电阻元件因而被构建为由硅或者铂构成的PTC元件。
针对所示出的实施例，第二半导体光源2与被构建为PTC元件的电阻元件3的并联电路使得第二LED 21发射的光的强度稳定。在环境温度和工作温度低的情况下，更多电流流经电阻元件2，而更少电流流经第二半导体光源2，在高温度的情况下，在电端子6和7之间的总电流恒定或者电压恒定时，电流平衡朝向第二半导体光源2推移，因为通过由温度引起的电阻元件3的电阻的提高而有更多电流流经第二半导体光源2。
但是，在第二半导体光源2仅与电阻元件3单独的并联连接时，在第二半导体光源2上降落的全部电压也降落在电阻元件3上，这会导致电阻元件3中的高欧姆损耗并且由此会导致低效的装置。通过电阻元件3与第一半导体光源1的附加的串联电路4，电阻元件3上的损耗功率可以被减小，由此得到光电子装置100的效率显著提高。与提高第二半导体光源2中的电流同时地，通过电阻元件3在环境温度升高时减小流经第一半导体光源1的电流，使得与第一半导体光源1的恒定的工作电流相比通过第二半导体光源2中的相对更小的电流提高来实现第一半导体光源和第二半导体光源1、2之间的电流平衡。这也再次导致：第二半导体光源2中的电流引起的自热效应可以被保持得相对更低，由此得到第二LED 21所发射的光的与在单独调节第二半导体光源2的工作电流的情况下可能的波长推移相比更小的波长推移。
对所示出的实施例可替选地并且也对下列实施例可替选地，当第一半导体光源和第二半导体光源1、2被实施为使得第一强度的第一温度相关性大于第二强度的第二温度相关性时，电阻元件3也可以被构建为NTC元件。这例如当第一半导体光源1为此具有如上所述的第二LED 21而第二半导体光源2具有如上所述的第一LED 11时情况如此。
在图5至9中示出了基于光电子装置100的光电子装置的实施例。
图5中的光电子装置101具有壳体8，该壳体8纯粹示例性地被实施为可表面安装的壳体。该壳体具有塑料、如环氧化物和/或硅树脂，并且例如可以借助成型工艺如在背景技术部分中所描述的那样来制造。此外，壳体具有用于电连接光电子装置101的引线框架81，该引线框架81包括电端子6和7。引线框架81通过壳体8的塑料材料来成型并且具有合适的连接构型，以便能够实现串联电路4和并联电路5(未示出)。
第一半导体光源和第二半导体光源1、2以及被实施为分立器件的电阻元件3被设置在壳体8的凹处82中。此外，在凹处82中，例如可以设置有用于保护半导体光源1、2和电阻元件3的透明塑料浇注体(未示出)。对此可替选地，电阻元件3也可以与引线框架81一起在制造壳体8时用壳体8的塑料材料来围绕浇注，而半导体光源1、2在制成壳体8之后被安装在凹处82中。对此可替选地，也可以在引线框架81上安装半导体光源1、2和电阻元件3，并且紧接着利用壳体8的塑料材料来成型，其中壳体8接着也可以透明地并且没有凹处82地来实施。
在所示出的实施例中，第一半导体光源1和电阻元件3并且此外还有第二半导体元件2通过壳体8和引线框架81形成热学接触。壳体8和尤其是引线框架81在此用作如下散热器：其允许半导体光源1、2和电阻元件3的均匀的温度分布。这是必需的，以便使自热效应最小化并且使电阻元件3尽可能受到与半导体光源1、2相同的温度。
光电子装置101具有极其紧凑的结构，该结构使得能够在没有其他如通常用于调节回路中的电子调节部件的情况下以上述和下述方式使光电子装置10所发射的混合光的色度坐标稳定。
在图6中示出了根据另一实施例的光电子装置102，该光电子装置102可以具有前述实施例的特征，但是与该前述实施例相比还包括热导体13，在该热导体13上设置有第一半导体光源和第二半导体光源1、2以及电阻元件3。热导体13在此由铜实施并且通过适当的空间结构化允许半导体光源1、2和电阻元件3的必要的串联电路4和并联电路5。对此可替选地，热导体13也可以具有带有高导热能力的其他材料并且例如也被集成在壳体8中。
在图7中示出了根据另一实施例的另一光电子装置103，其中与图5的实施例相比，第一半导体光源1被直接设置在电阻元件3上。电阻元件3在此被实施为所谓的“底座”，该“底座”使得在引线框架81与第一半导体光源1之间能够电连接。由此可以以简单的方式实现第一半导体光源1与电阻元件3之间的串联电路4并且同时实现其间的良好热接触。
在图8中示出了根据另一实施例的另一光电子装置104，其中第一半导体光源1的至少一个第一LED 11被实施为根据背景技术部分中的描述的薄膜半导体芯片。作为支承衬底，例如由Ge、高掺杂的Si或者GaAs构成的第一LED 11而不是通常使用的高导热的薄膜支承体具有电阻元件3。电阻元件3因此被集成到第一半导体光源1中并且具有电阻元件3至第一半导体光源1的理想的、因此(weil)本征的热耦合。由于集成的结构方式，电阻元件3的自热效应在此可被忽略。此外，不必使用附加的分立器件作为电阻元件3，这也可以降低生产成本。尤其是，被实施为支承衬底的电阻元件3具有适当掺杂的硅，该适当掺杂的硅具有此处期望的电阻的温度相关性，而不是通常对于薄膜支承体所期望的尽可能高的导电能力。对此可替选地，但铂也可以用作PTC材料或者必要时在背景技术部分中所提及的NTC材料之一可以用作支承衬底。
在图9中示出了根据另一实施例的光电子装置105，该光电子装置105与前述实施例相比具有带有电阻元件3和第一半导体光源1的第一壳体8以及带有第二半导体光源2的第二壳体8′。第一壳体和第二壳体8和8′在此可以具有如结合前述实施例以及在背景技术部分中所介绍的特征。壳体8和8′被设置在虚线绘出的电路板80上并且通过该电路板80彼此热耦合。通过作为散热器起作用的电路板80，第一半导体光源和第二半导体光源1、2以及电阻元件3可以具有相同的或者至少相似的温度。此外，壳体8和8′例如也可以通过附加的热导体彼此热耦合。通过所示出的光电子装置105的多壳体实施方案能够实现在第一半导体光源和第二半导体光源1、2的组合和空间布置方面的高灵活性。
在所有所示出的光电子装置的结构变型方案中，例如也可以将第一LED和第二LED 11、21在其单独的色度坐标和强度方面划分成所谓的“容器(bin)”。这样分类的LED接着有针对性地与适当选择的电阻元件3组合，以便获得如下产品系列，其具有带有在色度坐标、强度和温度相关性方面尽可能统一的混合光的光电子装置。
在下列图中示出了根据其他实施例的光电子装置，这些实施例是光电子装置100的修改方案和变型方案。下列实施例的描述因而主要限于与前面的描述相比的区别和改进。
在图10中示出了另一实施例的光电子装置200，该光电子装置200具有第三半导体光源9，该第三半导体光源9与根据图4的并联电路5串联连接。第三半导体光源9在所示的实施例中具有多个另外的第一LED11，纯粹示例性地示出在这些另外的第一LED 11中的两个。通过第三半导体光源9，光电子装置200的混合光的色度坐标可以被调节到在预选选择的环境和工作稳定情况下的所期望的值上。通过并联电路5与第三半导体光源9的串联连接，例如在将恒流源连接到电端子6和7时，流经第三半导体光源9的电流不受通过并联电路5中的电阻元件3的调节影响。因此，在光电子装置200中，可以有针对性地与稳定相关地补偿第一半导体光源和第二半导体光源1、2的温度相关性，而第三半导体光源9“空转”运行。
在图11中示出了光电子装置300，该光电子装置300与前述实施例相比在第二半导体光源2中具有多个第二LED 12，纯粹示例性地示出了这些第二LED 12中的两个。由此，对于光电子装置300的混合光的期望的色彩印象减小第二LED 21所需的工作电流，使得第二LED 21中的自热效应与前述实施例相比也更不强烈地显示出来。
电阻元件3在所示出的实施例中由掺杂硅构成，该掺杂硅由于其随着更高的温度而降低的载流子移动性所以具有必要的PTC特性，该PTC特性能通过与环境温度T相关的具有以下特征的电阻R(T)来表示：
R(T)＝R0·(1+α·(T-T0)+β·(T-T0)2)
其中常数α＝7.88·10-3/K，β＝1.937·10-3/K2并且室温T0＝25℃，其中R0是在室温T0下可通过掺杂调节的电阻值。在0℃与100℃之间，电阻R(T)以近似线性的变化过程变化大约两倍。硅的掺杂物被选择使得在室温、即25℃的情况下得到约3至5欧姆的电阻，该电阻尤其是还可以在光电子装置的混合光的期望色温和第一LED以及第二LED 11、21的特性曲线方面适配。
为了说明电阻元件3在光电子装置300所发射的混合光的色度坐标的温度相关性方面的补偿特性和调节特性，执行如下仿真，该仿真的结果在下列图12至14中以CIE标准色度表的片段示出。在0℃至50℃的环境温度范围中检验色度坐标推移。
对于所有仿真，假设具有电阻R(T)的上述温度相关性的由硅构成的电阻元件3。作为具有以安培为单位的电流I、以伏特为单位的电压U、以摄氏度为单位的环境温度T以及以欧姆为单位的电阻R11和R21的与温度相关的电流电压特性曲线的模型，对于第一LED 11取
U11＝R11·I+2.902-(T-25)·0.004
而对于第二LED 21取
U21＝2·(-0.07·I2+R21·I+1.85)-(T-25)·0.0025。
此外，考虑第一波长范围和第二波长范围以及第一强度和第二强度的上述温度相关性及其与所施加的工作电流I的相关性。
在图12中，对于电阻元件3取R0＝4欧姆，而对于第一LED或第二LED 11、21取R11＝0.879欧姆和R21＝1.76欧姆。点951(未填充的圆)表示比较装置的根据在0℃到50℃之间的温度范围的三个点沿着通过箭头表征的方向的色度坐标推移，该比较装置与光电子装置300相比不具有电阻元件3，其中但是对于第一LED和第二LED 11、21取同样的参数值。色度坐标推移951除了被观察的较小的温度范围之外对应于在图1A和2中示出的色度坐标903的在图1A和2中示出的色度坐标变化。点952(填满的点)相反沿着所示的前头对应于光电子装置300所发射的混合光的色色度坐标推移。电阻元件3对所发射的混合光的调节和补偿作用是可容易地看到的。尤其是，通过参阅光电子装置300的图1B和2能够实现沿着MacAdams椭圆的主轴的色度坐标推移。
在图13中，电阻元件3的电阻R0变化，并且对于点961(未填充的圆)为3欧姆，对于点962(填满的点)根据图12的点952为4欧姆，而对于点963(未填充的四边形)为5欧姆。在这种情况下可看到的是，通过选择电阻元件3的电阻R0可以改变色度坐标区域或被稳定到其上的平均光谱白色点，但是调节特性和补偿特性保持不受其影响。
在图14中再次取R0＝4欧姆，由此改变第一LED和第二LED 11、21的电阻R11和R21。点972(填满的点)再次对应于图12的点952，即R11＝0.879欧姆和R21＝1.76欧姆。对于点971(未填充的圆)对于第二LED 21取被提高了1欧姆的电阻、即R21＝2.76欧姆，而对于点973(未填充的四边形)对于第一LED 11取被提高了1欧姆的电阻、即R11＝1.879欧姆。在350毫安培的工作电流的情况下，由此在点971的情况下，第二LED在室温下的工作电压从2.1伏特已被提高到2.28伏特，而在点973的情况下第一LED在室温下的工作电压从3.21伏特已被提高到3.56伏特。从图14又可看到的是，通过适配LED的电阻虽然可以改变色度坐标区域或混合光的被稳定到其上的平均光谱白色点，但是电阻元件3引起的调节特性和补偿特性保持不受器影响。
因此，光电子装置300例如可以附加地也具有电器件，譬如可调节的电阻、固定电阻的电器件，或者有源元件，譬如晶体管，通过电器件或者有源元件可以固定调节混合光的平均色度坐标，而不影响并联电路5中的电阻元件3的调节特性和补偿特性。
在光电子装置300中以及在另外的实施例的光电子装置中，通过叠加第一半导体光源和第二半导体光源1、2的光引起的发光印象的色度坐标此外事先在没有电阻元件3的情况下被表征。随后可以在其与温度有关的电阻方面适当的电阻元件3有针对性地关于所期望的混合光被添加。
在针对具有在大约3000开尔文的色温情况下的光谱白色点的混合光所示出的仿真中，通过使用电阻元件3在所有有意义的工作条件下得到与没有电阻元件3的装置相比小于约6％并且通常甚至小于4％的效率损失。尽管通过电阻元件3引入欧姆损耗源，但对于此处描述的光电子装置而言由此令人惊奇地发现：损耗可以保持为小到可接受并且可以以简单技术开销实现显著的色度坐标稳定。
在图15至17中示出了表示前述实施例的进一步的修改方案和扩展方案的其他实施例。
根据图15的光电子装置400与光电子装置300相比在第三半导体光源9中具有光电子器件10，该光电子器件10适于在光电子装置400的预先选择的环境和工作温度的情况下调节混合光。光电子器件10在所示的实施例中具有可调节的电阻，该可调节的电阻与第三半导体光源9的第一LED 11并联连接。可替选地或者附加地，光电子器件10也可以具有一个或多个另外的固定电阻、可调节的电阻或者晶体管譬如MOSFET，这些器件适于针对预选选择的工作和环境温度调节馈送到第一半导体光源、第二半导体光源和/或必要时第三半导体光源的电流，并且这样调节具有第一波长范围和第二波长范围在混合光上的比例的均衡。
在图16中示出了另一光电子装置500，其中具有第一LED 11的第三半导体光源9独立于并联电路5通过电端子6′和7′来连接。由此，利用不同的电路支路可能实现混合光的色度坐标均衡。
在图17中示出了光电子装置600，该光电子装置600具有带有第一LED 11和第三LED 91的并联电路的第三半导体光源9。第三LED 91产生具有不同于第一波长范围和第二波长范围的第三波长范围的光。例如，第三LED 91与第一LED 11相比具有同样的外延层序列结合较少的波长转换材料，使得第三波长范围与第一波长反相比引起具有更高色温或更高蓝色分量的白色色彩印象。
对于第一LED和第三LED 11、91分别设置有电器件10，用于调节第三半导体光源9的并联电路的两个分支中的电流。由此，可以实现在调节由光电子装置600所发射的混合光的平均色度坐标方面的提高的自由度。在所示的具有前面所描述的第一LED、第二LED和第三LED 11、21、91的实施例中，并联电路5因此能够鉴于温度变化而实现色度坐标稳定，而第三半导体光源9能够实现混合光的平均光谱白色点的可固定选择的精细调节。在具有LED和电阻元件3的上述电学规范的所示的实施例中，对于光电子装置600在总电流为约500毫安培的情况下得到约11伏特的总电压，其中对于示例性的混合光调节在室温下在并联电路中的第一LED 11上为约3.15伏特，在第二LED上为约4.2伏特，在第三半导体光源9的电器件上为约0.5伏特，而在第三半导体光源9的第一LED和第三LED上为约3.15伏特。
本发明并不通过参照实施例的描述而被限于此。更确切地说，本发明包括任意新特征以及任意特征组合，这尤其是包含权利要求中的任意特征组合，即使该特征或者这些特征本身没有明确在权利要求书或者实施例中予以说明。

Claims (15)

1.一种用于发射具有在第一波长范围和第二波长范围中的光的混合光的光电子装置，包括：
-带有第一发光二极管(11)的第一半导体光源(1)，其在工作中发射具有第一强度的在第一波长范围中的光，
-带有第二发光二极管(21)的第二半导体光源(2)，其在工作中发射具有第二强度的在第二波长范围中的光，其中第一波长范围和第二波长范围彼此不同，以及
-带有与温度相关的电阻的电阻元件(3)，
其中
-第一半导体光源(1)发射的光的第一波长范围和/或第一强度具有第一温度相关性，以及
-第二半导体光源(2)发射的光的第二波长范围和/或第二强度具有第二温度相关性，所述第二温度相关性不同于第一温度相关性，
-电阻元件(3)和第一半导体光源(1)形成串联电路(4)，以及
-串联电路(4)和第二半导体光源(2)形成并联电路(5)。
2.根据权利要求1所述的装置，其中
-第一温度相关性小于第二温度相关性，以及
-电阻元件(3)是具有正温度系数的电阻元件。
3.根据权利要求2所述的装置，其中
-电阻元件(3)具有铂或者硅。
4.根据权利要求1所述的装置，其中
-第一温度相关性大于第二温度相关性，以及
-电阻元件(3)是具有负温度系数的电阻元件。
5.根据上述权利要求之一所述的装置，其中
-电阻元件(3)的电阻在大于或等于-40℃并且小于或等于125℃的温度范围中连续地变化。
6.根据上述权利要求之一所述的装置，还包括：
-在并联电路(4)中的至少一个电子器件(10)，用于在预先确定的温度情况下调节混合光，
其中
-所述至少一个电子器件(10)选自固定电阻、可调节电阻和晶体管。
7.根据上述权利要求之一所述的装置，其中
-并联电路(4)与至少一个第三半导体光源(9)串联，以及
-所述第三半导体光源(9)具有至少一个另外的第一发光二极管(11)。
8.根据权利要求7所述的装置，其中
-第三半导体光源(9)具有至少一个电子器件(10)，用于在预先确定的温度情况下调节所述第三半导体光源(9)和并联电路(4)的相对强度关系。
9.根据权利要求8所述的装置，其中
-所述第三半导体光源(9)具有至少一个第三发光二极管(91)，其在工作中发射第三波长范围中的光，该第三波长范围不同于第一波长范围，以及
-借助所述至少一个电子器件(10)在预先确定的温度情况下能够调节所述第三半导体光源(9)中的第一发光二极管(11)和第三发光二极管(91)的相对强度关系。
10.根据权利要求1至9之一所述的装置，其中
-电阻元件(3)至少与第一半导体光源(1)通过热导体(13)热接触。
11.根据权利要求1至9之一所述的装置，其中
-第一半导体光源(1)直接施加在电阻元件(3)上。
12.根据权利要求1至9之一所述的装置，其中
-电阻元件(3)构建为用于第一发光二极管(11)的支承衬底。
13.根据权利要求1至12之一所述的装置，其中
-光电子装置还具有壳体(8)，在壳体中设置有第一半导体光源和第二半导体光源(1，2)以及电阻元件(3)。
14.根据权利要求1至12之一所述的装置，还包括：
-带有第一半导体光源(1)和电阻元件(3)的第一壳体(8)，以及带有第二半导体光源(2)的第二壳体(8’)，
其中
-第一壳体和第二壳体(8，8’)热接触。
15.根据上述权利要求之一所述的装置，其中
-混合光在大于或等于0℃并且小于或等于100℃的温度范围中具有围绕平均的色度坐标的与温度相关的色度坐标推移，该色度坐标推移沿着MacAdams椭圆的主轴围绕平均的色度坐标走向。
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